JP2016038278A - X線反射率測定装置及びx線反射率測定方法 - Google Patents

X線反射率測定装置及びx線反射率測定方法 Download PDF

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Abstract

【課題】短時間で、正しいX線反射率プロファイルを得ることができるようにする。【解決手段】X線反射率測定装置を、試料台4に載せられた試料5で反射した反射X線6の強度を検出するX線強度検出器9と、X線強度検出器に対して試料側に設けられ、反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器17と、X線強度検出器及びビーム位置検出器を一体回転させる検出器回転機構7と、試料台を傾き方向に回転させる試料台回転機構3と、検出器回転機構を制御するとともに、ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて試料台回転機構を制御し、X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るコンピュータ13とを備えるものとする。【選択図】図1

Description

本発明は、X線反射率測定装置及びX線反射率測定方法に関する。
従来、試料の物性を非破壊で評価するために、試料台に載せられた試料にX線を入射し、試料で反射した反射X線をX線強度検出器で検出して、X線反射率プロファイルを得る、X線反射率測定法が用いられている。
このX線反射率測定法を用いて得られたX線反射率プロファイルによって、例えば、基板上の積層膜の層毎の膜厚、密度、ラフネス等を得ることができるため、これらを得るための有力な手法となっている。
特に、非破壊で測定可能であるため、各種デバイスの研究・開発目的だけでなく、工場における製品検査等にも利用されている。
特開平10−19810号公報 特開平7−311163号公報 特開2001−66398号公報
ところで、X線反射率測定法を用いる場合、X線強度検出器を回転させるとともに試料台を傾き方向に回転させ、各位置でX線強度検出器によって検出されたX線強度を取得して、X線反射率プロファイルを得ることになる。
しかしながら、X線反射率プロファイルを得るためにX線強度検出器を回転させる角度範囲の全領域において、X線強度検出器の回転角度と試料台の回転角度の関係が維持されずに正しいX線反射率プロファイルが得られない場合がある。この結果、誤った膜厚、密度、ラフネス等の情報を得られることになる。
この場合、X線強度検出器の回転角度を変える毎に、試料台を傾き方向に回転させ、X線強度検出器によって検出されるX線強度が最大になるようにして、X線強度検出器の回転角度と試料台の回転角度の関係が維持されるようにし、正しいX線反射率プロファイルが得られるようにすることが考えられる。
しかしながら、例えば約10倍程度の測定時間が必要となり、短時間で測定を行なうのは難しい。
そこで、短時間で、正しいX線反射率プロファイルを得ることができるようにしたい。
本X線反射率測定装置は、試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器と、X線強度検出器に対して試料側に設けられ、反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器と、X線強度検出器及びビーム位置検出器を一体回転させる検出器回転機構と、試料台を傾き方向に回転させる試料台回転機構と、検出器回転機構を制御するとともに、ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて試料台回転機構を制御し、X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るコンピュータとを備える。
本X線反射率測定方法は、検出器回転機構によって、試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器、及び、X線強度検出器に対して試料側に設けられ、反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器を一体回転させ、試料台回転機構によって、ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて、試料台を傾き方向に回転させ、X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得る。
したがって、本X線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によれば、短時間で、正しいX線反射率プロファイルを得ることができるという利点がある。
本実施形態にかかるX線反射率測定装置の構成の一例を示す模式図である。 本実施形態にかかるX線反射率測定装置の構成の他の例を示す模式図である。 (A)、(B)は、本実施形態にかかるX線反射率測定装置の動作、即ち、X線反射率測定方法について説明するための模式図である。 本実施形態にかかるX線反射率測定装置の動作、即ち、X線反射率測定方法について説明するためのフローチャートである。 本実施形態にかかるX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によって取得されたX線反射率プロファイル、並びに、従来のX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によって取得されたX線反射率プロファイルを示す図である。 従来のX線反射率測定装置の構成を示す模式図である。 従来のX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によるX線反射率プロファイルの取得及び試料の物性の導出についての一例を説明するためのフローチャートである。 従来のX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によるX線反射率プロファイルの取得及び試料の物性の導出についての他の例を説明するためのフローチャートである。 (A)〜(D)は、本発明の課題を説明するための図であって、(A)、(B)は、それぞれ、X線強度検出器の回転角度と試料台の回転角度の関係が維持されて正しいX線反射率プロファイルが得られた場合の3次元像、2次元像を示しており、(C)、(D)は、それぞれ、X線強度検出器の回転角度と試料台の回転角度の関係が維持されずに正しいX線反射率プロファイルが得られていない場合の3次元像、2次元像を示している。 (A)〜(D)は、従来のX線反射率測定装置を用いて、強度の最大値に沿った正しいX線反射率プロファイルを取得する方法の一例及びその課題を説明するための模式図である。
