JP4512382B2 - 小角散乱測定を含むx線反射率測定 - Google Patents
小角散乱測定を含むx線反射率測定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4512382B2 JP4512382B2 JP2004035270A JP2004035270A JP4512382B2 JP 4512382 B2 JP4512382 B2 JP 4512382B2 JP 2004035270 A JP2004035270 A JP 2004035270A JP 2004035270 A JP2004035270 A JP 2004035270A JP 4512382 B2 JP4512382 B2 JP 4512382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- radiation
- detector
- axis
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 44
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 title description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000004279 X-ray Guinier Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010896 thin film analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
ここで、Rは孔サイズであり、Rmax及びRminは、実践的な最大及び最小のサイズ限界である。Fは、球状の孔を仮定し、以下に与えられる散乱形状因子である。
孔サイズの分布n(R)が、ギニエ近似に基づいて、正規分布として近似され得る。
その代わりに、対数正規分布のような他の分布が採用されてもよい。
散乱結果を処理する代替の方法と同様に、適合手順の詳細は、当業者に明らかである。
22 試料
24 可動ステージ
26 X線源
27 入射ビーム
28 小領域
29 反射ビーム
30 検出器アセンブリ
32 素子アレイ
34 窓
36 ナイフエッジ
38 シャッタ
39 スリット
40 処理装置
42 プロファイル
46 検出素子
50 上部曲線
52 下部曲線
60 上部曲線
62 下部曲線
64 データ点
66 曲線
70 クラスターツール
72 堆積ステーション
74 検査ステーション
76 他のステーション
77 ウエハ
78 ロボット
80 コントローラ
82 ワークステーション
90 システム
92 真空チャンバ
94 堆積装置
96 X線窓
Claims (17)
- 試料の検査用装置において、
試料の表面上の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置される検出素子アレイであって、アレイ軸を有し、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に垂直である第1の作動上の配置と、表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に平行である第2の作動上の配置との間で回転可能である上記検出素子アレイを有する検出器アセンブリと、
表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結される信号処理装置と、を有することを特徴とする試料の検査用装置。 - 上記放射線源が、上記領域の方へX線ビームを放射するのに適したX線源を備え、また、上記検査用装置が、上記検出素子アレイが上記第1の作動上の配置にある場合には、試料の表面の上記領域に収束する円錐状放射線を規定するために上記X線ビームを調節するように、また、上記検出素子アレイが上記第2の作動上の配置にある場合には、実質的に上記X線ビームを平行にするように適合させられるX線光学部品を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記X線光学部品が、上記試料の表面に対する角度範囲を調節するために調整可能であるシャッタアセンブリを有し、上記角度範囲内において上記X線ビームが上記表面に入射することを特徴とする請求項2記載の装置。
- 上記信号処理装置が、上記試料の基板の上にある表面層に起因する上記散乱プロファイルを決定するように適合させられ、上記シャッタアセンブリが、上記X線ビームが上記表面に入射する角度範囲が表面層から外部への全反射の第1臨界角により、また、上記基板から外部への全反射の第2臨界角により制限されるように調節可能であり、上記第2臨界角が上記第1臨界角より大きいことを特徴とする請求項3記載の装置。
- 上記検出素子アレイが、リニアアレイを有し、上記リニアアレイにおける検出素子が、上記アレイ軸に垂直であり上記検出素子アレイのピッチよりかなり大きい横寸法を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記検出素子アレイが、検出素子の2次元マトリクスを有し、上記検出器アセンブリが、上記アレイ軸に垂直な方向に沿って上記検出素子アレイのそれぞれの列における上記検出素子アレイの検出素子のビニングを行うように適合させられることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記信号処理装置が、上記試料の基板の上にある多孔質表面層に起因する反射率及び散乱プロファイルを決定するように、また、反射率及び散乱プロファイルに基づいて、多孔質表面層内部に位置する孔の1つ若しくはそれ以上の特性を評価するように適合させられることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記1つ若しくはそれ以上の特性が、上記孔の密度及び平均サイズを有することを特徴とする請求項7記載の装置。
- 試料の検査用方法において、
試料の表面上の領域を照射するステップと、
アレイ軸を有する検出素子アレイを、放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取り、受け取られた放射線に反応する第1信号を発生させるために上記表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析するように、該アレイ軸が表面に垂直に位置調整される第1の作動上の配置に配列するステップと、
上記検出素子アレイを、放射線源による上記領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取り、受け取られた放射線に反応する第2信号を発生させるために上記表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析するように、該アレイ軸が表面に平行になるように該検出素子アレイを回転することによる第2の作動上の配置に配列するステップと、
上記表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定するために第1信号を処理するステップと、
上記表面の平面における方位角に応じて上記表面の散乱プロファイルを決定するために第2信号を処理するステップと、を有することを特徴とする試料の検査用方法。 - 上記領域を照射するステップが、上記領域の方へX線ビームを指向させるステップを有し、該X線ビームを指向させるステップが、上記検出素子アレイが第1の作動上の配置にある場合には、円錐状光線を上記領域に収束するように指向させるステップを有し、上記検出素子アレイが第2の作動上の配置にある場合には、実質的にX線ビームを平行にするステップを有することを特徴とする請求項9記載の方法。
- 上記X線ビームを指向させるステップが、上記検出素子アレイが第2の作動上の配置にある場合には、X線ビームが上記表面に入射する角度範囲が、上記試料の基板の上にある表面層から外部への全反射の第1臨界角により、また、上記基板から外部への全反射の第2臨界角により制限されるように上記X線ビームを制限するステップを有し、上記第2臨界角が上記第1臨界角より大きいことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 上記第1信号を処理するステップが、上記アレイが第2の作動上の配置にある場合には、上記ビームを制限するのに使用するために、第1及び第2臨界角を決定するステップを有することを特徴とする請求項11記載の方法。
- 上記第1及び第2信号を処理するステップが、上記試料の基板の上にある多孔質表面層に起因する反射率及び散乱プロファイルを決定するステップと、反射率及び散乱プロファイルに基づいて、上記多孔質表面層内部に位置する孔の1つ若しくはそれ以上の特性を評価するステップと、を有することを特徴とする請求項9記載の方法。
- 上記1つ若しくはそれ以上の特性が、上記孔の密度及び平均サイズを含んでいることを特徴とする請求項13記載の方法。
