KR102044296B1

KR102044296B1 - 투명 확산성 oled 기판의 제조 방법 및 수득된 기판

Info

Publication number: KR102044296B1
Application number: KR1020157007626A
Authority: KR
Inventors: 예춘 조우; 이영성; 장 필리페 슈바이처; 뱅상 소비네
Original assignee: 쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2013-09-24
Publication date: 2019-11-13
Also published as: RU2638050C2; TW201429907A; TWI580654B; EP2712851B1; CN104684860A; KR20150060727A; JP2016500623A; EP2900614A1; WO2014048927A1; US20150255753A1; RU2015115516A; EP2712851A1; MY172903A; JP6114395B2; US9391300B2; ES2548048T3; CN104684860B

Abstract

본 발명은 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법으로서, 하기 연속적 단계: (a) 평면 반투명 유리 기판의 한 면 또는 양면을 연마재 슬러리로 래핑하여, 0.1 μm 내지 2.0 μm, 바람직하게는 0.15 μm 내지 1.5 μm, 보다 바람직하게는 0.2 μm 내지 1.0 μm 미만, 가장 바람직하게는 0.25 μm 내지 0.8 μm의 산술 평균 편차 R_a로 조도 프로파일을 갖는 적어도 하나의 조면화된 표면을 갖는 평면 유리 기판을 수득하는 단계; (b) 조면화된 표면 또는 조면화된 표면 중 하나를 1.7 이상, 바람직하게는 1.7 내지 2.2의 굴절률을 갖는 고굴절률 유리 프릿으로 코팅하는 단계이며, 이때 고굴절률 유리 프릿의 양은 상기 프릿의 용융 후 조면화된 표면의 조도 프로파일을 완전히 커버하기에 충분한 것인 단계; 및 (c) 코팅된 기판을 고굴절률 유리 프릿의 융점보다 높고 기저 기판의 연화점보다 낮은 온도로 가열하여, 조면화된 표면 중 하나 상에 고굴절률 에나멜을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.

Description

투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법 및 수득된 기판 {METHOD OF PRODUCING A TRANSPARENT DIFFUSIVE OLED SUBSTRATE AND SUBSTRATE OBTAINED}

본 발명은 유기 발광 다이오드 (OLED)에 대한 반투명 광-산란 기판의 신규 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 수득가능한 기판에 관한 것이다.

OLED는 적어도 하나가 반투명한 두 개의 전극 사이에 개재된, 형광 또는 인광 염료를 함유하는 유기 층의 스택을 포함하는 광-전자 소자이다. 전극에 전압이 인가될 때, 캐소드로부터 주입된 전자와 애노드로부터 주입된 정공이 유기 층 내에서 재결합하여, 형광/인광 층으로부터 발광이 일어난다.

통상의 OLED로부터의 광 추출은 다소 불량한 것으로 일반적으로 알려져 있으며, 이는 대부분의 광이 내부 전반사에 의해 고굴절률 유기 층 및 투명 전도성 층 (TCL) 내에 포획되기 때문이다. 내부 전반사는 고굴절률 TCL과 기저 유리 기판 (굴절률 약 1.5) 사이의 경계에서 뿐만 아니라 유리와 공기의 경계에서도 일어난다.

추정에 따르면, 임의의 추가의 추출 층을 포함하지 않는 통상의 OLED에 있어서, 유기 층으로부터 방출된 광의 약 60%가 TCL/유리 경계에서 포획되며, 또 다른 20%는 유리/공기 표면에서 포획되고, 단지 약 20%만이 OLED로부터 공기중으로 나온다.

TCL과 유리 기판 사이에 광 산란 층을 사용하여 이러한 문제점을 완화시키는 것이 알려져 있다. 그러한 광 산란 층은 TCL 굴절률에 근사한 높은 굴절률을 가지며, 복수의 광 확산성 소자를 함유한다.

유리와 OLED의 고굴절률 층 사이의 계면을 텍스쳐화함으로써 광의 아웃-커플링(out-coupling)을 증가시키는 것도 알려져 있다.

