JPH04221786A - シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 - Google Patents
シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構Info
- Publication number
- JPH04221786A JPH04221786A JP41271390A JP41271390A JPH04221786A JP H04221786 A JPH04221786 A JP H04221786A JP 41271390 A JP41271390 A JP 41271390A JP 41271390 A JP41271390 A JP 41271390A JP H04221786 A JPH04221786 A JP H04221786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam position
- synchrotron radiation
- light
- single crystal
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 45
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920013633 Fortron Polymers 0.000 description 1
- 239000004738 Fortron® Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は指向性の高いシンクロト
ロン放射光のビーム位置を精密に検出するためのシンク
ロトロン放射光のビーム位置モニタ機構に関する。
ロン放射光のビーム位置を精密に検出するためのシンク
ロトロン放射光のビーム位置モニタ機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光は輝度が高い、発
散が小さい、可視光からＸ線にわたる連続スペクトルで
ある、などの特徴を有しており、リソグラフィー、化学
的気相成長法、微小領域元素分析、Ｘ線顕微鏡などの光
源として広く用いられている。シンクロトロン放射光は
極めて指向性が高いので、これを利用するためにはビー
ムの位置を精密に検出し、該検出したビームに合わせて
装置をアライメントする必要がある。
散が小さい、可視光からＸ線にわたる連続スペクトルで
ある、などの特徴を有しており、リソグラフィー、化学
的気相成長法、微小領域元素分析、Ｘ線顕微鏡などの光
源として広く用いられている。シンクロトロン放射光は
極めて指向性が高いので、これを利用するためにはビー
ムの位置を精密に検出し、該検出したビームに合わせて
装置をアライメントする必要がある。
【０００３】従来、シンクロトロン放射光のビーム位置
をモニタするための機構は図６に示すようなものであっ
た。
をモニタするための機構は図６に示すようなものであっ
た。
【０００４】電子ビーム蓄積リング６１により発生した
シンクロトロン放射光６２は、ＣＣＤ素子やＰＳＤ素子
といった位置検出型の受光素子であるビーム位置検出器
６３によって受光される。読み出し回路６４は、ビーム
位置検出器６３の出力からシンクロトロン放射光６２の
ビーム位置を検出する。
シンクロトロン放射光６２は、ＣＣＤ素子やＰＳＤ素子
といった位置検出型の受光素子であるビーム位置検出器
６３によって受光される。読み出し回路６４は、ビーム
位置検出器６３の出力からシンクロトロン放射光６２の
ビーム位置を検出する。
【０００５】このシンクロトロン放射光のビーム位置モ
ニタ機構は、シンクロトロン放射光を単に受光した値か
ら位置検出を行っているが、シンクロトロン放射光は上
述したように可視光からＸ線にわたる連続スペクトルを
有するものであるため、該位置検出はシンクロトロン放
射光の中の全ての波長光によって行われることになる。
ニタ機構は、シンクロトロン放射光を単に受光した値か
ら位置検出を行っているが、シンクロトロン放射光は上
述したように可視光からＸ線にわたる連続スペクトルを
有するものであるため、該位置検出はシンクロトロン放
射光の中の全ての波長光によって行われることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】シンクロトロン放射光
内に含まれる光は、波長が長い成分程、その角度拡がり
が大きく、ビーム位置変動に対するビーム位置検出器の
出力変化は小さなものとなる。その分散の大きさは電子
軌道半径をＲ（ｍ）、シンクロトロン放射光の波長をλ
（ｎｍ）、電子エネルギーをＥ（ＧｅＶ）とすると、σ
