JP2001201332A - Ｘ線全反射による表面平滑性の評価方法 - Google Patents
Ｘ線全反射による表面平滑性の評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 探針法や原子間力顕微鏡法以外の方法による
原子配列のミクロなレベルでの基板表面の平滑性の評価
の方法の開発。 【解決手段】 Ｘ線ビームを検体表面にＸ線全反射臨界
角以下で入射させ、検体表面で全反射したＸ線ビームの
強度分布のプロファイルを、検体を介しない場合のプロ
ファイルまたは平滑な表面を有する参照反射体の反射プ
ロファイルと比較して、検体の全反射Ｘ線ビームのプロ
ファイルの半価幅の広がりから、検体表面の平滑性を原
子配列レベルで評価する。
原子配列のミクロなレベルでの基板表面の平滑性の評価
の方法の開発。 【解決手段】 Ｘ線ビームを検体表面にＸ線全反射臨界
角以下で入射させ、検体表面で全反射したＸ線ビームの
強度分布のプロファイルを、検体を介しない場合のプロ
ファイルまたは平滑な表面を有する参照反射体の反射プ
ロファイルと比較して、検体の全反射Ｘ線ビームのプロ
ファイルの半価幅の広がりから、検体表面の平滑性を原
子配列レベルで評価する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線全反射の性質
を利用して、検体表面、特に、鏡面研摩されたシリコン
基板や酸化物単結晶基板など原子配列レベルでの平滑性
が必要とされる検体表面、の平滑性を原子配列レベルで
評価する方法に関するものである。
を利用して、検体表面、特に、鏡面研摩されたシリコン
基板や酸化物単結晶基板など原子配列レベルでの平滑性
が必要とされる検体表面、の平滑性を原子配列レベルで
評価する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】薄膜材料の創製やＩＣの微細
加工技術の発展において、原子配列のミクロなレベルで
の基板表面の平滑性が必要とされるようになった。表面
の凹凸評価の方法には探針法があるが、１００ナノメー
タ程度の分解能であり、かつ接触法であるため、検体を
損なう恐れがある。
加工技術の発展において、原子配列のミクロなレベルで
の基板表面の平滑性が必要とされるようになった。表面
の凹凸評価の方法には探針法があるが、１００ナノメー
タ程度の分解能であり、かつ接触法であるため、検体を
損なう恐れがある。
【０００３】０．１ナノメータの平滑性を評価する方法
として走査トンネル顕微鏡法や原子間力顕微鏡法がある
が、視野が限定されるため、大きい検体全体を調べるこ
とに適さない。また、この場合において、検体の大きさ
に制限があるため検体の一部を切り出さなければならな
いという欠点がある。
として走査トンネル顕微鏡法や原子間力顕微鏡法がある
が、視野が限定されるため、大きい検体全体を調べるこ
とに適さない。また、この場合において、検体の大きさ
に制限があるため検体の一部を切り出さなければならな
いという欠点がある。
【０００４】非接触法であるＸ線全反射は、曲率を与え
たガラスミラーの表面またはガラス細管の内部表面にお
ける全反射を利用してＸ線強度の増大を図り、後者の場
合には、走査型Ｘ線顕微鏡などに利用されている。これ
らの技術は、Ｘ線強度に着目しているのであって、強度
分布の形状を比較することによって表面の平滑性を評価
しようとする本発明の評価法とは、Ｘ線全反射の利用の
仕方において異なるものである。
たガラスミラーの表面またはガラス細管の内部表面にお
ける全反射を利用してＸ線強度の増大を図り、後者の場
合には、走査型Ｘ線顕微鏡などに利用されている。これ
らの技術は、Ｘ線強度に着目しているのであって、強度
分布の形状を比較することによって表面の平滑性を評価
しようとする本発明の評価法とは、Ｘ線全反射の利用の
仕方において異なるものである。
【０００５】Ｘ線全反射を利用して、表面の凹凸または
粗さを測定する方法が、いくつか提案されている。特開
平６−２０１６１５公報（特許第２５８０９４３号）の
「単結晶基板の凹凸の測定方法」は、入射Ｘ線を、単結
晶基板の表面に全反射の臨界角で入射させた後、入射Ｘ