- 上記領域を照射するステップが、ウエハの表面に薄膜層を堆積するために使用されるチャンバ内部で半導体ウエハを照射するステップを有し、第1及び第2の作動上の配置に検出素子アレイを配列するステップが、上記チャンバ内部でウエハの表面から放射線を受け取るステップを有することを特徴とする請求項9記載の方法。
- マイクロ電子デバイスを製造するクラスターツールにおいて、上記クラスターツールが、堆積ステーションと、検査ステーションと、信号処理装置と、を有し、
上記堆積ステーションが、半導体ウエハの表面に薄膜層を堆積するように適合させられ、
上記検査ステーションが、
ウエハの表面上の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による上記領域の照射に起因する表面から放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置される検出素子アレイであって、アレイ軸を有し、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に垂直である第1の作動上の配置と、表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に平行である第2の作動上の配置との間で回転可能である上記検出素子アレイを備えた検出器アセンブリと、を有し、
上記信号処理装置が、堆積ステーションにより堆積された薄膜層の品質を評価できるように、表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結されることを特徴とするマイクロ電子デバイスを製造するクラスターツール。 - マイクロ電子デバイス製造用装置において、
半導体ウエハを受け取るのに適した製造チャンバと、
上記チャンバ内部で半導体ウエハの表面上に薄膜層を堆積するのに適した堆積装置と、
上記チャンバ内部でウエハの表面の領域を照射するのに適した放射線源と、
放射線源による領域の照射に起因する表面からの放射線を受け取るように、また、受け取られた放射線に反応する信号を発生させるように配置された検出素子アレイであって、アレイ軸を有し、表面に垂直な第1軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に垂直である第1の作動上の配置と、表面に平行な第2軸に沿って受け取られた放射線を分析するための該アレイ軸が表面に平行である第2の作動上の配置との間で回転可能である上記検出素子アレイを有する検出器アセンブリと、
堆積ステーションにより堆積された薄膜層の品質を評価できるように、表面に対する仰角に応じて表面の反射率を決定すべく第1の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために、また、表面の平面における方位角に応じて表面の散乱プロファイルを決定すべく第2の作動上の配置の検出器アセンブリからの信号を処理するために連結される信号処理装置と、を有することを特徴とするマイクロ電子デバイス製造用装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/364,883 US6895075B2 (en) | 2003-02-12 | 2003-02-12 | X-ray reflectometry with small-angle scattering measurement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004245840A JP2004245840A (ja) | 2004-09-02 |
JP4512382B2 true JP4512382B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=32824514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004035270A Expired - Lifetime JP4512382B2 (ja) | 2003-02-12 | 2004-02-12 | 小角散乱測定を含むx線反射率測定 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6895075B2 (ja) |
JP (1) | JP4512382B2 (ja) |
TW (1) | TWI327219B (ja) |
Families Citing this family (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7062013B2 (en) * | 2001-04-12 | 2006-06-13 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy |
JP3953754B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2007-08-08 | 株式会社リガク | 密度不均一試料解析方法ならびにその装置およびシステム |
JP3666862B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2005-06-29 | 株式会社リガク | イオン交換膜の評価方法及び有機物の評価方法 |
DE10340072A1 (de) * | 2003-08-30 | 2005-03-31 | Bruker Axs Gmbh | Virtueller 2-dimensionaler Detektor |
JP4224376B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2009-02-12 | 株式会社リガク | 膜構造解析方法およびその装置 |
JP3927960B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2007-06-13 | 株式会社リガク | 空孔率の測定方法及び装置並びに粒子率の測定方法及び装置 |
CN100485373C (zh) * | 2004-07-14 | 2009-05-06 | 西南技术工程研究所 | 短波长x射线衍射测量装置和方法 |
US7068753B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-06-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections |
JP5031215B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2012-09-19 | ジョルダン バレー アプライド ラディエイション リミテッド | 多機能x線分析システム |
US7120228B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-10-10 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Combined X-ray reflectometer and diffractometer |
US7600916B2 (en) * | 2004-12-01 | 2009-10-13 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Target alignment for X-ray scattering measurements |
US7076024B2 (en) * | 2004-12-01 | 2006-07-11 | Jordan Valley Applied Radiation, Ltd. | X-ray apparatus with dual monochromators |
US7474732B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-01-06 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Calibration of X-ray reflectometry system |
US7110491B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-09-19 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Measurement of critical dimensions using X-ray diffraction in reflection mode |
US7804934B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-28 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Accurate measurement of layer dimensions using XRF |