＝０．３７（λ／Ｒ）０．４２５Ｅ０．２７５（ｍｒａ
ｄ）と表される。
内に含まれる光は、波長が長い成分程、その角度拡がり
が大きく、ビーム位置変動に対するビーム位置検出器の
出力変化は小さなものとなる。その分散の大きさは電子
軌道半径をＲ（ｍ）、シンクロトロン放射光の波長をλ
（ｎｍ）、電子エネルギーをＥ（ＧｅＶ）とすると、σ
＝０．３７（λ／Ｒ）０．４２５Ｅ０．２７５（ｍｒａ
ｄ）と表される。
【０００７】図７（ａ）および図７（ｂ）のそれぞれは
、電子エネルギー１ＧｅＶ、軌道半径２ｍの場合の可視
光（λ＝５００ｎｍ）およびＸ線（λ＝０．１ｎｍ）の
広がりを示す図である。これらの各図に示されるように
、可視光では発光点から１０ｍの距離で見たとき約１０
０ｍｍまでビームが拡がるのに対して、Ｘ線の場合には
約３ｍｍしか拡がらない。
、電子エネルギー１ＧｅＶ、軌道半径２ｍの場合の可視
光（λ＝５００ｎｍ）およびＸ線（λ＝０．１ｎｍ）の
広がりを示す図である。これらの各図に示されるように
、可視光では発光点から１０ｍの距離で見たとき約１０
０ｍｍまでビームが拡がるのに対して、Ｘ線の場合には
約３ｍｍしか拡がらない。
【０００８】シンクロトロン放射光は、主にＸ線領域の
光が利用されるものであるが、上記のように拡がり角が
大きく異なり、ビーム位置検出器の出力変化を小さなも
のとしてしまう可視光が混在しているため、図６に示し
たような従来のものにおいてはＸ線を利用するレベルに
充分な精度にてシンクロトロン放射光のビーム位置をモ
ニタすることができないという問題点がある。
光が利用されるものであるが、上記のように拡がり角が
大きく異なり、ビーム位置検出器の出力変化を小さなも
のとしてしまう可視光が混在しているため、図６に示し
たような従来のものにおいてはＸ線を利用するレベルに
充分な精度にてシンクロトロン放射光のビーム位置をモ
ニタすることができないという問題点がある。
【０００９】また、シンクロトロン放射光の放射強度は
極めて高いものであるため、ビーム位置検出器に温度上
昇や放射線損傷による性能劣化が生じてしまい、動作が
不安定であるという問題点がある。
極めて高いものであるため、ビーム位置検出器に温度上
昇や放射線損傷による性能劣化が生じてしまい、動作が
不安定であるという問題点がある。
【００１０】本発明は上述した従来技術が有する問題点
に鑑みてなされたものであって、ビーム位置の検出を高
精度に行うことができ、ビーム位置検出器に性能劣化が
生じることのないシンクロトロン放射光のビーム位置モ
ニタ機構を実現することを目的とする。
に鑑みてなされたものであって、ビーム位置の検出を高
精度に行うことができ、ビーム位置検出器に性能劣化が
生じることのないシンクロトロン放射光のビーム位置モ
ニタ機構を実現することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のシンクロトロン
放射光のビーム位置モニタ機構は、シンクロトロン放射
光のビーム位置を正確にモニタするためのシンクロトロ
ン放射光のビーム位置モニタ機構であって、前記シンク
ロトロン放射光の内の所定条件を満たすＸ線を、その結
晶面と平行な面にてブラッグ反射させる単結晶と、１次
元に位置分解能を有し、かつＸ線領域にのみ検出感度を
有するように構成されて前記単結晶にてブラッグ反射さ
れたＸ線を受光するビーム位置検出器とを備えている。
放射光のビーム位置モニタ機構は、シンクロトロン放射
光のビーム位置を正確にモニタするためのシンクロトロ
ン放射光のビーム位置モニタ機構であって、前記シンク
ロトロン放射光の内の所定条件を満たすＸ線を、その結
晶面と平行な面にてブラッグ反射させる単結晶と、１次
元に位置分解能を有し、かつＸ線領域にのみ検出感度を
有するように構成されて前記単結晶にてブラッグ反射さ
れたＸ線を受光するビーム位置検出器とを備えている。
【００１２】この場合、単結晶をその結晶面に対して傾
きを有する面を持つものとし、ビーム位置検出器は、１
次元に位置分解能を有するように構成されて前記単結晶
にて反射されたＸ線を受光するものとして、前記単結晶
はその結晶面に対して傾きを有する面にて前記シンクロ
トロン放射光の内の所定条件を満たすＸ線を反射させる
ように構成してもよい。
きを有する面を持つものとし、ビーム位置検出器は、１
次元に位置分解能を有するように構成されて前記単結晶
にて反射されたＸ線を受光するものとして、前記単結晶
はその結晶面に対して傾きを有する面にて前記シンクロ
トロン放射光の内の所定条件を満たすＸ線を反射させる
ように構成してもよい。
【００１３】さらには、単結晶を冷却するための冷却手
段を設けてもよい。
段を設けてもよい。
【００１４】
