JPH05322804A - Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置 - Google Patents
Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置Info
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- JPH05322804A JPH05322804A JP4123611A JP12361192A JPH05322804A JP H05322804 A JPH05322804 A JP H05322804A JP 4123611 A JP4123611 A JP 4123611A JP 12361192 A JP12361192 A JP 12361192A JP H05322804 A JPH05322804 A JP H05322804A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １回の試料調整で同時に多数点のＸ線反射プ
ロファイルの測定を可能にするＸ線反射プロファイル測
定方法及び装置を提供する。 【構成】 ライン状のＸ線源１と、Ｘ線源１から出射す
るＸ線束の形状、発散性を制限するスリット系（４、
５）と、該Ｘ線束を単色化するＸ線単色器６と、試料１
１へ入射するＸ線束の大きさを制限するスリット８と、
試料傾斜・位置調整装置９及び試料角度走査機構１０
と、試料で反射されたＸ線束の強度を該試料上の位置の
関数としてＸ線束の幅方向に計測する検出スリット１２
付きＸ線検出器１４と、検出器走査機構１３とこれらを
制御する制御装置（図示せず）とで構成される。
ロファイルの測定を可能にするＸ線反射プロファイル測
定方法及び装置を提供する。 【構成】 ライン状のＸ線源１と、Ｘ線源１から出射す
るＸ線束の形状、発散性を制限するスリット系（４、
５）と、該Ｘ線束を単色化するＸ線単色器６と、試料１
１へ入射するＸ線束の大きさを制限するスリット８と、
試料傾斜・位置調整装置９及び試料角度走査機構１０
と、試料で反射されたＸ線束の強度を該試料上の位置の
関数としてＸ線束の幅方向に計測する検出スリット１２
付きＸ線検出器１４と、検出器走査機構１３とこれらを
制御する制御装置（図示せず）とで構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】液晶を用いたディスプレイや半導
体などの分野で基板上に多層の薄膜を積層した材料や素
子において、これら材料や素子内での膜厚分布を非破壊
的にかつ迅速に測定するのに好適なＸ線反射プロファイ
ル測定装置に関する。
体などの分野で基板上に多層の薄膜を積層した材料や素
子において、これら材料や素子内での膜厚分布を非破壊
的にかつ迅速に測定するのに好適なＸ線反射プロファイ
ル測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を始め多くの分野で基板上に多数
の薄膜を積層した材料や素子が用いられている。形成さ
れた膜の膜厚は、その材料や素子の特性にしばしば影響
を与えるため、正確に制御することが必要であり、その
ためには膜厚の正確な測定や材料内での膜厚分布計測が
必須である。
の薄膜を積層した材料や素子が用いられている。形成さ
れた膜の膜厚は、その材料や素子の特性にしばしば影響
を与えるため、正確に制御することが必要であり、その
ためには膜厚の正確な測定や材料内での膜厚分布計測が
必須である。
【０００３】このような観点から従来いくつかの膜厚測
定法が考案されている。この中でＸ線の反射プロファイ
ルを用いた方法は、光に対し透明性のない系、例えばＳ
ｉ基板やガラス基板上に金属膜を形成した系での金属膜
厚の測定あるいは多層の金属膜を形成した系での膜厚の
測定も可能であるという利点がある。これは論文"K.Sak
urai and A.Iida:to be published in Adv.X-Ray Anal.
35(1992)”にて発表されており、またＸ線反射率測定
装置として市販されている。
定法が考案されている。この中でＸ線の反射プロファイ
ルを用いた方法は、光に対し透明性のない系、例えばＳ
ｉ基板やガラス基板上に金属膜を形成した系での金属膜
厚の測定あるいは多層の金属膜を形成した系での膜厚の
測定も可能であるという利点がある。これは論文"K.Sak
urai and A.Iida:to be published in Adv.X-Ray Anal.
35(1992)”にて発表されており、またＸ線反射率測定
装置として市販されている。
【０００４】従来のＸ線の反射プロファイル測定装置に
よる測定の概要を図２を参照して説明する。同図におい
て、Ｘ線源１からのＸ線を結晶分光器あるいはフィルタ
等のＸ線単色器６で単色化し、入力スリット８で適宜、
単色Ｘ線束７の形状を成型した後、試料１１に照射す
る。さらに試料１１から反射されたＸ線強度を試料１１
へのＸ線の入射角度θの関数として計測する。
よる測定の概要を図２を参照して説明する。同図におい
て、Ｘ線源１からのＸ線を結晶分光器あるいはフィルタ
等のＸ線単色器６で単色化し、入力スリット８で適宜、
単色Ｘ線束７の形状を成型した後、試料１１に照射す
る。さらに試料１１から反射されたＸ線強度を試料１１
へのＸ線の入射角度θの関数として計測する。
【０００５】試料１１及び検出スリット１２を具備した
検出器をθ／２θの関係を保持して回転走査することに
より反射プロファイルを測定している。
検出器をθ／２θの関係を保持して回転走査することに
より反射プロファイルを測定している。
【０００６】検出スリット１２を省き、十分大きい検出
器を用いて試料のθ走査だけで反射プロファイルを測定
している場合もあるが、この場合には散乱線のためＳ／
Ｎが低下する。
器を用いて試料のθ走査だけで反射プロファイルを測定
している場合もあるが、この場合には散乱線のためＳ／
Ｎが低下する。
【０００７】次に図３に反射プロファイルの模式図を示
す。Ｘ線の波長と物質で決まる全反射角度より僅かに大
きい角度領域に振動パタ−ンが生じ、この振動パタ−ン
の周期から膜厚が求められる。図３から判るように非常
に小さい角度領域に振動パタ−ンは生じるため測定前に
入射Ｘ線と試料表面との平行性を十分良くした後に測定
する必要があり、従来装置では１回の試料平行性の調整
で１つの反射プロファイルを測定している。このため１
回の計測で１点の膜厚しか得られず、膜厚分布の測定で
は、試料を適宜、並進走査して所望の測定位置毎に反射
プロファイルを測定し試料全体の膜厚分布を求めてい
る。また従来装置では試料台の回転軸と検出器の回転軸
を同一にしたθ／２θ走査を行う回転機構が用いられて
おり、該試料台上にＸ線と試料表面との平行性調整機構
及び試料並進機構が組み込まれた構成になっている。
す。Ｘ線の波長と物質で決まる全反射角度より僅かに大
きい角度領域に振動パタ−ンが生じ、この振動パタ−ン
の周期から膜厚が求められる。図３から判るように非常
に小さい角度領域に振動パタ−ンは生じるため測定前に
入射Ｘ線と試料表面との平行性を十分良くした後に測定
する必要があり、従来装置では１回の試料平行性の調整
で１つの反射プロファイルを測定している。このため１
回の計測で１点の膜厚しか得られず、膜厚分布の測定で
は、試料を適宜、並進走査して所望の測定位置毎に反射
プロファイルを測定し試料全体の膜厚分布を求めてい
る。また従来装置では試料台の回転軸と検出器の回転軸
を同一にしたθ／２θ走査を行う回転機構が用いられて
おり、該試料台上にＸ線と試料表面との平行性調整機構
及び試料並進機構が組み込まれた構成になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにＸ線反
射プロファイルの測定による膜厚測定はどんな対象にも
適用可能であり、しかも精度良く測定できるという優れ
た特徴を有する。
射プロファイルの測定による膜厚測定はどんな対象にも
適用可能であり、しかも精度良く測定できるという優れ
た特徴を有する。
【０００９】しかし、従来のＸ線反射プロファイル測定
装置による膜厚分布測定では、本質的に点測定であるた
めに膜厚分布を調べるためには多数の反射プロファイル
をその都度入射Ｘ線と試料表面との平行性を調整して測
定する必要があった。このため膜厚分布測定には多大の
計測時間を要するという問題があった。
装置による膜厚分布測定では、本質的に点測定であるた
めに膜厚分布を調べるためには多数の反射プロファイル
をその都度入射Ｘ線と試料表面との平行性を調整して測
定する必要があった。このため膜厚分布測定には多大の
計測時間を要するという問題があった。
【００１０】また従来のＸ線反射プロファイル測定装置
では試料の角度走査と検出器の角度走査の軸を同軸にし
た試料台を使用しているため、膜厚分布の計測には必要
不可欠な試料自体の並進走査及び平行性調整を行なう機
構をこの試料台上に組み込んだ構成となっており、特に
大口径試料への適用を考えたとき試料台自体が大型化
し、複雑化するという問題があった。
では試料の角度走査と検出器の角度走査の軸を同軸にし
た試料台を使用しているため、膜厚分布の計測には必要
不可欠な試料自体の並進走査及び平行性調整を行なう機
構をこの試料台上に組み込んだ構成となっており、特に
大口径試料への適用を考えたとき試料台自体が大型化
し、複雑化するという問題があった。
【００１１】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、１回の試料位置調整で多数点の反射プロフ
ァイルの測定を可能にして試料位置調整に要する時間を
低減し、延いては膜厚分布測定の所要時間を短縮すると
共に、試料台の簡素化を図ったＸ線反射プロファイル測
定方法及び装置を提供することにある。
ものであり、１回の試料位置調整で多数点の反射プロフ
ァイルの測定を可能にして試料位置調整に要する時間を
