CN107406307A - 附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供在利用激光对形成于基底玻璃层上的透明导电膜进行图案化时，能够抑制透明导电膜或基底玻璃层发生变色、损伤的附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法。附有透明导电膜的玻璃基板6的特征在于具备玻璃基板、设置在玻璃基板上的基底玻璃层和设置在基底玻璃层上的利用激光进行了图案化的透明导电膜3，在激光的波长下，基底玻璃层所具有的吸收率小于透明导电膜3的吸收率且大于玻璃基板的吸收率，利用激光进行图案化除去透明导电膜3的一部分而成的图案化区域10具有第一线状部分11、第二线状部分12和将第一线状部分11与第二线状部分12相连接的连接部分13，第一线状部分11与第二线状部分12所成角度为120°以下，连接部分13的曲率半径为0.5mm以上。

Description

附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法。
背景技术
在等离子体显示器、电致发光元件等之中，已知将作为电极使用的透明导电膜形成于玻璃基板等透明基板上，将透明导电膜利用激光进行图案化(专利文献1和专利文献2)。
在有机电致发光元件等中，为了提高光提取效率，在玻璃基板与透明导电膜之间，有时会设置折射率比玻璃基板高的基底玻璃层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007－207554号公报
专利文献2：日本特开2006－267834号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的发明人发现，在设置了基底玻璃层的情况下，存在使用激光对透明导电膜进行图案化时，透明导电膜或基底玻璃层容易发生变色、损伤这样的技术问题。
本发明的目的在于，提供一种对形成于基底玻璃层之上的透明导电膜利用激光进行图案化时，能够抑制透明导电膜或基底玻璃层发生变色、损伤的附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法。
用于解决技术问题的方法
本发明的附有透明导电膜的玻璃基板的特征在于，具备玻璃基板、设置在玻璃基板上的基底玻璃层、和设置在基底玻璃层之上的利用激光进行了图案化的透明导电膜，在激光的波长下，基底玻璃层所具有的吸收率小于透明导电膜的吸收率且大于玻璃基板的吸收率，利用激光进行图案化除去透明导电膜的一部分而成的图案化区域具有第一线状部分、第二线状部分和将第一线状部分与第二线状部分相连接的连接部分，第一线状部分与第二线状部分所成角度为120°以下，连接部分的曲率半径为0.5mm以上。
作为基底玻璃层，可以列举包含铋系玻璃的玻璃层。
作为基底玻璃层，可以列举所具有的折射率高于玻璃基板的折射率的玻璃层。
作为激光，例如能够使用飞秒激光。
优选在玻璃基板的设置有基底玻璃层的表面形成有凹凸。
本发明的附有透明导电膜的玻璃基板例如用作有机电致发光元件用玻璃基板。
本发明的制造方法是能够制造上述本发明的附有透明导电膜的玻璃基板的方法，该方法的特征在于，具备：制作在基底玻璃层之上形成有图案化前的透明导电膜的玻璃基板的工序；和使激光依次或以颠倒的顺序依次扫描第一线状部分、连接部分和第二线状部分，对透明导电膜照射激光，形成图案化区域的工序。
发明效果
根据本发明，在对形成于基底玻璃层之上的透明导电膜利用激光进行图案化时，能够抑制透明导电膜或基底玻璃层发生变色、损伤。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板的示意剖面图。
图2是表示本发明的一个实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板的示意俯视图。
图3是将图2所示的第一线状部分、第二线状部分和连接部分扩大示出的示意俯视图。
图4是将比较例的第一线状部分、第二线状部分和连接部分扩大示出的示意俯视图。
具体实施方式
以下，对于优选实施方式进行说明。但，以下的实施方式仅为例示，本发明不受以下的实施方式所限定。另外，在各附图中，有时对实质上具有相同功能的部件以相同的符号进行注释。
图1是表示本发明的一个实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板的示意剖面图。图2是表示本发明的一个实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板的示意俯视图。图1是沿图2所示的I－I线的示意剖面图。如图1所示，本实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板6具备玻璃基板1、设置在玻璃基板1的主面1a上的基底玻璃层2、和设置在基底玻璃层2的主面2a之上的透明导电膜3。在玻璃基板1的主面1a形成有凹凸。因此，基底玻璃层2设置在形成有凹凸的主面1a之上。
