JP2000275113A - Ｘ線応力測定方法および測定装置 - Google Patents
Ｘ線応力測定方法および測定装置Info
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- JP2000275113A JP2000275113A JP11081738A JP8173899A JP2000275113A JP 2000275113 A JP2000275113 A JP 2000275113A JP 11081738 A JP11081738 A JP 11081738A JP 8173899 A JP8173899 A JP 8173899A JP 2000275113 A JP2000275113 A JP 2000275113A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料表面におけるＸ線の屈折の効果を排除
し、試料の表面近傍もしくは薄膜形態試料における内部
応力を正確に測定する。 【解決手段】 試料３は、試料回転機構２１上に保持さ
れており、これによりX線源９からの一次X線４の入射角
度αが５°以下に設定される。試料３で回折した回折Ｘ
線５は、Ｘ線検出器６でその強度が測定される。算出部
１９は、Ｘ線検出器６で測定された回折Ｘ線５の強度分
布から回折角度θを検出し、入射角度αと回折角度θの
データから、Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角
度を求め、それに基づいて試料３の内部応力を算出す
る。
し、試料の表面近傍もしくは薄膜形態試料における内部
応力を正確に測定する。 【解決手段】 試料３は、試料回転機構２１上に保持さ
れており、これによりX線源９からの一次X線４の入射角
度αが５°以下に設定される。試料３で回折した回折Ｘ
線５は、Ｘ線検出器６でその強度が測定される。算出部
１９は、Ｘ線検出器６で測定された回折Ｘ線５の強度分
布から回折角度θを検出し、入射角度αと回折角度θの
データから、Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角
度を求め、それに基づいて試料３の内部応力を算出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線を照射するこ
とによって、金属、半導体、セラミックス等の材料の表
面近傍もしくは薄膜形態における残留応力を測定する、
Ｘ線応力測定方法及び測定装置に関するものである。
とによって、金属、半導体、セラミックス等の材料の表
面近傍もしくは薄膜形態における残留応力を測定する、
Ｘ線応力測定方法及び測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線応力測定法は、Ｘ線回折の回折角度
から、結晶格子面間隔ｄを測定し、その結晶格子面間隔
ｄの変化がフックの法則に従うものとして試料中の内部
応力を求める方法である（日本材料学会編「Ｘ線材料強
度学」養賢堂）。
から、結晶格子面間隔ｄを測定し、その結晶格子面間隔
ｄの変化がフックの法則に従うものとして試料中の内部
応力を求める方法である（日本材料学会編「Ｘ線材料強
度学」養賢堂）。
【０００３】まず最初に、多結晶試料における一般的な
Ｘ線応力測定方法の原理について説明する。
Ｘ線応力測定方法の原理について説明する。
【０００４】図７は、従来のＸ線応力測定方法（並傾
法）を説明するための図である。十分に小さい結晶から
なり、かつそれらの方位が無秩序に分布している試料１
０３に、波長λのＸ線を照射した場合、以下に示す式
（１）で表わされるブラッグの回折条件を満足する結晶
格子面１０７のみで入射Ｘ線１０４の回折が生じ、回折
Ｘ線１０５として出射する。
法）を説明するための図である。十分に小さい結晶から
なり、かつそれらの方位が無秩序に分布している試料１
０３に、波長λのＸ線を照射した場合、以下に示す式
（１）で表わされるブラッグの回折条件を満足する結晶
格子面１０７のみで入射Ｘ線１０４の回折が生じ、回折
Ｘ線１０５として出射する。
【０００５】ｎλ＝２ｄsinθ …（１） ここで、θは回折角度と呼ばれ、入射Ｘ線１０４あるい
は回折Ｘ線１０５と回折を生ずる結晶格子面１０７との
なす角度であり、ｎは回折の次数を表わす正の整数であ
る。また、ｄは上述した結晶格子面間隔である。
は回折Ｘ線１０５と回折を生ずる結晶格子面１０７との
なす角度であり、ｎは回折の次数を表わす正の整数であ
る。また、ｄは上述した結晶格子面間隔である。
【０００６】このような試料１０３に応力が働いて結晶
格子面間隔ｄにわずかな変位が生ずると、式（１）から
明らかなように回折Ｘ線１０５の回折角度θが変化す
る。
格子面間隔ｄにわずかな変位が生ずると、式（１）から
明らかなように回折Ｘ線１０５の回折角度θが変化す
る。
【０００７】ここで、応力が働いていない状態の試料１
０３の結晶格子面間隔をｄ0とし、試料１０３に内部応
力σが働き、回折を生ずる結晶格子面法線１０８が試料
面法線１０９に対してψだけ傾いているときの結晶格子
面間隔をｄψとしたとき、以下の式（２）に示す関係が
ある。
０３の結晶格子面間隔をｄ0とし、試料１０３に内部応
力σが働き、回折を生ずる結晶格子面法線１０８が試料
面法線１０９に対してψだけ傾いているときの結晶格子
面間隔をｄψとしたとき、以下の式（２）に示す関係が
ある。
【０００８】
【数１】 ここで、νはポワソン比、Ｅはヤング率である。ｄ0が
既知の場合は、測定された回折角度θから求めたｄψと
ψの値を式（２）に代入することによって内部応力σを
求めることができる。ｄ0が未知の場合は、ψの異なる
２点以上でｄψを計測することにより、内部応力σを求
めることができる。その際、ψを変化させる方法に幾何
学的配置の異なる２種の方法、すなわち並傾法と側傾法
とがある（日本材料学会編「Ｘ線応力測定法」養賢
堂）。
既知の場合は、測定された回折角度θから求めたｄψと
ψの値を式（２）に代入することによって内部応力σを
求めることができる。ｄ0が未知の場合は、ψの異なる
２点以上でｄψを計測することにより、内部応力σを求
めることができる。その際、ψを変化させる方法に幾何
学的配置の異なる２種の方法、すなわち並傾法と側傾法
とがある（日本材料学会編「Ｘ線応力測定法」養賢
堂）。