低減し、延いては膜厚分布測定の所要時間を短縮すると
共に、試料台の簡素化を図ったＸ線反射プロファイル測
定方法及び装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線反射プロフ
ァイル測定方法は、シート状Ｘ線束を生成し、該シート
状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化されたシート状
Ｘ線束を試料に照射し、該試料に入射されるシート状Ｘ
線束と試料とのなす角度に応じて試料からの反射シート
状Ｘ線束がシート状Ｘ線束の幅方向に分割して計測可能
なＸ線検出手段により検出されるように前記試料の角度
を走査しかつ該試料の角度の変化に応じてＸ線検出手段
の検出部の位置を一定の関係に基づいて移動させること
を特徴とする。
ァイル測定方法は、シート状Ｘ線束を生成し、該シート
状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化されたシート状
Ｘ線束を試料に照射し、該試料に入射されるシート状Ｘ
線束と試料とのなす角度に応じて試料からの反射シート
状Ｘ線束がシート状Ｘ線束の幅方向に分割して計測可能
なＸ線検出手段により検出されるように前記試料の角度
を走査しかつ該試料の角度の変化に応じてＸ線検出手段
の検出部の位置を一定の関係に基づいて移動させること
を特徴とする。
【００１３】本発明のＸ線反射プロファイル測定方法
は、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束を生成
し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化さ
れたシート状Ｘ線束をスリットを介して試料表面上で集
束させ、該スリットを単色化されたシート状Ｘ線束の高
さ方向にステップ状に移動させることにより試料へのシ
ート状Ｘ線束の入射角を走査し、この入射角に応じて試
料からの反射シート状Ｘ線束を検出するＸ線検出手段の
検出部を一定の関係に基づいて移動させることを特徴と
する。
は、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束を生成
し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化さ
れたシート状Ｘ線束をスリットを介して試料表面上で集
束させ、該スリットを単色化されたシート状Ｘ線束の高
さ方向にステップ状に移動させることにより試料へのシ
ート状Ｘ線束の入射角を走査し、この入射角に応じて試
料からの反射シート状Ｘ線束を検出するＸ線検出手段の
検出部を一定の関係に基づいて移動させることを特徴と
する。
【００１４】本発明のＸ線反射プロファイル測定方法
は、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束を生成
し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化さ
れたシート状Ｘ線束を試料表面上で集束させ、試料から
の反射シート状Ｘ線束を二次元位置敏感型検出手段によ
り検出することを特徴とする。
は、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束を生成
し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該単色化さ
れたシート状Ｘ線束を試料表面上で集束させ、試料から
の反射シート状Ｘ線束を二次元位置敏感型検出手段によ
り検出することを特徴とする。
【００１５】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
制限する第２の発散制限用スリットと、該第２の発散制
限用スリットから出射されたシート状Ｘ線束を単色化す
るＸ線単色化手段と、試料の位置調整を行なう試料傾斜
及び位置調整手段を含む試料支持台と、試料に入射され
るシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を走査する試料角
度走査手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出
スリットと、該検出スリットを介して試料より反射され
たＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、該Ｘ線検出手
段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状Ｘ線束の幅方
向に直進走査する検出部走査手段と、前記検出スリッ
ト、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載された検出
部支持台と、該検出部支持台に搭載された検出スリット
及び検出手段を試料から反射されたシート状Ｘ線束の反
射角に応じて角度走査する検出部支持台走査手段と、入
射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じてそ
の試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段に
より検出されるように前記試料角度走査手段及び検出部
支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御する制
御手段とを有することを特徴とする。
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
制限する第２の発散制限用スリットと、該第２の発散制
限用スリットから出射されたシート状Ｘ線束を単色化す
るＸ線単色化手段と、試料の位置調整を行なう試料傾斜
及び位置調整手段を含む試料支持台と、試料に入射され
るシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を走査する試料角
度走査手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出
スリットと、該検出スリットを介して試料より反射され
たＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、該Ｘ線検出手
段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状Ｘ線束の幅方
向に直進走査する検出部走査手段と、前記検出スリッ
ト、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載された検出
部支持台と、該検出部支持台に搭載された検出スリット
及び検出手段を試料から反射されたシート状Ｘ線束の反
射角に応じて角度走査する検出部支持台走査手段と、入
射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じてそ
の試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段に
より検出されるように前記試料角度走査手段及び検出部
支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御する制
御手段とを有することを特徴とする。
【００１６】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、前記試料角度走査手段は、試料を回転駆動すること
により回転走査を行なう走査機構部を含み、前記検出部
支持台走査手段は、前記検出部支持台に搭載された検出
スリット及び検出手段を直進走査を行なう走査機構部を
含んで構成されることを特徴とする。
は、前記試料角度走査手段は、試料を回転駆動すること
により回転走査を行なう走査機構部を含み、前記検出部
支持台走査手段は、前記検出部支持台に搭載された検出
スリット及び検出手段を直進走査を行なう走査機構部を
含んで構成されることを特徴とする。
【００１７】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
制限する第２の発散制限用スリットと、該第２の発散制
限用スリットから出射されたシート状Ｘ線束を単色化す
るＸ線単色化手段と、試料の位置調整を行なう試料傾斜
及び位置調整手段を含む試料支持台と、試料に入射され
るシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を走査する試料角
度走査手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出
スリットと、該検出スリットを介して試料より反射され
たＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、前記検出スリ
ット及びＸ線検出手段が搭載された検出部支持台と、該
検出部支持台に搭載された検出スリット及び検出手段を
試料から反射されたシート状Ｘ線束の反射角に応じて角
度走査する検出部支持台走査手段と、入射されたシート
状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じてその試料からの反
射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段により検出される
ように前記試料角度走査手段及び検出部支持台走査手段
を一定の関係に基づいて駆動制御する制御手段とを有
し、前記Ｘ線検出手段は、一次元位置敏感型検出器を含
んで構成されることを特徴とする。
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
制限する第２の発散制限用スリットと、該第２の発散制
限用スリットから出射されたシート状Ｘ線束を単色化す
るＸ線単色化手段と、試料の位置調整を行なう試料傾斜
及び位置調整手段を含む試料支持台と、試料に入射され
るシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を走査する試料角
度走査手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出
スリットと、該検出スリットを介して試料より反射され
たＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、前記検出スリ
ット及びＸ線検出手段が搭載された検出部支持台と、該
検出部支持台に搭載された検出スリット及び検出手段を
試料から反射されたシート状Ｘ線束の反射角に応じて角
度走査する検出部支持台走査手段と、入射されたシート
状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じてその試料からの反
射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段により検出される
ように前記試料角度走査手段及び検出部支持台走査手段
を一定の関係に基づいて駆動制御する制御手段とを有
し、前記Ｘ線検出手段は、一次元位置敏感型検出器を含
んで構成されることを特徴とする。
【００１８】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、前記Ｘ線単色化手段は、チャンネルカット型結晶分
光素子であることを特徴とする。
は、前記Ｘ線単色化手段は、チャンネルカット型結晶分
光素子であることを特徴とする。
【００１９】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、前記Ｘ線単色化手段は、フィルタであることを特徴
とする。
は、前記Ｘ線単色化手段は、フィルタであることを特徴
とする。
【００２０】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
開き角を有するように制限する第２の発散制限用スリッ
トと、該第２の発散制限用スリットから出射されたシー
ト状Ｘ線束を単色化するＸ線単色化手段と、該Ｘ線単色
化手段から出射され、試料に照射される高さ方向に開き
角を有するシート状Ｘ線束の高さ方向の大きさを決定す
るＸ線束入射手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめ
る検出スリットと、該検出スリットを介して試料より反
射されたＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、該Ｘ線
検出手段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状Ｘ線束
の幅方向に直進走査する検出部走査手段と、前記検出ス
リット、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載された
検出部支持台と、該検出部支持台に搭載された検出スリ
ット及び検出手段を試料から反射されたシート状Ｘ線束
の反射角に応じて角度走査する検出部支持台走査手段
と、入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応
じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出
手段により検出されるように前記Ｘ線束入射手段及び検
出部支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御す
る制御手段とを有することを特徴とする。
は、ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ線源と、該
ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散を
制限する第１の発散制限用スリットと、該第１の発散制
限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向の発散を
開き角を有するように制限する第２の発散制限用スリッ
トと、該第２の発散制限用スリットから出射されたシー
ト状Ｘ線束を単色化するＸ線単色化手段と、該Ｘ線単色
化手段から出射され、試料に照射される高さ方向に開き
角を有するシート状Ｘ線束の高さ方向の大きさを決定す
るＸ線束入射手段と、試料からの反射Ｘ線を通過せしめ
る検出スリットと、該検出スリットを介して試料より反
射されたＸ線の強度を検出するＸ線検出手段と、該Ｘ線
検出手段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状Ｘ線束
の幅方向に直進走査する検出部走査手段と、前記検出ス
リット、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載された
検出部支持台と、該検出部支持台に搭載された検出スリ
ット及び検出手段を試料から反射されたシート状Ｘ線束
の反射角に応じて角度走査する検出部支持台走査手段
と、入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応
じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出
手段により検出されるように前記Ｘ線束入射手段及び検
出部支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御す
る制御手段とを有することを特徴とする。
【００２１】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、前記Ｘ線単色化手段はヨハンソン型湾曲結晶分光素
子を含んで構成され、かつ前記Ｘ線束入射手段は直進走
査可能な支持機構を備えたスリットを含んで構成される
と共に、前記ライン状Ｘ線源及びヨハンソン型湾曲結晶
分光素子の湾曲面はローランド円上に設置され、前記ヨ
ハンソン型湾曲結晶分光素子より出射されたたシート状
Ｘ線束の集束位置に試料が配置されるように構成される
ことを特徴とする。
は、前記Ｘ線単色化手段はヨハンソン型湾曲結晶分光素
子を含んで構成され、かつ前記Ｘ線束入射手段は直進走
査可能な支持機構を備えたスリットを含んで構成される
と共に、前記ライン状Ｘ線源及びヨハンソン型湾曲結晶
分光素子の湾曲面はローランド円上に設置され、前記ヨ
ハンソン型湾曲結晶分光素子より出射されたたシート状
Ｘ線束の集束位置に試料が配置されるように構成される
ことを特徴とする。
【００２２】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、高さ方向に開き角を有するシート状のＸ線束を発生
するＸ線発生手段と、該Ｘ線発生手段から出射されたシ
ート状Ｘ線束を単色化するＸ線単色化手段と、試料の位
置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含む試料支
持台と、試料より反射されたＸ線強度を検出するＸ線検
出手段と、前記Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載
される検出部支持台とを有することを特徴とする。
は、高さ方向に開き角を有するシート状のＸ線束を発生
するＸ線発生手段と、該Ｘ線発生手段から出射されたシ
ート状Ｘ線束を単色化するＸ線単色化手段と、試料の位
置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含む試料支
持台と、試料より反射されたＸ線強度を検出するＸ線検
出手段と、前記Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載
される検出部支持台とを有することを特徴とする。
【００２３】本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、前記Ｘ線検出手段は、二次元位置敏感型検出器であ
ることを特徴とする。
は、前記Ｘ線検出手段は、二次元位置敏感型検出器であ
ることを特徴とする。
【００２４】
【作用】上記構成のＸ線反射プロファイル測定方法にお
いては、シート状Ｘ線束が生成され、該シート状Ｘ線束
が単色化されると共に、該単色化されたシート状Ｘ線束
が試料に照射され、該試料に入射されるシート状Ｘ線束
と試料とのなす角度に応じて試料からの反射シート状Ｘ
線束がシート状Ｘ線束の幅方向に分割計測可能なＸ線検
出手段により検出されるように前記試料の角度が走査さ
れ、かつ該試料の角度の変化に応じてＸ線検出手段の検
出部の位置が一定の関係に基づいて移動させられる。
いては、シート状Ｘ線束が生成され、該シート状Ｘ線束
が単色化されると共に、該単色化されたシート状Ｘ線束
が試料に照射され、該試料に入射されるシート状Ｘ線束
と試料とのなす角度に応じて試料からの反射シート状Ｘ
線束がシート状Ｘ線束の幅方向に分割計測可能なＸ線検
出手段により検出されるように前記試料の角度が走査さ
れ、かつ該試料の角度の変化に応じてＸ線検出手段の検
出部の位置が一定の関係に基づいて移動させられる。
【００２５】また上記構成のＸ線反射プロファイル測定
方法においては、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ
線束が生成され、該シート状Ｘ線束が単色化されると共
に、該単色化されたシート状Ｘ線束がスリットを介して
試料表面上で集束し、該スリットが単色化されたシート
状Ｘ線束の高さ方向にステップ状に移動させられて試料
へのシート状Ｘ線束の入射角が走査され、この入射角に
応じて試料からの反射シート状Ｘ線束を検出するＸ線検
出手段の検出部が一定の関係に基づいて移動させられ
る。
方法においては、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ
線束が生成され、該シート状Ｘ線束が単色化されると共