在透明导电膜3形成有利用激光进行图案化除去透明导电膜3的一部分而成的图案化区域10。透明导电膜3通过图案化区域10被分割为第一电极4和第二电极5。
本实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板6例如能够用作有机电致发光元件用玻璃基板。在用作有机电致发光元件用玻璃基板的情况下，在附有透明导电膜的玻璃基板6之上设置有有机电致发光层。有机电致发光层发光，从有机电致发光层射出的光通过透明导电膜3和玻璃基板1，被提取至外部。为了提高从有机电致发光层射出的光的提取效率，在透明导电膜3与玻璃基板1之间设置有基底玻璃层2。
即，一般来说，有机电致发光层的折射率nd为1.8～1.9左右，透明导电膜3的折射率nd为1.9～2.0左右，玻璃基板1的折射率nd通常为1.5左右。因此，在没有设置基底玻璃层2的情况下，由于玻璃基板1与透明导电膜3的折射率差大，来自有机电致发光层的光在玻璃基板1与透明导电膜3的界面发生反射，不能高效地将光提取至外部。
如本实施方式这样，通过在玻璃基板1与透明导电膜3之间设置基底玻璃层2，并使基底玻璃层2的折射率nd接近透明导电膜3的折射率nd，能够抑制上述的光反射，能够高效地将光提取至外部。因此，基底玻璃层2一般由具有高于玻璃基板1的折射率nd、例如1.8～2.2的玻璃形成。作为这样的玻璃，可以列举铋系玻璃。作为铋系玻璃，可以列举作为玻璃组成，含有10摩尔％以上Bi2O3的玻璃。
作为铋系玻璃的具体的组成，可以列举：以摩尔％表示，含有Bi2O3 10～35％、B2O320～35％、SiO2超过5～35％、Al2O3 0～10％、ZnO 0～10％、ZrO2 1～8％的玻璃；和以摩尔％表示，含有Bi2O3 10～35％、B2O3 20～35％、SiO2+Al2O3 21～45％、ZnO 0～10％、ZrO20.1～10％的玻璃等。其中“SiO2+Al2O3”是指SiO2与Al2O3的含量的总计。
另外，如本实施方式这样，通过在玻璃基板1的主面1a形成凹凸，能够降低在基底玻璃层2与玻璃基板1的界面的光的反射，能够更加高效地将光提取至外部。在主面1a形成有凹凸的玻璃基板1能够通过例如，对于具有平坦表面的玻璃板实施喷砂法、溶胶凝胶喷射法、蚀刻法等方法来制作。或者，能够通过利用在表面形成有凹凸的模具将玻璃板压制成型、或利用在表面形成有凹凸的辊对熔融玻璃进行辊轧制板，从而制作。
主面1a的表面粗糙度Ra优选设为例如0.05～2μm的范围，进一步优选为0.05～1.5μm的范围。主面1a的表面粗糙度Ra过小时，有时不能得到充分的光提取效率。另外，主面1a的表面粗糙度Ra过大时，不能得到充分的光提取效率，并且，有时不得不将基底玻璃层2的厚度增厚至必要以上。
作为透明导电膜3，能够使用例如铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、掺杂了氟的锡氧化物(FTO)等的具有导电性的复合氧化物薄膜。特别优选使用铟锡氧化物。
作为玻璃基板1，没有特别限定，只要不使光的提取效率降低即可。
在本发明中，通过利用激光对透明导电膜3进行图案化，能够除去透明导电膜3的一部分而形成图案化区域10。作为激光，使用透明导电膜3对其波长的吸收率大的激光。例如，ITO膜的情况下，在1000nm以上的波长下，吸收率变大。因此，通过使用1000nm以上的波长的激光进行图案化，能够通过激光照射除去ITO膜而形成图案化区域10。
如上所述，本发明的发明人发现，在利用激光对透明导电膜3进行图案化并通过激光照射除去透明导电膜3的一部分时，有时透明导电膜3或基底玻璃层2发生变色、损伤。发现了特别是在激光的扫描方向在垂直方向发生变化的角落部，容易发生这样的变色、损伤。对其原因进行研究的结果，得知当激光的扫描方向在垂直方向发生变化时，扫描速度降低，激光的照射时间相对地变长，因此，在该部分发生热的积攒，发生变色、损伤。另外得知，在激光的波长下，基底玻璃层2也具有大的吸收率，因此会产生这样的现象。
因此，在本发明中，在激光的波长下，基底玻璃层2所具有的吸收率小于透明导电膜3的吸收率且大于玻璃基板1的吸收率。在激光的波长下，基底玻璃层2的吸收率优选为透明导电膜3的吸收率的10～60％的范围，进一步优选为10～30％的范围内。
激光的波长只要是透明导电膜3在该波长下具有大的吸收率的波长，则没有特别限定。激光的波长优选为例如1000nm以上，更优选为1300nm以上，进一步优选为1500nm以上。激光的波长的上限值没有特别限定，但通常激光的波长为2000nm以下。
激光优选为10皮秒以下的脉冲激光，更优选为1皮秒以下的超短脉冲激光，特别优选为飞秒激光。通过使用这样的脉冲宽度小的激光，产生多光子吸收现象，能够不向周围部分扩散热地进行图案化。