線の波長を調整して単結晶基板の表面から回折Ｘ線を取
り出し、回折Ｘ線の回折強度プロファイルを測定するこ
とにより、単結晶基板の表面の凹凸を評価する方法であ
る。この方法は、単結晶基板の回折Ｘ線を測定する点に
特徴があり、そのために対象が単結晶に限定されること
になる。本発明は、全反射されたＸ線の半価幅を測定す
るという点において異なるものであるが、本発明では、
単結晶に対象が限定されるものではない。
粗さを測定する方法が、いくつか提案されている。特開
平６−２０１６１５公報（特許第２５８０９４３号）の
「単結晶基板の凹凸の測定方法」は、入射Ｘ線を、単結
晶基板の表面に全反射の臨界角で入射させた後、入射Ｘ
線の波長を調整して単結晶基板の表面から回折Ｘ線を取
り出し、回折Ｘ線の回折強度プロファイルを測定するこ
とにより、単結晶基板の表面の凹凸を評価する方法であ
る。この方法は、単結晶基板の回折Ｘ線を測定する点に
特徴があり、そのために対象が単結晶に限定されること
になる。本発明は、全反射されたＸ線の半価幅を測定す
るという点において異なるものであるが、本発明では、
単結晶に対象が限定されるものではない。
【０００６】特開平４−３４０４０７号公報の「Ｘ線に
よる表面粗さ測定法」は、ＣＶＤ堆積面やエピタキシャ
ル成長面における数百Åの凹凸を対象とする方法であ
る。すなわち、被検体表面に、Ｘ線を浅い視斜角で入射
させ、全反射したＸ線の強度を測定し、全反射強度の理
論値に対する比率を求めて、その表面モホロジー評価値
とする方法である。
よる表面粗さ測定法」は、ＣＶＤ堆積面やエピタキシャ
ル成長面における数百Åの凹凸を対象とする方法であ
る。すなわち、被検体表面に、Ｘ線を浅い視斜角で入射
させ、全反射したＸ線の強度を測定し、全反射強度の理
論値に対する比率を求めて、その表面モホロジー評価値
とする方法である。
【０００７】この方法は、全反射されたＸ線を測定する
ことにおいては、本発明の方法と共通である。しかしな
がら、測定した全反射強度を理論値と比較する観点から
反射強度に着目しているために、モデル計算が可能な数
百Åの凹凸に対象が限定されている。
ことにおいては、本発明の方法と共通である。しかしな
がら、測定した全反射強度を理論値と比較する観点から
反射強度に着目しているために、モデル計算が可能な数
百Åの凹凸に対象が限定されている。
【０００８】それに対して、本発明の方法は、検体表面
で全反射されたＸ線の強度プロファイルの半価幅に注目
する方法である。すなわち、その半価幅と、検体を介し
ない場合のプロファイルの半価幅または平滑な表面を有
する参照反射体の反射プロファイルの半価幅とを比較し
て、検体の全反射Ｘ線ビームのプロファイルの半価幅の
広がりから、検体表面の平滑性を原子配列レベルで評価
する方法である。そのために、理論的モデルを前提にす
る必要は必ずしもなく、ＣＶＤ堆積面やエピタキシャル
成長面における数百Åの凹凸などに、対象は限定されな
い。
で全反射されたＸ線の強度プロファイルの半価幅に注目
する方法である。すなわち、その半価幅と、検体を介し
ない場合のプロファイルの半価幅または平滑な表面を有
する参照反射体の反射プロファイルの半価幅とを比較し
て、検体の全反射Ｘ線ビームのプロファイルの半価幅の
広がりから、検体表面の平滑性を原子配列レベルで評価
する方法である。そのために、理論的モデルを前提にす
る必要は必ずしもなく、ＣＶＤ堆積面やエピタキシャル
成長面における数百Åの凹凸などに、対象は限定されな
い。
【０００９】特開平４−１５９３３号（特許第２９５３
７４２号）公報の「表面粗さ評価方法」は、単色化され
た平行度の良い一次Ｘ線を試料表面に全反射臨界角以下
で入射させ、発生する二次Ｘ線強度のエネルギー依存性
を試料表面に対向して配置する検出器により測定する方
法であって、全反射されたＸ線プロファイルの半価幅を
測定する本発明の方法とは異なるものである。
７４２号）公報の「表面粗さ評価方法」は、単色化され
た平行度の良い一次Ｘ線を試料表面に全反射臨界角以下
で入射させ、発生する二次Ｘ線強度のエネルギー依存性
を試料表面に対向して配置する検出器により測定する方