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法について、図1〜図10を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法は、X線の反射現象を利用して、試料の物性を評価するためのX線反射率プロファイルを得るものである。つまり、試料の物性を非破壊で評価するために、試料台に載せられた試料にX線を入射し、試料で反射した反射X線をX線強度検出器で検出して、X線反射率プロファイルを得るものである。そして、このようにして得られたX線反射率プロファイルによって、膜厚、密度、ラフネスなどの試料の物性、例えば基板上の積層膜の層毎の膜厚、密度、ラフネス等を得ることができる。特に、非破壊で測定可能であるため、各種デバイスの研究・開発目的だけでなく、工場における製品検査等にも利用することができる。
このため、本実施形態のX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法は、例えば、X線反射率プロファイルに基づいて、例えば基板上の積層膜の層毎の膜厚、密度、ラフネス等の試料の分析結果を得るX線分析装置及びX線分析方法に適用することができる。この場合、X線分析装置及びX線分析方法は、X線反射率測定装置及びX線反射率測定方法を含むことになる。つまり、X線分析装置及びX線分析方法は、X線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によって得られたX線反射率プロファイルに基づいて試料の分析結果を得るものである。
本実施形態では、X線反射率測定装置は、図1に示すように、X線強度検出器9と、ビーム位置検出器17と、検出器回転機構7と、試料台回転機構3と、コンピュータ13(制御演算部)とを備える。
ここで、X線強度検出器9は、試料台4に載せられた試料5で反射した反射X線6の強度を検出するものである。なお、X線強度検出器9をX線強度モニタ用検出器ともいう。
ビーム位置検出器17は、X線強度検出器9に対して試料5側に設けられ、反射X線6のビーム位置を検出するものである。なお、ビーム位置検出器17をビーム位置モニタ用検出器ともいう。
検出器回転機構7は、X線強度検出器9を回転させるものである。ここでは、検出器回転機構7は、X線強度検出器9及びビーム位置検出器17を一体回転させるようになっている。なお、検出器回転機構7は、X線強度検出器9を回転させて、その角度(回転角度)を調整することによって、入射X線1の方向とX線強度検出器9の方向(反射X線6の方向)との角度、即ち、2θを調整するための機構である。このため、2θ回転機構、2θ軸回転機構、2θ調整機構、2θ軸走査機構、又は、検出器走査機構ともいう。
ここでは、検出器回転機構7は、試料台4に連結されたω回転部23と同軸上に設けられた2θ回転部24と、2θ回転部24に連結され、検出器9、17が設けられるアーム25と、2θ回転部24を回転させるパルスモータ(図示せず)と、パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部26とを備える。ここでは、パルスモータ駆動部26は、パルスモータコントローラ27と、ドライバ28とを備える。なお、パルスモータ駆動部26は、これに限られるものではなく、例えばパルスモータコントローラとドライバとが一体となったパルスモータコントローラ兼ドライバであっても良い。
試料台回転機構3は、試料台4を傾き方向に回転させるものである。なお、試料台回転機構3は、試料台4を回転させて、その角度(試料5の角度;回転角度)を調整することによって、入射X線1の方向と試料表面との角度、即ち、ω(試料5の回転軸)を調整するための機構である。このため、ω回転機構、ω軸回転機構、ω調整機構、ω軸走査機構、試料台走査機構、又は、試料回転軸走査機構ともいう。
ここでは、試料台回転機構3として、パルスモータ(図示せず)と、パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部29とを備える。具体的には、試料台回転機構3は、試料台4に連結されたω回転部23と、ω回転部23を回転させるパルスモータ(図示せず)と、パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部29とを備える。ここでは、パルスモータ駆動部29は、パルスモータコントローラ27と、ドライバ30とを備える。なお、パルスモータ駆動部29は、これに限られるものではなく、例えばパルスモータコントローラとドライバとが一体となったパルスモータコントローラ兼ドライバであっても良い。
ここで、試料台回転機構3は、さらに、ピエゾ素子16と、ピエゾ素子16を駆動するピエゾ素子駆動部(ここではピエゾコントローラ)19とを備えるものとするのが好ましい。つまり、試料台回転機構3は、パルスモータ(図示せず)と、パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部29と、ピエゾ素子16と、ピエゾ素子16を駆動するピエゾ素子駆動部19とを備えるものとするのが好ましい。ここで、ピエゾ素子16は、試料台4の傾きを微調整するために用いられる。このため、ピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部19を、試料台傾き調整機構(ω′軸回転機構)ともいう。
これらの検出器回転機構7及び試料台回転機構3には、例えば、パルスモータ駆動の機械的なゴニオメータが用いられる。
なお、図1では、試料台回転機構3が、ピエゾ素子16と、ピエゾ素子16を駆動するピエゾ素子駆動部19とを備えるものを例に挙げて示しているが、これに限られるものではなく、例えば図2に示すように、試料台回転機構3は、ピエゾ素子16及びピエゾ素子16を駆動するピエゾ素子駆動部19を備えないものとして構成しても良い。
コンピュータ13は、検出器回転機構7を制御するとともに、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台回転機構3を制御し、X線強度検出器9によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るようになっている。
ここでは、コンピュータ13は、検出器回転機構7によって回転させられるX線強度検出器9の回転角度と試料台回転機構3によって傾き方向に回転させられる試料台4の回転角度の関係が維持されるように、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台回転機構3を制御し、X線強度検出器9によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るようになっている。
ここで、試料台回転機構3がピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部19を備えない場合(図2参照)、コンピュータ13は、検出器回転機構7(具体的にはパルスモータ駆動部26)を制御するとともに、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて、試料台回転機構3として備えられるパルスモータ駆動部29を制御するようにすれば良い。