【０００９】一方、光学、電子工学などの分野では、材
料が薄膜の形態で使用される場合が多く、薄膜の形態で
結晶構造や、内部応力の評価を行うことが重要となって
きている。
料が薄膜の形態で使用される場合が多く、薄膜の形態で
結晶構造や、内部応力の評価を行うことが重要となって
きている。
【００１０】薄膜のＸ線回折測定を行うためには、薄膜
からの回折Ｘ線を効率良く検出し、バックグラウンドの
原因となる基板材からの散乱Ｘ線を出来るだけ抑えるこ
とが重要である。このことはＸ線応力測定の場合でも同
様であるが、上述の並傾法や側傾法では試料に入射する
Ｘ線は試料の内部の奥深くまで侵入することになり、薄
膜や表面の応力状態を測定することは困難であった。
からの回折Ｘ線を効率良く検出し、バックグラウンドの
原因となる基板材からの散乱Ｘ線を出来るだけ抑えるこ
とが重要である。このことはＸ線応力測定の場合でも同
様であるが、上述の並傾法や側傾法では試料に入射する
Ｘ線は試料の内部の奥深くまで侵入することになり、薄
膜や表面の応力状態を測定することは困難であった。
【００１１】薄膜のＸ線の回折測定のために広く利用さ
れている方法に、ゼーマンボーリン法と呼ばれる方法が
ある[R.Feder and B.S.Berry, Seeman-Bohlin X-Ray Di
ffraction for Thin Films, Journal of Applied Cryst
allography, 3(1970)372]。
れている方法に、ゼーマンボーリン法と呼ばれる方法が
ある[R.Feder and B.S.Berry, Seeman-Bohlin X-Ray Di
ffraction for Thin Films, Journal of Applied Cryst
allography, 3(1970)372]。
【００１２】図８は、ゼーマンボーリン法を説明するた
めの図である。図８において、試料２０３は、基板２０
２上に薄膜２０１が形成されたものである。
めの図である。図８において、試料２０３は、基板２０
２上に薄膜２０１が形成されたものである。
【００１３】この方法では、Ｘ線源２０９から放射され
る一次Ｘ線２０４の、試料２０３の表面に対する入射角
度αを一定とし、一次Ｘ線２０４の入射方向に対してさ
まざまな角度２θで放出される回折Ｘ線２０５をＸ線検
出器２０６により検出し、それを記録する。
る一次Ｘ線２０４の、試料２０３の表面に対する入射角
度αを一定とし、一次Ｘ線２０４の入射方向に対してさ
まざまな角度２θで放出される回折Ｘ線２０５をＸ線検
出器２０６により検出し、それを記録する。
【００１４】一次Ｘ線２０４の試料２０３への侵入深さ
は、入射角度αに依存する。入射角度αを微小な値に設
定することにより、一次Ｘ線２０４の試料２０３への侵
入深さを小さくすることができ、基板２０２からの散乱
Ｘ線の寄与を非常に小さくすることができる。その結
果、試料表面近傍の薄膜２０１からの回折線を選択的に
検出することが可能となる。
は、入射角度αに依存する。入射角度αを微小な値に設
定することにより、一次Ｘ線２０４の試料２０３への侵
入深さを小さくすることができ、基板２０２からの散乱
Ｘ線の寄与を非常に小さくすることができる。その結
果、試料表面近傍の薄膜２０１からの回折線を選択的に
検出することが可能となる。
【００１５】この方法によれば、例えば入射角度αを
０．５°に設定した場合には、厚さ１０ｎｍ程度の多結
晶薄膜のＸ線回折パターンを容易に得ることができる。
この方法は、特に入射角度αを微小な値に設定する場
合、斜入射Ｘ線回折法と呼ばれる。
０．５°に設定した場合には、厚さ１０ｎｍ程度の多結
晶薄膜のＸ線回折パターンを容易に得ることができる。
この方法は、特に入射角度αを微小な値に設定する場
合、斜入射Ｘ線回折法と呼ばれる。
【００１６】図８では、試料２０３の表面に対する一次
Ｘ線２０４の入射角度αを微小な値に設定することによ
って、薄膜２０１からの回折線を選択的に検出する斜入
射Ｘ線回折法について説明したが、入射と出射の関係を
入れ替えた斜出射Ｘ線回折法と呼ばれる方法もある。斜
出射Ｘ線回折法は、図９に示すように、斜入射Ｘ線回折
法に対してＸ線源２０９とＸ線検出器２０６とを入れ替
えた配置としたもので、回折Ｘ線２０５の試料２０３の
表面に対する出射角度βが微小な値となるように一次Ｘ
線２０４を入射させる。これによっても、基板２０２か
らの散乱Ｘ線の寄与を非常に小さくし、試料表面近傍の
薄膜２０１からの回折線を選択的に検出することが可能
となる。
Ｘ線２０４の入射角度αを微小な値に設定することによ
って、薄膜２０１からの回折線を選択的に検出する斜入
射Ｘ線回折法について説明したが、入射と出射の関係を
入れ替えた斜出射Ｘ線回折法と呼ばれる方法もある。斜
出射Ｘ線回折法は、図９に示すように、斜入射Ｘ線回折
法に対してＸ線源２０９とＸ線検出器２０６とを入れ替
えた配置としたもので、回折Ｘ線２０５の試料２０３の
表面に対する出射角度βが微小な値となるように一次Ｘ
線２０４を入射させる。これによっても、基板２０２か
らの散乱Ｘ線の寄与を非常に小さくし、試料表面近傍の
薄膜２０１からの回折線を選択的に検出することが可能
となる。
【００１７】斜入射Ｘ線回折法や斜出射Ｘ線回折法にお
いても、Ｘ線応力測定の場合は、特定の回折線の回折角
度θとその回折を生ずる結晶格子面法線２０８の試料面
法線に対する傾き角ψが得られれば、式（２）に代入す
ることによって内部応力σを求めることができる。
いても、Ｘ線応力測定の場合は、特定の回折線の回折角
度θとその回折を生ずる結晶格子面法線２０８の試料面
法線に対する傾き角ψが得られれば、式（２）に代入す
ることによって内部応力σを求めることができる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、内部応
力を求める場合、特に回折角度θを精密に測定する必要
があるが、斜入射や斜出射条件を用いる場合、試料表面
におけるＸ線の屈折の効果によって、測定される回折角
度θが試料内部の回折角度からずれてしまうという問題
があり、内部応力を正確に測定することができなかっ
た。
力を求める場合、特に回折角度θを精密に測定する必要
があるが、斜入射や斜出射条件を用いる場合、試料表面
におけるＸ線の屈折の効果によって、測定される回折角
度θが試料内部の回折角度からずれてしまうという問題