US20070091325A1 (en) * | 2005-01-07 | 2007-04-26 | Mehrdad Nikoonahad | Multi-channel optical metrology |
WO2006091762A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Dermisonics, Inc. | Method for enhancing attenuation characteristic of absorbent materials useful with dermal and transdermal substance delivery systems |
WO2006091840A2 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Accent Optical Technologies, Inc. | Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry |
JP2009504225A (ja) * | 2005-08-08 | 2009-02-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固定焦点ロングフォーマットデジタルx線撮影をするシステム及び方法 |
EP1925932B1 (en) * | 2005-08-29 | 2017-02-22 | Rigaku Corporation | Vertical/horizontal small-angle x-ray scattering device and measuring method for small-angle x-ray scattering |
US7605366B2 (en) | 2005-09-21 | 2009-10-20 | Troxler Electronic Laboratories, Inc. | Nuclear density gauge |
KR101374308B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2014-03-14 | 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드 | Xrf를 사용한 층 치수의 정밀 측정법 |
US7481579B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-01-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Overlay metrology using X-rays |
US20070274447A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Isaac Mazor | Automated selection of X-ray reflectometry measurement locations |
US7406153B2 (en) * | 2006-08-15 | 2008-07-29 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Control of X-ray beam spot size |
IL180482A0 (en) * | 2007-01-01 | 2007-06-03 | Jordan Valley Semiconductors | Inspection of small features using x - ray fluorescence |
JP4977498B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-07-18 | 株式会社日立製作所 | 薄膜積層体検査方法 |
US7920676B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-04-05 | Xradia, Inc. | CD-GISAXS system and method |
JP5103583B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2012-12-19 | 株式会社ジェイテック | X線ナノビーム強度分布の精密測定方法及びその装置 |
US7680243B2 (en) * | 2007-09-06 | 2010-03-16 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | X-ray measurement of properties of nano-particles |
JP5246548B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-07-24 | 富士電機株式会社 | X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
JP5367549B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 基板計測方法 |
US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
JP5504502B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-05-28 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
US9390984B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate |
JP5743856B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2015-07-01 | 株式会社東芝 | 計測装置および計測方法 |
US10801975B2 (en) | 2012-05-08 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Metrology tool with combined X-ray and optical scatterometers |
US9389192B2 (en) | 2013-03-24 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps |
US9778213B2 (en) | 2013-08-19 | 2017-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Metrology tool with combined XRF and SAXS capabilities |
US9846132B2 (en) | 2013-10-21 | 2017-12-19 | Kla-Tencor Corporation | Small-angle scattering X-ray metrology systems and methods |
US10460999B2 (en) | 2013-11-27 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metrology device and metrology method thereof |
US9588066B2 (en) * | 2014-01-23 | 2017-03-07 | Revera, Incorporated | Methods and systems for measuring periodic structures using multi-angle X-ray reflectance scatterometry (XRS) |
US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
US9606073B2 (en) | 2014-06-22 | 2017-03-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray scatterometry apparatus |
US10012606B1 (en) | 2014-06-24 | 2018-07-03 | Kla-Tencor Corporation | X-ray based metrology with primary and secondary illumination sources |
US10151986B2 (en) | 2014-07-07 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology based on measurements of proxy structures |
US10210606B2 (en) | 2014-10-14 | 2019-02-19 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based and scatterometry overlay measurements |
