JP2004245840A - 小角散乱測定を含むx線反射率測定 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title abstract description 46
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 32
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000004279 X-ray Guinier Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010896 thin film analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
Abstract
【解決手段】 試料の検査用装置は、放射線源と、放射線源による表面の領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取るために配置された検出素子アレイと、を有する。上記アレイが、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析する第1の作動上の配置と、表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析する第2の作動上の配置と、を有する。信号処理装置は、表面に対する仰角に応じた表面の反射率と、表面の平面における方位角に応じた表面の散乱プロファイルと、を決定するために、2つの配置において検出器アレイからの信号を処理する。
【選択図】図1
Description
ここで、Rは孔サイズであり、Rmax及びRminは、実践的な最大及び最小のサイズ限界である。Fは、球状の孔を仮定し、以下に与えられる散乱形状因子である。
孔サイズの分布n(R)が、ギニエ近似に基づいて、正規分布として近似され得る。
その代わりに、対数正規分布のような他の分布が採用されてもよい。
散乱結果を処理する代替の方法と同様に、適合手順の詳細は、当業者に明らかである。
22 試料
24 可動ステージ
26 X線源
27 入射ビーム
28 小領域
29 反射ビーム
30 検出器アセンブリ
32 素子アレイ
34 窓
36 ナイフエッジ
38 シャッタ
39 スリット
40 処理装置
42 プロファイル
46 検出素子
50 上部曲線
52 下部曲線
60 上部曲線
62 下部曲線
64 データ点
66 曲線
70 クラスターツール
72 堆積ステーション
74 検査ステーション
76 他のステーション
77 ウエハ
78 ロボット
80 コントローラ
82 ワークステーション
90 システム
92 真空チャンバ
94 堆積装置
96 X線窓
Claims (23)
- 試料の検査用装置において、
試料の表面上の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置される検出素子アレイであって、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析する第1の作動上の配置、及び表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析する第2の作動上の配置をとる上記アレイを有する検出器アセンブリと、
表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結される信号処理装置と、を有することを特徴とする試料の検査用装置。 - 上記放射線源が、上記領域の方へX線ビームを放射するのに適したX線源を備え、また、上記検査用装置が、上記アレイが第1又は第2の作動上の配置にあるかに依存するビームの横寸法を調整するのに適したX線光学部品を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記X線光学部品が、上記アレイが上記第1の作動上の配置にある場合には、試料の表面の上記領域に収束する円錐状放射線を規定するためにビームを調節するように、また、上記アレイが上記第2の作動上の配置にある場合には、実質的にビームを平行にするように適合させられることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 上記X線光学部品が、上記試料の表面に対する角度範囲を調節するために調整可能であるシャッタアセンブリを有し、その内部で上記X線ビームが上記表面に入射することを特徴とする請求項2記載の装置。
- 上記信号処理装置が、上記試料の基板の上にある表面層に起因する上記散乱プロファイルを決定するように適合させられ、上記シャッタアセンブリが、上記X線ビームが上記表面に入射する角度範囲が表面層から外部への全反射の第1臨界角により、また、上記基板から外部への全反射の第2臨界角によりほぼ拘束されるように調節可能であり、上記第2臨界角が上記第1臨界角より大きいことを特徴とする請求項4記載の装置。
- 上記検出素子アレイが、アレイ軸を有し、上記アレイが、上記アレイ軸が第1の作動上の配置において表面に垂直であるように、また、上記アレイ軸が第2の作動上の配置において表面に平行であるように回転可能であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
- 上記アレイが、リニアアレイを有し、上記検出素子が、上記アレイ軸に垂直でありアレイのピッチよりかなり大きい横寸法を有することを特徴とする請求項6記載の装置。
- 上記アレイが、上記検出素子の2次元マトリクスを有し、上記検出器アセンブリが、上記アレイ軸に垂直な方向に沿って上記アレイのそれぞれの列における上記検出素子のビニングを行うように適合させられることを特徴とする請求項6記載の装置。
- 上記アレイが、上記検出素子の2次元マトリクスを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
- 上記信号処理装置が、上記試料の基板の上にある多孔質表面層に起因する反射率及び散乱プロファイルを決定するように、また、反射率及び散乱プロファイルに基づいて、多孔質表面層内部に位置する孔の1つ若しくはそれ以上の特性を評価するように適合させられることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の装置。
- 上記1つ若しくはそれ以上の特性が、上記孔の密度及び平均サイズを有することを特徴とする請求項10記載の装置。
- 試料の検査用方法において、
試料の表面上の領域を照射するステップと、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取り、受け取られた放射線に反応する第1信号を発生させるために、上記表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析する第1の作動上の配置に検出素子アレイを配列するステップと、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取り、受け取られた放射線に反応する第2信号を発生させるために、上記表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析する第2の作動上の配置に検出素子アレイを配列するステップと、
上記表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定するために第1信号を処理するステップと、