激光的点径优选为图案化区域的宽度的20％～100％的范围内，进一步优选为50％～100％的范围内。
此外，一般来说，激光从透明导电膜3侧向透明导电膜3的厚度方向(z方向)进行照射。
图2是表示本发明的一个实施方式的附有透明导电膜的玻璃基板的示意俯视图。图2所示的附有透明导电膜的玻璃基板6示出一个有机电致发光元件的透明导电膜3的图案化电路。图2所示的附有透明导电膜的玻璃基板6是相邻接地形成有其他有机电致发光元件的母玻璃基板中的1个玻璃基板。
如图2所示，以沿x方向延伸的方式形成有直线状的图案化区域30和40，以沿着与这些图案化区域30和40正交的y方向延伸的方式形成有直线状的图案化区域50和60。通过这些图案化区域30、40、50和60，透明导电膜3与邻接的元件的透明导电膜相分割。
透明导电膜3中，形成有图1所示的图案化区域10。通过图案化区域10，透明导电膜3被分割，形成有第一电极4和第二电极5。例如，能够将第一电极4作为阳极使用，将第二电极5作为阴极使用。第二电极能够与设置在有机电致发光层之上的电子注入电极连接。
如图2所示，图案化区域10具有沿x方向延伸的第一线状部分11和沿y方向延伸的第二线状部分12。第一线状部分11与第二线状部分12通过连接部分13连接。另外，图案化区域10具有沿y方向延伸的第二线状部分14，第二线状部分14与第一线状部分11通过连接部分15连接。
另外，图案化区域10具有沿x方向延伸的第一线状部分16，第一线状部分16与第二线状部分12通过连接部分17连接。另外，图案化区域10具有沿x方向延伸的第一线状部分18，第一线状部分18与第二线状部分14通过连接部分19连接。
另外，图案化区域10具有沿y方向延伸的第二线状部分21，第二线状部分21与第一线状部分16通过连接部分22连接。另外，图案化区域10具有沿y方向延伸的第二线状部分23，第二线状部分23与第一线状部分18通过连接部分24连接。
图3是将图2所示的第一线状部分11、第二线状部分12和连接部分13扩大示出的示意俯视图。如图3所示，第一线状部分11与第二线状部分12以它们的所成角度为θ的方式形成。在本实施方式中，角度θ为90°。本发明不限定于此，第一线状部分11与第二线状部分12的所成角度θ只要是120°以下即可。第一线状部分11与第二线状部分12的所成角度θ优选为80°～100°的范围内。
在本实施方式中，将第一线状部分11与第二线状部分12连接的连接部分13形成为圆弧状。在本发明中，连接部分13的曲率半径为0.5mm以上。连接部分13的曲率半径优选为1.0mm以上。通过使连接部分13的曲率半径设为这样的范围，能够更有效地抑制透明导电膜3或基底玻璃层2发生变色、损伤。连接部分13的曲率半径过大时，图案化区域的形成有时变得困难。因此，连接部分13的曲率半径优选为5.0mm以下，进一步优选为3.0mm以下。
图4是将比较例的第一线状部分11、第二线状部分12和连接部分34扩大示出的示意俯视图。在图4所示的比较例中，将第一线状部分11与第二线状部分12连接的连接部分34没有形成为曲率半径0.5mm以上的圆弧状。这种情况下，激光以第一线状部分11、连接部分34和第二线状部分12的顺序，或者以第二线状部分12、连接部分34和第一线状部分11的顺序扫描时，出现在连接部分34激光在x方向和y方向的任一方向都不移动的瞬间。因此，产生激光长时间滞留的部位，在该部分积攒热量，透明导电膜3或基底玻璃层2发生变色、损伤。
相对于此，如图3所示，将连接部分13形成为曲率半径0.5mm以上的圆弧状的情况下，激光总是一边在x方向和y方向的至少任一方向移动、一边经过连接部分13，因此不产生激光长时间滞留的部位。因此，能够抑制透明导电膜3或基底玻璃层2发生变色、损伤。
参照图3和图4，对连接部分13进行了说明，对于图2所示的连接部分15、17、19、22和24，也与连接部分13相同，通过形成为曲率半径0.5mm以上的圆弧状，能够在这些部分抑制透明导电膜3或基底玻璃层2发生变色、损伤。
在图2中，将沿x方向延伸的线状部分作为第一线状部分、将沿y方向延伸的线状部分作为第二线状部分进行了说明，但本发明并不限定于此。也可以将沿y方向延伸的线状部分作为第一线状部分、将沿x方向延伸的线状部分作为第二线状部分。
符号说明
1……玻璃基板
1a……主面
2……基底玻璃层
2a……主面
3……透明导电膜
4……第一电极
5……第二电极
6……附有透明导电膜的玻璃基板
10、30、40、50、60……图案化区域
11、16、18……第一线状部分
12、14、21、23……第二线状部分
13、15、17、19、22、24、34……连接部分

Claims (7)

1.一种附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于，具备：
