JP5504502B2 - X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 - Google Patents
X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5504502B2 JP5504502B2 JP2010153310A JP2010153310A JP5504502B2 JP 5504502 B2 JP5504502 B2 JP 5504502B2 JP 2010153310 A JP2010153310 A JP 2010153310A JP 2010153310 A JP2010153310 A JP 2010153310A JP 5504502 B2 JP5504502 B2 JP 5504502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- reflected
- sample
- dimensional
- neutron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
(式1)
1/Ls−c+1/Lc−f=2/Rsinθ0
ここで、「Ls−c」は、X線源から反射型ポリクロメータ1までの距離を示し、「Lc−f」は、反射型ポリクロメータ1から焦点Fu−Fsまでの距離を示す。また、「θ0」は、反射型ポリクロメータ1の中心に入射されるX線ビームに対するブラッグ角度を示し、「R」は、反射型ポリクロメータ1の曲率半径を示している。以下の(式4)においても同様である。
(式2)
Φ=2δsinθ
なお、「Φ」は、反射型ポリクロメータ1からの反射X線が鉛直方向に下方側に振られる角度を示し、「δ」は、反射型ポリクロメータ1に加えた捻りの角度を示し、「θ」は、反射型ポリクロメータ1上でX線が反射されるときのブラッグ角度を示している。
(式3)
λ(Å)=E(keV)/12.398
ここで、「λ」は、反射X線の波長を示し、「E」は、反射X線のエネルギーを示している。
(式4)
EH−EL=E0l(1/R−sinθ0/Ls−c)cotθ0
なお、「EH」は、反射型ポリクロメータ1の上流側で反射されるX線ビームのエネルギーを示し、「EL」は、反射型ポリクロメータ1の下流側で反射されるX線ビームのエネルギーを示している。また、「l」は、反射型ポリクロメータ1の長手方向の長さを示し、「E0」は、反射型ポリクロメータ1の中心で反射されるX線ビームのエネルギーを示している。
2 二次元検出器
3 分析装置
Claims (6)
- 試料上面から見て扇型に集束されるX線束であって、水平方向の集束角に応じて鉛直面内でX線ビームと試料表面となす角度が連続的に変化するX線束を作成し、試料表面で反射されたX線強度分布を二次元検出器で測定し、その二次元強度分布から試料表面に垂直な方向の散乱ベクトルの関数として変化するX線反射率曲線を求めることを特徴とするX線反射率曲線の測定方法。
- 前記二次元検出器は、試料表面に平行な水平軸と試料表面に垂直な垂直軸とからなる二次元検出面を有し、前記二次元検出面上で前記水平軸に対して斜めの直線状に検出される各点のX線強度から、前記斜めの直線上の各点を含む鉛直線上に検出される散漫散乱X線強度分布から求められるバックグラウンド強度を差し引いて前記X線反射率曲線を求めることを特徴とする請求項1記載のX線反射率曲線の測定方法。
- 結晶表面垂線が水平面内に留まるように湾曲させた結晶の一端の結晶表面垂線が水平面から所定角度だけ下を向くように捻りが加えられ、湾曲面でX線を反射させて集束後発散し進行方向に依存して照射角が連続的に変化するX線束を試料表面に照射する湾曲結晶と、前記試料の後方に配置され、前記試料表面で反射した反射X線が入射する二次元検出器と、前記二次元検出器で検出された反射X線の二次元強度分布から試料表面に垂直な方向の散乱ベクトルの関数として変化するX線反射率曲線を求める分析装置とを具備することを特徴とするX線反射率曲線の測定装置。
- 試料上面から見て扇型に集束される中性子線束であって、水平方向の集束角に応じて鉛直面内で中性子線ビームと試料表面となす角度が連続的に変化する中性子線ビームを作成し、試料表面で反射された中性子線強度分布を二次元検出器で測定し、その二次元強度分布から試料表面に垂直な方向の散乱ベクトルの関数として変化する中性子線反射率曲線を求めることを特徴とする中性子線反射率曲線の測定方法。
- 前記二次元検出器は、試料表面に平行な水平軸と試料表面に垂直な垂直軸とからなる二次元検出面を有し、前記二次元検出面上で前記水平軸に対して斜めの直線状に検出される各点の中性子線強度から、前記斜めの直線上の各点を含む鉛直線上に検出される散漫散乱中性子線強度分布から求められるバックグラウンド強度を差し引いて前記中性子線反射率曲線を求めることを特徴とする請求項4記載の中性子線反射率曲線の測定方法。
- 結晶表面垂線が水平面内に留まるように湾曲させた結晶の一端の結晶表面垂線が水平面から所定角度だけ下を向くように捻りが加えられ、湾曲面で中性子線を反射させて集束後発散し進行方向に依存して照射角が連続的に変化する中性子線束を試料表面に照射する湾曲結晶と、前記試料の後方に配置され、前記試料表面で反射した反射中性子線が入射する二次元検出器と、前記二次元検出器で検出された反射中性子線の二次元強度分布から試料表面に垂直な方向の散乱ベクトルの関数として変化する中性子線反射率曲線を求める分析装置とを具備することを特徴とする中性子線反射率曲線の測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153310A JP5504502B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153310A JP5504502B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012013659A JP2012013659A (ja) | 2012-01-19 |
JP5504502B2 true JP5504502B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=45600254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010153310A Active JP5504502B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5504502B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210109042A1 (en) * | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Industrial Technology Research Institute | X-ray reflectometry apparatus and method thereof for measuring three dimensional nanostructures on flat substrate |
US11867595B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-01-09 | Industrial Technology Research Institute | X-ray reflectometry apparatus and method thereof for measuring three dimensional nanostructures on flat substrate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1183766A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-26 | Ricoh Co Ltd | X線反射率測定装置 |
