JP4977498B2 - 薄膜積層体検査方法 - Google Patents
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- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
Description
以上の結果より、本実施例の反射率曲線に、X線反射率の解析に一般的に利用されている、最小二乗法解析やフーリエ変換解析法を適用することで、薄膜の膜厚を検査可能であることが分かった。
2:シリコン基板、
3:アルミニウム薄膜、
4:SiO2膜、
5:反射X線、
6:X線源、
7:X線、
8:第一対称反射結晶、
9:第二対称反射結晶、
10:イオンチェンバー、
11:垂直集光鏡、
12:水平集光鏡、
13:X線検出器、
14:計数装置、
15:ドライバー/コントローラ、
16:計算機、
17:表示装置、
18:半導体X線検出器、
19:カプトン膜、
20:溶液。
Claims (8)
- 薄膜を複数積層した積層体であって、該積層体上に厚い保護膜、あるいは液体を有する積層体が設けられた基板を試料台に載置するステップと、
前記薄膜が積層されている方向と交差するように、前記積層体側面からX線を入射するステップと、
前記X線の前記積層体側面への入射角(θ)、または入射するX線の波長を変化させ、前記積層体から反射されるX線の反射率の入射角依存性、またはX線波長依存性を測定するステップと、
前記入射角、または前記X線波長を散乱ベクトル;q=(4π/λ)sinθに変換し、前記X線反射率の散乱ベクトル依存性曲線を取得するステップと、
前記X線反射率の散乱ベクトル依存性により求めた計測反射率曲線と、理論より導出された理論反射率曲線との最小二乗法解析により前記積層体の膜厚を得るステップとを有し、
前記積層体に入射するX線のビーム形状は、その短辺、又は短径が前記試料台に載置された前記積層体の位置において、10μm以下であることを特徴とする薄膜積層体検査方法。 - 前記積層体に積層された薄膜の膜厚が、前記試料台に載置された前記積層体の位置における前記入射X線ビームの短辺、又は短径の3倍以上で、15倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜積層体検査方法。
- 前記積層体上に、前記試料台に載置された前記積層体の位置における前記入射X線ビームの短辺、又は短径の3倍以上で、15倍以下の膜厚を有する液層を設けることを特徴とする請求項1に記載の薄膜積層体検査方法。
- 前記積層体のX線の透過方向の厚さが、前記積層体に入射する前記X線の短辺、又は短径の100倍以上で、2mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜積層体検査方法。
- 薄膜を複数積層した積層体であって、該積層体上に厚い保護膜、あるいは液体を有する積層体が設けられた基板を試料台に載置するステップと、
前記薄膜が積層されている方向と交差するように、前記積層体側面からX線を入射するステップと、
前記X線の前記積層体側面への入射角(θ)、または入射するX線の波長を変化させ、前記積層体から反射されるX線の反射率の入射角依存性、またはX線波長依存性を測定するステップと、
前記入射角、または前記X線波長を散乱ベクトル;q=(4π/λ)sinθに変換し、前記X線反射率の散乱ベクトル依存性曲線を取得するステップと、
前記X線反射率の散乱ベクトル依存性により求めた計測反射率曲線をフーリエ変換し、得られたフーリエピークから前記積層体の膜厚を得るステップとを有し、
前記積層体に入射するX線のビーム形状は、その短辺、又は短径が前記試料台に載置された前記積層体の位置において、10μm以下であることを特徴とする薄膜積層体検査方法。 - 前記積層体に積層された薄膜の膜厚が、前記試料台に載置された前記積層体の位置における前記入射X線ビームの短辺、又は短径の3倍以上で、15倍以下であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜積層体検査方法。
- 前記積層体上に、前記試料台に載置された前記積層体の位置における前記入射X線ビームの短辺、又は短径の3倍以上で、15倍以下の膜厚を有する液層を設けることを特徴とする請求項5に記載の薄膜積層体検査方法。
- 前記積層体のX線の透過方向の厚さが、前記積層体に入射する前記X線の短辺、又は短径の100倍以上で、2mm以下であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜積層体検査方法。
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