통상 "내부 추출 층 (IEL)"이라고도 불리우는 이들 "내부" 추출 수단은 TCL 또는 유기물 스택을 적용하기 전에 평탄화될 필요가 있는 거친 부분을 포함한다.

예컨대, 유리 기판의 외측 표면에 광학적으로 결합된 텍스쳐화 플라스틱 필름으로 이루어진 "외부 추출 층 (EEL)"을 사용하여 유리/공기 계면에서 광 포획을 감소시키는 것도 알려져 있다.

WO 2011/089343은 고굴절률 유리 코팅으로 평탄화된 적어도 하나의 텍스쳐화 표면을 포함하는 OLED 기판을 개시하고 있다. 그러한 기판은 산 에칭에 의해 텍스쳐화되는 것으로 기재되어 있다. 강산, 특히 HF를 사용하는 유리 에칭은 유리 표면을 텍스쳐화하는데 통상적으로 사용되는 방법이다. 그러나, 그와 같은 습식 화학적 방법은 얇은 유리 (두께 <1 mm)에 실시될 때에는 복잡한 공정이다. 에칭 단계 중에 유리판은 수평하게 유지되어야 하므로, 이러한 기술은 공정 단계당 두 표면 중 하나만이 에칭될 수 있게 한다. 또한, 조도 프로파일 파라미터를 최적화하기가 어려우며, 무엇보다도 HF를 사용함으로써 환경 및 부근 작업자에게 중요한 안전상의 문제를 야기한다.

본 발명의 기본이 되는 구상은 화학적 조면화 단계를 훨씬 덜 유해한 기계적 조면화 단계로 대체하여, 조도 프로파일을 보다 잘 조절하고 기판의 양면을 동시에 조면화할 수 있게 함으로써, 투명 OLED 유리 기판의 내부 및 외부 추출 층 (IEL 및 EEL)을 단일 단계로 생성하려는 것이다.

본 발명의 방법의 제1 단계로서 실행되는 래핑(lapping) 단계는 2 mm 미만,심지어 1 mm 미만의 두께를 갖는 상당히 얇은 유리 기판에 용이하게 수행된다. 연마재의 경도 및 입자 크기, 래핑 압력, 속도 및 시간과 같은 공정 파라미터는 조도 프로파일을 용이하게 조정하고 조절할 수 있게 한다.

화학적 에칭 및 기계적 조면화에 의해 수득된 조면화 기판들을 비교할 때, 본 출원인은 또한 약 85 내지 95%의 주어진 원하는 헤이즈 범위에 대해, 기계적으로 연마되는 유리 표면의 조도 프로파일이 슬러리 메쉬 (슬러리의 입자 크기 분포)를 조정하는 것에 의해 쉽게 조절될 수 있고, 결과적으로 산-에칭된 표면에 비하여 상당히 덜 깊다는 것을 밝혀냈다. 이는 훨씬 얇은 고굴절률 유리 코팅일지라도 광-산란 프로파일의 거친 부분을 만족스럽게 메꾸어 평탄화시키기에 충분하기 때문에, 생산 비용이 더 낮으면서도 더 얇은 최종 제품을 생산할 수 있다는 것을 의미한다.

래핑 단계 후에 디스플레이 패널, 특히 액정 디스플레이 (LCD) 패널용 유리 기판을 박화 및 평면화하기 위한 폴리슁(polishing)이 수행되는 것으로 일반적으로 알려져 있다. 그러한 경우에, 낮은 헤이즈와 낮은 조도 프로파일이 요구된다. 폴리슁 단계에서, 거친 표면의 평탄화는 극히 미세하고 균질한 연마재를 사용하여 이루어진다. 폴리슁된 표면은 통상적으로 "경면 (미러 표면)"으로 알려져 있다.