【作用】単結晶として、結晶面と平行な面にてブラッグ
反射を行わせるものを使用する場合においては、ビーム
位置検出器への入射光は所定条件を満たすＸ線、および
可視光領域のものとなる。ビーム位置検出器はＸ線領域
にのみ検出感度を有するものであるため、所定条件を満
たすＸ線のみが検出されることになり、正確にビーム位
置をモニタすることが可能となる。また、入射されるＸ
線は上記のように制限されるので、ビーム位置検出器に
温度上昇や放射線損傷が生じることが少なくなり、性能
劣化が生じることも少なくなる。
反射を行わせるものを使用する場合においては、ビーム
位置検出器への入射光は所定条件を満たすＸ線、および
可視光領域のものとなる。ビーム位置検出器はＸ線領域
にのみ検出感度を有するものであるため、所定条件を満
たすＸ線のみが検出されることになり、正確にビーム位
置をモニタすることが可能となる。また、入射されるＸ
線は上記のように制限されるので、ビーム位置検出器に
温度上昇や放射線損傷が生じることが少なくなり、性能
劣化が生じることも少なくなる。
【００１５】単結晶として、結晶面に対して傾きを有す
る面にてブラッグ反射（非対称ブラッグ反射）を行なわ
せるものを使用する場合においては、ビーム位置検出器
への入射光は所定条件を満たすＸ線のみとなり、これ以
外のＸ線および可視光領域の光はビーム位置検出器以外
の方向へ鏡面反射される。このため、ビーム位置検出器
として可視光にも検出感度を有するものを使用すること
ができる。また、可視光照射による温度上昇が生じない
ために、ビーム位置検出器に性能劣化が生じることはさ
らに少なくなる。このとき、単結晶への入射角を選択す
ることにより、反射後のずれ量を反射前のずれ量が拡大
されたものとすることができ、位置検出精度を向上する
ことができる。
る面にてブラッグ反射（非対称ブラッグ反射）を行なわ
せるものを使用する場合においては、ビーム位置検出器
への入射光は所定条件を満たすＸ線のみとなり、これ以
外のＸ線および可視光領域の光はビーム位置検出器以外
の方向へ鏡面反射される。このため、ビーム位置検出器
として可視光にも検出感度を有するものを使用すること
ができる。また、可視光照射による温度上昇が生じない
ために、ビーム位置検出器に性能劣化が生じることはさ
らに少なくなる。このとき、単結晶への入射角を選択す
ることにより、反射後のずれ量を反射前のずれ量が拡大
されたものとすることができ、位置検出精度を向上する
ことができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１７】図１は本発明の第１の実施例の要部構成を
示す図、図２は第１の実施例の動作原理を説明するため
の図である。
示す図、図２は第１の実施例の動作原理を説明するため
の図である。
【００１８】本実施例は、シンクロトロン放射光１１を
、その進行方向に対して４５度傾けられて設置された単
結晶１３によってブラッグ反射させてＸ線領域の光にの
み検出感度を有するビーム位置検出器１２に入射させる
ものである。シンクロトロン放射光１１に、図示するよ
うなずれ量Δｘが生じた場合には、ビーム位置検出器１
２への入射位置も同様にずれ、ビーム位置のモニタが行
われる。
、その進行方向に対して４５度傾けられて設置された単
結晶１３によってブラッグ反射させてＸ線領域の光にの
み検出感度を有するビーム位置検出器１２に入射させる
ものである。シンクロトロン放射光１１に、図示するよ
うなずれ量Δｘが生じた場合には、ビーム位置検出器１
２への入射位置も同様にずれ、ビーム位置のモニタが行
われる。
【００１９】図２に示すように、単結晶２１に対してＸ
線である入射光２２が入射角θにて入射されたときにブ
ラッグ反射が起こる条件は、 ２ｄｃｏｓθ＝ｍλ （ｍ＝１，２，３，・・・）と
表され、このようなブラッグ条件を満たす波長λは、λ
＝２ｄｃｏｓθ／ｍ （ｍ＝１，２，３，・・・）と
表される。このようにブラッグ反射を利用することによ
り、特定の波長よりも短いＸ線のみが反射光２３として
反射されるため、図１中のビーム位置検出器１２で検出
される反射光は、シンクロトロン放射光１１の中でもビ
ームの拡がり角の小さな短波長成分のみが検出されるこ
とになり、シンクロトロン放射光１１のビーム位置が高
い精度で検出される。
線である入射光２２が入射角θにて入射されたときにブ
ラッグ反射が起こる条件は、 ２ｄｃｏｓθ＝ｍλ （ｍ＝１，２，３，・・・）と
表され、このようなブラッグ条件を満たす波長λは、λ
＝２ｄｃｏｓθ／ｍ （ｍ＝１，２，３，・・・）と
表される。このようにブラッグ反射を利用することによ
り、特定の波長よりも短いＸ線のみが反射光２３として
反射されるため、図１中のビーム位置検出器１２で検出
される反射光は、シンクロトロン放射光１１の中でもビ
ームの拡がり角の小さな短波長成分のみが検出されるこ
とになり、シンクロトロン放射光１１のビーム位置が高
い精度で検出される。
【００２０】単結晶１３としてグラファイト（００２）
を用いた場合、格子間隔ｄ＝０．３３６ｎｍであるため
、ブラッグ反射されるＸ線は波長λ＝０．４７，０．２
４，０．１６，０．１２９，・・・ｎｍのものとなり、
単結晶１３としてＳｉ（１１１）単結晶を用いた場合に
は、格子間隔ｄ＝０．３１３５ｎｍであるため、ブラッ
グ反射されるＸ線は波長λ＝０．４４，０．２２，・・
・ｎｍのものとなる。これらの波長以外のＸ線について
は単結晶１３に吸収され、また、可視光等のＸ線以外の
長波長成分のものは単結晶１３の表面で鏡面反射される
が、ビーム位置検出器１２はＸ線領域の光にのみ検出感
度を有するものであるため、これが検出されることはな
い。 本実施例のものにおいては、ビーム位置検出器
１２へ入射されるＸ線はブラッグ反射条件を満たす限ら
れたものとなるため、ビーム位置検出器１２に温度上昇
や放射線損傷が生じることが少なく、動作が安定したも
のとなった。
を用いた場合、格子間隔ｄ＝０．３３６ｎｍであるため
、ブラッグ反射されるＸ線は波長λ＝０．４７，０．２
４，０．１６，０．１２９，・・・ｎｍのものとなり、
単結晶１３としてＳｉ（１１１）単結晶を用いた場合に
は、格子間隔ｄ＝０．３１３５ｎｍであるため、ブラッ
グ反射されるＸ線は波長λ＝０．４４，０．２２，・・
・ｎｍのものとなる。これらの波長以外のＸ線について
は単結晶１３に吸収され、また、可視光等のＸ線以外の
長波長成分のものは単結晶１３の表面で鏡面反射される
が、ビーム位置検出器１２はＸ線領域の光にのみ検出感
度を有するものであるため、これが検出されることはな
い。 本実施例のものにおいては、ビーム位置検出器
１２へ入射されるＸ線はブラッグ反射条件を満たす限ら
れたものとなるため、ビーム位置検出器１２に温度上昇
や放射線損傷が生じることが少なく、動作が安定したも
のとなった。
【００２１】図３は本発明の第２の実施例の要部構成を
示す図、図４は第２の実施例の動作原理を説明するため
の図である。
示す図、図４は第２の実施例の動作原理を説明するため
の図である。
【００２２】本実施例は、シンクロトロン放射光３１を
単結晶３３によって非対称ブラッグ反射させてビーム位
置検出器３２に入射させるものである。このような構成
とすることにより、シンクロトロン放射光３１のビーム
位置が変動したときのビーム位置検出器３２への入射位
置の変動量が実際のものよりも大きなものとなるため、
第１の実施例のものよりも分解能が高くなり、測定精度
が向上する。
単結晶３３によって非対称ブラッグ反射させてビーム位
置検出器３２に入射させるものである。このような構成
とすることにより、シンクロトロン放射光３１のビーム
位置が変動したときのビーム位置検出器３２への入射位
置の変動量が実際のものよりも大きなものとなるため、
第１の実施例のものよりも分解能が高くなり、測定精度
が向上する。
【００２３】図４に示すような単結晶４３の結晶面とは
傾いた面でのブラッグ反射（非対称ブラッグ反射）にお
いては、図示するような入射光のずれ量ａと反射光のず
れ量ｂは異なる大きさとなる。これは反射光が正反射（
鏡面反射）されないために生じるもので、その拡大倍率
ｂ／ａ＝ｋは、単結晶４３の表面と結晶面との傾き角を
αとし、入射光の結晶表面に対する入射角をθとすると
、 ｋ＝ｃｏｓ（θ−α）／ｃｏｓ（θ） で与えられる。
傾いた面でのブラッグ反射（非対称ブラッグ反射）にお
いては、図示するような入射光のずれ量ａと反射光のず
れ量ｂは異なる大きさとなる。これは反射光が正反射（
鏡面反射）されないために生じるもので、その拡大倍率
ｂ／ａ＝ｋは、単結晶４３の表面と結晶面との傾き角を
αとし、入射光の結晶表面に対する入射角をθとすると
、 ｋ＝ｃｏｓ（θ−α）／ｃｏｓ（θ） で与えられる。
【００２４】図３に示した単結晶３３としてシリコン単
結晶を用い、結晶面（１１１）に対して４０度傾いた平
面となるように研磨し、これを反射面とし、この反射面
に対してシンクロトロン放射光３１を５度（結晶面に対
して４５度）の角度にて入射させた。シリコン（１１１
）では格子間隔ｄ＝０．３１３５ｎｍであるため、シン
クロトロン放射光３１に対して９０度の角度に回折され
るブラッグ反射光３４の波長は、４．４３，２．２２，
・・・ｎｍのものとなる。
結晶を用い、結晶面（１１１）に対して４０度傾いた平
面となるように研磨し、これを反射面とし、この反射面
に対してシンクロトロン放射光３１を５度（結晶面に対
して４５度）の角度にて入射させた。シリコン（１１１
）では格子間隔ｄ＝０．３１３５ｎｍであるため、シン
クロトロン放射光３１に対して９０度の角度に回折され
るブラッグ反射光３４の波長は、４．４３，２．２２，
・・・ｎｍのものとなる。
【００２５】本実施例のものにおいては、θ＝８５度，
α＝４０度であり、拡大率ｋは１１．４となる。これは
、シンクロトロン放射光３１のずれ量Δｘが１μｍとす
るとブラッグ反射光 ３４のずれ量Δｘ’が１１．４μ
ｍに拡大されることを示すものであり、ビーム位置検出
器３２によるシンクロトロン放射光３１のビーム位置の
モニタが容易となる。また、シンクロトロン反射光３１
の内、ビーム位置検出器３２へ向かうものはブラッグ条
件を満たすＸ線のみとなり、この他の多くの成分（ブラ
ッグ条件を満たさないＸ線光や可視光以上の長波長成分
）のものは、結晶３３の表面にて鏡面反射されて鏡面反
射光３５としてビーム位置検出器３２以外の方向に出射
されるため、ビーム位置検出器３２および単結晶３３に
熱や放射線による損傷が生じないものとなり、第１の実
施例のものと比較して、動作がさらに安定したものとな
るとともに、ビーム位置検出器３２として可視光領域に
感度を有するものを使用することも可能となった。
α＝４０度であり、拡大率ｋは１１．４となる。これは
、シンクロトロン放射光３１のずれ量Δｘが１μｍとす
るとブラッグ反射光 ３４のずれ量Δｘ’が１１．４μ
ｍに拡大されることを示すものであり、ビーム位置検出
器３２によるシンクロトロン放射光３１のビーム位置の
モニタが容易となる。また、シンクロトロン反射光３１
の内、ビーム位置検出器３２へ向かうものはブラッグ条
件を満たすＸ線のみとなり、この他の多くの成分（ブラ
ッグ条件を満たさないＸ線光や可視光以上の長波長成分
）のものは、結晶３３の表面にて鏡面反射されて鏡面反
射光３５としてビーム位置検出器３２以外の方向に出射
されるため、ビーム位置検出器３２および単結晶３３に
熱や放射線による損傷が生じないものとなり、第１の実
施例のものと比較して、動作がさらに安定したものとな
るとともに、ビーム位置検出器３２として可視光領域に
感度を有するものを使用することも可能となった。
【００２６】図４は本発明の第３の実施例の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【００２７】本実施例は、第１、第２の実施例と同様に
シンクロトロン放射光５１を単結晶５３によってブラッ
グ反射させ、ビーム位置検出器５２の検出値からビーム
位置をモニタするものであるが、本実施例の単結晶５３
には内部に冷却水が循環される流路５４が冷却手段とし
て設けられている。
シンクロトロン放射光５１を単結晶５３によってブラッ
グ反射させ、ビーム位置検出器５２の検出値からビーム
位置をモニタするものであるが、本実施例の単結晶５３
には内部に冷却水が循環される流路５４が冷却手段とし
て設けられている。
【００２８】Ｘ線を反射させる単結晶には強力なエネル
ギーを持つシンクロトロン放射光が照射されるが、単結
晶に吸収されたエネルギーの大部分は熱となる。この発
熱により、単結晶には変形、溶解等の損傷が生じてしま
う。本実施例の単結晶５３には冷却手段である流路５４
が設けられ、単結晶５３を積極的に冷却するものとして
いるため、上記のような損傷が生じることはない。
ギーを持つシンクロトロン放射光が照射されるが、単結
晶に吸収されたエネルギーの大部分は熱となる。この発
熱により、単結晶には変形、溶解等の損傷が生じてしま
う。本実施例の単結晶５３には冷却手段である流路５４
が設けられ、単結晶５３を積極的に冷却するものとして
いるため、上記のような損傷が生じることはない。
【００２９】以上述べた各実施例のうち、反射されたＸ
線を受光するビーム位置検出器としては、１次元の位置
分解能をもったＸ線検出器、例えばマイクロチャンネル
プレート，位置検出型比例計数管，ＣＣＤ等を用いれば
よい。
線を受光するビーム位置検出器としては、１次元の位置
分解能をもったＸ線検出器、例えばマイクロチャンネル
プレート，位置検出型比例計数管，ＣＣＤ等を用いれば
よい。
【００３０】Ｘ線を回折させるための単結晶としてはシ
リコン、グラファイト以外にもモリブデン等のある程度
の大きさの単結晶が得られ、耐熱性のあるものであれば
特に限定されるものではなく、所定の基板上に成長させ
たものであっても当然よい。また、第３の実施例におい
ては冷却手段として内部に冷却水が循環される流路を示
したが、この他にもヒートパイプやペルチェ素子等を利
用することが考えられ、このように構成してもよい。
リコン、グラファイト以外にもモリブデン等のある程度
の大きさの単結晶が得られ、耐熱性のあるものであれば
特に限定されるものではなく、所定の基板上に成長させ
たものであっても当然よい。また、第３の実施例におい
ては冷却手段として内部に冷却水が循環される流路を示
したが、この他にもヒートパイプやペルチェ素子等を利
用することが考えられ、このように構成してもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００３２】請求項１に記載のものにおいては、ビーム
位置検出器にて検出される光をブラッグ条件を満たした
Ｘ線のみとすることにより、正確にシンクロトロン放射
光のビーム位置をモニタすることが可能となり、ビーム
位置検出器に性能劣化が生じることを防止することがで
きる効果がある。
位置検出器にて検出される光をブラッグ条件を満たした
Ｘ線のみとすることにより、正確にシンクロトロン放射
光のビーム位置をモニタすることが可能となり、ビーム
位置検出器に性能劣化が生じることを防止することがで
きる効果がある。
【００３３】請求項２に記載のものにおいては、ビーム
位置検出器に入射される光を反射前のずれ量が拡大され
、ブラッグ条件を満たしたＸ線のみとすることにより、
検出精度を向上することができるとともに、ビーム位置
検出器に性能劣化が生じることの防止をさらに向上する
ことができる効果がある。
位置検出器に入射される光を反射前のずれ量が拡大され
、ブラッグ条件を満たしたＸ線のみとすることにより、
検出精度を向上することができるとともに、ビーム位置
検出器に性能劣化が生じることの防止をさらに向上する
ことができる効果がある。
【００３４】請求項３に記載のものにおいては、単結晶
に熱による損傷が生じることを防止することができる効
果がある。
に熱による損傷が生じることを防止することができる効
果がある。
【図１】図１は本発明の第１の実施例の要部構成を示す
図である。
図である。
【図２】図２は本発明の第１の実施例の動作原理を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】図３は本発明の第２の実施例の要部構成を示す
図である。
図である。
【図４】図４は本発明の第２の実施例の動作原理を説明
するための図である。
するための図である。
【図５】図５は本発明の第３の実施例の要部構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図６は従来例の構成を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）のそれぞれは、可視光およ
びＸ線の拡がり状態を示す図である
びＸ線の拡がり状態を示す図である
１１，３１，５１ シンクロトロン放射光１２，
３２，５２ ビーム位置検出器１３，２１，３３
，４３，５３ 単結晶２２ 入射光 ２３ 反射光 ３４ ブラッグ反射光 ３５ 鏡面反射光 ５４ 流路
３２，５２ ビーム位置検出器１３，２１，３３
，４３，５３ 単結晶２２ 入射光 ２３ 反射光 ３４ ブラッグ反射光 ３５ 鏡面反射光 ５４ 流路
Claims (3)
- 【請求項１】 シンクロトロン放射光のビーム位置を
モニタするためのシンクロトロン放射光のビーム位置モ
ニタ機構であって、前記シンクロトロン放射光の内の所
定条件を満たすＸ線を、その結晶面と平行な面にてブラ
ッグ反射させる単結晶と、少なくとも１次元方向に位置
分解能を有し、かつＸ線領域にのみ検出感度を有するよ
うに構成されて前記単結晶にてブラッグ反射されたＸ線
を受光するビーム位置検出器とを備えたことを特徴とす
るシンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構。 - 【請求項２】 シンクロトロン放射光のビーム位置を
正確にモニタするためのシンクロトロン放射光のビーム
位置モニタ機構であって、その結晶面に対して傾きを有
する面を持つ単結晶と、１次元に位置分解能を有するよ
うに構成されて前記単結晶にてブラッグ反射されたＸ線
を受光するビーム位置検出器とを備え、前記単結晶はそ
の結晶面に対して傾きを有する面にて前記シンクロトロ
ン放射光の内の所定条件を満たすＸ線を反射させること
を特徴とするシンクロトロン放射光のビーム位置モニタ
機構。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のシン
クロトロン放射項のビーム位置モニタ機構において、単
結晶を冷却するための冷却手段が設けられていることを
特徴とするシンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41271390A JPH04221786A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41271390A JPH04221786A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221786A true JPH04221786A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=18521500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41271390A Pending JPH04221786A (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04221786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP41271390A patent/JPH04221786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139482A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20200018824A (ko) | 다색 연엑스선 회절에 기초한 반도체 계측을 위한 방법 및 시스템 | |
| KR101982379B1 (ko) | 고 종횡비 및 대 횡측 치수 구조물들을 위한 계측 시스템 및 방법 | |
| US7473907B2 (en) | Illumination system for a wavelength of ≦ 193 nm, with sensors for determining an illumination | |
| US5204887A (en) | X-ray microscope | |
| JP7427772B2 (ja) | 波長分解軟ｘ線反射率測定に基づく半導体計測のための方法及びシステム | |
| US6894285B2 (en) | Arrangement for monitoring the energy radiated by an EUV radiation source | |
| EP0459833B1 (en) | X-ray microscope | |
| EP1396716B1 (en) | X-ray optical system for small angle scattering measurements | |
| US20080075229A1 (en) | Generation of Monochromatic and Collimated X-Ray Beams | |
| US20090015814A1 (en) | Detector for registering a light intensity, and illumination system equipped with the detector | |
| JP2005534183A (ja) | 光学デバイス | |
| US11561467B1 (en) | Reflectivity and transmittance measuring device of EUV mask and EUV pellicle | |
| TW202204884A (zh) | 具有經改良濾波之軟x射線光學件 | |
| US6863409B2 (en) | Apparatus for generating parallel beam with high flux | |
| JPH04221786A (ja) | シンクロトロン放射光のビーム位置モニタ機構 | |
| US20040066894A1 (en) | Device for x-ray analytical applications | |
| JP2004333131A (ja) | 全反射蛍光ｘａｆｓ測定装置 | |
| US20110188631A1 (en) | X-ray spectrometer | |
| CN108475027B (zh) | 射束测量系统、光刻系统和方法 | |
| JP2000275113A (ja) | Ｘ線応力測定方法および測定装置 | |
| JP2718165B2 (ja) | 間隔測定装置 | |
| JP2783604B2 (ja) | 位置合せ装置と位置合せ方法 | |
| Chapman et al. | Capillary x-ray optics | |
| RU2661742C1 (ru) | Компактный широкодиапазонный вуф спектрометр | |
| JP3978710B2 (ja) | Ｘ線回折測定装置およびｘ線回折測定方法 |