法であって、全反射されたＸ線プロファイルの半価幅を
測定する本発明の方法とは異なるものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】Ｘ線の波長は、検体表面
の原子配列周期と同程度であるため、その検体表面での
全反射は、原子配列レベルの凹凸を反映する。本発明
は、発散角が０．１度以下に絞ったＸ線ビームを検体表
面において全反射させ、表面の凹凸の程度に応じて反射
ビームの強度分布が変化すること、具体的には、半価幅
が変化することに着目してなされたものである。
の原子配列周期と同程度であるため、その検体表面での
全反射は、原子配列レベルの凹凸を反映する。本発明
は、発散角が０．１度以下に絞ったＸ線ビームを検体表
面において全反射させ、表面の凹凸の程度に応じて反射
ビームの強度分布が変化すること、具体的には、半価幅
が変化することに着目してなされたものである。
【００１１】すなわち、本発明は、Ｘ線ビームを検体表
面にＸ線全反射臨界角以下で入射させ、検体表面で全反
射したＸ線ビームの強度分布のプロファイルを、検体を
介しない場合のプロファイルまたは平滑な表面を有する
参照反射体の反射プロファイルと比較して、検体の全反
射Ｘ線ビームのプロファイルの半価幅の広がりから、検
体表面の平滑性を原子配列レベルで評価する方法であ
る。
面にＸ線全反射臨界角以下で入射させ、検体表面で全反
射したＸ線ビームの強度分布のプロファイルを、検体を
介しない場合のプロファイルまたは平滑な表面を有する
参照反射体の反射プロファイルと比較して、検体の全反
射Ｘ線ビームのプロファイルの半価幅の広がりから、検
体表面の平滑性を原子配列レベルで評価する方法であ
る。
【００１２】また、本発明は、検体を検体の表面に平行
に移動、又は、表面への垂直軸に対して回転することに
より検体全体の表面の平滑性を評価することを特徴とす
る上記の方法である。
に移動、又は、表面への垂直軸に対して回転することに
より検体全体の表面の平滑性を評価することを特徴とす
る上記の方法である。
【００１３】本発明は、Ｘ線を検体表面で全反射させる
だけであるから、探針を表面に接触させる必要はなく、
かつ、また検体の一部を小さく切り出したりする必要も
ない。すなわち、検体を損なうことなく、大気中におい
て測定することができる。また、検体を平行移動または
回転することにより、直径１０ｃｍ程度の大きな検体表
面の全体を評価することができる。
だけであるから、探針を表面に接触させる必要はなく、
かつ、また検体の一部を小さく切り出したりする必要も
ない。すなわち、検体を損なうことなく、大気中におい
て測定することができる。また、検体を平行移動または
回転することにより、直径１０ｃｍ程度の大きな検体表
面の全体を評価することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の表面平滑性の評価方法の
対象は、シリコンウエハーなど半導体研摩表面、ＭｇＯ
やＳｒＴｉＯ3 などの化合物単結晶の研摩表面、または
ガラスミラーの研摩表面などであるが、それらに限ら
ず、原子配列レベルでの平滑性が要求されるその他の材
料表面に適用可能である。
対象は、シリコンウエハーなど半導体研摩表面、ＭｇＯ
やＳｒＴｉＯ3 などの化合物単結晶の研摩表面、または
ガラスミラーの研摩表面などであるが、それらに限ら
ず、原子配列レベルでの平滑性が要求されるその他の材
料表面に適用可能である。
【００１５】以下に、Ｘ線ディフラクトメータの２軸ゴ
ニオメータを用いて評価法を実施する例を述べる。Ｘ線
全反射法による表面評価法の概念を図１に示す。線焦点
Ｘ線源１からのＸ線ビーム２の発散を、１）反射検体３
に近接した位置に２０μｍ程度の隙間をもつスリット４
により制限して、全反射臨界角より小さい広がりを有す
るＸ線ビームとする。
ニオメータを用いて評価法を実施する例を述べる。Ｘ線
全反射法による表面評価法の概念を図１に示す。線焦点
Ｘ線源１からのＸ線ビーム２の発散を、１）反射検体３
に近接した位置に２０μｍ程度の隙間をもつスリット４
により制限して、全反射臨界角より小さい広がりを有す
るＸ線ビームとする。