一方、試料台回転機構3がピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部19を備える場合(図1参照)、コンピュータ13は、検出器回転機構7(具体的にはパルスモータ駆動部26)及び試料台回転機構3として備えられるパルスモータ駆動部29を制御しながら、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて、試料台回転機構3として備えられるピエゾ素子駆動部19を制御するようにすれば良い。この場合、コンピュータ13は、2θとωとを2:1の割合で動作させる2θ/ωスキャン法に基づいて検出器回転機構7(具体的にはパルスモータ駆動部26)及び試料台回転機構3として備えられるパルスモータ駆動部29を制御するようにするのが好ましい。
特に、本実施形態では、X線強度検出器9とビーム位置検出器17との間に、反射X線6のビームサイズを制限するスリット機構8(反射側スリット機構;単にスリットともいう)を備える。そして、検出器回転機構7が、スリット機構8をX線強度検出器9及びビーム位置検出器17とともに一体回転させるようになっている。
ここでは、検出器回転機構7を構成するアーム25上に、ビーム位置検出器17、スリット機構8、X線強度検出器9が、試料台4に近い側からこの順に設けられている。これらをまとめて反射X線検出機構ともいう。
この場合、コンピュータ13は、スリット機構8を通過(透過)した反射X線6の強度をX線強度検出器9によって検出することができるビーム位置を基準位置として、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置が基準位置になるように試料台回転機構3を制御するようにすれば良い。つまり、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置の基準位置に対する位置ずれ量がゼロになるように、即ち、基準位置が維持されるように、試料台回転機構3を制御するようにすれば良い。なお、基準位置は、試料5で反射した反射X線6がスリット8を通過し、X線強度検出器9によって検出される強度が最大になるビーム位置(ピーク位置)である。
このほか、本実施形態では、X線反射率測定装置は、X線を発生可能なX線源と、X線源から発生した白色X線を単色化する単色器と、入射X線(単色X線)1のビームサイズを制限するスリット機構2(入射側スリット機構;単にスリットともいう)とを備える。
次に、本実施形態にかかるX線反射率測定方法について説明する。
本実施形態では、まず、検出器回転機構7によって、試料台4に載せられた試料5で反射した反射X線6の強度を検出するX線強度検出器9、及び、X線強度検出器9に対して試料5側に設けられ、反射X線6のビーム位置を検出するビーム位置検出器17を一体回転させる。なお、試料5を分析試料ともいう。
次に、試料台回転機構3によって、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて、試料台4を傾き方向に回転させる。
特に、本実施形態では、検出器回転機構7によって、X線強度検出器9、ビーム位置検出器17、及び、X線強度検出器9とビーム位置検出器17との間に設けられ、反射X線6のビームサイズを制限するスリット機構8を一体回転させる。
そして、試料台回転機構3によって、スリット機構8を通過(透過)した反射X線6の強度をX線強度検出器9によって検出することができるビーム位置を基準位置として、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置が基準位置になるように、試料台4を傾き方向に回転させる。つまり、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置の基準位置に対する位置ずれ量がゼロになるように、即ち、基準位置が維持されるように、試料台4を傾き方向に回転させる。なお、基準位置は、試料5で反射した反射X線6がスリット8を通過し、X線強度検出器9によって検出される強度が最大になるビーム位置(ピーク位置)である。
ここで、試料台回転機構3として、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータを駆動するパルスモータ駆動部29を備える場合(図2参照)、パルスモータ及びパルスモータ駆動部29によって、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて、試料台4を傾き方向に回転させるようにすれば良い。つまり、2θ/ωスキャンを行なう際に、各2θ位置において、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台4を傾き方向に回転させる動作、即ち、ω動作(ω′動作;微調整動作)をさせるようすれば良い。
また、試料台回転機構3として、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータを駆動するパルスモータ駆動部29と、ピエゾ素子16及びピエゾ素子16を駆動するピエゾ素子駆動部19とを備える場合(図1参照)、検出器回転機構7によってX線強度検出器9及びビーム位置検出器17を一体回転させるとともに、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータ駆動部29によって試料台4を傾き方向に回転させながら、ピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部19によってビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台4を傾き方向に回転させるようにすれば良い。この場合、2θとωとを2:1の割合で動作させる2θ/ωスキャン法に基づいて、検出器回転機構7によってX線強度検出器9及びビーム位置検出器17を一体回転させるとともに、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータ駆動部29によって試料台4を傾き方向に回転させるのが好ましい。つまり、2θ/ωスキャンを行ないながら、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいてピエゾ素子16を駆動して試料台4の傾きを微調整するのが好ましい。
そして、X線強度検出器9によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得る。
以下、具体的に説明する。
まず、X線源(図示せず)から発生した白色X線(図示せず)は、単色器(図示せず)によって分光される。図1に示すように、分光された単色X線(入射X線)1は、入射側スリット2によってビームのサイズや発散角が制限された後、ピエゾ素子16を挟んで設けられた試料台4上に搭載された試料(分析試料)5に照射される。
そして、分析試料5で反射した反射X線6は、検出器回転機構7のアーム25上に搭載されたビーム位置検出器17によってそのビーム位置が検出された後、その後方に配置されたスリット(検出器前スリット)8を通過し、同じく検出器回転機構7のアーム25上で、かつ、スリット8の後方に配置されたX線強度検出器9によってその強度が検出される。