본 발명에서, 편평화 공정은 미세 폴리슁 단계 이전에 수행된다. 유리 기판은 일측 또는 양측 래핑 단계로 처리된다. 적합한 표면 조도 (R_a)에 이른 후에, 한 쪽 면이 선행 기술에서와 같이 미세 연마재를 이용한 폴리슁에 의해서가 아니라, 생성된 조면화 프로파일을 고굴절률 유리 프릿으로 메꾸고 커버한 다음 용융시켜 임의의 돌출된 유리 돌기가 없는 균일하고 평탄한 유리 에나멜을 형성하는 것에 의해 평탄화된다. 고굴절률 유리 에나멜로 커버된 쪽이 내부 추출 층 (IEL)을 형성하며, 이후에 투명 전도성 층 (애노드)을 수용한다. 래핑 단계가 양면 상에서 수행되는 경우, 제2의 비-평탄화 표면이 외부 추출 층 (EEL)으로 작용할 것이다.

본 발명의 방법은 매우 흥미로운 것인데, 이는 본 발명의 방법이 표면 결함 (상부 주석, 상부 오점 등), 표면 균열 또는 스크래치, 유리 풍화 또는 고온 및 고습에서의 장기간 저장으로 인한 노화에 기인한 표면의 화학적 변형이 일어난 플로트 유리와 같은 보다 저급의 유리에 적합하기 때문이다. 이와 같은 표면상의 결함은 래핑 단계 중에 제거될 것이다. 또한, 기포와 같은 부피가 큰 결함은 래핑 공정에 의해 제공되는 흐릿한 표면에 의해 보이지 않게 될 것이다. 저급 유리를 사용함으로써 생산 비용을 더욱 절감할 수 있다.

따라서, 본 발명은 저렴하고, 얇은 OLED용 광-산란 기판을 제조하는 안전하고 간편한 방법을 제공한다. 본 발명 방법의 세 개의 기본적 단계 (평면 유리 기판의 래핑 - 유리 프릿의 코팅 - 유리 프릿 코팅의 용융)는 선행 기술에 잘 알려져 있으며, 기존 또는 공지된 기술 장치로 수행될 수 있다.

그러나, 본 출원인이 익히 알고 있는 바로는, 지금까지 이들 단계가 이하 기재되고 청구되는 방식으로 조합되어 OLED용 기판을 생산하는데 사용된 적은 없다.

본 발명의 투명 확산성 OLED 기판을 제조하는 방법은 하기 연속적 단계:

(a) 평면 반투명 유리 기판의 한 면 또는 양면을 연마재 슬러리로 래핑하여, 0.1 μm 내지 2.0 μm, 바람직하게는 0.15 μm 내지 1.5 μm, 보다 바람직하게는 0.2 μm 내지 1.0 μm 미만, 가장 바람직하게는 0.25 μm 내지 0.8 μm의 산술 평균 편차 R_a로 조도 프로파일을 갖는 적어도 하나의 조면화 표면을 갖는 평면 유리 기판을 수득하는 단계;

(b) 조면화된 표면 또는 조면화된 표면 중 하나를 1.7 이상, 바람직하게는 1.7 내지 2.2의 굴절률을 갖는 고굴절률 유리 프릿으로 코팅하는 단계이며, 이때 고굴절률 유리 프릿의 양은 상기 프릿의 용융 후 조면화된 표면의 조도 프로파일을 완전히 커버하기에 충분한 것인 단계; 및

(c) 코팅된 기판을 고굴절률 유리 프릿의 융점보다 높고 기저 기판의 연화점보다 낮은 온도로 가열하여, 조면화된 표면 중 하나 상에 고굴절률 에나멜을 형성하는 단계

를 포함한다.

래핑 슬러리는 충분히 높은 경도와 적합한 입자 크기를 갖는 세라믹 연마재 입자를 함유하는 임의의 공지된 슬러리일 수 있다.

연마재 입자의 누프(Knoop) 경도는 바람직하게는 1800 HK 이상, 보다 바람직하게는 2000 HK 이상이다. 연마재 입자는, 예컨대, 산화알루미늄 (백색 코런덤(corundum) 포함), 탄화규소, 특히 흑색 및 녹색 SiC; 예를 들어, Mg, Y 또는 Ce 등으로 도핑된 산화지르코늄, 질화붕소, 이들 입자의 혼합물 및 SiC-코팅된 알루미나와 같은 복합 코어-쉘 입자로 이루어진 군으로부터 선택된다.