に、該単色化されたシート状Ｘ線束がスリットを介して
試料表面上で集束し、該スリットが単色化されたシート
状Ｘ線束の高さ方向にステップ状に移動させられて試料
へのシート状Ｘ線束の入射角が走査され、この入射角に
応じて試料からの反射シート状Ｘ線束を検出するＸ線検
出手段の検出部が一定の関係に基づいて移動させられ
る。
【００２６】更に上記構成のＸ線反射プロファイル測定
方法においては、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ
線束が生成され、該シート状Ｘ線束が単色化されると共
に、該単色化されたシート状Ｘ線束が試料表面上で集束
し、試料からの反射シート状Ｘ線束が二次元位置敏感型
検出手段により検出される。
方法においては、高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ
線束が生成され、該シート状Ｘ線束が単色化されると共
に、該単色化されたシート状Ｘ線束が試料表面上で集束
し、試料からの反射シート状Ｘ線束が二次元位置敏感型
検出手段により検出される。
【００２７】上記構成のＸ線反射プロファイル測定装置
においては、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が
生成され、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ
線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、
該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散が第２の発散制限用スリットにより制限さ
れる。第２の発散制限用スリットから出射されたシート
状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化され、試料に入
射される単色化されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角
度が試料角度走査手段により走査される。検出スリット
を介して試料より反射されたＸ線の強度がＸ線検出手段
により検出され、該Ｘ線検出手段が該Ｘ線検出手段に入
射されるシート状Ｘ線束の幅方向に検出部走査手段によ
り直進走査される。前記検出スリット、Ｘ線検出手段及
び検出部走査手段が搭載された検出部支持台の検出スリ
ット及び検出手段が試料から反射されたシート状Ｘ線束
の反射角に応じて検出部支持台走査手段により角度走査
される。入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度
に応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線
検出手段により検出されるように前記試料角度走査手段
及び検出部支持台走査手段が制御手段により一定の関係
に基づいて駆動制御される。
においては、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が
生成され、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ
線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、
該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散が第２の発散制限用スリットにより制限さ
れる。第２の発散制限用スリットから出射されたシート
状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化され、試料に入
射される単色化されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角
度が試料角度走査手段により走査される。検出スリット
を介して試料より反射されたＸ線の強度がＸ線検出手段
により検出され、該Ｘ線検出手段が該Ｘ線検出手段に入
射されるシート状Ｘ線束の幅方向に検出部走査手段によ
り直進走査される。前記検出スリット、Ｘ線検出手段及
び検出部走査手段が搭載された検出部支持台の検出スリ
ット及び検出手段が試料から反射されたシート状Ｘ線束
の反射角に応じて検出部支持台走査手段により角度走査
される。入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度
に応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線
検出手段により検出されるように前記試料角度走査手段
及び検出部支持台走査手段が制御手段により一定の関係
に基づいて駆動制御される。
【００２８】上記構成のＸ線反射プロファイル測定装置
においては、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が
生成され、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ
線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、
該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散が第２の発散制限用スリットにより制限さ
れる。第２の発散制限用スリットから出射されたシート
状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化され、試料に入
射されるシート状Ｘ線束と試料とのなす角度が試料角度
走査手段により走査される。検出スリットを介して試料
より反射されたＸ線の強度が一次元位置敏感型検出器を
含んで構成されるＸ線検出手段により検出され、前記検
出スリット及びＸ線検出手段が搭載された検出部支持台
の検出スリット及び検出手段が試料から反射されたシー
ト状Ｘ線束の反射角に応じて検出部支持台走査手段によ
り角度走査される。入射されたシート状Ｘ線束と試料と
のなす角度に応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束
が前記Ｘ線検出手段により検出されるように前記試料角
度走査手段及び検出部支持台走査手段が一定の関係に基
づいて制御手段により駆動制御される。
においては、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が
生成され、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ
線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、
該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散が第２の発散制限用スリットにより制限さ
れる。第２の発散制限用スリットから出射されたシート
状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化され、試料に入
射されるシート状Ｘ線束と試料とのなす角度が試料角度
走査手段により走査される。検出スリットを介して試料
より反射されたＸ線の強度が一次元位置敏感型検出器を
含んで構成されるＸ線検出手段により検出され、前記検
出スリット及びＸ線検出手段が搭載された検出部支持台
の検出スリット及び検出手段が試料から反射されたシー
ト状Ｘ線束の反射角に応じて検出部支持台走査手段によ
り角度走査される。入射されたシート状Ｘ線束と試料と
のなす角度に応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束
が前記Ｘ線検出手段により検出されるように前記試料角
度走査手段及び検出部支持台走査手段が一定の関係に基
づいて制御手段により駆動制御される。
【００２９】上記構成のＸ線反射プロファイル測定装置
においては、本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が生成さ
れ、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ線源か
ら出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、該第１
の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向
の発散が第２の発散制限用スリットにより開き角を有す
るように制限される。第２の発散制限用スリットから出
射されたシート状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化
され、Ｘ線単色化手段から出射され、試料に照射される
高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束の高さ方向の
大きさはＸ線束入射手段により決定され、検出スリット
を介して試料より反射されたＸ線の強度がＸ線検出手段
により検出される。Ｘ線検出手段は該Ｘ線検出手段に入
射されるシート状Ｘ線束の幅方向に検出部走査手段によ
り直進走査され、前記検出スリット、Ｘ線検出手段及び
検出部走査手段が搭載された検出部支持台の検出スリッ
ト及び検出手段が試料から反射されたシート状Ｘ線束の
反射角に応じて検出部支持台走査手段により角度走査さ
れる。入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に
応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検
出手段により検出されるように前記Ｘ線束入射手段及び
検出部支持台走査手段が制御手段により一定の関係に基
づいて駆動制御される。
においては、本発明のＸ線反射プロファイル測定装置