があり、内部応力を正確に測定することができなかっ
た。
【００１９】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたものであって、試料表面におけるＸ線の屈折の
効果を排除し、試料の表面近傍もしくは薄膜形態試料に
おける内部応力を正確に測定するＸ線応力測定方法及び
測定装置を提供することを目的とする。
なされたものであって、試料表面におけるＸ線の屈折の
効果を排除し、試料の表面近傍もしくは薄膜形態試料に
おける内部応力を正確に測定するＸ線応力測定方法及び
測定装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のＸ線応力測定方法は、多結晶性の試料にＸ線を
照射したときに前記試料によって回折されて前記試料か
ら出射する回折Ｘ線の回折角度を測定することにより前
記試料の内部応力を測定するＸ線応力測定方法であっ
て、前記試料の表面に対する、入射Ｘ線の入射角度また
は前記回折Ｘ線の出射角度を５°以下に設定し、設定さ
れた前記入射角度または出射角度における前記回折Ｘ線
の強度分布を測定する工程と、測定された前記回折Ｘ線
の強度分布から回折角度を検出する工程と、前記入射角
度または出射角度と前記回折角度のデータから、Ｘ線の
屈折による影響がないときの回折角度を求める工程と、
前記Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角度から、
前記試料の内部応力を求める工程とを有する。
本発明のＸ線応力測定方法は、多結晶性の試料にＸ線を
照射したときに前記試料によって回折されて前記試料か
ら出射する回折Ｘ線の回折角度を測定することにより前
記試料の内部応力を測定するＸ線応力測定方法であっ
て、前記試料の表面に対する、入射Ｘ線の入射角度また
は前記回折Ｘ線の出射角度を５°以下に設定し、設定さ
れた前記入射角度または出射角度における前記回折Ｘ線
の強度分布を測定する工程と、測定された前記回折Ｘ線
の強度分布から回折角度を検出する工程と、前記入射角
度または出射角度と前記回折角度のデータから、Ｘ線の
屈折による影響がないときの回折角度を求める工程と、
前記Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角度から、
前記試料の内部応力を求める工程とを有する。
【００２１】また、本発明のＸ線応力測定装置は、多結
晶性の試料にＸ線を照射したときに前記試料によって回
折されて前記試料から出射する回折Ｘ線の回折角度を測
定することにより前記試料の内部応力を測定するＸ線応
力測定装置であって、前記試料に向けてＸ線を照射する
Ｘ線源と、前記回折Ｘ線の強度を測定するＸ線測定手段
と、前記試料の表面に対する、前記Ｘ線源から前記試料
に入射する入射Ｘ線の入射角度または前記回折Ｘ線の出
射角度を設定する角度設定手段と、前記入射角度または
出射角度が５°以下の条件で、前記Ｘ線測定手段で測定
された前記回折Ｘ線の強度分布から前記回折角度を検出
し、前記入射角度または出射角度と前記回折角度のデー
タから、前記試料の表面でのＸ線の屈折による影響がな
いときの回折角度を求め、この回折角度から前記試料の
内部応力を算出する算出手段とを有する。
晶性の試料にＸ線を照射したときに前記試料によって回
折されて前記試料から出射する回折Ｘ線の回折角度を測
定することにより前記試料の内部応力を測定するＸ線応
力測定装置であって、前記試料に向けてＸ線を照射する
Ｘ線源と、前記回折Ｘ線の強度を測定するＸ線測定手段
と、前記試料の表面に対する、前記Ｘ線源から前記試料
に入射する入射Ｘ線の入射角度または前記回折Ｘ線の出
射角度を設定する角度設定手段と、前記入射角度または
出射角度が５°以下の条件で、前記Ｘ線測定手段で測定
された前記回折Ｘ線の強度分布から前記回折角度を検出
し、前記入射角度または出射角度と前記回折角度のデー
タから、前記試料の表面でのＸ線の屈折による影響がな
いときの回折角度を求め、この回折角度から前記試料の
内部応力を算出する算出手段とを有する。
【００２２】本発明のＸ線応力測定方法及び測定装置に
よれば、多結晶性の試料の表面におけるＸ線の屈折の影
響を考慮して回折Ｘ線の回折角度を求め、この回折角度
から試料の内部応力を求めるので、より正確な内部応力
が測定される。
よれば、多結晶性の試料の表面におけるＸ線の屈折の影
響を考慮して回折Ｘ線の回折角度を求め、この回折角度
から試料の内部応力を求めるので、より正確な内部応力
が測定される。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２４】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態である、Ｘ線応力測定装置の概略構成図であ
る。
の実施形態である、Ｘ線応力測定装置の概略構成図であ
る。
【００２５】図１において、Ｘ線源９から放射された単
一波長の一次Ｘ線４は、入射側Ｘ線光学系２０を通過し
て、試料３の表面を照射する。試料３による回折Ｘ線５
は、出射側Ｘ線光学系２２を通過して、Ｘ線検出器６に
導かれる。Ｘ線源９としては、各種Ｘ線管の他、シンク
ロトロン放射光を用いることができる。必要に応じてモ
ノクロメーターが使用される。一次Ｘ線４の試料表面に
対する入射角度αは５°以下の微小な角度に設定され
る、そのためには一次Ｘ線４をほぼ平行ビームとする必
要がある、ビームの発散角は０．５°以下が好ましい。
そのために入射側Ｘ線光学系２０が挿入されている。入
射側Ｘ線光学系２０は、一つまたは複数のスリットから
なるスリットシステム、一つまたは複数のＸ線反射鏡か
らなる光学系、各種コリメーター、キャピラリーを利用
したＸ線導管などによって構成される。
一波長の一次Ｘ線４は、入射側Ｘ線光学系２０を通過し
て、試料３の表面を照射する。試料３による回折Ｘ線５
は、出射側Ｘ線光学系２２を通過して、Ｘ線検出器６に
導かれる。Ｘ線源９としては、各種Ｘ線管の他、シンク
ロトロン放射光を用いることができる。必要に応じてモ
ノクロメーターが使用される。一次Ｘ線４の試料表面に
対する入射角度αは５°以下の微小な角度に設定され
る、そのためには一次Ｘ線４をほぼ平行ビームとする必
要がある、ビームの発散角は０．５°以下が好ましい。
そのために入射側Ｘ線光学系２０が挿入されている。入