백색 코런덤 입자 (2160 HK) 및 녹색 SiC 입자 (2600 HK)가 가장 바람직하다.

연마재의 평균 입자 크기는 바람직하게는 500 내지 5000 메쉬, 보다 바람직하게는 800 내지 3500 메쉬, 보다 더 바람직하게는 1000 내지 3200 메쉬, 가장 바람직하게는 2000 내지 3000 메쉬의 범위에 포함된다.

보다 미세한 입자 (평균 입자 크기 > 5000 메쉬)의 연마재 슬러리는 충분히 거칠지 않은 표면 및 과도하게 긴 래핑 시간을 초래한다. 과도하게 거친 입자 (< 500 메쉬)를 사용할 때, 가공되는 유리 표면은 너무 거칠어져 평탄화를 위해 원치 않는 많은 양의 유리 프릿을 필요로 한다.

적합한 연마재 슬러리는, 예컨대, G&P 테크놀로지 컴퍼니(G&P Technology Company)에 의해 이용가능하며 판매되고 있다.

상기 설명된 바와 같이, 래핑 단계 (a)는 바람직하게는 평면 유리 기판의 양면 상에서 동시에 수행되어, 양면 상에 동일한 조도 프로파일을 제공한다. 양면을 개별적으로 상이한 래핑 조건 하에 래핑할 수도 있으나, 일반적으로 그렇게 하는 것이 특히 유리한 것은 아니다.

산술 평균 편차 R_a는 ISO 4287에 정의되어 있다. 이는 샘플의 단면을 주사 전자 현미경 (SEM), 표면 프로파일 측정 또는 3D 레이저 현미경으로 검사하여 측정될 수 있다. 본 발명에서, 실험 결과의 대부분은 공초점 레이저 주사 현미경 (케이언스(Keyence) VK-X100 현미경, 레이저 스팟 크기 0.26 μm x 0.26 μm, 270 μm x 202 μm 면적에 대한 분석)으로 얻어졌다. ISO 4287에 정의된 바와 같은 프로파일 요소의 평균 폭 RS_m도 동일한 장치로 측정될 수 있으나, 선 스캔으로부터 추출된다.

단계 (a)로 들어가는 평면 반투명 유리 기판은 일반적으로 두께가 0.1 내지 5 mm, 바람직하게는 0.3 내지 1.6 mm이다.

유리 기판은 미리 가장자리-그라인딩(grinding)된 것이 바람직한데, 그라인딩되지 않은 유리 기판 가장자리는 연마재 입자보다 훨씬 큰 유리 칩을 방출시켜 유리 표면 상에 보기 흉한 스크래치를 남길 수 있기 때문이다.

래핑 단계 (a)는 공지된 실험실용 또는 산업용 래핑 기계, 예컨대, LCD 산업용 폴리슁 장치, 또는 스피드팸(SpeedFam) 22B 기계 (대만의 스피드팸 인크.)와 같은, 양면을 동시에 폴리슁하는 광학용의 보다 저렴한 장치에서 수행될 수 있다.

래핑 압력은 바람직하게는 1.38 kPa 내지 6.89 kPa (0.2 내지 1.0 psi), 보다 바람직하게는 2.1 내지 5.5 kPa (0.3 내지 0.8 psi)에 포함되며, 3 내지 60분, 바람직하게는 5 내지 30분, 보다 바람직하게는 10 내지 20분에 포함되는 지속 시간 (래핑 시간) 동안 유지된다. 보다 거친 연마재로 시작하여 미세한 연마재로 마치는 2회 이상의 연속적인 래핑 단계는 일반적으로 필요하지 않다. 바람직한 실시양태에서, 본 발명의 방법은 한 가지 종류의 연마재 슬러리를 사용하는 단지 1회의 래핑 단계를 포함한다.

단계 (a)로부터 얻어진 (한 면 또는 양면 조면화 처리된) 평면 유리 기판의 헤이즈는 일반적으로 75 내지 98%, 바람직하게는 85 내지 97%, 보다 바람직하게는 87 내지 95%에 포함된다. 헤이즈 값은 PE 람다(Lambda) 950 또는 배리안 캐리(Varian Carry) 5000과 같은 분광광도계로 측정될 수 있으나, BYK 헤이즈미터와 같은 보다 빠르고 저렴한 전용 장치로 측정될 수 있다.