X線強度検出器9からの出力信号は、電流アンプ10A及びシングルチャネルアナライザ(SCA)11を通して、スケーラ12Aで計測される。そして、計測されたデータは、コンピュータ13からデータの読み出し/書き込みが可能な場所に設置された記憶装置14に、反射X線強度として、検出器回転機構7による回転角度値(2θ値)と共に記録される。
一方、ビーム位置検出器17からの出力信号は、電流アンプ10Bによって増幅され、電圧に変換された後、V/Fコンバータ18によってパルス列に変換され、スケーラ12Bによって計数される。
ここでは、ビーム位置検出器17には、例えば、2つのフォトダイオード20A、20B及び金属箔21で構成された蛍光X線検出型の検出器を用いる。ここで、金属箔21には、単色X線1のエネルギーにおいて蛍光を発生することが可能な材料、例えば、Ti箔を用いる。
このようなビーム位置検出器17では、反射X線6が金属箔21を透過する際に蛍光X線22が発生するため、発生した蛍光X線22を2つのフォトダイオード20A、20Bで検出し、その強度比I20A/I20Bを導出することによって、ビーム位置を検出することができる。
例えば、反射X線6がスリット8を通過し、X線強度検出器9によって検出される強度が最大になるビーム位置(ピーク位置)における強度比I20A/I20Bを予め明らかにしておき、その強度比が一定に保たれるように(即ち、基準位置に対する位置ずれ量がゼロになるように)、コンピュータ13によって試料台回転機構3を制御して、試料台4の傾き方向の回転角度を調整すれば良い。これにより、常に、反射X線6がスリット8を通過し、X線強度検出器9によって検出される強度が最大になるようにすることができる。つまり、常に、X線強度検出器9の回転角度と試料台4の回転角度の関係が維持されるようにすることができる。
例えば、試料台回転機構3として、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータ駆動部29を備える場合、即ち、試料台回転機構3として、ピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部(ピエゾコントローラ)19を備えない場合(図2参照)、強度比が一定に保たれるように、コンピュータ13によってパルスモータ駆動部19を介してパルスモータを制御して、試料台4の傾き方向の回転角度を調整すれば良い。
この場合、ピエゾ素子16及びピエゾコントローラ19が不要となるため、装置の簡素化が可能となる。一方、試料台回転機構3として、パルスモータ駆動の機械的なゴニオメータを用いると、バックラッシュを取る必要があるため、高速制御が困難となる。
また、試料台回転機構3として、パルスモータ(図示せず)及びパルスモータ駆動部29に加え、ピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部(ピエゾコントローラ)19も備える場合(図1参照)には、強度比が一定に保たれるように、コンピュータ13によってピエゾコントローラ19を介してピエゾ素子16を制御して、試料台4の傾き方向の回転角度を調整すれば良い。特に、ピエゾ素子16を用いる場合、ピエゾ素子16に対する制御によって試料4の高さ位置が変わらないようにし、試料5へのX線の照射位置が一定に保たれるようにするために、2つのピエゾ素子16A、16Bを用い、これらを試料台4の両側に設けるのが好ましい。
この場合、ピエゾ素子16による試料台4の傾き方向の回転角度の調整はわずかな角度だけ調整できれば良く、ピエゾ素子16のヒステレシスがない領域を使うことができるため、バックラッシュを取らずに、高速制御を行なうことが可能となる。また、2θとωとを2:1の割合で動作させる2θ/ωスキャン法に基づいて、検出器回転機構7(2θ軸)並びに試料台回転機構3(ω軸)としてのパルスモータ及びパルスモータ駆動部26、29を制御しながら、強度比が一定に保たれるようにピエゾ素子16を制御(フィードバック制御)することで、2θとωのカップリングのずれを補正することが可能となる。これらの点を考慮すると、ピエゾ素子16及びピエゾ素子駆動部19を用いて、試料台4の傾き方向の回転角度を調整するのが好ましい。
具体的には、試料5とビーム位置検出器17との距離をMとし、ビーム位置検出器17で検出された強度比に基づいて求められた位置ずれ量をΔNとして、必要な補正量(補正角度)Δ2θを、Δ2θ=arctan(ΔN/M)で導出する。
2つのピエゾ素子16A、16Bを用いる場合、2つのピエゾ素子16A、16Bの距離を2Lとして、各ピエゾ素子16A、16Bの伸び量(制御量)Δdを、必要な補正量Δ2θに基づいて、Δd=Ltan(Δ2θ/2)で導出する。
そして、コンピュータ13によってピエゾコントローラ19を介して2つのピエゾ素子16A、16Bのそれぞれに電圧を印加して、2つのピエゾ素子16A、16Bの伸び量がΔdになるように制御する。ここでは、ピエゾ素子16AがΔdだけ縮み、ピエゾ素子16BがΔdだけ伸びるように、ピエゾコントローラ19によってピエゾ素子16A、16Bに印加される電圧を制御する。このようにして、試料台4の傾き方向の回転角度が調整され、強度比が一定に保たれ、X線強度検出器9の回転角度と試料台4の回転角度の関係が維持されるようにすることができる。
なお、ピエゾ素子16を1つにする場合は、試料中心が支点となるような機構を設け、試料中心とピエゾ素子16の距離をLとして、同様の計算式で導出されたΔdを用いてピエゾ素子16を制御することで、同様の効果を得ることができる。
また、ピエゾ素子16を用いない場合(図2参照)、上述のようにして導出した、必要な補正量Δ2θを、Δω=Δ2θ/2で、必要な補正量(補正角度;制御量)Δωに換算し、試料台4の傾き方向の回転角度がΔωだけ補正されるように、コンピュータ13によってパルスモータ駆動部29を介してパルスモータを制御する。このようにして、試料台4の傾き方向の回転角度が調整され、強度比が一定に保たれ、X線強度検出器9の回転角度と試料台4の回転角度の関係が維持されるようにすることができる。
ところで、このような装置では、以下のようにして、X線反射率測定が行なわれる。
まず、試料台4上に搭載された試料5の高さ位置を最適化した後、試料5の軸立てを実施する。
ここで、軸立ての方法としては、検出器回転機構7を反射X線6の検出が可能なある角度に設定し、試料台回転機構3を走査し、強度が最大となる角度が、検出器回転機構7の設定角度の1/2になるように、試料台回転機構3の角度を補正する方法がある。また、別の軸立ての方法としては、試料台回転機構3を反射X線6の検出が可能なある角度に設定し、検出器回転機構7を走査し、強度が最大となる角度が、試料台回転機構3の設定角度の2倍になるように、試料台回転機構3の角度を補正する方法がある。また、このような反射X線6を用いる方法のほかに、ダイレクトX線を用いる方法もある。また、試料台回転機構3を回転させ、強度が最大となる角度を試料台回転機構3の原点とすることで、試料5の軸立てを行なうことも可能である。さらには、試料表面と試料5の基板面垂直方向の配向方向が平行であるとの仮定のもとに、回折X線を用いて軸立てを行なう方法もある。