射側Ｘ線光学系２０は、一つまたは複数のスリットから
なるスリットシステム、一つまたは複数のＸ線反射鏡か
らなる光学系、各種コリメーター、キャピラリーを利用
したＸ線導管などによって構成される。
【００２６】試料３は試料回転機構２１に保持されてお
り、この試料回転機構２１によって試料３の向きを調整
することで一次Ｘ線４の入射角度αを任意に設定するこ
とができる。
り、この試料回転機構２１によって試料３の向きを調整
することで一次Ｘ線４の入射角度αを任意に設定するこ
とができる。
【００２７】回折Ｘ線５は試料３から出射した後、出射
側Ｘ線光学系２２を通過して、その強度がＸ線検出器６
により検知される。出射側Ｘ線光学系２２とＸ線検出器
６との組み合わせにより、回折Ｘ線５の回折角度と試料
表面からの出射角度が測定される。
側Ｘ線光学系２２を通過して、その強度がＸ線検出器６
により検知される。出射側Ｘ線光学系２２とＸ線検出器
６との組み合わせにより、回折Ｘ線５の回折角度と試料
表面からの出射角度が測定される。
【００２８】出射側光学系２２としては、Ｘ線ビームの
発散角を制限する機能を有する光学系、例えば一つまた
は複数のスリットからなるスリットシステム、一つまた
は複数のＸ線反射鏡からなる光学系、各種コリメータ
ー、キャピラリーを利用したＸ線導管などを用いること
ができる。
発散角を制限する機能を有する光学系、例えば一つまた
は複数のスリットからなるスリットシステム、一つまた
は複数のＸ線反射鏡からなる光学系、各種コリメータ
ー、キャピラリーを利用したＸ線導管などを用いること
ができる。
【００２９】Ｘ線検出器６としては、シンチレーション
カウンター、比例計数管を試料回転と連動して旋回する
機構とともに用いることができる。あるいは、Ｘ線検出
器６とそて、位置敏感型比例計数管（ＰＳＰＣ：Positi
on Sensitive ProportionalCounter）のような一次元検
出器、イメージングプレート、写真フィルムのような二
次元検出器などを用いた場合は、Ｘ線検出器６を移動す
ることなく使用することも可能である。この場合、出射
側Ｘ線光学系２２は挿入されない場合と、不必要な散乱
Ｘ線をＸ線検出器６に入れない目的で挿入される場合と
がある。
カウンター、比例計数管を試料回転と連動して旋回する
機構とともに用いることができる。あるいは、Ｘ線検出
器６とそて、位置敏感型比例計数管（ＰＳＰＣ：Positi
on Sensitive ProportionalCounter）のような一次元検
出器、イメージングプレート、写真フィルムのような二
次元検出器などを用いた場合は、Ｘ線検出器６を移動す
ることなく使用することも可能である。この場合、出射
側Ｘ線光学系２２は挿入されない場合と、不必要な散乱
Ｘ線をＸ線検出器６に入れない目的で挿入される場合と
がある。
【００３０】算出部１９は、試料回転機構２１からの出
力とＸ線検出器６からの出力とに基づき、以下に述べる
手順に従って試料３の表面近傍の内部応力を算出するも
のである。
力とＸ線検出器６からの出力とに基づき、以下に述べる
手順に従って試料３の表面近傍の内部応力を算出するも
のである。
【００３１】次に、図１に示した配置により試料３の内
部応力を求める方法について、図２のフローチャートを
参照しつつ説明する。
部応力を求める方法について、図２のフローチャートを
参照しつつ説明する。
【００３２】まず、試料回転機構２１の調整により入射
角度αｉを設定する（ステップ５１）。入射角度αｉの
設定値は５°以下の範囲で回折線が観測される角度を選
択する。また、その中でも、一次Ｘ線４の試料３に対す
る全反射臨界角に近い角度を選択するのが好ましい。
角度αｉを設定する（ステップ５１）。入射角度αｉの
設定値は５°以下の範囲で回折線が観測される角度を選
択する。また、その中でも、一次Ｘ線４の試料３に対す
る全反射臨界角に近い角度を選択するのが好ましい。
【００３３】次に、入射角度αｉにおける回折線プロフ
ァイルを測定する（ステップ５２）。続いて、測定され
た回折線プロファイルから回折角度θｉを求める（ステ
ップ５３）。この方法としては、回折線ピークをガウス
関数でフィッティングする方法、回折ピークの重心から
求める方法などが使用できる。
ァイルを測定する（ステップ５２）。続いて、測定され
た回折線プロファイルから回折角度θｉを求める（ステ
ップ５３）。この方法としては、回折線ピークをガウス
関数でフィッティングする方法、回折ピークの重心から
求める方法などが使用できる。
【００３４】入射角度αｉに対応する回折角度θｉを求
めたら、別の入射角度αｉでも測定を行うか否かを判断
し（ステップ５４）、行う場合には、入射角度αｉを変
化させて（ステップ５５）、以上の測定を繰り返す。
めたら、別の入射角度αｉでも測定を行うか否かを判断
し（ステップ５４）、行う場合には、入射角度αｉを変
化させて（ステップ５５）、以上の測定を繰り返す。
【００３５】この測定を必要な回数だけ繰り返すと、
（αｉ，θｉ）のデータの組が得られる。このとき、入
射角度αｉを５°以下の範囲で選択すると、Ｘ線の屈折
の効果を検知し易く、短時間に高い精度の解析を行うこ
とができる。
（αｉ，θｉ）のデータの組が得られる。このとき、入
射角度αｉを５°以下の範囲で選択すると、Ｘ線の屈折
の効果を検知し易く、短時間に高い精度の解析を行うこ
とができる。
【００３６】入射角度αｉの変化に伴い、θｉは、屈折
の効果により式（３）に従って変化する。
の効果により式（３）に従って変化する。
【００３７】
【数２】 ただし、θψはＸ線の屈折効果の影響のないときの回折
角度、δ、βはそれぞれＸ線の試料３に対する複素屈折
率（ｎ）の実数部分と虚数部分である。式（３）は、左
辺から明らかなように、θｉ−θψすなわちＸ線の屈折
効果による回折角度の変化量を意味する。
角度、δ、βはそれぞれＸ線の試料３に対する複素屈折
率（ｎ）の実数部分と虚数部分である。式（３）は、左
辺から明らかなように、θｉ−θψすなわちＸ線の屈折
効果による回折角度の変化量を意味する。
【００３８】また、また、全反射臨界角θCとδとの間
には、
には、
【００３９】
【数３】 なる関係があるので、式（３）から明らかなように、θ
ｉ−θψの値は、入射角度αが薄膜１の全反射臨界角θ
Cに等しくなるときに最大となり、以下、入射角度αが
大きくなるにつれて小さくなり、最終的には０になる。
ｉ−θψの値は、入射角度αが薄膜１の全反射臨界角θ
Cに等しくなるときに最大となり、以下、入射角度αが
大きくなるにつれて小さくなり、最終的には０になる。
【００４０】よって、Ｘ線の屈折効果による回折角度の
変化量の入射角度による依存性を式（３）で最小２乗最
適化することで、式（３）内のパラメータを決定できる
ことになる。通常、薄膜１のβの値は１０-6程度あるい
はそれ以下と小さく、第１近似としては、式（１）内の
βに依存する項を無視することが可能であり、その際に
は、式（３）に含まれる未知変数はδのみとなり、任意
の１つの入射角度におけるθ−θψの値を求めればよ
い。しかしながら、実際の測定においては、入射角度α
の値を精確に決定することは難しいために、１つの入射
角度で最適化を行うことは困難である。従って上述のよ
うに、（αｉ，θｉ）の組を、複数組求め、実験値と式
（３）の最適化を行うことが望ましい。
変化量の入射角度による依存性を式（３）で最小２乗最
適化することで、式（３）内のパラメータを決定できる
ことになる。通常、薄膜１のβの値は１０-6程度あるい
はそれ以下と小さく、第１近似としては、式（１）内の
βに依存する項を無視することが可能であり、その際に
は、式（３）に含まれる未知変数はδのみとなり、任意
の１つの入射角度におけるθ−θψの値を求めればよ
い。しかしながら、実際の測定においては、入射角度α
の値を精確に決定することは難しいために、１つの入射
角度で最適化を行うことは困難である。従って上述のよ
うに、（αｉ，θｉ）の組を、複数組求め、実験値と式
（３）の最適化を行うことが望ましい。
【００４１】測定された（αｉ，θｉ）のデータの組を
使用して例えばカーブフィッティングにより式（３）を
最適化することにより、入射角度αを独立変数とする、
Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の関数、すなわ
ちＸ線の屈折効果による回折角度の変化量の入射角度依
存性が求められる（ステップ５６）。そしてさらに、求
められた関数から、フィッティングカーブを使ってθｉ
を補正し、Ｘ線の屈折効果の影響のないときの回折角度
θψを求める（ステップ５７）。
使用して例えばカーブフィッティングにより式（３）を
最適化することにより、入射角度αを独立変数とする、
Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の関数、すなわ
ちＸ線の屈折効果による回折角度の変化量の入射角度依
存性が求められる（ステップ５６）。そしてさらに、求
められた関数から、フィッティングカーブを使ってθｉ
を補正し、Ｘ線の屈折効果の影響のないときの回折角度
θψを求める（ステップ５７）。
【００４２】Ｘ線の屈折及び内部応力のない場合の回折
角度（文献値等）をθ0としたとき、θψとθ0との差
が、Ｘ線の屈折の影響を考慮した、内部応力σが生じて
いるときと生じていないときとでの回折角度の変化量Δ
θとなる。従って、このΔθを前述した式（１）のθに
代入して、内部応力σが働いているときの結晶格子面間
隔ｄψを求め、さらに、内部応力σと結晶格子面間隔歪
との関係式である式（２）を用いることによって、試料
３の内部応力σを求めることができる（ステップ５
８）。具体的には、内部応力σが働いていないときの結
晶格子面間隔ｄ0が既知の場合には、Δθから求めたｄ
ψと、試料表面法線に対する結晶格子面法線の傾き角ψ
を式（２）に代入して内部応力σを求める。ｄ0が未知
の場合には、ψの異なる２点以上でｄψを計測すること
により、内部応力σを求める。
角度（文献値等）をθ0としたとき、θψとθ0との差
が、Ｘ線の屈折の影響を考慮した、内部応力σが生じて
いるときと生じていないときとでの回折角度の変化量Δ
θとなる。従って、このΔθを前述した式（１）のθに
代入して、内部応力σが働いているときの結晶格子面間
隔ｄψを求め、さらに、内部応力σと結晶格子面間隔歪
との関係式である式（２）を用いることによって、試料
３の内部応力σを求めることができる（ステップ５
８）。具体的には、内部応力σが働いていないときの結
晶格子面間隔ｄ0が既知の場合には、Δθから求めたｄ
ψと、試料表面法線に対する結晶格子面法線の傾き角ψ
を式（２）に代入して内部応力σを求める。ｄ0が未知
の場合には、ψの異なる２点以上でｄψを計測すること
により、内部応力σを求める。
【００４３】以上説明したように、試料３の表面におけ
るＸ線の屈折の影響を考慮して回折角度を求め、その回
折角度を用いて試料３の内部応力σを求めることによ
り、試料３の内部応力σをより正確に測定することがで
きる。
るＸ線の屈折の影響を考慮して回折角度を求め、その回
折角度を用いて試料３の内部応力σを求めることによ
り、試料３の内部応力σをより正確に測定することがで
きる。
【００４４】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態を説明するフローチャートである。
の実施形態を説明するフローチャートである。
【００４５】本実施形態でも、用いる装置構成は図１に
示したものと同様であるが、本実施形態は斜出射Ｘ線回
折法によって試料３の内部応力σを測定するもので、試
料３からの回折Ｘ線５の出射角度βが５°以下になるよ
うに、一次Ｘ線４を試料３に入射させる点が、第１の実
施形態と異なる。
示したものと同様であるが、本実施形態は斜出射Ｘ線回
折法によって試料３の内部応力σを測定するもので、試
料３からの回折Ｘ線５の出射角度βが５°以下になるよ
うに、一次Ｘ線４を試料３に入射させる点が、第１の実
施形態と異なる。
【００４６】以下、図１及び図３を参照して、本実施形
態による、試料３の内部応力σの測定手順について説明
する。
態による、試料３の内部応力σの測定手順について説明
する。
【００４７】まず、試料回転機構２１を調整して、試料
３の表面に対する一次Ｘ線４の入射角度αを変化させる
ことにより、試料３の表面に対する回折Ｘ線５の出射角
度βを微小な角度βｉに設定する（ステップ６１）。こ
こで、後述するステップでＸ線の屈折の効果を検知し易
くするために、出射角度βｉは０〜５°の範囲で選択さ
れる。
３の表面に対する一次Ｘ線４の入射角度αを変化させる
ことにより、試料３の表面に対する回折Ｘ線５の出射角