上記表面の平面における方位角に応じて上記表面の散乱プロファイルを決定するために第2信号を処理するステップと、を有することを特徴とする試料の検査用方法。 - 上記領域を照射するステップが、上記領域の方へX線ビームを指向させるステップと、上記アレイが第1又は第2の作動上の配置にあるかに依存するビームの横寸法を調整するステップと、を有することを特徴とする請求項12記載の方法。
- 上記ビームを指向させるステップが、上記アレイが第1の作動上の配置にある場合には、円錐状光線を上記領域に収束するように指向させるステップを有し、上記横寸法を調整するステップが、上記アレイが第2の作動上の配置にある場合には、実質的にビームを平行にするステップを有することを特徴とする請求項13記載の方法。
- 上記横寸法を調節するステップが、上記アレイが第2の作動上の配置にある場合には、X線ビームが上記表面に入射する角度範囲が、上記試料の基板に上にある表面層から外部への全反射の第1臨界角により、また、上記基板から外部への全反射の第2臨界角によりほぼ拘束されるように横寸法を制限するステップを有し、上記第2臨界角が上記第1臨界角より大きいことを特徴とする請求項13記載の方法。
- 上記第1信号を処理するステップが、上記アレイが第2の作動上の配置にある場合には、上記ビームの横寸法を調整するのに使用するために、第1及び第2臨界角を決定するステップを有することを特徴とする請求項15記載の方法。
- 上記検出素子アレイが、アレイ軸を有し、上記第1の作動上の配置に上記アレイを配列するステップが、上記第1の作動上の配置において上記表面に垂直なアレイ軸を位置調整するステップを有し、上記第2の作動上の配置に上記アレイを配列するステップが、上記アレイ軸が第2の作動上の配置において上記表面に平行であるように上記アレイを回転するステップを有することを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の方法。
- 上記アレイが、上記検出素子の2次元マトリクスを有し、上記第1の作動上の配置に上記アレイを配列するステップが、上記表面に平行な方向に沿って上記アレイのそれぞれの列における上記検出素子のビニングを行うステップを有し、上記第2の作動上の配置に上記アレイを配列するステップが、上記表面に垂直な方向に沿って上記アレイのそれぞれの列における上記検出素子のビニングを行うステップを有することを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の方法。
- 上記第1及び第2信号を処理するステップが、上記試料の基板の上にある多孔質表面層に起因する反射率及び散乱プロファイルを決定するステップと、反射率及び散乱プロファイルに基づいて、上記多孔質表面層内部に位置する孔の1つ若しくはそれ以上の特性を評価するステップと、を有することを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の方法。
- 上記1つ若しくはそれ以上の特性が、上記孔の密度及び平均サイズを含んでいることを特徴とする請求項19記載の方法。
- 上記領域を照射するステップが、ウエハの表面に薄膜層を堆積するために使用されるチャンバ内部で半導体ウエハを照射するステップを有し、第1及び第2の作動上の配置に検出素子アレイを配列するステップが、上記チャンバ内部でウエハの表面から放射線を受け取るステップを有することを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の方法。
- マイクロ電子デバイスを製造するクラスターツールにおいて、上記クラスターツールが、堆積ステーションと、検査ステーションと、信号処理装置と、を有し、
上記堆積ステーションが、半導体ウエハの表面に薄膜層を堆積するように適合させられ、
上記検査ステーションが、
ウエハの表面上の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面から放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置される検出素子アレイであって、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析する第1の作動上の配置及び表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析する第2の作動上の配置をとる上記アレイを備えた検出器アセンブリと、を有し、
上記信号処理装置が、堆積ステーションにより堆積された薄膜層の品質を評価できるように、表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結されることを特徴とするマイクロ電子デバイスを製造するクラスターツール。 - マイクロ電子デバイス製造用装置において、
半導体ウエハを受け取るのに適した製造チャンバと、
上記チャンバ内部で半導体ウエハの表面上に薄膜層を堆積するのに適した堆積装置と、
上記チャンバ内部でウエハの表面の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置された検出素子アレイであって、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析する第1の作動上の配置及び表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析する第2の作動上の配置をとる上記アレイを有する検出器アセンブリと、
堆積ステーションにより堆積された薄膜層の品質を評価できるように、表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結される信号処理装置と、を有することを特徴とするマイクロ電子デバイス製造用装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/364,883 US6895075B2 (en) | 2003-02-12 | 2003-02-12 | X-ray reflectometry with small-angle scattering measurement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004245840A true JP2004245840A (ja) | 2004-09-02 |
JP4512382B2 JP4512382B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=32824514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004035270A Expired - Lifetime JP4512382B2 (ja) | 2003-02-12 | 2004-02-12 | 小角散乱測定を含むx線反射率測定 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6895075B2 (ja) |
JP (1) | JP4512382B2 (ja) |
TW (1) | TWI327219B (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061107 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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