JP5246548B2 - X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 - Google Patents
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Description
図5及び6に実施例を示す。反射体2には、シリコンウエハを用いた。入射X線ビーム1の直径は約20μm、エネルギーは15keVとした。図3に示すように、通過X線ビーム7の強度をX線強度検出器12により測定した。シリコンウエハの15keVにおける全反射臨界角は約0.12°であるので視射角ωを0.1°として確実に全反射が起きるようにした。
2 反射体
3 反射面
4 切断面
5 角
6 反射X線ビーム
7 通過X線ビーム
8 X線侵入領域
10 X線ビーム
11、13 4象限スリット
12 X線強度検出器
14 微分器
Claims (5)
- X線ビームの断面強度分布を測定するための方法であって、
前記X線ビームを、反射体に全反射条件を満たす視射角で入射する入射ステップと、
前記反射体を前記X線ビームに直交する少なくとも1つの方向に移動する反射体移動ステップと、
前記入射ステップにより前記X線ビームを入射することにより、前記反射体で反射する反射X線ビーム及び前記反射体で反射せずに通過する通過X線ビームのいずれかの強度を、前記反射体を前記反射体移動ステップにより移動させながら測定する強度測定ステップと、
測定された前記強度の前記反射体移動ステップによる移動による位置に対する変化を微分する微分ステップと
を含むことを特徴とする方法。
- 前記反射体移動ステップにおいて移動する前記少なくとも1つの方向は、互いに直交する2つの方向であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記X線ビームと前記反射体の反射面との間の角度をスキャンして前記反射体の前記反射面で反射した反射X線ビームの強度を測定することにより、前記X線ビームの前記反射面に対する全反射臨界角を決定し、前記全反射条件を満たすように前記反射体を配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記反射体は、半導体単結晶ウエハであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体単結晶ウエハは、シリコンウエハであることを特徴とする請求項4に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008318696A JP5246548B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008318696A JP5246548B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010139482A JP2010139482A (ja) | 2010-06-24 |
JP5246548B2 true JP5246548B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=42349735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008318696A Expired - Fee Related JP5246548B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5246548B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5343251B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-11-13 | 株式会社ジェイテック | X線ナノビーム強度分布の精密測定方法及びその装置 |
US8903044B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-12-02 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254368A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 輻射ビーム電流密度測定装置 |
JPH04221786A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Canon Inc | シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 |
JPH05188019A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-07-27 | Hitachi Ltd | X線複合分析装置 |
JPH0580158A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線測定装置 |
JP2731501B2 (ja) * | 1993-04-07 | 1998-03-25 | 理学電機工業株式会社 | X線用集光素子 |
JP3286010B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2002-05-27 | 株式会社テクノス研究所 | 蛍光x線分析装置およびx線照射角設定方法 |
JP3583485B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2004-11-04 | 株式会社テクノス研究所 | 全反射蛍光x線分析装置 |
JP2701764B2 (ja) * | 1994-12-28 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 荷電粒子ビームの寸法測定装置および測定方法 |
JPH09306400A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ―ム計測用ナイフエッジ及びその製法並びに電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用いた電子ビ―ム計測法 |
JP2905448B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-06-14 | 理学電機工業株式会社 | X線分析における試料台の位置設定方法および装置 |
JP2984232B2 (ja) * | 1996-10-25 | 1999-11-29 | 株式会社テクノス研究所 | X線分析装置およびx線照射角設定方法 |
JPH10319196A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | X線光軸調整装置 |
JPH1130511A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Hitachi Ltd | 表面形状検査装置 |
JP2001201332A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Natl Inst For Research In Inorganic Materials Mext | X線全反射による表面平滑性の評価方法 |
JP2001349849A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-12-21 | Rigaku Corp | 密度不均一試料解析方法ならびにその装置およびシステム |
US6535575B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-03-18 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Pulsed X-ray reflectometer |
US6895075B2 (en) * | 2003-02-12 | 2005-05-17 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry with small-angle scattering measurement |
US6947520B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-09-20 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Beam centering and angle calibration for X-ray reflectometry |
JP4649607B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-03-16 | 学校法人日本大学 | 小型可変エネルギー単色コヒーレントマルチx線発生装置 |
JP4837964B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-12-14 | 株式会社島津製作所 | X線集束装置 |
JP5103583B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2012-12-19 | 株式会社ジェイテック | X線ナノビーム強度分布の精密測定方法及びその装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP2010139482A (ja) | 2010-06-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111013 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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