度βを微小な角度βｉに設定する（ステップ６１）。こ
こで、後述するステップでＸ線の屈折の効果を検知し易
くするために、出射角度βｉは０〜５°の範囲で選択さ
れる。
【００４８】次に、その出射角度βｉにおける回折線プ
ロファイルを測定する（ステップ６２）。続いて、測定
された回折線プロファイルから、第１の実施形態と同様
にして回折角度θｉを求める（ステップ６３）。
ロファイルを測定する（ステップ６２）。続いて、測定
された回折線プロファイルから、第１の実施形態と同様
にして回折角度θｉを求める（ステップ６３）。
【００４９】出射角度βｉに対応する回折角度θｉを求
めたら、別の出射角度βｉでも測定を行うか否かを判断
し（ステップ６４）、行う場合には、出射角度βｉを変
化させて（ステップ６５）、以上の操作を必要な回数だ
け繰り返す。これにより、（βｉ，θｉ）のデータの組
が得られる。
めたら、別の出射角度βｉでも測定を行うか否かを判断
し（ステップ６４）、行う場合には、出射角度βｉを変
化させて（ステップ６５）、以上の操作を必要な回数だ
け繰り返す。これにより、（βｉ，θｉ）のデータの組
が得られる。
【００５０】以降は、第１の実施形態で用いた（３）式
において、入射角度αｉの代りに出射角度βｉを用いて
第１の実施形態と同様にして、出射角度βを独立変数と
する、Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の関数を
求め（ステップ６６）、この関数からフィッティングカ
ーブを使ってθｉを補正しＸ線の屈折効果の影響のない
ときの回折角度θψを求め（ステップ６７）、さらに、
このθψを使用して式（１）及び式（２）から試料３の
内部応力σを求める（ステップ６８）。
において、入射角度αｉの代りに出射角度βｉを用いて
第１の実施形態と同様にして、出射角度βを独立変数と
する、Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の関数を
求め（ステップ６６）、この関数からフィッティングカ
ーブを使ってθｉを補正しＸ線の屈折効果の影響のない
ときの回折角度θψを求め（ステップ６７）、さらに、
このθψを使用して式（１）及び式（２）から試料３の
内部応力σを求める（ステップ６８）。
【００５１】本実施形態のように、試料３の表面に対す
る回折Ｘ線５の出射角度βを微小な値に設定する斜出射
Ｘ線回折法によっても、試料３の表面におけるＸ線の屈
折の影響を考慮して回折角度を求め、この回折角度を利
用することにより、試料３の内部応力σをより正確に測
定することができる。
る回折Ｘ線５の出射角度βを微小な値に設定する斜出射
Ｘ線回折法によっても、試料３の表面におけるＸ線の屈
折の影響を考慮して回折角度を求め、この回折角度を利
用することにより、試料３の内部応力σをより正確に測
定することができる。
【００５２】
【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものを包含する。
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものを包含する。
【００５３】（実施例１）本実施例では、図４に示す配
置の装置を用い、石英基板上に膜厚３０ｎｍのパラジウ
ム薄膜を形成した試料３の内部応力を測定した。なお、
図４ではＸ線の光学的配置のみを示し、算出部は省略し
ている。
置の装置を用い、石英基板上に膜厚３０ｎｍのパラジウ
ム薄膜を形成した試料３の内部応力を測定した。なお、
図４ではＸ線の光学的配置のみを示し、算出部は省略し
ている。
【００５４】Ｘ線源として、Ｃｕを対陰極とする回転対
陰極Ｘ線管１８を使用し、管電圧４０ｋＶ、管電流２０
０ｍＡで駆動した。Ｘ線焦点はラインフォーカスとし
た、本実施例の配置では実効焦点の幅は０．０５ｍｍ、
長さは１０ｍｍである。
陰極Ｘ線管１８を使用し、管電圧４０ｋＶ、管電流２０
０ｍＡで駆動した。Ｘ線焦点はラインフォーカスとし
た、本実施例の配置では実効焦点の幅は０．０５ｍｍ、
長さは１０ｍｍである。
【００５５】また、入射側Ｘ線光学系として幅０．１５
ｍｍのスリット１１をＸ線焦点から９５ｍｍの距離の位
置に設置した。回転対陰極Ｘ線管１８からの１次Ｘ線４
（Ｃｕ特性Ｘ線）は、スリット１１を通過し、スリット
１１から９０ｍｍの位置で試料３の表面に入射する。試
料３は試料回転機構であるゴニオメータ１０上の試料ホ
ルダに保持されている。ゴニオメータ１０の回転中心軸
は試料表面内の１次Ｘ線照射領域の中央に存在する。
ｍｍのスリット１１をＸ線焦点から９５ｍｍの距離の位
置に設置した。回転対陰極Ｘ線管１８からの１次Ｘ線４
（Ｃｕ特性Ｘ線）は、スリット１１を通過し、スリット
１１から９０ｍｍの位置で試料３の表面に入射する。試
料３は試料回転機構であるゴニオメータ１０上の試料ホ
ルダに保持されている。ゴニオメータ１０の回転中心軸
は試料表面内の１次Ｘ線照射領域の中央に存在する。
【００５６】出射側Ｘ線光学系としては、２つのスリッ
ト１２，１３を用いた。各スリット１２，１３はそれぞれ幅
が０．３ｍｍであり、試料中心からの距離が一方のスリ
ット１２は１８５ｍｍの位置、他方のスリット１３は２
３０ｍｍの位置に配置した。さらに、Ｘ線検出器とし
て、シンチレーションカウンター１６をスリット１３の
直後に配置した。スリット１２，１３及びシンチレーシ
ョンカウンター１６は一体となって試料回転軸の周りを
旋回する。このスリットシステムは、試料３からの回折
Ｘ線５の試料表面からの出射角βを約０．０７５°の分
解能で規定することができる。
ト１２，１３を用いた。各スリット１２，１３はそれぞれ幅
が０．３ｍｍであり、試料中心からの距離が一方のスリ
ット１２は１８５ｍｍの位置、他方のスリット１３は２
３０ｍｍの位置に配置した。さらに、Ｘ線検出器とし
て、シンチレーションカウンター１６をスリット１３の
直後に配置した。スリット１２，１３及びシンチレーシ
ョンカウンター１６は一体となって試料回転軸の周りを
旋回する。このスリットシステムは、試料３からの回折
Ｘ線５の試料表面からの出射角βを約０．０７５°の分
解能で規定することができる。
【００５７】本実施例では、試料３の表面に対する一次
Ｘ線４の入射角度α、試料３の表面に対する回折Ｘ線５
の出射角度βの値を適当に選択することにより、上述の
第１の実施形態による方法と第２の実施形態による方法