は、ライン状Ｘ線源によりライン状のＸ線束が生成さ
れ、第１の発散制限用スリットによりライン状Ｘ線源か
ら出射されたＸ線束の幅方向の発散が制限され、該第１
の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高さ方向
の発散が第２の発散制限用スリットにより開き角を有す
るように制限される。第２の発散制限用スリットから出
射されたシート状Ｘ線束はＸ線単色化手段により単色化
され、Ｘ線単色化手段から出射され、試料に照射される
高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線束の高さ方向の
大きさはＸ線束入射手段により決定され、検出スリット
を介して試料より反射されたＸ線の強度がＸ線検出手段
により検出される。Ｘ線検出手段は該Ｘ線検出手段に入
射されるシート状Ｘ線束の幅方向に検出部走査手段によ
り直進走査され、前記検出スリット、Ｘ線検出手段及び
検出部走査手段が搭載された検出部支持台の検出スリッ
ト及び検出手段が試料から反射されたシート状Ｘ線束の
反射角に応じて検出部支持台走査手段により角度走査さ
れる。入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に
応じてその試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検
出手段により検出されるように前記Ｘ線束入射手段及び
検出部支持台走査手段が制御手段により一定の関係に基
づいて駆動制御される。
【００３０】上記構成のＸ線反射プロファイル測定装置
においては、Ｘ線発生手段により高さ方向に開き角を有
するシート状のＸ線束が生成され、該Ｘ線発生手段から
出射されたシート状Ｘ線束がＸ線単色化手段により単色
化される。この単色化されたシート状Ｘ線束は試料の位
置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含む試料支
持台に支持された試料に照射され、この試料より反射さ
れたＸ線の強度が二次元位置敏感型検出器を含んで構成
されるＸ線検出手段により検出される。
においては、Ｘ線発生手段により高さ方向に開き角を有
するシート状のＸ線束が生成され、該Ｘ線発生手段から
出射されたシート状Ｘ線束がＸ線単色化手段により単色
化される。この単色化されたシート状Ｘ線束は試料の位
置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含む試料支
持台に支持された試料に照射され、この試料より反射さ
れたＸ線の強度が二次元位置敏感型検出器を含んで構成
されるＸ線検出手段により検出される。
【００３１】図１においてライン状Ｘ線源１より出射し
たＸ線束２は、スリット３により横発散が抑制され、横
方向には十分大きく縦方向には細隙を有したスリット４
及び５により縦方向の発散が抑制されたシ−ト状の平行
性の良いＸ線束になる。この後、Ｘ線単色器６（結晶分
光器あるいは適切なフィルタ等）によりこのＸ線束を単
色化することによりシ−ト状の単色Ｘ線束７が得られ
る。
たＸ線束２は、スリット３により横発散が抑制され、横
方向には十分大きく縦方向には細隙を有したスリット４
及び５により縦方向の発散が抑制されたシ−ト状の平行
性の良いＸ線束になる。この後、Ｘ線単色器６（結晶分
光器あるいは適切なフィルタ等）によりこのＸ線束を単
色化することによりシ−ト状の単色Ｘ線束７が得られ
る。
【００３２】いまこの単色Ｘ線束７の進行方向をｙ軸
に、単色Ｘ線束７の進行方向に対する垂直方向をｘ軸及
びｚ軸にとる。シ−ト状Ｘ線束７と試料１１との平行性
を試料傾斜及び位置調整機構９により調整した後、試料
１１をＸ線束７に対し角度θだけ傾けるとＸ線束７は試
料１１表面にある回転中心線上（Ｌ）で反射され、２θ
の方向にシ−ト状の反射Ｘ線束となって反射される。
に、単色Ｘ線束７の進行方向に対する垂直方向をｘ軸及
びｚ軸にとる。シ−ト状Ｘ線束７と試料１１との平行性
を試料傾斜及び位置調整機構９により調整した後、試料
１１をＸ線束７に対し角度θだけ傾けるとＸ線束７は試
料１１表面にある回転中心線上（Ｌ）で反射され、２θ
の方向にシ−ト状の反射Ｘ線束となって反射される。
【００３３】検出スリット１２及び検出器１４を設置し
た検出部駆動機構を含む駆動台１５を駆動して検出器１
４をＲtan(2θ)（Ｒは試料の回転中心と検出スリットと
の距離）だけｚ方向に直進させれば反射されたＸ線束は
検出スリット１２を通過し検出器１４に到達する。
た検出部駆動機構を含む駆動台１５を駆動して検出器１
４をＲtan(2θ)（Ｒは試料の回転中心と検出スリットと
の距離）だけｚ方向に直進させれば反射されたＸ線束は
検出スリット１２を通過し検出器１４に到達する。
【００３４】Ｘ線束７の平行性は試料１１による反射後
も保たれていることから、検出スリット１２の幅方向の
各位置は、試料１１のラインＬ上の位置に１対１に対応
する。即ち、検出スリット１２の後部に設置した検出器
１４を幅方向に走査して検出スリット１２のそれぞれの
位置で透過してきたＸ線の強度を順次、計測すれば、角
度θにおける試料１１のラインＬ上の反射強度が計測さ
れる。この後、試料１１のＸ線束７に対する角度θを順
次、走査させると共に、検出部駆動機構を含む駆動台１
５を駆動して検出器１４をＲtan(2θ)でｚ軸方向に直進
走査させて検出器１４によりＸ線の強度を順次、計測し
てゆけば、試料１１のラインＬ上の各位置での反射プロ
ファイルが得られる。この反射プロファイルを適宜な方
法で解析すればラインＬ上の各点での膜厚が求められ、
Ｘ線束と試料との平行性の調整を１回、行なうのみで試
料上の多数点の膜厚測定を行なうことができる。
も保たれていることから、検出スリット１２の幅方向の
各位置は、試料１１のラインＬ上の位置に１対１に対応
する。即ち、検出スリット１２の後部に設置した検出器
１４を幅方向に走査して検出スリット１２のそれぞれの
位置で透過してきたＸ線の強度を順次、計測すれば、角
度θにおける試料１１のラインＬ上の反射強度が計測さ
れる。この後、試料１１のＸ線束７に対する角度θを順
次、走査させると共に、検出部駆動機構を含む駆動台１
５を駆動して検出器１４をＲtan(2θ)でｚ軸方向に直進
走査させて検出器１４によりＸ線の強度を順次、計測し
てゆけば、試料１１のラインＬ上の各位置での反射プロ
ファイルが得られる。この反射プロファイルを適宜な方
法で解析すればラインＬ上の各点での膜厚が求められ、
Ｘ線束と試料との平行性の調整を１回、行なうのみで試
料上の多数点の膜厚測定を行なうことができる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図４及び図５に本発明に係るＸ線反射プロファイ
ル測定装置の一実施例の構成を示す。図４は本発明に係
るＸ線反射プロファイル測定装置の側面図であり、図５
はその試料部及び検出部の平面図である。これらの図に
おいて１はライン状Ｘ線源であり、Ｃｕタ−ゲットを用
い、長さ３０ｍｍの線源を用いた。３はＸ線の横発散を
制限するスリットで、 板厚０.０５ｍｍ、大きさ１０
０×２０ｍｍの薄板を０.２ｍｍ間隔で２００枚積層し
たものを用いた。これによりＸ線束の横発散が３ｍrad
以下に抑えられる。
する。図４及び図５に本発明に係るＸ線反射プロファイ
ル測定装置の一実施例の構成を示す。図４は本発明に係
るＸ線反射プロファイル測定装置の側面図であり、図５
はその試料部及び検出部の平面図である。これらの図に
おいて１はライン状Ｘ線源であり、Ｃｕタ−ゲットを用
い、長さ３０ｍｍの線源を用いた。３はＸ線の横発散を
制限するスリットで、 板厚０.０５ｍｍ、大きさ１０
０×２０ｍｍの薄板を０.２ｍｍ間隔で２００枚積層し
たものを用いた。これによりＸ線束の横発散が３ｍrad
以下に抑えられる。
【００３６】４及び５はＸ線束の縦発散を抑えるととも
にシ−ト状のＸ線束を形成するためのスリットであり、
それぞれ幅３０ｍｍ、間隙０.１ｍｍにした。Ｘ線束の
縦発散を１ｍrad 以下にするためスリット４とスリット
５との間隔を２００ｍｍにした。
にシ−ト状のＸ線束を形成するためのスリットであり、
それぞれ幅３０ｍｍ、間隙０.１ｍｍにした。Ｘ線束の
縦発散を１ｍrad 以下にするためスリット４とスリット
５との間隔を２００ｍｍにした。
【００３７】６はＸ線単色器であり、結晶分光器あるい
はフィルタが用いられる。本実施例ではＳｉのチャンネ
ルカット結晶分光素子（反射面はＳｉ（１１１））を用
いた。これによりＸ線源１から水平方向に取り出したシ
−ト状のＸ線束は分光後も水平Ｘ線束となり、後置の装
置調整が容易になる。フィルタの場合もＸ線源から水平
方向に取り出したシ−ト状のＸ線束は分光後も水平Ｘ線
束となり、後置の装置調整が容易である。Ｘ線単色器と
してのフィルタは、結晶分光器に比べ、安価で簡単、か
つ高強度が得られるという利点があるが、波長分解能が
やや悪くなる。
はフィルタが用いられる。本実施例ではＳｉのチャンネ
ルカット結晶分光素子（反射面はＳｉ（１１１））を用
いた。これによりＸ線源１から水平方向に取り出したシ
−ト状のＸ線束は分光後も水平Ｘ線束となり、後置の装
置調整が容易になる。フィルタの場合もＸ線源から水平
方向に取り出したシ−ト状のＸ線束は分光後も水平Ｘ線
束となり、後置の装置調整が容易である。Ｘ線単色器と
してのフィルタは、結晶分光器に比べ、安価で簡単、か
つ高強度が得られるという利点があるが、波長分解能が
やや悪くなる。
【００３８】今、チャンネルカット結晶分光素子から出
射したＸ線束の進行方向をｙ軸とし、Ｘ線束面内でｙ軸
に垂直な方向をｘ軸、ｘ軸及びｙ軸に垂直な方向をｚ軸
とする。 ９及び１０は試料台を構成する試料の駆動に
関する機構部で、１０は初期光学系の調整機構を含む試
料の角度走査機構、９は試料角度走査機構１０の上に設
置された試料調整機構で、Ｘ線束７と試料１１表面との
平行性調整用のｘ軸、ｚ軸回りの回転機構とｚ軸方向調
整機構及び試料のｘ，ｙ方向の並進機構により構成され
ている。
射したＸ線束の進行方向をｙ軸とし、Ｘ線束面内でｙ軸
に垂直な方向をｘ軸、ｘ軸及びｙ軸に垂直な方向をｚ軸
とする。 ９及び１０は試料台を構成する試料の駆動に
関する機構部で、１０は初期光学系の調整機構を含む試
料の角度走査機構、９は試料角度走査機構１０の上に設
置された試料調整機構で、Ｘ線束７と試料１１表面との
平行性調整用のｘ軸、ｚ軸回りの回転機構とｚ軸方向調
整機構及び試料のｘ，ｙ方向の並進機構により構成され
ている。
【００３９】１２は検出スリット、１４は前面にｘ方向
に細隙のあるスリットを具備した１チャンネルの検出器
で、ここではシンチレ−ションカウンタを用いた。検出
器１４は検出器走査機構１３により反射されてきたシ−
ト状Ｘ線束のｘ方向に並進走査できるようした。検出ス
リット１２および検出器１４の角度走査用回転軸と試料
の角度走査機構１０の角度走査用回転軸とを同軸にする
ことも可能であるが、ここでは機構部の簡単化を図るた
め、独立にした。即ち、１５は、検出スリット１２と、
検出走査機構１３を介して設置される検出器１４とが搭
載された駆動台としての機能を有する、検出スリット１
２及び検出器１４走査のための検出部駆動機構を含む駆
動台であり、検出スリット１２及び検出器１４をｚ方向
に駆動できるように構成され、制御装置１６により試料
角度に対応させてｚ方向に直進走査するように構成され
ている。このように構成することにより、検出系とは全
く独立に試料に関わる各種調整が可能となった。
に細隙のあるスリットを具備した１チャンネルの検出器
で、ここではシンチレ−ションカウンタを用いた。検出
器１４は検出器走査機構１３により反射されてきたシ−
ト状Ｘ線束のｘ方向に並進走査できるようした。検出ス
リット１２および検出器１４の角度走査用回転軸と試料
の角度走査機構１０の角度走査用回転軸とを同軸にする
ことも可能であるが、ここでは機構部の簡単化を図るた
め、独立にした。即ち、１５は、検出スリット１２と、
検出走査機構１３を介して設置される検出器１４とが搭
載された駆動台としての機能を有する、検出スリット１
２及び検出器１４走査のための検出部駆動機構を含む駆
動台であり、検出スリット１２及び検出器１４をｚ方向
に駆動できるように構成され、制御装置１６により試料
角度に対応させてｚ方向に直進走査するように構成され
ている。このように構成することにより、検出系とは全
く独立に試料に関わる各種調整が可能となった。
【００４０】上記構成からなるＸ線反射プロファイル測
定装置によりＸ線反射プロファイルを以下の手順で計測
した。
定装置によりＸ線反射プロファイルを以下の手順で計測
した。
【００４１】まず、チャンネルカット結晶分光素子より
出射したシ−ト状Ｘ線束が検出スリット１２を通るよう
に駆動台１５を調整する。この位置を角度０度に設定す
る。次に試料の角度走査の中心軸がｘ軸に一致するよう
に角度走査機構１０に組み込まれている調整機構により
調整する。これらの調整は装置設置時に一度行えば良
い。
出射したシ−ト状Ｘ線束が検出スリット１２を通るよう
に駆動台１５を調整する。この位置を角度０度に設定す
る。次に試料の角度走査の中心軸がｘ軸に一致するよう
に角度走査機構１０に組み込まれている調整機構により
調整する。これらの調整は装置設置時に一度行えば良
い。
【００４２】次にＸ線束７と試料１１表面との平行性を
試料台に組み込んだ調整機構９により調整する。この調
整により角度走査の中心軸が試料１１表面上に来る。
試料台に組み込んだ調整機構９により調整する。この調
整により角度走査の中心軸が試料１１表面上に来る。
【００４３】次に平行性の調整終了後に試料１１を試料
角度走査機構１０により所定の初期角度θ1に設定す
る。この時シ−ト状Ｘ線束７は試料１１上にある角度走
査中心軸上のラインＬ上で２θ1の方向にシ−ト状の反
射Ｘ線束となって反射される。この場合に検出スリット
１２をＲtan(２θ1)だけ駆動台１５に含まれる検出部駆
動機構によりｚ方向に直進移動させれば反射されたＸ線
のみ検出スリット１２を通過し、検出器１４に到達す
る。ここでＲは試料の回転中心と検出器スリットとの距
離である。
角度走査機構１０により所定の初期角度θ1に設定す
る。この時シ−ト状Ｘ線束７は試料１１上にある角度走
査中心軸上のラインＬ上で２θ1の方向にシ−ト状の反
射Ｘ線束となって反射される。この場合に検出スリット
１２をＲtan(２θ1)だけ駆動台１５に含まれる検出部駆
動機構によりｚ方向に直進移動させれば反射されたＸ線
のみ検出スリット１２を通過し、検出器１４に到達す
る。ここでＲは試料の回転中心と検出器スリットとの距
離である。
【００４４】今、検出器１４の並進走査をステップ的に
行うことにし、例えばステップ１で計測されたＸ線の強
度をメモリ１７内のチャンネル１のデ−タ１に、ステッ
プ２で計測された強度をメモリ１７内のチャンネル２の
デ−タ１に、同様にステップｉで計測された強度をメモ
リ１７内のチャンネルｉのデ−タ１に格納する。
行うことにし、例えばステップ１で計測されたＸ線の強
度をメモリ１７内のチャンネル１のデ−タ１に、ステッ
プ２で計測された強度をメモリ１７内のチャンネル２の
デ−タ１に、同様にステップｉで計測された強度をメモ
リ１７内のチャンネルｉのデ−タ１に格納する。
【００４５】このようにしてｘ方向にＸ線束の幅だけ検
出器１４を走査した後、検出器１４を初期位置に戻す。
この後、試料角度を微小角度回転させ上記の走査を繰り
返す。この走査を予め設定しておいた角度θ2まで行え
ばメモリ内のチャンネルｊのデ−タ点列は試料上のステ
ップ間隔ｘｊの位置のＸ線反射プロファイルを与える。
この後、試料をｙ方向（場合によってはｘ方向に）に適
宜移動させて上記の計測を繰り返せば試料全体の膜厚分
布が得られることになる。
出器１４を走査した後、検出器１４を初期位置に戻す。
この後、試料角度を微小角度回転させ上記の走査を繰り
返す。この走査を予め設定しておいた角度θ2まで行え
ばメモリ内のチャンネルｊのデ−タ点列は試料上のステ
ップ間隔ｘｊの位置のＸ線反射プロファイルを与える。
この後、試料をｙ方向（場合によってはｘ方向に）に適
宜移動させて上記の計測を繰り返せば試料全体の膜厚分
布が得られることになる。
【００４６】本実施例によれば、１回の試料角度調整で
試料上のラインに沿ってＸ線束の幅に対応する領域のＸ
線反射プロファイルが検出器１４の走査ステップ数だけ
測定することができ、膜厚計測の所要時間が大幅に短縮
されるという効果がある。
試料上のラインに沿ってＸ線束の幅に対応する領域のＸ
線反射プロファイルが検出器１４の走査ステップ数だけ
測定することができ、膜厚計測の所要時間が大幅に短縮
されるという効果がある。
【００４７】また得られた膜厚分布結果をディスプレイ
１８等に表示すれば、試料面内での膜厚変化が明瞭に観
察できる。さらに試料搬送機構を試料台に接続すれば、
多くの試料の膜厚をより短時間で測定することが可能に
なる。
１８等に表示すれば、試料面内での膜厚変化が明瞭に観
察できる。さらに試料搬送機構を試料台に接続すれば、
多くの試料の膜厚をより短時間で測定することが可能に
なる。
【００４８】図６に本発明の他の実施例の構成を示す。
本実施例は、上記実施例における１チャンネルの検出器
１４の代わりに一次元の位置敏感型検出器１９を用いた
ものである。一次元位置敏感型検出器１９には有効長５
０ｍｍ、窓高さ１０ｍｍ、位置分解能０．２ｍｍのＰＳ
ＰＣ( Position Sensitive Proportional Counter)を用
いた。チャンネル数はマルチチャンネルアナライザ２１
により２５６−１０２４チャンネルが任意に選べるよう
に構成されている。
本実施例は、上記実施例における１チャンネルの検出器
１４の代わりに一次元の位置敏感型検出器１９を用いた
ものである。一次元位置敏感型検出器１９には有効長５
０ｍｍ、窓高さ１０ｍｍ、位置分解能０．２ｍｍのＰＳ
ＰＣ( Position Sensitive Proportional Counter)を用
いた。チャンネル数はマルチチャンネルアナライザ２１
により２５６−１０２４チャンネルが任意に選べるよう
に構成されている。
【００４９】反射Ｘ線を検出スリット１２まで導くため
の手順は上記実施例と同様である。一次元の位置敏感型
検出器１９に到達したＸ線束７はマルチチャンネルアナ
ライザ２１により選択されたチャンネル数に対応して各
チャンネルごとにその強度が記録される。予め設定され
た時間計測された後、マルチチャンネルアナライザ２１
からメモリ１７に各チャンネル毎に計測強度を転送、角
度θ1のときの強度として格納される。この後、試料角
度を角度走査機構１０により所定の微小角回転させ、上
記の操作を予め設定しておいた角度θ2まで行う。
の手順は上記実施例と同様である。一次元の位置敏感型
検出器１９に到達したＸ線束７はマルチチャンネルアナ
ライザ２１により選択されたチャンネル数に対応して各
チャンネルごとにその強度が記録される。予め設定され
た時間計測された後、マルチチャンネルアナライザ２１
からメモリ１７に各チャンネル毎に計測強度を転送、角
度θ1のときの強度として格納される。この後、試料角
度を角度走査機構１０により所定の微小角回転させ、上
記の操作を予め設定しておいた角度θ2まで行う。
【００５０】以上の手順によりチャンネル数を２５６に
選び角度θを０.３度から１.０まで計測した。メモリ１
７内の各チャンネルのデ−タ点列は試料上のラインＬに
沿ってのＸ線反射プロファイルを与えるが、ここでは４
チャンネル分を加えあわせ６４点の反射プロファイルを
得た。それぞれの振動パタ−ンから試料１１上のライン
Ｌに沿っての膜厚が求められるが、一次元位置敏感型検
出器１９の有効長が５０ｍｍ、Ｘ線束７の幅が３０ｍｍ
であるため有効な試料上の点数は３８点である。 すな
わち、試料１１上３０ｍｍの領域に対し３８点の膜厚が
１回の試料角度調整で求められた。この後、試料をｙ方
向（場合によってはｘ方向に）に適宜、移動させて上記
の計測を繰り返せば試料１１全体の膜厚分布が得られる
ことになる。
選び角度θを０.３度から１.０まで計測した。メモリ１
７内の各チャンネルのデ−タ点列は試料上のラインＬに
沿ってのＸ線反射プロファイルを与えるが、ここでは４
チャンネル分を加えあわせ６４点の反射プロファイルを
得た。それぞれの振動パタ−ンから試料１１上のライン
Ｌに沿っての膜厚が求められるが、一次元位置敏感型検
出器１９の有効長が５０ｍｍ、Ｘ線束７の幅が３０ｍｍ
であるため有効な試料上の点数は３８点である。 すな
わち、試料１１上３０ｍｍの領域に対し３８点の膜厚が
１回の試料角度調整で求められた。この後、試料をｙ方
向（場合によってはｘ方向に）に適宜、移動させて上記
の計測を繰り返せば試料１１全体の膜厚分布が得られる
ことになる。
【００５１】本実施例では検出器をＸ線束の幅方向に走
査すること無しに１回の試料角度調整で試料上のあるラ
インに沿ってＸ線束の幅に対応する領域のＸ線反射プロ
ファイルが計測でき、計測所要時間が、さらに短縮され
るという効果がある。
査すること無しに１回の試料角度調整で試料上のあるラ
インに沿ってＸ線束の幅に対応する領域のＸ線反射プロ
ファイルが計測でき、計測所要時間が、さらに短縮され
るという効果がある。
【００５２】次に図７に本発明の他の実施例を示す。Ｘ
線源にライン状の線源を用いること、Ｘ線束７の横発散
抑制のためのスリットを用いること、試料台と検出器駆
動台を独立の機構にすること、検出器に走査駆動の可能
な検出器あるいは位置敏感型検出器を用いることは図
４、図６に示した実施例と同じである。本実施例が図
４、図６に示した実施例と構成上、異なるのは結晶分光
器にヨハンソン型の湾曲結晶分光器２２を用い、開き角
を持ったＸ線束を作り、角度走査を試料前方に設置した
入射スリットの駆動機構２３により行うようにした点で
ある。
線源にライン状の線源を用いること、Ｘ線束７の横発散
抑制のためのスリットを用いること、試料台と検出器駆
動台を独立の機構にすること、検出器に走査駆動の可能
な検出器あるいは位置敏感型検出器を用いることは図
４、図６に示した実施例と同じである。本実施例が図
４、図６に示した実施例と構成上、異なるのは結晶分光
器にヨハンソン型の湾曲結晶分光器２２を用い、開き角
を持ったＸ線束を作り、角度走査を試料前方に設置した
入射スリットの駆動機構２３により行うようにした点で
ある。
【００５３】図７において２２はヨハンソン型湾曲結晶
分光器、４は擬似Ｘ線源とするためのスリット、８は角
度走査のための入射スリットである。一般に光源及び分
光器をロ−ランド円上に設置すれば、光源より開き角を
持って出射したＸ線は分光器により分光されるとともに
ロ−ランド円上の１点に集光する。ここでは、擬似Ｘ線
源４がライン状であることから集光点もライン（Ｌ）状
となる。
分光器、４は擬似Ｘ線源とするためのスリット、８は角
度走査のための入射スリットである。一般に光源及び分
光器をロ−ランド円上に設置すれば、光源より開き角を
持って出射したＸ線は分光器により分光されるとともに
ロ−ランド円上の１点に集光する。ここでは、擬似Ｘ線
源４がライン状であることから集光点もライン（Ｌ）状
となる。
【００５４】今、Ｓｉ（２２０）を反射面とするヨハン
ソン型湾曲結晶分光器２２を作製し、該ヨハンソン型湾
曲結晶分光器２２にスリット４から出射した開き角を持
ったＸ線束を照射し、ラインＬ上に開き角２度のＸ線束
を生成した。角度走査用の入射スリット８及び検出スリ
ット１２とラインＬとの距離Ｒを３００ｍｍに設定し
た。試料１１の測定位置を試料傾斜・位置調整機構９に
よりラインＬに一致させた後、入射スリット８をＲtan
θ(θは試料へのＸ線束の入射角度）でｚ方向に直進走
査することにより角度走査を行った。
ソン型湾曲結晶分光器２２を作製し、該ヨハンソン型湾
曲結晶分光器２２にスリット４から出射した開き角を持
ったＸ線束を照射し、ラインＬ上に開き角２度のＸ線束
を生成した。角度走査用の入射スリット８及び検出スリ
ット１２とラインＬとの距離Ｒを３００ｍｍに設定し
た。試料１１の測定位置を試料傾斜・位置調整機構９に
よりラインＬに一致させた後、入射スリット８をＲtan
θ(θは試料へのＸ線束の入射角度）でｚ方向に直進走
査することにより角度走査を行った。
【００５５】また検出スリット１２も入射スリット８の
直進走査に同期させてＲtanθだけｚ方向に直進走査す
ることにより反射Ｘ線を検出した。以後、反射プロファ
イルの計測は図４あるいは図６に示した実施例と同様に
して行った。
直進走査に同期させてＲtanθだけｚ方向に直進走査す
ることにより反射Ｘ線を検出した。以後、反射プロファ
イルの計測は図４あるいは図６に示した実施例と同様に
して行った。
【００５６】本実施例によれば、試料台に角度走査機構
を設ける必要がなく、試料台の構成が簡単になると共
に、より大きい試料台がより簡便に作製可能になるとい
う効果がある。
を設ける必要がなく、試料台の構成が簡単になると共
に、より大きい試料台がより簡便に作製可能になるとい
う効果がある。
【００５７】次に本発明の他の実施例を図８に示す。図
８に実施例は図７に示す実施例においてＸ線検出器とし
て二次元の位置敏感型検出器２４を用いたものである。
本実施例ではＸ線束の試料への入射角度を走査する機構
は全て取り除き、試料の被測定個所に角度の拡がりをも
った広幅のＸ線束を照射し、二次元の位置敏感型検出器
２４でＸ線束の幅方向には試料位置の情報を、また角度
方向には反射プロファイルの角度情報を同時に記録する
方法である。ここでは二次元の位置敏感型検出器として
揮尽性フィルムを用いた。このフィルムは検出部駆動機
構１５により支持されており、これによりフィルムの位
置が調整可能になっている。
８に実施例は図７に示す実施例においてＸ線検出器とし
て二次元の位置敏感型検出器２４を用いたものである。
本実施例ではＸ線束の試料への入射角度を走査する機構
は全て取り除き、試料の被測定個所に角度の拡がりをも
った広幅のＸ線束を照射し、二次元の位置敏感型検出器
２４でＸ線束の幅方向には試料位置の情報を、また角度
方向には反射プロファイルの角度情報を同時に記録する
方法である。ここでは二次元の位置敏感型検出器として
揮尽性フィルムを用いた。このフィルムは検出部駆動機
構１５により支持されており、これによりフィルムの位
置が調整可能になっている。
【００５８】本実施例によれば、試料の角度走査、検出
器の角度走査が不要となり、測定時間の大幅な短縮と試
料台の構成を大幅に簡単化することが可能になるという
効果がある。
器の角度走査が不要となり、測定時間の大幅な短縮と試
料台の構成を大幅に簡単化することが可能になるという
効果がある。
【００５９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、試料に照射するＸ線をシ−ト状のＸ線束にし、該Ｘ
線束と試料との交線上の各位置から反射されるＸ線を試
料位置毎に計測、記録することにより、１回の試料角度
調整で試料上のラインに沿ってＸ線束の幅に対応する領
域のＸ線反射プロファイルが多数測定することができ、
それ故、反射プロファイルの計測所要時間が大幅に短縮
でき、延いては膜厚計測の所要時間が大幅に短縮される
という効果がある。
ば、試料に照射するＸ線をシ−ト状のＸ線束にし、該Ｘ
線束と試料との交線上の各位置から反射されるＸ線を試
料位置毎に計測、記録することにより、１回の試料角度
調整で試料上のラインに沿ってＸ線束の幅に対応する領
域のＸ線反射プロファイルが多数測定することができ、
それ故、反射プロファイルの計測所要時間が大幅に短縮
でき、延いては膜厚計測の所要時間が大幅に短縮される
という効果がある。
【図１】本発明の試料上のラインに沿って１回の試料傾
斜、位置調整で多数のＸ線反射プロファイルを測定する
Ｘ線反射プロファイル測定装置の基本構成図である。
斜、位置調整で多数のＸ線反射プロファイルを測定する
Ｘ線反射プロファイル測定装置の基本構成図である。
【図２】従来のＸ線反射プロファイル測定装置を示す構
成図である。
成図である。
【図３】Ｘ線反射プロファイルの一例を示す模式図であ
る。
る。
【図４】本発明に係るＸ線反射プロファイル測定装置の
一実施例の構成を示す側面図である。
一実施例の構成を示す側面図である。
【図５】図４に示したＸ線反射プロファイル測定装置の
検出部の平面図である。
検出部の平面図である。
【図６】本発明に係るＸ線反射プロファイル測定装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図７】本発明に係るＸ線反射プロファイル測定装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図８】本発明に係るＸ線反射プロファイル測定装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
１ ライン状Ｘ線源 ３ 横発散制限用スリット ４ 縦発散制限用第１スリット ５ 縦発散制限用第２スリット ６ Ｘ線単色器 ７ 単色Ｘ線束 ８ 入射スリット ９ 試料傾斜・位置調整機構 １０ 初期光学系調整機構を内蔵した試料角度走査機構 １１ 試料 １２ 検出スリット １３ 検出器走査機構 １４ 細隙スリット付き検出器 １５ 駆動台 １６ 制御装置 １７ メモリ １９ 一次元位置敏感型検出器 ２１ マルチチャンネルアナライザ ２２ 湾曲型結晶分光素子 ２３ 入射スリット駆動機構 ２４ 二次元位置敏感型検出器
Claims (12)
- 【請求項１】 シート状Ｘ線束を生成し、該シート状Ｘ
線束を単色化すると共に、該単色化されたシート状Ｘ線
束を試料に照射し、該試料に入射されるシート状Ｘ線束
と試料とのなす角度に応じて試料からの反射シート状Ｘ
線束が幅方向に分割して計測可能なＸ線検出手段により
検出されるように前記試料の角度を走査しかつ該試料の
角度の変化に応じてＸ線検出手段の検出部の位置を一定
