JPH08136479A - 全反射蛍光x線分析装置 - Google Patents
全反射蛍光x線分析装置Info
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- JPH08136479A JPH08136479A JP27397694A JP27397694A JPH08136479A JP H08136479 A JPH08136479 A JP H08136479A JP 27397694 A JP27397694 A JP 27397694A JP 27397694 A JP27397694 A JP 27397694A JP H08136479 A JPH08136479 A JP H08136479A
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Abstract
つ、励起X線のスペクトルを簡単に切換えることができ
る全反射蛍光X線分析装置を提供する。 【構成】 全反射蛍光X線分析装置は、複数のX線源
1、2、3を搭載する移動ステージ4と、試料SPを真
空空間に収納する試料室11と、試料SPから発生する
蛍光X線を検出するX線検出器20と、試料室11を通
過したX線の強度を計測するX線検出器17などで構成
され、X線管1a、2a、3aの陽極材料は相互に異な
り、互いにスペクトルが異なるX線を発生する。励起X
線を切換える場合、ステージ駆動部5によって移動ステ
ージ4を駆動して、X線源1、2、3のうち何れかの出
射窓がX線窓12と向かい合うように位置決めする。
Description
して、試料から発生する蛍光X線を検出することによっ
て、試料の組成、特に試料表面の汚染物質の分析を行う
全反射蛍光X線分析装置に関する。
する半導体ウエハなどの試料に向けて、低い入射角度で
X線を照射することによって、試料の表面近傍に存在す
る元素からの蛍光X線を検出する全反射蛍光X線分析装
置が知られており、励起X線を試料表面で全反射させる
ことによって、試料表面近傍のみの情報を高いS/N比
で得ることができる。
続X線と陽極材料に依存する固有X線とが重複したもの
となる。そこで、励起X線の単色化のために、X線管の
陽極から発生したX線を分光結晶を用いたモノクロメー
タ等の分光手段によって分光する方法が提案されており
(特願平1−272124号)、分析対象元素のエネル
ギー領域でのバックグランドX線を著しく低減化でき、
検出感度を大きく改善している。
蛍光X線分析装置では、1)励起に使用するX線のエネ
ルギーより高いX線吸収端エネルギーを持つ元素は分析
不可能であり、2)励起に使用するX線のエネルギーよ
りはるかに低いX線吸収端エネルギーを持つ元素は、励
起効率が低下するため分析感度が悪くなる、という制約
があり、そのためX線管の陽極材料が固定されると、分
析可能な元素がある程度限られることになる。
検出感度を得ようとすると励起X線のエネルギーを切換
え可能にすることが好ましい。たとえば、一方の陽極材
料がW(タングステン)で、他方の陽極材料がMo(モ
リブデン)である2つのX線源を用意して、各X線源か
ら発生するX線を試料の分析領域で交差するように配置
し、分析対象元素に応じて使用するX線源を切替えるよ
うに構成した装置が考えられる。さらに、分析対象元素
を幅広く確保するためには、陽極材料の異なるX線管を
3つ以上設置することによって、複数の励起X線スペク
トルを選択的に照射する必要がある。
料に対して低い角度で照射しようとすると、試料の周囲
空間が複数のX線照射系で埋まってしまい、試料搬送機
構との機械的干渉が起こる。そのため、試料搬送機構を
優先させると、確保できるX線ビーム入射方向の開き角
度は、せいぜい30度程度が限界となる。この30度と
いう開き角度の中に3つ以上のX線ビームを配置しよう
とすると、X線源どうしが干渉する。この干渉を回避し
ようとすると、X線源から試料までの距離を長くさぜる
を得ず、励起X線の強度低下をもたらし、検出感度の点
から好ましくない。
ほぼ一定に保ちつつ、励起X線のスペクトルを簡単に切
換えることができる全反射蛍光X線分析装置を提供する
ことである。
X線を絞るスリットが一体的に設けられ、互いにスペク
トルが異なるX線を発生するための複数のX線源と、複
数のX線源を搭載する移動ステージと、移動ステージを
駆動して、使用するX線源を選択するためのステージ駆
動手段と、選択されたX線源からのX線を試料表面で全
反射するように照射して、試料から発生する蛍光X線を
検出するためのX線検出器と、試料の姿勢を調整するた
めの試料保持手段とを備えることを特徴とする全反射蛍
光X線分析装置である。また本発明は、試料表面で全反
射したX線を絞るための第2スリットと、第2スリット
を通過したX線の強度を計測するためのX線強度計測手
段と、X線源の切換えに応じて、第2スリットの開口位
置を調整するためのスリット調整手段とを備えることを
特徴とする。
線を発生する複数のX線源が移動ステージに搭載され、
この移動ステージを移動させることによって、試料を照
射するX線が切り替わるため、励起X線スペクトルを簡
単に変更することができる。また、各X線源にはX線管
およびX線を絞るスリットが一体的に設けられているた
め、X線管とスリットとの相対的な位置変動を極力抑え
ることができる。さらに、各X線源のX線出射位置およ
び方向を規格化することによって、ステージ移動だけで
X線の切換えが可能になり、しかも試料へのX線入射条
件をほぼ一定に保つことができる。
表面で全反射するように照射することによって、試料表
面近傍からの情報が得られ、蛍光X線スペクトルを解析