の両方の測定を行うことが可能である。
Ｘ線４の入射角度α、試料３の表面に対する回折Ｘ線５
の出射角度βの値を適当に選択することにより、上述の
第１の実施形態による方法と第２の実施形態による方法
の両方の測定を行うことが可能である。
【００５８】出射角度β＝約０．３°〜１．５°の範囲
でＰｄ（１１１）面による回折線の回折角度を測定し、
第２の実施形態に従って内部応力σを求めた。図５に、
Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の出射角度依存
性（実験値とフィッティングカーブ）を示す。この結果
得られた内部応力による回折角度の変化量は０．０２°
であった。この値は屈折効果による回折角度の変化量
０．１７°と比較してかなり小さな値であり、屈折率の
効果の補正を行わなければ正確な値は得られないことが
分かる。結果として得られた試料の応力の値はσ＝４７
５Ｍｐａであった。
でＰｄ（１１１）面による回折線の回折角度を測定し、
第２の実施形態に従って内部応力σを求めた。図５に、
Ｘ線の屈折効果による回折角度の変化量の出射角度依存
性（実験値とフィッティングカーブ）を示す。この結果
得られた内部応力による回折角度の変化量は０．０２°
であった。この値は屈折効果による回折角度の変化量
０．１７°と比較してかなり小さな値であり、屈折率の
効果の補正を行わなければ正確な値は得られないことが
分かる。結果として得られた試料の応力の値はσ＝４７
５Ｍｐａであった。
【００５９】（実施例２）本実施例では、図６に示す配
置の装置を用い、石英基板上に膜厚３０ｎｍのパラジウ
ム薄膜を形成した試料３の内部応力を測定した。なお、
図６ではＸ線の光学的配置のみを示し、算出部は省略し
ている。
置の装置を用い、石英基板上に膜厚３０ｎｍのパラジウ
ム薄膜を形成した試料３の内部応力を測定した。なお、
図６ではＸ線の光学的配置のみを示し、算出部は省略し
ている。
【００６０】本実施例でも、Ｘ線源としては、Ｃｕを対
陰極とする回転対陰極Ｘ線管１８を使用し、管電圧４０
ｋＶ、管電流３００ｍＡで駆動した。Ｘ線焦点はポイン
トフォーカスとした、本実施例の配置では実効焦点の幅
は１ｍｍ、長さは１ｍｍである。
陰極とする回転対陰極Ｘ線管１８を使用し、管電圧４０
ｋＶ、管電流３００ｍＡで駆動した。Ｘ線焦点はポイン
トフォーカスとした、本実施例の配置では実効焦点の幅
は１ｍｍ、長さは１ｍｍである。
【００６１】入射側Ｘ線光学系としては、幅０．０５ｍ
ｍのコリメータ１４をＸ線焦点から２５０ｍｍの距離の
位置に設置した。回転対陰極Ｘ線管１８からの１次Ｘ線
４（Ｃｕ特性Ｘ線）は、コリメーター１４を通過し、コ
リメーター１４の出口から５ｍｍの位置で試料３の表面
に入射する。試料３はゴニオメータ１０上の試料ホルダ
ーに保持されている。
ｍのコリメータ１４をＸ線焦点から２５０ｍｍの距離の
位置に設置した。回転対陰極Ｘ線管１８からの１次Ｘ線
４（Ｃｕ特性Ｘ線）は、コリメーター１４を通過し、コ
リメーター１４の出口から５ｍｍの位置で試料３の表面
に入射する。試料３はゴニオメータ１０上の試料ホルダ
ーに保持されている。
【００６２】また本実施例では、Ｘ線検出器として、位
置敏感型比例計数管１６を使用し、さらに、出射側Ｘ線
光学系として、厚さ１ｍｍの鉛板からなるＸ線遮蔽部材
１５を使用している。Ｘ線遮蔽部材１５は、試料３と同
様に試料ホルダーに固定されており、試料３との位置関
係は変化しない。このＸ線遮蔽部材１５によって、一定
角度以上の出射角度で試料３から出射する回折Ｘ線５は
遮られ、位置敏感型比例計数管１６へは入射しない。本
実施例では出射角度が５°以上の回折Ｘ線５がカットさ
れるようにＸ線遮蔽部材１５が設置してある。
置敏感型比例計数管１６を使用し、さらに、出射側Ｘ線
光学系として、厚さ１ｍｍの鉛板からなるＸ線遮蔽部材
１５を使用している。Ｘ線遮蔽部材１５は、試料３と同
様に試料ホルダーに固定されており、試料３との位置関
係は変化しない。このＸ線遮蔽部材１５によって、一定
角度以上の出射角度で試料３から出射する回折Ｘ線５は
遮られ、位置敏感型比例計数管１６へは入射しない。本
実施例では出射角度が５°以上の回折Ｘ線５がカットさ
れるようにＸ線遮蔽部材１５が設置してある。
【００６３】このような装置を用い、実施例１と同様に
して試料３の内部応力を測定したところ、実施例１と同
様の結果が得られた。
して試料３の内部応力を測定したところ、実施例１と同
様の結果が得られた。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、試
料の表面におけるＸ線の屈折の影響を考慮して回折Ｘ線
の回折角度を求め、この回折角度から試料の内部応力を
求めることにより、内部応力をより正確に測定すること
ができる。
料の表面におけるＸ線の屈折の影響を考慮して回折Ｘ線
の回折角度を求め、この回折角度から試料の内部応力を
求めることにより、内部応力をより正確に測定すること
ができる。
【図１】本発明の第１の施形態である、Ｘ線応力測定装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】図１に示す装置配置による内部応力測定手順の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図４】本発明の実施例１で用いた装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図５】本発明の実施例１による、Ｘ線の屈折効果によ
る回折角度の変化量の出射角度依存性を示すグラフであ
る。
る回折角度の変化量の出射角度依存性を示すグラフであ
る。
【図６】本発明の実施例２で用いた装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図７】従来のＸ線応力測定方法（並傾法）を説明する
ための図である。
ための図である。
【図８】従来の斜入射回折法を説明するための図であ
る。
る。
【図９】従来の斜出射回折法を説明するための図であ
る。
る。