US10215559B2 (en) | 2014-10-16 | 2019-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Metrology of multiple patterning processes |
US10139352B2 (en) | 2014-10-18 | 2018-11-27 | Kla-Tenor Corporation | Measurement of small box size targets |
US9710728B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corporation | Image based signal response metrology |
US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
US9739719B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-22 | Kla-Tencor Corporation | Measurement systems having linked field and pupil signal detection |
US10345095B1 (en) | 2014-11-20 | 2019-07-09 | Kla- Tencor Corporation | Model based measurement systems with improved electromagnetic solver performance |
US10072921B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-09-11 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for spectroscopic beam profile metrology having a first two dimensional detector to detect collected light transmitted by a first wavelength dispersive element |
US10324050B2 (en) | 2015-01-14 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Measurement system optimization for X-ray based metrology |
US9470639B1 (en) | 2015-02-03 | 2016-10-18 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology with reduced sensitivity to grating anomalies |
US10185303B2 (en) | 2015-02-21 | 2019-01-22 | Kla-Tencor Corporation | Optimizing computational efficiency by multiple truncation of spatial harmonics |
US9970863B2 (en) | 2015-02-22 | 2018-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology with reduced focus error sensitivity |
US10365225B1 (en) | 2015-03-04 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Multi-location metrology |
US10502549B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Model-based single parameter measurement |
DE112016001982T5 (de) | 2015-04-28 | 2018-02-15 | Kla-Tencor Corporation | Recheneffiziente auf röntgenstrahlgestützte messung des overlays |
US10030965B2 (en) | 2015-05-08 | 2018-07-24 | Kla-Tencor Corporation | Model-based hot spot monitoring |
US10380728B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-08-13 | Kla-Tencor Corporation | Model-based metrology using images |
US10101676B2 (en) | 2015-09-23 | 2018-10-16 | KLA—Tencor Corporation | Spectroscopic beam profile overlay metrology |
US10352695B2 (en) | 2015-12-11 | 2019-07-16 | Kla-Tencor Corporation | X-ray scatterometry metrology for high aspect ratio structures |
US10684238B2 (en) | 2016-01-11 | 2020-06-16 | Bruker Technologies Ltd. | Method and apparatus for X-ray scatterometry |
US9921152B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for extended infrared spectroscopic ellipsometry |
US10504759B2 (en) | 2016-04-04 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor metrology with information from multiple processing steps |
US10281263B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-05-07 | Kla-Tencor Corporation | Critical dimension measurements with gaseous adsorption |
US10041873B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Porosity measurement of semiconductor structures |
US10145674B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of semiconductor structures with capillary condensation |
US11313809B1 (en) | 2016-05-04 | 2022-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Process control metrology |
US9921104B2 (en) | 2016-06-11 | 2018-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-angle spectroscopy |
US10438825B2 (en) | 2016-08-29 | 2019-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Spectral reflectometry for in-situ process monitoring and control |
US10458912B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity |
US10215693B2 (en) | 2016-09-29 | 2019-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Infrared spectroscopic reflectometer for measurement of high aspect ratio structures |
US10386313B2 (en) * | 2016-09-29 | 2019-08-20 | Bruker Jv Israel Ltd. | Closed-loop control of X-ray knife edge |