このような軸立てが実施された後、試料台回転機構3と検出器回転機構7を連動させ、2θとωとを2:1の割合で動作させる2θ/ωスキャン法によって、各2θ位置における反射X線6の強度を検出して、X線反射率プロファイルを得る。
このような2θ/ωスキャン法によるX線反射率プロファイルの取得が行なわれる際に、上述のようなピエゾ素子16を用いた制御によって、X線強度検出器9の回転角度(2θ)と試料台4の回転角度(ω)のずれが自動的に補正され、これらの関係が最適な状態に維持される。
このようにして、ピエゾ素子16を用いた2θとωのずれの自動補正制御状態で、即ち、2θとωの関係が自動的に最適化された状態で、強度の最大値に沿って、2θ/ωスキャンが行なわれ、正確なX線反射率プロファイルが自動的に取得される。
このため、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係がずれてしまうような試料においても、多くの時間を必要とする試料台回転機構(ω軸)3の走査は不要となり、自動的に短時間で正確なX線反射率プロファイルを取得することが可能となる。
つまり、本実施形態では、上述のように、X線強度検出器9に加えて、ビーム位置検出器17が搭載されているため、ある角度(2θ位置)において、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が維持されているか否か、即ち、これらの関係がずれているか否かの判別が可能であり、且つ、どれだけずれているかも即座に知ることができる。
このため、例えば図3(A)に示すように、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が維持されずにずれてしまった場合(ここではωが大きすぎる状態)であっても、上述のように、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいてピエゾ素子16が制御され、試料台4の傾き方向の回転角度が補正されるため、図3(B)に示すように、正しい方向(ωが小さくなる方向)にビーム位置を動かされることになる。
これにより、多くの時間を必要とする試料台回転機構(ω軸)3の走査は不要となり、自動的に短時間で正確なX線反射率プロファイルを取得することが可能となる。
なお、このような軸立て及びX線反射率プロファイルの取得は自動的に行なわれる。
具体的には、2つのピエゾ素子16A、16Bを用いる場合、以下のようにして、2θ/ωスキャン中に、2θとωのずれが自動的に補正されて、X線反射率プロファイルが取得される。
つまり、図4に示すように、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置が基準位置に対してずれていない限り、即ち、基準位置に対するビーム位置の位置ずれ量ΔNがゼロである限り、2θ/ωスキャンさせながら、各2θ位置における反射X線6の強度をX線強度検出器9によって検出する(ステップS10〜S40)。
一方、2θ/ωスキャン中に、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置が基準位置に対してずれたと判定した場合、即ち、基準位置に対するビーム位置の位置ずれ量ΔNがゼロでないと判定した場合、以下のようにして、2θとωのずれを自動的に補正する。
つまり、まず、試料5とビーム位置検出器17との距離をMとし、ビーム位置検出器17で検出された強度比に基づいて求められた位置ずれ量をΔNとして、必要な補正量(補正角度)Δ2θを、Δ2θ=arctan(ΔN/M)で導出する(ステップS50)。
次に、2つのピエゾ素子16A、16Bの距離を2Lとして、各ピエゾ素子16A、16Bの伸び量(制御量)Δdを、必要な補正量Δ2θに基づいて、Δd=Ltan(Δ2θ/2)で導出する(ステップS60)。
次に、コンピュータ13によってピエゾコントローラ19を介して2つのピエゾ素子16A、16Bのそれぞれに電圧を印加して、2つのピエゾ素子16A、16Bの伸び量がΔdになるように制御する(ステップS70)。ここでは、ピエゾ素子16AがΔdだけ縮み、ピエゾ素子16BがΔdだけ伸びるように、ピエゾコントローラ19によってピエゾ素子16A、16Bに印加される電圧を制御する。
このような処理は、基準位置に対するビーム位置の位置ずれ量ΔNがゼロになるまで繰り返される。
そして、基準位置に対するビーム位置の位置ずれ量ΔNがゼロになったら、その2θ位置における反射X線6の強度を検出する。
このようにして、2θ/ωスキャン中に2θとωのずれを自動的に補正しながら、各2θ位置における反射X線6の強度をX線強度検出器9によって検出する。
なお、このような方法は、いわゆるステップスキャンモードに適用することもできるし、いわゆるコンティニュアスモードに適用することもできる。つまり、いわゆるステップスキャンモードに適用して、2θとωを2:1の割合で段階的に動作させ、ビーム位置を調整した後、データを取得するようにしても良いし、いわゆるコンティニュアスモードに適用して、2θとωを2:1の割合で同期させながら連続的に動作させ、逐次ビーム位置を調整しながら、データを取得するようにしても良い。
その後、ステップS20で、2θ/ωスキャン動作を終了すると判定するまで、上述のような処理を繰り返し、ステップS20で、2θ/ωスキャン動作を終了すると判定したら、上述のような処理によってX線強度検出器9によって検出された各2θ位置における反射X線6の強度に基づいて、X線反射率プロファイルを取得する(ステップS80)。
このような処理を行なうようにすることで、2θ毎に即座にフィードバックをかけて、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3を正しい関係に維持することが可能であり、2θ/ωスキャン法によって、自動的に短時間で正しいX線反射率プロファイルを取得することが可能となる。
ここで、図5中、実線Aは、上述のようにして、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて2θとωのずれを補正しながら、Ni/InAlN/GaN膜に対して2θ/ωスキャンを行なってX線反射率測定を行なって得られたX線反射率プロファイルを示している。また、図5中、実線Bは、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて2θとωのずれを補正せずに、Ni/InAlN/GaN膜に対して2θ/ωスキャンを行なってX線反射率測定を行なって得られたX線反射率プロファイルを示している。
図5中、実線A、Bで示すように、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて2θとωのずれを補正することで、異なるX線反射率プロファイル、即ち、反射X線6の強度の値(ここではX線強度をlog表示している)が大きいX線反射率プロファイルが得られていることがわかる。