３ 試料 ４ 一次Ｘ線 ５ 回折Ｘ線 ６ Ｘ線検出器 ９ Ｘ線源 １０ ゴニオメータ １１，１２，１３ スリット １４ コリメータ １５ Ｘ線遮蔽部材 １６ シンチレーションカウンター １７ 位置敏感型比例計数管 １８ 回転対陰極Ｘ線管 １９ 算出部 ２０ 入射側Ｘ線光学系 ２１ 試料回転機構 ２２ 出射側Ｘ線光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA18 CA01 DA01 DA02 DA03 DA06 DA07 DA09 EA09 FA08 FA18 GA03 GA13 HA12 JA06 JA11 KA07 MA05 SA02
Claims (6)
- 【請求項１】 多結晶性の試料にＸ線を照射したときに
前記試料によって回折されて前記試料から出射する回折
Ｘ線の回折角度を測定することにより前記試料の内部応
力を測定するＸ線応力測定方法であって、 前記試料の表面に対する、入射Ｘ線の入射角度または前
記回折Ｘ線の出射角度を５°以下に設定し、設定された
前記入射角度または出射角度における前記回折Ｘ線の強
度分布を測定する工程と、 測定された前記回折Ｘ線の強度分布から回折角度を検出
する工程と、 前記入射角度または出射角度と前記回折角度のデータか
ら、Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角度を求め
る工程と、 前記Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角度から、
前記試料の内部応力を求める工程とを有する、Ｘ線応力
測定方法。 - 【請求項２】 前記データから前記試料の表面でのＸ線
の屈折による回折角度の変化量を前記入射角度または出
射角度を独立変数として表現する関数を求め、該関数か
ら前記Ｘ線の屈折による影響がないときの回折角度を求
める、請求項１に記載のＸ線応力測定方法。 - 【請求項３】 前記内部応力を求める工程は、前記試料
の結晶格子間隔歪と内部応力との関係式に従って前記内
部応力を求める工程を有する、請求項１または２に記載
のＸ線応力測定方法。 - 【請求項４】 多結晶性の試料にＸ線を照射したときに
前記試料によって回折されて前記試料から出射する回折
Ｘ線の回折角度を測定することにより前記試料の内部応
力を測定するＸ線応力測定装置であって、 前記試料に向けてＸ線を照射するＸ線源と、 前記回折Ｘ線の強度を測定するＸ線測定手段と、 前記試料の表面に対する、前記Ｘ線源から前記試料に入
射する入射Ｘ線の入射角度または前記回折Ｘ線の出射角
度を設定する角度設定手段と、 前記入射角度または出射角度が５°以下の条件で、前記
Ｘ線測定手段で測定された前記回折Ｘ線の強度分布から
前記回折角度を検出し、前記入射角度または出射角度と
前記回折角度のデータから、前記試料の表面でのＸ線の
屈折による影響がないときの回折角度を求め、この回折
角度から前記試料の内部応力を算出する算出手段とを有
する、Ｘ線応力測定装置。 - 【請求項５】 前記算出手段は、前記データから、前記
試料の表面でのＸ線の屈折による回折角度の変化量を、
前記入射角度または出射角度を独立変数として表現する
関数を求め、該関数から、前記Ｘ線の屈折による影響が
ないときの回折角度を求める、請求項４に記載のＸ線応
力測定装置。 - 【請求項６】 前記算出手段は、前記試料の結晶格子間
歪と内部応力との関係式に従って前記内部応力を求め
る、請求項４または５に記載のＸ線応力測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081738A JP2000275113A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｘ線応力測定方法および測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081738A JP2000275113A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｘ線応力測定方法および測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275113A true JP2000275113A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13754787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081738A Pending JP2000275113A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｘ線応力測定方法および測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000275113A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177731A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Univ Nagoya | 回折法によるひずみ測定装置及びひずみ測定方法 |
| CN1793872B (zh) * | 2005-12-29 | 2010-05-05 | 哈尔滨工业大学 | 微小区域残余应力的无损检测方法 |
| JP2010523959A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | ストレステック，オウ | ゴニオメータ |
| CN104034744A (zh) * | 2014-06-03 | 2014-09-10 | 杭州电子科技大学 | 一种x射线衍射测量热解炭涂层残余应力的方法 |
| JP2019007822A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線応力測定装置 |
| US10591425B2 (en) | 2017-01-19 | 2020-03-17 | Honda Motor Co., Ltd. | X-ray diffraction measurement method and apparatus |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11081738A patent/JP2000275113A/ja active Pending
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