の関係に基づいて移動させることを特徴とするＸ線反射
プロファイル測定方法。 - 【請求項２】 高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線
束を生成し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該
単色化されたシート状Ｘ線束をスリットを介して試料表
面上で集束させ、該スリットを単色化されたシート状Ｘ
線束の高さ方向にステップ状に移動させることにより試
料へのシート状Ｘ線束の入射角を走査し、この入射角に
応じて試料からの反射シート状Ｘ線束を検出するＸ線検
出手段の検出部を一定の関係に基づいて移動させること
を特徴とするＸ線反射プロファイル測定方法。 - 【請求項３】 高さ方向に開き角を有するシート状Ｘ線
束を生成し、該シート状Ｘ線束を単色化すると共に、該
単色化されたシート状Ｘ線束を試料表面上で集束させ、
試料からの反射シート状Ｘ線束を二次元位置敏感型検出
手段により検出することを特徴とするＸ線反射プロファ
イル測定方法。 - 【請求項４】 ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ
線源と、 該ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散
を制限する第１の発散制限用スリットと、 該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散を制限する第２の発散制限用スリットと、 該第２の発散制限用スリットから出射されたシート状Ｘ
線束を単色化するＸ線単色化手段と、 試料の位置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含
む試料支持台と、 試料に入射されるシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を
走査する試料角度走査手段と、 試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出スリットと、 該検出スリットを介して試料より反射されたＸ線の強度
を検出するＸ線検出手段と、 該Ｘ線検出手段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状
Ｘ線束の幅方向に直進走査する検出部走査手段と、 前記検出スリット、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が
搭載された検出部支持台と、 該検出部支持台に搭載された検出スリット及び検出手段
を試料から反射されたシート状Ｘ線束の反射角に応じて
角度走査する検出部支持台走査手段と、 入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じて
その試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段
により検出されるように前記試料角度走査手段及び検出
部支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御する
制御手段とを有することを特徴とするＸ線反射プロファ
イル測定装置。 - 【請求項５】 前記試料角度走査手段は、試料を回転駆
動することにより回転走査を行なう走査機構部を含み、
前記検出部支持台走査手段は、前記検出部支持台に搭載
された検出スリット及び検出手段を直進走査を行なう走
査機構部を含んで構成されることを特徴とする請求項４
に記載のＸ線反射プロファイル測定装置。 - 【請求項６】 ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ
線源と、 該ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散
を制限する第１の発散制限用スリットと、 該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散を制限する第２の発散制限用スリットと、 該第２の発散制限用スリットから出射されたシート状Ｘ
線束を単色化するＸ線単色化手段と、 試料の位置調整を行なう試料傾斜及び位置調整手段を含
む試料支持台と、 試料に入射されるシート状Ｘ線束と試料とのなす角度を
走査する試料角度走査手段と、 試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出スリットと、 該検出スリットを介して試料より反射されたＸ線の強度
を検出するＸ線検出手段と、 前記検出スリット及びＸ線検出手段が搭載された検出部
支持台と、 該検出部支持台に搭載された検出スリット及び検出手段
を試料から反射されたシート状Ｘ線束の反射角に応じて
角度走査する検出部支持台走査手段と、 入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じて
その試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段
により検出されるように前記試料角度走査手段及び検出
部支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御する
制御手段とを有し、 前記Ｘ線検出手段は、一次元位置敏感型検出器を含んで
構成されることを特徴とするＸ線反射プロファイル測定
装置。 - 【請求項７】 前記Ｘ線単色化手段は、チャンネルカッ
ト型結晶分光素子であることを特徴とする請求項４乃至
６のいづれかに記載のＸ線反射プロファイル測定装置。 - 【請求項８】 前記Ｘ線単色化手段は、フィルタである
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のＸ
線反射プロファイル測定装置。 - 【請求項９】 ライン状のＸ線束を発生するライン状Ｘ
線源と、 該ライン状Ｘ線源から出射されたＸ線束の幅方向の発散
を制限する第１の発散制限用スリットと、 該第１の発散制限用スリットから出射されたＸ線束の高
さ方向の発散を開き角を有するように制限する第２の発
散制限用スリットと、 該第２の発散制限用スリットから出射されたシート状Ｘ
線束を単色化するＸ線単色化手段と、 該Ｘ線単色化手段から出射され、試料に照射される高さ
方向に開き角を有するシート状Ｘ線束の高さ方向の大き
さを決定するＸ線束入射手段と、 試料からの反射Ｘ線を通過せしめる検出スリットと、 該検出スリットを介して試料より反射されたＸ線の強度
を検出するＸ線検出手段と、 該Ｘ線検出手段を該Ｘ線検出手段に入射されるシート状
Ｘ線束の幅方向に直進走査する検出部走査手段と、 前記検出スリット、Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が
搭載された検出部支持台と、 該検出部支持台に搭載された検出スリット及び検出手段
を試料から反射されたシート状Ｘ線束の反射角に応じて
角度走査する検出部支持台走査手段と、 入射されたシート状Ｘ線束と試料とのなす角度に応じて
その試料からの反射シート状Ｘ線束が前記Ｘ線検出手段
により検出されるように前記Ｘ線束入射手段及び検出部
支持台走査手段を一定の関係に基づいて駆動制御する制
御手段とを有することを特徴とするＸ線反射プロファイ
ル測定装置。 - 【請求項１０】 前記Ｘ線単色化手段はヨハンソン型湾
曲結晶分光素子を含んで構成され、かつ前記Ｘ線束入射
手段は直進走査可能な支持機構を備えたスリットを含ん
で構成されると共に、前記ライン状Ｘ線源及びヨハンソ
ン型湾曲結晶分光素子の湾曲面はローランド円上に設置
され、前記ヨハンソン型湾曲結晶分光素子より出射され
たたシート状Ｘ線束の集束位置に試料が配置されるよう
に構成されることを特徴とするＸ線反射プロファイル測
定装置。 - 【請求項１１】高さ方向に開き角を有するシート状のＸ
線束を発生するＸ線発生手段と、 該Ｘ線発生手段から出射されたシート状Ｘ線束を単色化
するＸ線単色化手段と、 試料の位置調整を行なう試料
傾斜及び位置調整手段を含む試料支持台と、 試料より反射されたＸ線の強度を検出するＸ線検出手段
と、 前記Ｘ線検出手段及び検出部走査手段が搭載された検出
部支持台とを有することを特徴とするＸ線反射プロファ
イル測定装置。 - 【請求項１２】 前記Ｘ線検出手段は、二次元位置敏感
型検出器であることを特徴とする請求項１１に記載のＸ
線反射プロファイル測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123611A JP2720131B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123611A JP2720131B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05322804A true JPH05322804A (ja) | 1993-12-07 |
| JP2720131B2 JP2720131B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=14864891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4123611A Expired - Lifetime JP2720131B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720131B2 (ja) |
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| JP2720131B2 (ja) | 1998-02-25 |
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