【００１６】２）反射検体３は、θ軸５および２θ軸
（θ軸５と同軸でシンチレイションカウンター６の回転
軸である）の２軸回転ゴニオメータの軸の位置に設置さ
れ、Ｘ線源１とθ軸５とを結ぶ直線およびθ軸５との２
直線がなす面内において回転又は平行移動が可能であ
る。
（θ軸５と同軸でシンチレイションカウンター６の回転
軸である）の２軸回転ゴニオメータの軸の位置に設置さ
れ、Ｘ線源１とθ軸５とを結ぶ直線およびθ軸５との２
直線がなす面内において回転又は平行移動が可能であ
る。
【００１７】３）回転および平行移動を組み合わせて反
射検体３表面上のＸ線ビームを照射する位置を決める。
４）検体３をθ軸５の周りで回転させてＸ線ビームの検
体３表面への入射角がＸ線全反射臨界角以下に定置す
る。この時、検体表面は、Ｘ線全反射のミラー面８とな
る。
射検体３表面上のＸ線ビームを照射する位置を決める。
４）検体３をθ軸５の周りで回転させてＸ線ビームの検
体３表面への入射角がＸ線全反射臨界角以下に定置す
る。この時、検体表面は、Ｘ線全反射のミラー面８とな
る。
【００１８】５）シンチレーションカウンター６（シン
チレーションカウンター６の前段には、５０μｍのスリ
ット幅の受光スリット７を設置した）を２θ軸上で回転
させ強度プロファイルを測定する。６）プロファイルの
ピーク位置にシンチレイションカウンター６を設置した
状態で検体３をθ軸５上で回転させて強度プロファイル
を測定する。７）この時に得られたプロファイルのピー
ク位置のθの値が、検体をθ軸５に関して固定すべき位
置であり、その後の本測定では、この位置に検体３を定
置する。
チレーションカウンター６の前段には、５０μｍのスリ
ット幅の受光スリット７を設置した）を２θ軸上で回転
させ強度プロファイルを測定する。６）プロファイルの
ピーク位置にシンチレイションカウンター６を設置した
状態で検体３をθ軸５上で回転させて強度プロファイル
を測定する。７）この時に得られたプロファイルのピー
ク位置のθの値が、検体をθ軸５に関して固定すべき位
置であり、その後の本測定では、この位置に検体３を定
置する。
【００１９】８）シンチレイションカウンター６を２θ
軸上で回転させ強度プロファイルを測定し、このプロフ
ァイルが検体３表面の当該位置のデータとなる。９）回
転および平行移動により検体３表面上の測定位置をずら
し、８の操作を行って、この位置のプロファイルデータ
を得る。１０）前項二つの操作（８および９）の繰り返
しにより検体３表面全体のデータを得ることができる。
軸上で回転させ強度プロファイルを測定し、このプロフ
ァイルが検体３表面の当該位置のデータとなる。９）回
転および平行移動により検体３表面上の測定位置をずら
し、８の操作を行って、この位置のプロファイルデータ
を得る。１０）前項二つの操作（８および９）の繰り返
しにより検体３表面全体のデータを得ることができる。
【００２０】１１）検体３の測定終了後、検体３を取り
去り、検体３を介さない直接Ｘ線ビームの強度プロファ
イルを測定する。検体３のプロファイルと直接Ｘ線のそ
れとの比較を行い、検体３の表面の各位置における平滑
性を評価する。
去り、検体３を介さない直接Ｘ線ビームの強度プロファ
イルを測定する。検体３のプロファイルと直接Ｘ線のそ
れとの比較を行い、検体３の表面の各位置における平滑
性を評価する。
【００２１】
【実施例】実施例１ 市販の研摩ガラスミラー（面積＝５０ｍｍ×１００ｍ
ｍ）を検体とした。ＣｕＫαをＸ線源とし、このＸ線ビ
ームの検体位置における広がりは、半価幅にして０．０
２°である。すなわち、検体に照射されるＸ線の面積
は、０．１３ｍｍ×１０ｍｍであって、検体のそれより
十分小さい。Ｘ線ビームの検体表面への入射角がＸ線全
反射臨界角以下で、かつ［発明の実施の形態］で記述し
た仕方で決めたθ軸に検体を設置し、シンチレイション
カウンターを２θ軸上で回転させ、反射強度プロファイ
ルを得た。検体の平行移動又は回転は行っていない。
ｍ）を検体とした。ＣｕＫαをＸ線源とし、このＸ線ビ
ームの検体位置における広がりは、半価幅にして０．０
２°である。すなわち、検体に照射されるＸ線の面積
は、０．１３ｍｍ×１０ｍｍであって、検体のそれより