玻璃基板、设置在所述玻璃基板上的基底玻璃层和设置在所述基底玻璃层之上的利用激光进行了图案化的透明导电膜，
在所述激光的波长下，所述基底玻璃层所具有的吸收率小于所述透明导电膜的吸收率且大于所述玻璃基板的吸收率，
利用所述激光进行图案化除去所述透明导电膜的一部分而成的图案化区域具有第一线状部分、第二线状部分和将所述第一线状部分与所述第二线状部分相连接的连接部分，所述第一线状部分与所述第二线状部分所成角度为120°以下，所述连接部分的曲率半径为0.5mm以上。
2.如权利要求1所述的附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于：
所述基底玻璃层包含铋系玻璃。
3.如权利要求1或2所述的附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于：
所述基底玻璃层所具有的折射率高于所述玻璃基板的折射率。
4.如权利要求1～3中任一项所述的附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于：
所述激光为飞秒激光。
5.如权利要求1～4中任一项所述的附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于：
在所述玻璃基板的设置有所述基底玻璃层的表面形成有凹凸。
6.如权利要求1～5中任一项所述的附有透明导电膜的玻璃基板，其特征在于：
其为用于有机电致发光元件的玻璃基板。
7.一种制造附有透明导电膜的玻璃基板的方法，其用于制造权利要求1～6中任一项所述的附有透明导电膜的玻璃基板，该方法的特征在于，具备：
制作在所述基底玻璃层之上形成有所述图案化前的所述透明导电膜的所述玻璃基板的工序；和
使所述激光依次或以颠倒的顺序依次扫描所述第一线状部分、所述连接部分和所述第二线状部分，对所述透明导电膜照射所述激光，形成所述图案化区域的工序。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11997780B2 (en) 2020-06-26 2024-05-28 ColdQuanta, Inc. Vacuum cell with electric-field control
US20220262929A1 (en) * 2021-02-17 2022-08-18 ColdQuanta, Inc. Pulsed-laser modification of quantum-particle cells
DE102020133629A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Fügen mindestens zweier Fügepartner
CN114573246A (zh) * 2022-03-05 2022-06-03 安徽方兴光电新材料科技有限公司 可双面激光蚀刻导电玻璃及制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001266654A (ja) * 2000-01-11 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 透明電極及び透明電極のパターニング方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法
CN1855481A (zh) * 2005-04-21 2006-11-01 C.R.F.阿西安尼顾问公司 透明led显示器及其制造方法
JP2007207554A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Osaka Univ 電子回路及びその製造方法
JP2010198797A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法
JP2012170955A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン形成方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5702656A (en) * 1995-06-07 1997-12-30 United States Surgical Corporation Process for making polymeric articles
JP4738860B2 (ja) 2005-03-25 2011-08-03 株式会社リコー エレクトロクロミック表示素子
JP4872585B2 (ja) * 2005-12-06 2012-02-08 旭硝子株式会社 レーザーパターニング用透明導電膜付き基板およびその製造方法