このように、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて2θとωのずれを補正しないと、図5中、実線Bで示すように、2θとωのカップリングが途中でずれたことで、正しいX線反射率プロファイルが得られなくなることが分かる。
さらに、図4に示すように、このようにして得られたX線反射率プロファイルと理論計算を一致させることで、例えば膜厚、密度、ラフネス等の情報を得る(ステップS90)。なお、理論計算は、例えば、L. G. Parratt, “Surface Studies of Solids by Total Reflection of X-Rays”, Physical Review, Volume 95, Number 2, July 15, 1954, pp.359-369に記載されている方法を用いれば良い。
ところで、上述のように、ビーム位置検出器17をX線強度検出器9と一体回転するように設け、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台4を傾き方向に回転させるようにしているのは、以下の理由による。
つまり、ビーム位置検出器17を備えない従来のX線反射率測定装置は、例えば図6に示すように構成され、試料5で反射した反射X線6は、検出器回転機構7に備えられるアーム25上に搭載されたスリット8を通過した後、同じく検出器回転機構7に備えられるアーム25上で、かつ、スリット8の後方に搭載されたX線強度検出器9によって検出されることになる。
このような従来のX線反射率測定装置を用いて、例えば工場における製品検査などで一般的に用いられている手法では、例えば図7に示すように、試料5の軸立て(傾き調整)を行ない(ステップA10)、その後、試料台回転機構3と検出器回転機構7を連動させ、1:2の割合で動作させながら、各2θ位置における反射X線6の強度を取得することによって、X線反射率プロファイルを得る(ステップA20)。そして、このようにして得られたX線反射率プロファイルと理論計算を一致させることで、例えば膜厚、密度、ラフネス等の情報を得る(ステップA30)。
一方、分析の専門家などは、このような従来のX線反射率測定装置を用いて、例えば図8のフローチャートに示すようにして測定を実施する。
上述の一般的に用いられている手法との違いは、いくつかの角度で検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係を確認し、その結果に基づき、測定方法を変える点である。
つまり、まず、試料5の軸立て(傾き調整)を行なう(ステップB10)。そして、2θとωのカップリングを数点で確認し(ステップB20)、この結果、2θとωのカップリングが維持されている場合は、2θ/ωスキャン法によって測定を行なって、反射率プロファイルを取得する(ステップB30)。一方、2θとωのカップリングが維持されていない場合は、2θを変えながら、即ち、2θを変える毎に、ωスキャンを行なって反射X線6の強度データを取得する(ステップB40)。そして、各2θにおけるωスキャンによって得られた反射X線6の最大強度を取り出してX線反射率プロファイルを作成する(ステップB50)。その後、このようにして得られたX線反射率プロファイルと理論計算を一致させることで、例えば膜厚、密度、ラフネス等の情報を得る(ステップB60)。
ここで、いくつかの角度(2θ位置)で確認を行なう理由は、試料5の種類によって、図9(A)〜(D)に示したように、X線反射率プロファイルの測定角度範囲(ここでは2θ=0〜5°)の全領域において、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が維持される場合[図9(A)、図9(B)参照]と、維持されない場合[図9(C)、図9(D)参照]があるためである。
これらの関係が維持される場合[図9(A)、図9(B)参照]には、上述の一般的に用いられている手法と同様に、2θ/ωスキャン法によって測定を行なう。つまり、これらの関係が維持される場合には、2θ/ωスキャン法によって測定を行なうことで、図9(A)、図9(B)中、点線に沿って測定が行なわれ、最大強度に沿った正しいX線反射率プロファイルが取得される。
一方、これらの関係が維持されない場合[図9(C)、図9(D)参照]には、2θ/ωスキャン法によって測定を行なうことによって、正しいX線反射率プロファイルを得ることができない。つまり、これらの関係が維持されない場合には、2θ/ωスキャン法によって測定を行なうと、図9(C)、図9(D)中、点線に沿って測定が行なわれるため、最大強度に沿った正しいX線反射率プロファイルが取得されない。この結果、誤った膜厚、密度、ラフネス等の情報が得られることになる。
このため、検出器回転機構(2θ軸)7を変える毎に、試料台回転機構(ω軸)3を走査し、その最大強度を取得することによって、最大強度に沿った正しいX線反射率プロファイルを取得する。この場合、マッピング測定によって、図9(A)、図9(B)に示すような上述の関係が維持される場合と同様の結果が得られることになる。
しかしながら、このような手法では、正しいX線反射率プロファイルを得ることができる反面、測定時間が、上述の一般的に用いられている手法の約10倍程度必要になるという難点がある。
ところで、従来のX線反射率測定装置を用いて、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が、測定範囲の全領域において維持されない場合[図9(C)、図9(D)参照]においても、以下のようにして、強度の最大値に沿った正しいX線反射率プロファイルを取得することが考えられる。
つまり、まず、図10(A)に示すように、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が少しずれている(ωが大き過ぎる)状態になった場合、従来の装置では、X線強度検出器9を用いて、強度情報のみしか得ることができないため、ある角度において、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が維持されているか否かを判別することができない。
そこで、これを判別のために、とりあえず、試料台回転機構(ω軸)3をどちらかに動かす必要がある。
ここで、図10(B)は、試料台回転機構(ω軸)3が大きくなるように動かした結果、誤った方向に動かしてしまった例を図示している。
図10(C)は、図10(B)に示す結果をもとに、正しい方向(ωが小さくなる方向)へと試料台回転機構(ω軸)3を動かした例を図示している。
このような動作は、検出器回転機構(2θ軸)7を変える毎に、実行する必要があり、また、動かす方向についても正しい方向と誤った方向が1/2ずつの確率で現れることになる。
また、正しい方向へ動かした場合であっても、従来の装置に備えられているX線強度検出器9は、ある角度において、その強度が最大であるか否かを判別することはできない。
このため、試料台回転機構(ω軸)3が正しい角度になってもそれを知り得ないため、さらに同じ方向に行き過ぎてしまうようにして、ピーク強度を確認する必要がある。
