JP2010139482A - X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射体2は、面粗さRaがナノメータオーダである反射面3を有している必要があり、反射面3を入射X線ビーム1に対して全反射臨界角以下の角度ωだけ傾斜させて配置する。そうすると全反射であるため、反射X線ビーム6が反射体に侵入する侵入領域8の深さ、侵入深さδは数ナノメータとなり、したがって、通過X線ビーム7の遮蔽端のボケcも数ナノメータとなる。反射X線ビーム6の端のボケもほぼδであり同様である。よって反射体2を、矢印Aで示す入射X線ビーム1に直交する方向に移動させて通過X線ビーム7の強度を測定し、その変化を微分処理することにより、理想的なナイフエッジスキャンを行うことができる。
【選択図】図4
Description
図5及び6に実施例を示す。反射体2には、シリコンウエハを用いた。入射X線ビーム1の直径は約20μm、エネルギーは15keVとした。図3に示すように、通過X線ビーム7の強度をX線強度検出器12により測定した。シリコンウエハの15keVにおける全反射臨界角は約0.12°であるので視射角ωを0.1°として確実に全反射が起きるようにした。
2 反射体
3 反射面
4 切断面
5 角
6 反射X線ビーム
7 通過X線ビーム
8 X線侵入領域
10 X線ビーム
11、13 4象限スリット
12 X線強度検出器
14 微分器
Claims (5)
- X線ビームの断面強度分布を測定するための方法であって、
前記X線ビームを、反射体に全反射条件を満たす視射角で入射する入射ステップと、
前記反射体を前記X線ビームに直交する少なくとも1つの方向に移動する反射体移動ステップと、
前記反射体で反射する反射X線ビーム及び前記反射体で反射せずに通過する通過X線ビームのいずれかの強度を、前記反射体を移動させながら測定する強度測定ステップと、
測定された前記強度の変化を微分する微分ステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記反射体移動ステップにおいて移動する前記少なくとも1つの方向は、互いに直交する2つの方向であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記X線ビームと前記反射体の反射面との間の角度をスキャンして前記反射体の前記反射面で反射した反射X線ビームの強度を測定することにより、前記X線ビームの前記反射面に対する全反射臨界角を決定し、前記全反射条件を満たすように前記反射体を配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記反射体は、半導体単結晶ウエハであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体単結晶ウエハは、シリコンウエハであることを特徴とする請求項4に記載の方法。
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