다음 단계에서, 고굴절률 유리 프릿의 박층이 유리 기판의 조면화된 표면 또는 조면화된 표면 중 하나 상에 코팅된다. 그러한 코팅은 바람직하게는 유리 입자의 수성 또는 유기 현탁액을 스크린 인쇄, 분무 코팅, 바 코팅, 롤 코팅, 슬롯 코팅, 또는 가능하게는 스핀 코팅에 의해 적용된다. 적합한 고굴절률 유리, 그의 코팅 및 소성 방법에 대한 기재는, 예컨대, EP 2 178 343에서 찾아볼 수 있다.

유리 프릿은 융점이 450℃ 내지 570℃에 포함되는 것으로 선택되어, 1.7 내지 2.2의 굴절률을 갖는 에나멜로 되어야 한다.

바람직한 유리 프릿은 다음과 같은 조성을 갖는다:

Bi₂O₃: 55 내지 75 중량%

BaO: 0 내지 20 중량%

ZnO: 0 내지 20 중량%

Al₂O₃: 1 내지 7 중량%

SiO₂: 5 내지 15 중량%

B₂O₃: 5 내지 20 중량%

Na₂O: 0.1 내지 1 중량%

CeO₂: 0 내지 0.1 중량%

전형적인 실시양태에서, 유리 프릿 입자 (70 내지 80 중량%)는 20 내지 30 중량%의 유기 비히클 (에틸 셀룰로스 및 유기 용매)과 혼합된다. 생성된 프릿 페이스트는 이어서 스크린 인쇄 또는 슬롯 코팅에 의해 텍스쳐화 유리 기판에 적용된다. 생성된 층은 120 내지 200℃의 온도에서 가열하여 건조된다. 유기 결합제 (에틸 셀룰로스)는 350 내지 440℃의 온도에서 타서 제거되며, 최종 에나멜을 생성하는 소성 단계는 450℃ 내지 570℃의 온도에서 수행된다.

생성된 에나멜의 표면 조도는 10 μm x 10 μm 영역에 대하여 AFM으로 측정할 때, 산술 평균 편차 R_a (ISO 4287)가 0.5 nm 미만인 것으로 나타났다.

본 발명의 장점 중의 하나는 래핑된 표면이 상당히 얕은 조도 프로파일을 갖는다는 것이다. 래핑된 표면은 산-에칭된 기판보다 낮은 프로파일 요소 평균 높이 (ISO 4287:1997, 4.1.4)를 가지므로, 텍스쳐를 완전히 커버하기 위한 최소량이 감소될 수 있다.

본 발명에서, 단계 (b)에서 조면화된 표면 상으로 코팅되는 고굴절률 유리 프릿의 양은 일반적으로 15 내지 100 g/m², 바람직하게는 20 내지 90 g/m², 보다 바람직하게는 25 내지 80 g/m², 가장 바람직하게는 30 내지 70 g/m²에 포함된다.

소성 단계의 말기에, 에나멜은 고화된 코팅의 내부에 포집된 가스로 채워진 작은 세공을 함유할 수 있다. 그러한 세공은 유리하게는 또 다른 광-산란 요소로서 작용한다. 이들 세공의 농도는 프릿 입자의 크기 및 소성 조건을 조정하여 조절될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 2 부피%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 1.8 부피%에 포함된다.

본 발명에 사용되는 유리 프릿 및 그로부터 생성되는 에나멜은 결정성 SiO₂ 또는 TiO₂ 입자와 같은 고체 산란 입자를 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 그러한 입자는 고굴절률 산란 층에서 산란 요소로서 통상적으로 사용되나, 일반적으로 추가의 평탄화 단계를 필요로 하므로, 고굴절률 코팅의 총 두께를 증가시킨다. 본 발명에서, 얕은 조도 프로파일과 동시에 고체 산란 요소의 부재로 인해 매우 얇은 고굴절률 유리 코팅이 가능하다.