TWI424479B (zh) * 2008-02-29 2014-01-21 Ind Tech Res Inst 利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法
JPWO2009116531A1 (ja) * 2008-03-18 2011-07-21 旭硝子株式会社 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
JPWO2011108494A1 (ja) 2010-03-01 2013-06-27 Jsr株式会社 導電性積層フィルムおよびそれを用いたタッチパネル
US8933906B2 (en) * 2011-02-02 2015-01-13 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with non-linear conductor traces
WO2014010621A1 (ja) * 2012-07-13 2014-01-16 日本電気硝子株式会社 光取り出し層形成用ガラス、これを用いた、光取り出し層形成用ガラス粉末、光取り出し層の形成方法、光取り出し層形成用材料、光取り出し層形成用ガラスペースト、有機ｅｌ素子用ガラス基板、有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子用ガラス基板の製造方法
EP2712851B1 (en) * 2012-09-28 2015-09-09 Saint-Gobain Glass France Method of producing a transparent diffusive oled substrate
US9368756B2 (en) * 2012-10-12 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same
TWI618095B (zh) 2012-10-19 2018-03-11 納美仕有限公司 導電性糊料、印刷線路板及電子裝置
JP6327579B2 (ja) * 2013-02-07 2018-05-23 日本電気硝子株式会社 有機ｅｌ素子用ガラス基板の製造方法
CN105189393B (zh) * 2013-05-09 2018-07-27 旭硝子株式会社 透光性基板、有机led元件、透光性基板的制造方法
US20140347319A1 (en) 2013-05-27 2014-11-27 Wintek Corporation Touch panel
TWI532560B (zh) * 2015-01-09 2016-05-11 位元奈米科技股份有限公司 透明導電板的雷射蝕刻方法及其所製成的透明導電板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001266654A (ja) * 2000-01-11 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 透明電極及び透明電極のパターニング方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法
CN1855481A (zh) * 2005-04-21 2006-11-01 C.R.F.阿西安尼顾问公司 透明led显示器及其制造方法
JP2007207554A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Osaka Univ 電子回路及びその製造方法
JP2010198797A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法
JP2012170955A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン形成方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周正华: "《纳米材料开发使用及质量检测技术标准应用手册 上》", 30 April 2005, 银声音像出版社 *
宗培言: "《焊接结构制造技术手册》", 31 January 2012, 上海科学技术出版社 *
帅军: "提高中厚板的激光切割精度分析", 《应用技术》 *
翁小平: "《触摸感应技术及其应用-基于CapSense》", 31 January 2010, 北京航空航天大学出版社 *

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Publication number Publication date
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