CN109844917B (zh) | 2016-10-13 | 2023-07-04 | 科磊股份有限公司 | 用于过程控制的计量系统及方法 |
JP6924261B2 (ja) | 2016-10-20 | 2021-08-25 | ケーエルエー コーポレイション | パターニングされたウェハの特性評価のためのハイブリッド計量 |
US10690602B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for measurement of thick films and high aspect ratio structures |
US10732516B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-08-04 | Kla Tencor Corporation | Process robust overlay metrology based on optical scatterometry |
US10365211B2 (en) | 2017-09-26 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology beam stabilization |
US10732515B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Detection and measurement of dimensions of asymmetric structures |
US10551166B2 (en) | 2017-10-11 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Optical measurement of a highly absorbing film layer over highly reflective film stacks |
US11036898B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-06-15 | Kla-Tencor Corporation | Measurement models of nanowire semiconductor structures based on re-useable sub-structures |
US11519869B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-12-06 | Kla Tencor Corporation | Methods and systems for real time measurement control |
US10816487B2 (en) | 2018-04-12 | 2020-10-27 | Bruker Technologies Ltd. | Image contrast in X-ray topography imaging for defect inspection |
JP2019191169A (ja) | 2018-04-23 | 2019-10-31 | ブルカー ジェイヴィ イスラエル リミテッドBruker Jv Israel Ltd. | 小角x線散乱測定用のx線源光学系 |
JP7308233B2 (ja) | 2018-07-05 | 2023-07-13 | ブルカー テクノロジーズ リミテッド | 小角x線散乱計測計 |
US11060846B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-07-13 | Kla Corporation | Scatterometry based methods and systems for measurement of strain in semiconductor structures |
US10801953B2 (en) | 2019-01-11 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor metrology based on hyperspectral imaging |
US10804167B2 (en) | 2019-01-24 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for co-located metrology |
US11137350B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-10-05 | Kla Corporation | Mid-infrared spectroscopy for measurement of high aspect ratio structures |
US11060982B2 (en) | 2019-03-17 | 2021-07-13 | Kla Corporation | Multi-dimensional model of optical dispersion |
US11990380B2 (en) * | 2019-04-19 | 2024-05-21 | Kla Corporation | Methods and systems for combining x-ray metrology data sets to improve parameter estimation |
US11460418B2 (en) | 2019-08-26 | 2022-10-04 | Kla Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on wavelength resolved soft X-ray reflectometry |
US11698251B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-07-11 | Kla Corporation | Methods and systems for overlay measurement based on soft X-ray Scatterometry |
US12013355B2 (en) | 2020-12-17 | 2024-06-18 | Kla Corporation | Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry |
US11781999B2 (en) | 2021-09-05 | 2023-10-10 | Bruker Technologies Ltd. | Spot-size control in reflection-based and scatterometry-based X-ray metrology systems |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06160312A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-06-07 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH0792112A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH0798285A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH10185846A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-07-14 | Technos Kenkyusho:Kk | X線分析装置およびx線照射角設定方法 |
JP2001349849A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-12-21 | Rigaku Corp | 密度不均一試料解析方法ならびにその装置およびシステム |
JP2002310947A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Rigaku Corp | 小角散乱測定方法とその装置 |
JP2003004670A (ja) * | 2001-04-12 | 2003-01-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | X線反射装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4725963A (en) | 1985-05-09 | 1988-02-16 | Scientific Measurement Systems I, Ltd. | Method and apparatus for dimensional analysis and flaw detection of continuously produced tubular objects |
JP2890553B2 (ja) | 1989-11-24 | 1999-05-17 | 株式会社島津製作所 | X線像撮像装置 |