단계 (c)로부터 얻어지는 래핑되고 평탄화된 유리 기판은 저면-발광 OLED용 기판으로 특히 유용하다. 투명 전도성 층은 유기 발광 층 스택을 적용하기 전에 고굴절률 에나멜의 상부에 적용되어야 한다.

따라서, 바람직한 실시양태에서, 본 발명의 방법은 단계 (c)로부터 생성된 고굴절률 에나멜을 투명 전도성 층, 바람직하게는 투명 전도성 산화물로 코팅하는 추가의 단계 (단계 (d))를 포함한다.

OLED용 애노드로 사용될 수 있는 투명 전도성 층은 선행 기술에 잘 공지되어 있다. 가장 통상적으로 사용되는 재료는 ITO (산화인듐주석)이다. 투명 전도성 층은 80% 이상의 광 투과율, 1.7 내지 2.2의 굴절률을 가져야 한다. 그의 총 두께는 전형적으로 50 내지 200 nm에 포함된다.

출원인이 익히 알고 있는 바로는, 본 발명의 방법에 따라 수득할 수 있는,

- 한 면 또는 양면 상에 상기 정의한 바와 같은 조도 프로파일을 갖는 평면 반투명 유리 기판, 및

- 1.7 이상, 바람직하게는 1.7 내지 2.2의 굴절률을 가지며, 조면화 표면의 조도 프로파일을 완전히 커버하는 고굴절률 에나멜, 및 임의로는

- 고굴절률 에나멜 상에 코팅된 투명 전도성 층

을 포함하는 투명 OLED 기판은 선행 기술에 기재된 바 없으며, 따라서, 이 또한 본 발명의 주제이다.

본 발명은 또한 투명 OLED 기판을, 특히 바람직하게는 애노드 측으로 포함하는 유기 발광 다이오드에 적용된다.

실시예

두께가 0.7 mm인 18개의 유리판 (200 mm x 200 mm, 플로트 유리)을 한 면 래핑 및 양면 동시 래핑이 가능한 래핑 장치 상에서 래핑 처리하였다.

G&P 테크올로지 컴퍼니로부터의, 입자 크기가 각각 500 메쉬, 1000 메쉬, 2000 메쉬 및 3000 메쉬인 4개의 상이한 연마재 슬러리를 사용하였다. 가장 미세한 연마재 슬러리 (2000 메쉬 및 3000 메쉬)를 일측 및 양측 래핑에 사용하였다. 각각의 래핑은 삼중으로, 즉, 3개의 유리판에 대해 이루어졌다.

래핑 단계 종료시에, 연마된 표면에 여전히 붙어 있는 입자를 제거하기 위하여 샘플을 초음파 세정하였다.

연마된 표면을 조도 프로파일 및 파라미터를 결정하기 위하여 3D 레이저 현미경 (케이언스 VK-X100 현미경, 레이저 스팟 크기 0.26 μm x 0.26 μm, λ_s = 0.8 μm, λ_c = 0.25 mm)으로 검사하였다. 각 샘플에 대하여 3회의 대면적 분석 (270 μm x 202 μm)을 수행하였으며, 평균 값은 9개의 원시 데이터 시리즈 (삼중 시험 각각에 대한 3회의 분석)로부터 계산하였다.

하기 표는 평가된 프로파일의 산술 평균 편차 (R_a), 프로파일 최대 높이 (R_z) 및 프로파일 요소의 평균 폭 (RS_m)을 보여준다. HF 에칭에 의해 수득된 샘플 (사티노보(SATINOVO)^®)에 대한 비교 데이터도 제공되어 있다.

하기 표 1의 결과는, 약 88 내지 94% (한 면 래핑된 샘플)의 주어진 만족할 만한 헤이즈 범위에서, 본 발명의 단계 (a)로부터 얻어진 프로파일이 HF-에칭에 의한 선행 기술 유리 기판 (사티노보^®)에 비하여 상당히 낮은 조도 파라미터 (R_a)를 갖는다는 것을 보여준다. 가장 거친 연마재 슬러리 (#500 연마재)로 얻어진 실시예 1의 프로파일 최대 높이 (R_z)는 선행 기술의 사티노보^® 샘플과 유사하였으나, 보다 미세한 연마재 슬러리로 얻어진 모든 실시예에 있어서, R_z 값은 사티노보^® 보다 상당히 낮았다.

실시예 1, 2, 3 및 5의 기판을 만족스러운 정도로 평탄화하기 위한 고굴절률 유리 프릿의 최소량은 각각 90 g/m², 65 g/m², 60 g/m² 및 55 g/m²에 이르는 한편, 사티노보^® 샘플은 약 110 g/m²을 필요로하였다.

상기한 결과는 본 발명의 방법이 내부 및 외부 광 추출 층을 갖는 OLED를 제조하는데 적합한 얇은 광-산란 유리 기판을 제조하는, 간편하고, 저렴하며 효율적인 수단을 제공한다는 것을 보여준다.

Claims

하기 연속적 단계:
(a) 평면 반투명 유리 기판의 한 면 또는 양면을 연마재 슬러리로 래핑(lapping)하여, 0.1 μm 내지 2.0 μm의 산술 평균 편차 R_a로 조도 프로파일을 갖는 적어도 하나의 조면화된 표면을 갖는 평면 유리 기판을 수득하는 단계;
(b) 조면화된 표면 또는 조면화된 표면들 중 하나를 1.7 내지 2.2의 굴절률을 갖는 고굴절률 유리 프릿으로 코팅하는 단계이며, 이때 고굴절률 유리 프릿의 양은 상기 프릿의 용융 후 조면화된 표면의 조도 프로파일을 완전히 커버하기에 충분한 것인 단계; 및
(c) 코팅된 기판을 고굴절률 유리 프릿의 융점보다 높고 기저 기판의 연화점보다 낮은 온도로 가열하여, 조면화된 표면들 중 하나 상에 고굴절률 에나멜을 형성하는 단계
를 포함하는, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)의 연마재 슬러리가 1800 HK 이상의 누프(Knoop) 경도를 갖는 연마재 입자를 함유하는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제2항에 있어서, 연마재 입자가 산화알루미늄 (백색 코런덤 포함), 탄화규소 (SiC), Mg, Y 또는 Ce로 도핑된 산화지르코늄, 질화붕소, 이들 입자의 혼합물 및 SiC-코팅된 알루미나와 같은 복합 코어-쉘 입자로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제2항에 있어서, 연마재 입자가 500 내지 5000 메쉬의 범위에 포함되는 평균 입자 크기를 갖는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 래핑 단계 (a)를 평면 유리 기판의 양면 상에 동시에 수행하는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)에서의 래핑 압력이 1.38 kPa 내지 6.89 kPa에 포함되는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)에서의 래핑 시간이 3 내지 60분에 포함되는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)로부터 얻어진 하나 또는 두 개의 조면화된 표면을 갖는 평면 유리 기판의 헤이즈가 85 내지 97%에 포함되는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (b)에서 조면화된 표면 상으로 코팅되는 고굴절률 유리 프릿의 양이 15 내지 100 g/m²에 포함되는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 유리 프릿 및 생성된 에나멜이 SiO₂ 또는 TiO₂ 입자와 같은 산란 입자를 실질적으로 함유하지 않는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (a)로 들어가는 평면 반투명 유리 기판이 0.1 내지 5 mm의 두께를 갖는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 단계 (c)로부터 얻어진 고굴절률 에나멜을 투명 전도성 층으로 코팅하는 것을 추가로 포함하는, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 고굴절률 유리 프릿이
Bi₂O₃: 55 내지 75 중량%
BaO: 0 내지 20 중량%
ZnO: 0 내지 20 중량%
Al₂O₃: 1 내지 7 중량%
SiO₂: 5 내지 15 중량%
B₂O₃: 5 내지 20 중량%
Na₂O: 0.1 내지 1 중량%
CeO₂: 0 내지 0.1 중량%
의 조성을 갖는 것인, 투명 확산성 OLED 기판의 제조 방법.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 수득가능한 투명 OLED 기판.
제14항에 따른 투명 기판을 포함하는 OLED.