することによって、たとえば表面汚染元素の特定が実現
する。さらに、試料の姿勢を調整することによって、X
線入射角度の微調整が可能になる。
を計測することによって、X線入射角度が全反射角度に
設定されているかを監視することができる。このような
X線強度計測手段の入射側にX線を絞るための第2スリ
ットが設置され、X線源の切換えと連動して第2スリッ
トの間隔を調整することによって、X線源の切換えによ
って生ずるX線ビームの軸振れに対処でき、安定したX
線強度計測が可能になる。
り、図2はその平面図である。全反射蛍光X線分析装置
は、複数のX線源1、2、3を搭載する移動ステージ4
と、試料SPを真空空間に収納する試料室11と、試料
SPから発生する蛍光X線を検出するX線検出器20
と、試料室11を通過したX線の強度を計測するX線検
出器17などで構成される。
と、X線管1aから発生したX線の中から単一の特性X
線を分離するための分光結晶1bと、分光結晶1bで所
定方向に回折したX線を取出すためのスリット1cと、
X線を外部信号によって遮断するためのシャッタ1dな
どを備える。X線源2は、X線源1と同様に、X線管2
a、分光結晶2b、スリット2c、シャッタ2dなどを
備える。また、X線源3は、分光結晶を使用しない構成
であって、X線管3a、スリット3c、シャッタ3dな
どを備える。
カンジウム、クロム、タングステン、モリブデンなど形
成され、互いにスペクトルが異なるX線を発生するため
に、相互に異なる陽極材料が用いられる。分光結晶1
b、2bは、人工累積膜やフッ化リチウム、グラファイ
トなどで形成され、特定の結晶面で特定波長のX線回折
条件を満足するように配置される。なお、X線源3で
は、X線管3aで発生したX線スペクトルがそのまま出
力されることになる。
ぼ同一になるように形成され、X線を出射する出射窓の
高さおよびX線出射方向が平行になるように規格化され
ている。こうして分光結晶やスリットなどのように高い
位置精度が要求される部品がX線管と一体的に組み込ま
れているため、相対的な位置ずれを防止できる。
4に直線状に配置される。移動ステージ4は直線ガイド
6によって直線移動自在に案内され、モータ等のステー
ジ駆動部5によって基台10上を走行し、任意位置で停
止するように制御される。
空間が真空状態を保持できるように気密構造が採られて
いる。試料室11の対向する壁には、X線を通過させる
ためのX線窓12、13が設けられる。試料室11の内
部には、半導体ウエハ等の試料SPの高さや向き等の姿
勢を調整するための試料駆動部14が設置され、さらに
試料SPを静電気によって保持する静電チャック14a
が試料駆動部14の可動部に固定されている。
発生する蛍光X線を出来る限り多く検出するため、試料
SPの直上付近に設置される。なお、X線検出器20は
液体窒素等の冷却媒体によって低温に保つ必要があるた
め、冷却タンクが試料室11の外部に突出している。
れたX線ビームXBは、試料SPの表面に対して全反射
角度で入射する。試料SPに対するX線入射角度は、試
料駆動部14が試料SPの姿勢を調整することによっ
て、微調整される。試料SPで反射したX線ビームXB
は、X線窓13から外部に出て、スリット15を介して
X線検出器17に到達する。
線ビームXBの強度を計測するものであり、試料駆動部
14によって試料SPの姿勢を微調整しながら計測し
て、強度が最大になった時点を全反射角度として設定す
ることができる。スリット15は、X線ビームXBの通
過位置を制限するものであり、その開口位置はスリット
調整部16によって調整される。
部5によって移動ステージ4を駆動して、X線源1、
2、3のうち何れかの出射窓がX線窓12と向かい合う
ように位置決めする。
示すブロック図である。まず信号処理系について説明す
る。ここではエネルギー分散方式を用いる例を説明する
が、本発明は波長分散方式などの他の分光方式であって
も構わない。
線ビームXBが、試料SPの表面を照射すると、表面近
傍に存在する元素に応じた蛍光X線が発生する。蛍光X
線がX線検出器20の半導体検出器21に入射すると、
X線光子が電荷パルスに変換される。前置増幅器22
は、電荷パルスの時間積分値を波高に持つ階段状の電圧
パルスに変換して、比例増幅器23が電圧パルスの立上
がり幅に比例した波高を有するパルスに波形整形し、波
高分析器24が各波高値の計数率を測定して、データ処
理部25が波高分析器24で測定されたデータを処理し
て磁気ディスクに格納したり、画面表示や印刷を実行す
る。こうして蛍光X線のエネルギー分布を測定すること
によって蛍光X線のスペクトルが得られ、試料SPに付
着した元素および密度の分析が可能になる。
部26は、ステージ駆動部5、試料駆動部14、スリッ
ト調整部16、X線検出器17およびデータ処理部25
などと接続され、装置全体の動作を管理している。
部26に対して励起X線の種類を指示すると、制御部2
6はステージ駆動部5に指示して移動ステージ4を位置
決めして、所望のX線源、たとえばX線源2を選択す
る。次に、制御部26が試料駆動部14に指示して、試
料SPがX線ビームXBを遮らないように試料SPを下
方へ退避させる。次に、X線源2のX線管2aを点灯
し、シャッタ2dを開いて、試料室11にX線ビームX
Bを導入し、X線検出器17でX線強度を計測する。次
に、X線検出器17でのX線強度が最大になるようにス
リット15の開口位置をたとえば上下方向に調整し、こ
のときの位置データをX線源2と対応させて制御部26
に記憶しておく。その後X線源2が再び選択された場合
は、制御部26に記憶された位置データに基づいてスリ
ット15の開口位置を調整するようにすれば迅速な調整
が可能になる。
PをX線ビームXBに対して全反射角度に設定する。そ
の手順の一例として、まず試料SPをX線入射側に所定
角度傾斜させておいて、試料SPを徐々に上昇させ、X
線検出器17での強度が半分になったところで停止す
る。次に、試料SPの傾斜角度を少し水平に近付けて、
再び試料SPを徐々に上昇させ、X線検出器17での強
度が半分になったところで停止する。これらの手順を繰
返して、X線ビームXBの中心軸と試料SPの表面を一
致させる。次に、試料SPに固有の全反射角度だけ試料
SPをX線入射側に傾斜させる。こうして試料SPの角
度設定が終了する。なお、試料SPの高さや角度等の姿
勢データは、制御部26にX線源と対応付けさせて記憶
しておいて、以後記憶されたデータを用いることによっ
て、迅速な試料位置調整が可能になる。なお、試料位置
調整の他の方法として、X線以外の光ビームを試料SP
に向けて照射して、反射する位置を受光素子で検出する
ことによっても、試料の姿勢を確認することができる。
ルに搭載されるX線源が3つである例を示したが、X線
源は2つ以上であればX線スペクトルの変更が可能にな
り、X線スペクトルの種類が多いほど分析範囲が拡大す
る。
料へのX線入射条件をほぼ一定に保った状態で、励起X
線のスペクトルを簡単に切換えることができる。
ットの間隔を調整することによって、X線ビームの軸振
れに対処できるため、安定したX線強度計測が可能にな
り、試料の姿勢制御を高精度に行うことができる。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 X線管およびX線を絞るスリットが一体
的に設けられ、互いにスペクトルが異なるX線を発生す
るための複数のX線源と、 複数のX線源を搭載する移動ステージと、 移動ステージを駆動して、使用するX線源を選択するた
めのステージ駆動手段と、 選択されたX線源からのX線を試料表面で全反射するよ
うに照射して、試料から発生する蛍光X線を検出するた
めのX線検出器と、 試料の姿勢を調整するための試料保持手段とを備えるこ
とを特徴とする全反射蛍光X線分析装置。 - 【請求項2】 試料表面で全反射したX線を絞るための
第2スリットと、 第2スリットを通過したX線の強度を計測するためのX
線強度計測手段と、 X線源の切換えに応じて、第2スリットの開口位置を調
整するためのスリット調整手段とを備えることを特徴と
する請求項1記載の全反射蛍光X線分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27397694A JP3583485B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 全反射蛍光x線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27397694A JP3583485B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 全反射蛍光x線分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08136479A true JPH08136479A (ja) | 1996-05-31 |
JP3583485B2 JP3583485B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=17535204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27397694A Expired - Lifetime JP3583485B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 全反射蛍光x線分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3583485B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10253554A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Rigaku Ind Co | 全反射蛍光x線分析装置 |
US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
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CN109342477A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-02-15 | 广州市怡文环境科技股份有限公司 | 一种用于txrf分析仪的自适应样品台反馈系统及控制方法 |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP27397694A patent/JP3583485B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN109342477A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-02-15 | 广州市怡文环境科技股份有限公司 | 一种用于txrf分析仪的自适应样品台反馈系统及控制方法 |
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JP3583485B2 (ja) | 2004-11-04 |
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