十分小さい。Ｘ線ビームの検体表面への入射角がＸ線全
反射臨界角以下で、かつ［発明の実施の形態］で記述し
た仕方で決めたθ軸に検体を設置し、シンチレイション
カウンターを２θ軸上で回転させ、反射強度プロファイ
ルを得た。検体の平行移動又は回転は行っていない。
【００２２】図２は、研摩ガラスミラーの検体表面でＸ
線全反射した反射Ｘ線ビームの強度プロファイル（２θ
＝０．３６°附近のプロファイル）と直接Ｘ線ビームの
強度プロファイル（２θ＝０°附近のプロファイル）と
を比較した図である。図２に示すように、反射強度プロ
ファイルは、直接Ｘ線ビームの強度プロファイルと相似
な形状を示すが、半価幅は約１．３倍大きい。このこと
から、この検体の表面は完全ではないが良好な平滑表面
であることが判る。
線全反射した反射Ｘ線ビームの強度プロファイル（２θ
＝０．３６°附近のプロファイル）と直接Ｘ線ビームの
強度プロファイル（２θ＝０°附近のプロファイル）と
を比較した図である。図２に示すように、反射強度プロ
ファイルは、直接Ｘ線ビームの強度プロファイルと相似
な形状を示すが、半価幅は約１．３倍大きい。このこと
から、この検体の表面は完全ではないが良好な平滑表面
であることが判る。
【００２３】実施例２ ＭｇＯは劈開性があるから、ＭｇＯ単結晶の研摩面は光
反射に対して鏡面であっても、Ｘ線反射に対しては鏡面
でないと想像される。ＭｇＯ単結晶（１００）の研摩面
を検体とした。検体サイズは１５ｍｍ×６ｍｍであるた
め、Ｘ線ビームの一部は検体に照射しない。反射強度の
定量性を確保するために、実施例１のガラスミラーを検
体と同じサイズに切り出し、参照反射体とした。
反射に対して鏡面であっても、Ｘ線反射に対しては鏡面
でないと想像される。ＭｇＯ単結晶（１００）の研摩面
を検体とした。検体サイズは１５ｍｍ×６ｍｍであるた
め、Ｘ線ビームの一部は検体に照射しない。反射強度の
定量性を確保するために、実施例１のガラスミラーを検
体と同じサイズに切り出し、参照反射体とした。
【００２４】図３は、ＭｇＯ（１００）の研摩表面を検
体とした場合のＸ線全反射の強度プロファイル（Χ
印）、及び、その研摩面を酸素気流中で焼鈍した場合の
Ｘ線全反射の強度プロファイル（○印）を、それぞれ研
摩ガラスミラーの参照反射体のＸ線全反射の強度プロフ
ァイル（◆印）と比較した図である。図３に示すよう
に、検体の半価幅は、参照反射体のそれに比べて約４倍
大きい。このことから、光反射に対して鏡面であって
も、原子配列レベルでは著しく平滑でないことが判る。
体とした場合のＸ線全反射の強度プロファイル（Χ
印）、及び、その研摩面を酸素気流中で焼鈍した場合の
Ｘ線全反射の強度プロファイル（○印）を、それぞれ研
摩ガラスミラーの参照反射体のＸ線全反射の強度プロフ
ァイル（◆印）と比較した図である。図３に示すよう
に、検体の半価幅は、参照反射体のそれに比べて約４倍
大きい。このことから、光反射に対して鏡面であって
も、原子配列レベルでは著しく平滑でないことが判る。
【００２５】実施例３ ＭｇＯ単結晶（１００）の研摩面を酸素気流中において
１０８０℃で焼鈍したものを検体とした。検体サイズは
実施例２と同じである。図３に、検体の反射強度プロフ
ァイルを示す。プロファイルに二つのピークが見える
が、これは約０．６°傾きの異なる二つの（１００）面
があるためであって、このことはＸ線回折法により確認
できる。個々のピークの半価幅は、参照反射体のそれと
ほぼ同じである。
１０８０℃で焼鈍したものを検体とした。検体サイズは
実施例２と同じである。図３に、検体の反射強度プロフ
ァイルを示す。プロファイルに二つのピークが見える
が、これは約０．６°傾きの異なる二つの（１００）面
があるためであって、このことはＸ線回折法により確認
できる。個々のピークの半価幅は、参照反射体のそれと
ほぼ同じである。
【００２６】このことから、この検体の表面は、完全で
はないが良好な平滑表面であることが判る。実際、原子
間力顕微鏡でこの表面を調べると、表面はテラスとステ
ップからなり、テラスでは原子配列レベルでの平滑面が
形成されている。
はないが良好な平滑表面であることが判る。実際、原子