JPH11337507A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Canon Inc | X線反射率測定方法およびx線反射率測定装置 |
JP2000035408A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Fujitsu Ltd | X線反射率法を用いた膜構造解析方法 |
JP2000155102A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Rigaku Corp | X線測定装置およびその方法 |
US6895075B2 (en) * | 2003-02-12 | 2005-05-17 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry with small-angle scattering measurement |
JP3903184B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-04-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | X線反射率測定装置およびx線反射率測定方法 |
JP4521573B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2010-08-11 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
-
2010
- 2010-07-05 JP JP2010153310A patent/JP5504502B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210109042A1 (en) * | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Industrial Technology Research Institute | X-ray reflectometry apparatus and method thereof for measuring three dimensional nanostructures on flat substrate |
US11579099B2 (en) * | 2019-10-14 | 2023-02-14 | Industrial Technology Research Institute | X-ray reflectometry apparatus and method thereof for measuring three dimensional nanostructures on flat substrate |
US11867595B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-01-09 | Industrial Technology Research Institute | X-ray reflectometry apparatus and method thereof for measuring three dimensional nanostructures on flat substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012013659A (ja) | 2012-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5009563B2 (ja) | 試料の検査方法および装置 | |
TWI327219B (en) | Apparatus and method for inspection of a sample,and cluster tool and apparatus for producing microelectronic devices | |
US7076024B2 (en) | X-ray apparatus with dual monochromators | |
Stahn et al. | Focusing specular neutron reflectometry for small samples | |
US10060865B2 (en) | Measurement of critical dimensions of nanostructures using X-ray grazing incidence in-plane diffraction | |
CN110398506A (zh) | 用于小角x射线散射测量的x射线检测光学器件 | |
JP2023139005A (ja) | 小角x線散乱計測計 | |
US7154992B2 (en) | Phase contrast X-ray device for creating a phase contrast image of an object and method for creating the phase contrast image | |
KR101862692B1 (ko) | 검사 설비, 검사 방법 및 검사 시스템 | |
KR102243222B1 (ko) | 빔 생성 유닛 및 x선 소각 산란 장치 | |
US9080944B2 (en) | Method and apparatus for surface mapping using in-plane grazing incidence diffraction | |
Matsushita et al. | A simultaneous multiple angle-wavelength dispersive X-ray reflectometer using a bent-twisted polychromator crystal | |
Osterhoff et al. | Focus characterization of the NanoMAX Kirkpatrick–Baez mirror system | |
JP5504502B2 (ja) | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 | |
JP4521573B2 (ja) | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 | |
JP5483840B2 (ja) | X線撮像装置及びx線撮像方法 | |
JP3717115B2 (ja) | 伝播線を用いた解析方法及びその装置 | |
JP4694296B2 (ja) | 蛍光x線三次元分析装置 | |
JP3989836B2 (ja) | サンプル状態検査装置及び方法 | |
Voegeli et al. | A quick convergent-beam laboratory X-ray reflectometer using a simultaneous multiple-angle dispersive geometry | |
JP2002333409A (ja) | X線応力測定装置 | |
Kumar et al. | Studies on scattering of laser radiation from viewing dump in tokamak Thomson scattering system | |
CZ307169B6 (cs) | Kompaktní systém pro charakterizaci spektra a profilu intenzity svazku krátkovlnného záření | |
JPS6353457A (ja) | 二次元走査型状態分析装置 | |
JP2010169469A (ja) | 結晶歪み検出方法および結晶歪み検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5504502 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |