JP2010138383A - 重合体及びフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
R1は、水素原子又はメチル基を表す。
R2は、直鎖又は分岐の炭素数1〜6のアルキル基を表す。
mは、0〜15の整数を表す。mが2以上の整数を表す場合、複数のR2は同一であっても異なっていてもよい。)
R4は、直鎖又は分岐の炭素数1〜6のアルキル基を表す。
nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の整数を表す場合、複数のR4は同一であっても異なっていてもよい。)
R32及びR33は、互いに独立に、水素原子、メチル基又は水酸基を表す。
R34は、メチル基を表す。
n’は、0〜10の整数を表す。
Z’’は、単結合又は−[CH2]k1−COO−基を表す。k1は、1〜4の整数を表す。]
R10は、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数1〜4の炭化水素基を表す。
l’は、0〜9の整数を表す。l’が2以上のとき、複数のR10は、互いに同一でも異なってもよい。
Z’’は単結合又は−[CH2]k1−COO−基を表す。k1は、1〜4の整数を表す。]
本発明の重合体は、式(I)で表されるユニットと、式(II)で表されるユニットとを含有する。本明細書中、ユニットとは、重合体を構成する繰り返し単位のことをいう。
R1は、水素原子又はメチル基を表す。
R2は、直鎖又は分岐の炭素数1〜6のアルキル基を表す。
mは、0〜15の整数を表す。mが2以上の整数を表す場合、複数のR2は同一であっても異なっていてもよい。)
R7は、直鎖又は分岐の炭素数1〜6のアルキル基を表す。
sは、0〜14の整数を表す。mが2以上の整数を表す場合、複数のR7は同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、sは0である。
R4は、直鎖又は分岐の炭素数1〜6のアルキル基を表す。
nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の整数を表す場合、複数のR4は同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、nは0である。
R32及びR33は、互いに独立に、水素原子、メチル基又は水酸基を表す。
R34は、メチル基を表す。
n’は、0〜10の整数を表す。
Z’’は、単結合又は−[CH2]k1−COO−基を表す。k1は、1〜4の整数を表す。]
R9は、メチル基を表す。
lは、0〜5の整数を表す。lが2以上のとき、複数のR9は、互いに同一でも異なってもよい。
R10及びR11は、それぞれ独立に、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数1〜4の炭化水素基を表す。
l’及びl’’は、それぞれ独立に、0〜9の整数を表す。l’及びl’’が2以上のとき、複数のR10及びR11は、互いに同一でも異なってもよい。
Z’’は上記と同じ意味を表す。]
A+は有機対イオンを表す。B−は、対アニオンを示し、例えばBF4 −、AsF6 −、PF6 −、SbF6 −、SiF6 2−、ClO4 −、CF3SO3 −などのパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。B−としては、例えば特開第2003−5374号公報(例えば、下記式で表されるアニオン)に記載されているアニオンが挙げられる。
(式(V)中、R12は炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基又はシアノ基に置換されていてもよい。該炭化水素基に含まれるメチレン基は、−O−又は−COO−に置換されていてもよい。A+は有機対イオンを表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。)
A+−O3S−R13 (VIII)
式(VIII)中、R13は直鎖状又は分枝状の炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表し、A+は有機対イオンを表す。
トリフルオロメタンスルホネート、
ペンタフルオロエタンスルホネート、
ヘプタフルオロプロパンスルホネート、
パーフルオロブタンスルホネートなど。
ここで、式(IXz)は、下記式である。
式(IXz)で表されるカチオンの中でも、式(IXa)で表されるカチオンが好ましい。
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられ、該アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
式(IXb)は、ヨウ素カチオンを含む下記式である。
式(IXc)は、下記式である。
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。また、P6とP7とが結合して、アルキレン基などの炭素数3〜12の2価の炭化水素基を形成してもよい。
P8は、水素原子を表し、P9は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、又は、置換されていてもよい芳香環基(例えば、フェニル基、ベンジル基など)を表すか、あるいは、P8とP9とが結合して、アルキレン基などの炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。P9を表すアルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。前記シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。前記2価の炭化水素基に含まれるメチレン基は、いずれも、カルボニル基、酸素原子、又は硫黄原子に置換されていてもよい。
式(IXd)は、下記式である。
Bは、硫黄原子又は酸素原子を表す。mは、0又は1を表す。
式(IXz)で表されるカチオンA+の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
本発明のフォトレジスト組成物において、酸発生剤は単独で用いても複数種を併用してもよい。
本発明で用いる酸発生剤のなかでも、前述の式(VI)又は(VII)で表される酸発生剤が好ましく、さらに、下記の式(Xa)、(Xb)又は(Xc)で表される酸発生剤が、優れた解像度及びパターンの形状を示すフォトレジスト組成物を与えることからより好ましい。
また、T1〜T7において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
本発明のフォトレジスト組成物の、電子線又はEUVリソグラフィーに好適に用いることができる。
冷却管、温度計、攪拌器を備えた四つ口フラスコに1,4−ジオキサン29.1gを仕込み85℃に加温した。そこへモノマーA:19.2g、モノマーB29.6g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル):5.3gを1,4−ジオキサン43.6gに溶解した液を1時間掛けて滴下した。83℃を保ったまま6時間撹拌を継続した。その後1,4−ジオキサン53.3gで希釈した後、メタノール/水=7/3混合溶液に投入してデカントすることにより樹脂の析出物を得た。この析出物をメチルイソブチルケトン145gに溶解させた後、1%p−トルエンスルホン酸水溶液100gを加えて8時間撹拌した。その後分液水洗を行い、濃縮後プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて更に濃縮を行い、重合体A1のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):4.6×103、分散度(Mw/Mn):1.68、収率99%。
モノマーの仕込み量を、モノマーA:19.2g、モノマーB17.9g、モノマーC:4.2g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル):4.6gにした他は樹脂合成例1と同様の操作を行い、重合体A2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):4.6×103、分散度(Mw/Mn):1.78、収率100%。
モノマーの仕込み量を、モノマーA:19.2g、モノマーB17.9g、モノマーD:8.9g、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル):4.6gにした他は樹脂合成例1と同様の操作を行い、重合体A3のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):6.4×103、分散度(Mw/Mn):1.96、収率98%。
モノマーの仕込み量を、モノマーA:23.1g、モノマーB17.9g、モノマーE:4.7g、2,2‘−アゾビス(イソブチロニトリル):4.6gにした他は樹脂合成例1と同様の操作を行い、重合体A4のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):4.9×103、分散度(Mw/Mn):1.81、収率97%。
モノマーの仕込み量を、モノマーA:11.5g、モノマーB17.5g、モノマーE:7.1g、2,2‘−アゾビス(イソブチロニトリル):3.5gにした他は樹脂合成例1と同様の操作を行い、重合体A5のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):4.3×103、分散度(Mw/Mn):1.64、収率97%。
モノマーの仕込み量を、モノマーA:15.4g、モノマーB17.5g、モノマーC:6.3g、2,2‘−アゾビス(イソブチロニトリル):4.6gにした他は樹脂合成例1と同様の操作を行い、重合体A6のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。重量平均分子量(Mw):4.2×103、分散度(Mw/Mn):1.71、収率99%。
樹脂(B1);(メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル/p−ヒドロキシスチレン共重合体(両ユニットのモル比=20:80)については、特開2003−107708号に準じて合成を行った。
樹脂(B2);(メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル/p−ヒドロキシスチレン共重合体(両ユニットのモル比=30:70)については、特開2003−107708号に準じて合成を行った。
光酸発生剤P1:
トリフェニルスルホニウム 2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホナート
光酸発生剤P2:
N−(n−ブチルスルホニルオキシ)スクシンイミド
光酸発生剤P3:
トリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートを、特開2007−224008号に記載の方法に従って合成した。
光酸発生剤P4:
(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナート。
光酸発生剤P5:
トリフェニルスルホニウム=[3−(4−メチルフェニル)トリシクロ[3.3.1.13.7]デカン−1−メトキシカルボニル]ジフルオロメタンスルホナートを、特開2008−74843号に記載の方法に従って合成した。
クエンチャーQ1:2,6−ジイソプロピルアニリン
クエンチャーQ2:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
クエンチャーQ3:トリス(2−ヒドロキシ−3−プロピル)アミン
クエンチャーQ4:トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン
溶媒S1:
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 420部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 60部
溶媒S2:
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 450部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 40部
γ−ブチロラクトン 5部
溶媒S3:
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 380部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 150部
γ−ブチロラクトン 5部
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
レジスト 樹脂 光酸発生剤 クエンチャー 溶剤
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 A1=10部 P1/P2=1部/1部 Q1=0.055部 S1
実施例2 A2=10部 P1/P2=1部/1部 Q1=0.055部 S1
実施例3 A1=10部 P3=1.5部 Q1/Q2=0.075部/0.005部 S2
実施例4 A2=10部 P3=1.5部 Q1/Q2=0.075部/0.005部 S2
実施例5 A3=10部 P3=1.5部 Q1/Q2=0.075部/0.005部 S2
実施例6 A4=10部 P3=1.5部 Q1/Q2=0.075部/0.005部 S2
実施例7 A1/A2=5部/5部 P1=2部 Q1=0.07部 S3
実施例8 A1/A3=5部/5部 P5=4部 Q3=0.2部 S3
実施例9 A1/A4=5部/5部 P1/P2/P5=1部/1部/2部 Q4=0.15部 S3
実施例10 A2/B2=5部/5部 P3/P4=2部/2部 Q2=0.2部 S3
実施例11 A1/A2/A3/A4/B2=3.75部/2.5部/1.25部/1.25部/1.25部
P1/P2/P3/P4/P5=0.75部/0.25部/0.5部/0.5部/1.5部
Q1/Q2/Q3/Q4=0.0175部/0.05部/0.05部/0.0375部 S3
実施例12 A5=10部 P1=1.5部 Q1/Q2=0.04部/0.005部 S2
実施例13 A6=10部 P1=1.5部 Q1/Q2=0.05部/0.005部 S2
実施例14 A5=10部 P1=3部 Q1/Q2=0.08部/0.005部 S2
───────────────────────────────────────
比較例1 B1/B2=5部/5部 P1/P2=1部/1部 Q1=0.055部 S1
比較例2 B1/B2=5部/5部 P3=1.5部 Q1/Q2=0.075部/0.005部 S2
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90度で60秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表2の「PB」の欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔(株)日立製作所製の「HL−800D 50keV」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表2の「PEB」の欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。
解像度:実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示
した。
パターンの形状:実効感度の露光量で分離する0.10μmのラインアンドスペースパターンの形状が、矩形である場合を○、上部が溶けて高さが減っているものを×、上部が溶けて高さが減っていて、なおかつ側面の傾斜角が70度以下のものを××で表示した。
パターンのラインエッジラフネス(LER):0.08μmの1:1のラインアンドスペースパターンにおけるラインエッジラフネスを、走査型電子顕微鏡で上面より観察し、パターンの側壁のがたつき幅が軽微なものを○、パターンの側壁のがたつき幅が大きなものを×で表記する。
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 PB PEB 実効感度 解像度 パターン パターン
(μC) (nm) の形状 のLER
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 125℃ 110℃ 44 70 ○ ○
実施例2 125℃ 110℃ 46 70 ○ ○
実施例3 100℃ 100℃ 46 50 ○ ○
実施例4 100℃ 100℃ 50 50 ○ ○
実施例5 100℃ 100℃ 44 50 ○ ○
実施例6 95℃ 100℃ 42 50 ○ ○
実施例7 100℃ 100℃ 96 60 ○ ○
実施例8 100℃ 100℃ 40 50 ○ ○
実施例9 100℃ 100℃ 64 60 ○ ○
実施例10 100℃ 100℃ 36 50 ○ ○
実施例11 100℃ 100℃ 48 60 ○ ○
──────────────────────────────────
比較例1 125℃ 110℃ 10 70 × ×
比較例2 100℃ 100℃ 20 90 ×× ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表3のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。
解像度:実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示
した。
パターンの形状:実効感度の露光量で分離する0.04μmのラインアンドスペースパターンの形状が、矩形である場合を○、上部が溶けて高さが減っているものを×、上部が溶けて高さが減っていて、なおかつ側面の傾斜角が70度以下のものを××で表示した。
パターンのラインエッジラフネス(LER):0.04μmの1:1のラインアンドスペースパターンにおけるラインエッジラフネスを、走査型電子顕微鏡で上面より観察し、パターンの側壁のがたつき幅が軽微なものを○、パターンの側壁のがたつき幅が大きなものを×で表記する。
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 PB PEB 実効感度 解像度 パターン LER
(mJ/cm2) (nm) 形状
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例12 100℃ 100℃ 15 26 ○ ○
実施例13 100℃ 110℃ 10 28 ○ ○
実施例14 100℃ 100℃ 8 28 ○ ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Claims (8)
- スチレンに由来するユニットを含有する請求項1記載の重合体。
- 請求項1〜4のいずれか記載の重合体、及び、露光により酸を発生する酸発生剤、を含有するフォトレジスト組成物。
- 請求項1〜4のいずれか記載の重合体の、電子線又はEUV用フォトレジスト組成物への使用。
- 請求項5又は6記載のフォトレジスト組成物の、電子線又はEUVリソグラフィーのための使用。
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