このようにして、図10(D)に示すように、正しい試料台回転機構(ω軸)3へ移動させることができる。
このように、従来のX線反射率測定装置を用いて、2θ/ωスキャン法によって、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が正しく維持されるように調整を行ないながら測定するには、即ち、最大強度に沿って正しく自動測定されるようにするためには、図10(A)〜図10(D)に示す動作を2θ毎に行なわなければならない。
このような複雑なステップを行なうこととすると、多くの測定時間が必要となり、上述のマッピング測定を行なう場合と同様に、多くの測定時間がかかってしまうことになる。
このように、従来のX線反射率測定装置を用いて、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が維持されない試料5の測定を、短時間で行なうことは非常に困難である。
特に、時間の制約が強い工場の製品検査においては、自動的に短時間で正しいX線反射率プロファイルが得られるようにすることが望まれる。
そこで、上述のように、ビーム位置検出器17をX線強度検出器9と一体回転するように設け、ビーム位置検出器17によって検出されたビーム位置に基づいて試料台4を傾き方向に回転させるようにして、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係が自動的に維持され、短時間で正しいX線反射率プロファイルが得られるようにしている。
したがって、本実施形態にかかるX線反射率測定装置及びX線反射率測定方法によれば、短時間で、正しいX線反射率プロファイルを得ることができるという利点がある。
特に、通常の2θ/ωスキャン法を用いて正しいX線反射率プロファイルが得られない試料5に対し、従来の装置を用いる場合には、2θ毎にω軸を走査し、最大値を得るのに多くの時間を必要としていた。これに対し、上述の実施形態のものでは、検出器回転機構(2θ軸)7と試料台回転機構(ω軸)3の関係のずれを自動的に検知し、さらに補正し、常に最適な関係を維持することができるため、通常の2θ/ωスキャン法を用いて正しいX線反射率プロファイルが得られない試料5においても、通常の2θ/ωスキャン法を用いた場合と同じ時間で、自動的に短時間で信頼性のある正しいX線反射率プロファイルを得ることが可能となる。
特に、時間の制約が強い工場の製品検査において、自動的に短時間で正しいX線反射率プロファイルが得られるX線反射率測定装置及び方法を提供することが可能となる。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば、上述の実施形態及び変形例では、ビーム位置検出器17として蛍光X線検出型の検出器を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、電極の片側が2分割された位置敏感型電離箱などを用いることもできる。
また、例えば、入射側スリット2や反射側スリット8は、ビームサイズを1方向のみ制限するものを例示しているが、これに限られるものではなく、例えば、ビームサイズを2方向制限するものを用いても良い。さらに、スリット2、8は、シングルスリットを例示しているが、これに限られるものではなく、例えば、ダブルスリットを用いても良い。
また、ピエゾ素子16の制御においては、コンピュータ13及びピエゾコントローラ19を用いる場合を例に挙げて説明しているが、より高速制御を行なうために、専用ボードを用いるようにしても良い。
また、上述の実施形態の装置(図1、図2参照)では、ω軸及び2θ軸の2軸のみを制御する場合を例示しているが、これに限られるものではなく、例えば、あおり角χ軸、面内回転φ軸、試料高さZ軸、試料傾き調整Rx、Ry軸、スリット位置及び開口調整軸等の制御を追加して行なうものであっても良い。さらに、ソーラースリットやX線強度減衰板及びこれらの制御軸を追加したものとしても良い。
以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器と、
前記X線強度検出器に対して前記試料側に設けられ、前記反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器と、
前記X線強度検出器及びビーム位置検出器を一体回転させる検出器回転機構と、
前記試料台を傾き方向に回転させる試料台回転機構と、
前記検出器回転機構を制御するとともに、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記試料台回転機構を制御し、前記X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るコンピュータとを備えることを特徴とするX線反射率測定装置。
(付記2)
前記X線強度検出器と前記ビーム位置検出器との間に設けられ、前記反射X線のビームサイズを制限するスリット機構を備え、
前記検出器回転機構が、前記スリット機構を前記X線強度検出器及び前記ビーム位置検出器とともに一体回転させることを特徴とする、付記1に記載のX線反射率測定装置。
(付記3)
前記コンピュータは、前記スリット機構を通過し、前記X線強度検出器によって検出される前記反射X線の強度が最大になるビーム位置を基準位置として、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置が前記基準位置になるように前記試料台回転機構を制御することを特徴とする、付記2に記載のX線反射率測定装置。
(付記4)
前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部を備え、
前記コンピュータは、前記検出器回転機構を制御するとともに、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記パルスモータ駆動部を制御することを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載のX線反射率測定装置。
(付記5)
前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部と、ピエゾ素子及び前記ピエゾ素子を駆動するピエゾ素子駆動部とを備え、
前記コンピュータは、前記検出器回転機構及び前記パルスモータ駆動部を制御しながら、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記ピエゾ素子駆動部を制御することを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載のX線反射率測定装置。
(付記6)
前記コンピュータは、2θ/ωスキャン法に基づいて前記検出器回転機構及び前記パルスモータ駆動部を制御することを特徴とする、付記5に記載のX線反射率測定装置。
(付記7)
検出器回転機構によって、試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器、及び、前記X線強度検出器に対して前記試料側に設けられ、前記反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器を一体回転させ、