US5493122A (en) | 1994-02-04 | 1996-02-20 | Nucleonics Development Company | Energy resolving x-ray detector |
US5619548A (en) | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
US5740226A (en) | 1995-11-30 | 1998-04-14 | Fujitsu Limited | Film thickness measuring and film forming method |
US5923720A (en) | 1997-06-17 | 1999-07-13 | Molecular Metrology, Inc. | Angle dispersive x-ray spectrometer |
US6192103B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-02-20 | Bede Scientific, Inc. | Fitting of X-ray scattering data using evolutionary algorithms |
US6389102B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
US6453006B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-09-17 | Therma-Wave, Inc. | Calibration and alignment of X-ray reflectometric systems |
US6504902B2 (en) | 2000-04-10 | 2003-01-07 | Rigaku Corporation | X-ray optical device and multilayer mirror for small angle scattering system |
US6970532B2 (en) | 2000-05-10 | 2005-11-29 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for measuring thin film, and thin film deposition system |
US6744850B2 (en) * | 2001-01-11 | 2004-06-01 | Therma-Wave, Inc. | X-ray reflectance measurement system with adjustable resolution |
US6744950B2 (en) * | 2001-01-18 | 2004-06-01 | Veridian Systems | Correlators and cross-correlators using tapped optical fibers |
US6512814B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-01-28 | Jordan Valley Applied Radiation | X-ray reflectometer |
US6507634B1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-01-14 | Therma-Wave, Inc. | System and method for X-ray reflectometry measurement of low density films |
US6771735B2 (en) * | 2001-11-07 | 2004-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for improved x-ray reflection measurement |
US6711232B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | X-ray reflectivity measurement |
-
2003
- 2003-02-12 US US10/364,883 patent/US6895075B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-12 TW TW093103478A patent/TWI327219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-12 JP JP2004035270A patent/JP4512382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06160312A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-06-07 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH0792112A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH0798285A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Ricoh Co Ltd | X線評価装置 |
JPH10185846A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-07-14 | Technos Kenkyusho:Kk | X線分析装置およびx線照射角設定方法 |
JP2001349849A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-12-21 | Rigaku Corp | 密度不均一試料解析方法ならびにその装置およびシステム |
JP2002310947A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Rigaku Corp | 小角散乱測定方法とその装置 |
JP2003004670A (ja) * | 2001-04-12 | 2003-01-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | X線反射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6895075B2 (en) | 2005-05-17 |
US20040156474A1 (en) | 2004-08-12 |
JP2004245840A (ja) | 2004-09-02 |
TW200506357A (en) | 2005-02-16 |
TWI327219B (en) | 2010-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4512382B2 (ja) | 小角散乱測定を含むx線反射率測定 | |
US7130376B2 (en) | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy | |
US7551719B2 (en) | Multifunction X-ray analysis system | |
US7110491B2 (en) | Measurement of critical dimensions using X-ray diffraction in reflection mode | |
KR101242520B1 (ko) | 확산 반사의 측정에 의한 개량된 x선 측정장치 및측정방법 | |
JP5009563B2 (ja) | 試料の検査方法および装置 | |
KR101231731B1 (ko) | 다기능 x-선 분석 시스템 | |
JP2007285923A (ja) | 反射モードのx線回折を用いた限界寸法の測定 | |
US7035375B2 (en) | X-ray scattering with a polychromatic source | |
JP5302281B2 (ja) | サンプルの検査方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061107 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100113 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100420 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100510 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4512382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |