JP2010182773A5 - - Google Patents

Description

上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、シリコン基板と、前記シリコン基板の厚み方向に貫通して形成されたスルーホールと、前記シリコン基板の両面、側面及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、前記スルーホールに形成された貫通電極と、前記シリコン基板の少なくとも一方の面に形成され、前記貫通電極に接続された配線層と、前記配線層に接続されて、前記シリコン基板の一方の面から側面に延在して形成された金属ワイヤ端子とを有し、前記金属ワイヤ端子の一端部は前記配線層に接続され、前記金属ワイヤ端子の他端部は前記シリコン基板の一方の面から側面に沿って形成されていることを特徴とする。

これにより、図７（ｂ）の配線部材５を上下反転させると、図７（ｃ）に示すように、配線部材５の下面側の配線層２２の接続部に接続されて、配線部材５の下面側から側面Ｓに沿って上側に延在する金属ワイヤ端子４２が設けられる。

本実施形態の電子装置２では側面Ｓに金属ワイヤ端子４２が設けられているので、実装基板が垂直方向（縦方向）に配置されている場合に都合がよい。つまり、図９（ａ）に示すように、実装基板５０が垂直方向に壁のように立って配置されている場合、本実施形態の電子装置２は側面Ｓの金属ワイヤ端子４２が実装基板５０の接続電極５２に接続されて実装される。

Claims (11)

1. シリコン基板と、
   前記シリコン基板の厚み方向に貫通して形成されたスルーホールと、
   前記シリコン基板の両面、側面及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、
   前記スルーホールに形成された貫通電極と、
   前記シリコン基板の少なくとも一方の面に形成され、前記貫通電極に接続された配線層と、
   前記配線層に接続されて、前記シリコン基板の一方の面から側面に延在して形成された金属ワイヤ端子とを有し、
   前記金属ワイヤ端子の一端部は前記配線層に接続され、前記金属ワイヤ端子の他端部は前記シリコン基板の一方の面から側面に沿って形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記シリコン基板の前記配線層が形成された面と反対面側の中央部に凹部が設けられており、前記スルーホール及び貫通電極は前記凹部の底部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記金属ワイヤ端子は、ワイヤボンディング法によって形成された金ワイヤからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記金属ワイヤ端子が設けられた前記シリコン基板の側面には、厚み方向に溝が設けられており、前記金属ワイヤ端子は前記溝に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 請求項１乃至４のいずれかの配線基板と、
   前記シリコン基板の前記配線層が形成された面と反対面側に実装され、前記貫通電極に電気的に接続された電子部品とを有することを特徴とする電子装置。
6. 前記配線基板の上に蓋が設けられており、前記電子部品が気密封止されていることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
7. 請求項５又は６の電子装置と、
   前記電子装置が実装された実装基板であって、前記電子装置の基板方向が前記実装基板の基板方向に直交するように、前記電子装置の側面の前記金属ワイヤ端子が前記実装基板の接続電極に接続された前記実装基板とを有することを特徴とする電子装置実装構造。
8. 前記実装基板は垂直方向に立って配置されており、前記電子部品はその基板方向が水平方向に配置されることを特徴とする請求項７に記載の電子装置実装構造。
9. 前記電子部品はＭＥＭＳ加速度センサであることを特徴とする請求項８に記載の電子装置実装構造。
10. 前記電子装置の前記実装基板との接続領域の周りに補強樹脂が設けられていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電子装置実装構造。
11. 前記電子装置の前記金属ワイヤ端子は金ワイヤからなり、前記実装基板の接続電極はその最上層が金層、又は金／錫合金層からなり、
    前記電子装置の前記金属ワイヤ端子と前記実装基板の接続電極とは、金と金との超音波接合、又は金−錫接合によって接続されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電子装置実装構造。