試料台回転機構によって、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて、前記試料台を傾き方向に回転させ、
前記X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得ることを特徴とするX線反射率測定方法。
(付記8)
前記検出器回転機構によって、前記X線強度検出器、前記ビーム位置検出器、及び、前記X線強度検出器と前記ビーム位置検出器との間に設けられ、前記反射X線のビームサイズを制限するスリット機構を一体回転させ、
前記試料台回転機構によって、前記スリット機構を通過し、前記X線強度検出器によって検出される前記反射X線の強度が最大になるビーム位置を基準位置として、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置が前記基準位置になるように、前記試料台を傾き方向に回転させることを特徴とする、付記7に記載のX線反射率測定方法。
(付記9)
前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部を備え、
前記パルスモータ及び前記パルスモータ駆動部によって、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて、前記試料台を傾き方向に回転させることを特徴とする、付記7又は8に記載のX線反射率測定方法。
(付記10)
前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部と、ピエゾ素子及び前記ピエゾ素子を駆動するピエゾ素子駆動部とを備え、
前記検出器回転機構によって前記X線強度検出器及び前記ビーム位置検出器を一体回転させるとともに、前記パルスモータ及び前記パルスモータ駆動部によって前記試料台を傾き方向に回転させながら、前記ピエゾ素子及び前記ピエゾ素子駆動部によって前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記試料台を傾き方向に回転させることを特徴とする、付記7又は8に記載のX線反射率測定方法。
(付記11)
2θ/ωスキャン法に基づいて、前記検出器回転機構によって前記X線強度検出器及び前記ビーム位置検出器を一体回転させるとともに、前記パルスモータ及び前記パルスモータ駆動部によって前記試料台を傾き方向に回転させることを特徴とする、付記10に記載のX線反射率測定方法。
1 単色X線(入射X線)
2 入射側スリット
3 試料台回転機構(ω軸)
4 試料台
5 試料(分析試料)
6 反射X線
7 検出器回転機構(2θ軸)
8 反射側スリット(検出器前スリット)
9 X線強度検出器
10A、10B 電流アンプ
11 シングルチャネルアナライザ(SCA)
12A、12B スケーラ
13 コンピュータ
14 記憶装置
16、16A、16B ピエゾ素子
17 ビーム位置検出器
18 V/Fコンバータ
19 ピエゾコントローラ
20A フォトダイオード
20B フォトダイオード
21 金属箔
22 蛍光X線
23 ω回転部
24 2θ回転部
25 アーム
26 パルスモータ駆動部
27 パルスモータコントローラ
28 ドライバ
29 パルスモータ駆動部
30 ドライバ

Claims (7)

  1. 試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器と、
    前記X線強度検出器に対して前記試料側に設けられ、前記反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器と、
    前記X線強度検出器及びビーム位置検出器を一体回転させる検出器回転機構と、
    前記試料台を傾き方向に回転させる試料台回転機構と、
    前記検出器回転機構を制御するとともに、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記試料台回転機構を制御し、前記X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得るコンピュータとを備えることを特徴とするX線反射率測定装置。
  2. 前記X線強度検出器と前記ビーム位置検出器との間に設けられ、前記反射X線のビームサイズを制限するスリット機構を備え、
    前記検出器回転機構が、前記スリット機構を前記X線強度検出器及び前記ビーム位置検出器と一体回転させることを特徴とする、請求項1に記載のX線反射率測定装置。
  3. 前記コンピュータは、前記スリット機構を通過し、前記X線強度検出器によって検出される前記反射X線の強度が最大になるビーム位置を基準位置として、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置が前記基準位置になるように前記試料台回転機構を制御することを特徴とする、請求項2に記載のX線反射率測定装置。
  4. 前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部を備え、
    前記コンピュータは、前記検出器回転機構を制御するとともに、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記パルスモータ駆動部を制御することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のX線反射率測定装置。
  5. 前記試料台回転機構として、パルスモータ及び前記パルスモータを駆動するパルスモータ駆動部と、ピエゾ素子及び前記ピエゾ素子を駆動するピエゾ素子駆動部とを備え、
    前記コンピュータは、前記検出器回転機構及び前記パルスモータ駆動部を制御しながら、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて前記ピエゾ素子駆動部を制御することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のX線反射率測定装置。
  6. 前記コンピュータは、2θ/ωスキャン法に基づいて前記検出器回転機構及び前記パルスモータ駆動部を制御することを特徴とする、請求項5に記載のX線反射率測定装置。
  7. 検出器回転機構によって、試料台に載せられた試料で反射した反射X線の強度を検出するX線強度検出器、及び、前記X線強度検出器に対して前記試料側に設けられ、前記反射X線のビーム位置を検出するビーム位置検出器を一体回転させ、
    試料台回転機構によって、前記ビーム位置検出器によって検出されたビーム位置に基づいて、前記試料台を傾き方向に回転させ、
    前記X線強度検出器によって検出されたX線強度に基づいてX線反射率プロファイルを得ることを特徴とするX線反射率測定方法。
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