JP2009260049A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、
   前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、
   前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、
   前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、
   前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法。
2. 第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１又は第２の基板に形成された蓋体と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、
   前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、
   前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、
   前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、
   前記第１の基板又は前記第２の基板の形状は、枠状であり、
   枠状の前記第１の基板又は前記第２の基板の上に、前記蓋体が形成され、
   前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法。
3. 前記電子装置は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有し、
   前記外部接続用パッドに外部接続端子を加熱により形成する外部接続端子形成工程を有し、
   前記合金の再溶融温度は、前記外部接続端子を形成するときの加熱温度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２の電子装置の製造方法。
4. 前記金属層のみが溶融する温度は、１５６．６度Ｃ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
5. 前記第１の基板は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
6. 前記第２の基板は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
7. 前記第１の基板及び／又は前記第２の基板に、凹部を形成することを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。