間力顕微鏡でこの表面を調べると、表面はテラスとステ
ップからなり、テラスでは原子配列レベルでの平滑面が
形成されている。
【図１】図１は、Ｘ線全反射による表面平滑性評価の方
法の概念図。
法の概念図。
【図２】図２は、研摩ガラスミラーの検体表面でＸ線全
反射した反射Ｘ線ビームの強度プロファイル（２θ＝
０．３６°附近のプロファイル）と直接Ｘ線ビームの強
度プロファイル（２θ＝０°附近のプロファイル）とを
比較した図。
反射した反射Ｘ線ビームの強度プロファイル（２θ＝
０．３６°附近のプロファイル）と直接Ｘ線ビームの強
度プロファイル（２θ＝０°附近のプロファイル）とを
比較した図。
【図３】図３は、ＭｇＯ（１００）の研摩表面を検体と
した場合のＸ線全反射の強度プロファイル（Χ印）、及
び、その研摩面を酸素気流中で焼鈍した場合のＸ線全反
射の強度プロファイル（○印）を、それぞれ研摩ガラス
ミラーの参照反射体のＸ線全反射の強度プロファイル
（◆印）と比較した図。
した場合のＸ線全反射の強度プロファイル（Χ印）、及
び、その研摩面を酸素気流中で焼鈍した場合のＸ線全反
射の強度プロファイル（○印）を、それぞれ研摩ガラス
ミラーの参照反射体のＸ線全反射の強度プロファイル
（◆印）と比較した図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 富士夫 茨城県つくば市並木１−１ 科学技術庁無 機材質研究所内 Ｆターム(参考） 2F067 AA45 AA46 BB01 CC17 GG07 HH04 KK08 LL14 RR24 2G001 AA01 BA15 CA01 DA01 GA13 JA04 JA08 KA03 KA12 KA20 LA06 LA11 MA05 PA11 PA12 RA01
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線ビームを検体表面にＸ線全反射臨界
角以下で入射させ、検体表面で全反射したＸ線ビームの
強度分布のプロファイルを、検体を介しない場合のプロ
ファイルまたは平滑な表面を有する参照反射体の反射プ
ロファイルと比較して、検体の全反射Ｘ線ビームのプロ
ファイルの半価幅の広がりから、検体表面の平滑性を原
子配列レベルで評価する方法。 - 【請求項２】 検体を検体の表面に平行に移動、又は、
表面への垂直軸に対して回転することにより検体全体の
表面の平滑性を評価することを特徴とする請求項１記載
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017746A JP2001201332A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｘ線全反射による表面平滑性の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017746A JP2001201332A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｘ線全反射による表面平滑性の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201332A true JP2001201332A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18544700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017746A Pending JP2001201332A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Ｘ線全反射による表面平滑性の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000017746A patent/JP2001201332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
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