JP4595275B2 - 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、遠紫外線(エキシマレーザー等を含む)、電子線、X線又は放射光のような高エネルギーの放射線によって作用するリソグラフィーなどに適したレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロンのパターン形成が要求されるようになっている。特に、フッ化クリプトン(KrF)又はフッ化アルゴン(ArF)からのエキシマレーザーを用いるリソグラフィーは、64M DRAMないし1G DRAMの製造を可能にすることから注目されている。このようなエキシマレーザーリソグラフィープロセスに適したレジストとして、化学増幅効果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが採用されつつある。化学増幅型レジストは、放射線の照射部で酸発生剤から発生した酸が、その後の熱処理(post exposure bake:以下、PEBと略すことがある。)によって拡散し、その酸を触媒とする反応により、照射部のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させるものであり、これによってポジ型のパターンを与える。
【0003】
化学増幅型のポジ型レジストは、それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用を受けてアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、及び酸発生剤を含有することを特徴とする。しかし、該樹脂がアダマンタン骨格を有する場合、特に解像性に優れるものの、そのような樹脂は高価であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、感度、解像度などの基本的な性能を落とさずにコストが低減された化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、このような目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、化学増幅型ポジ型レジストの樹脂成分として、それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、特定のアダマンタン骨格を有する保護基が酸の作用により解裂した後はアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、安価なポリ(p−ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の一部を、酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、もしくはヒドロキシル基の一部を水素で置き換えた樹脂とを混合することで、レジストの基本性能を大きく損なわずにコストを大幅に低減できることを見出し、本発明に至った。
【0006】
すなわち、本発明は、(A)p−ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位、及び式(1)もしくは式(2)
(式中、R1、R2は、それぞれ独立に水素またはメチル基を表し、R3〜R5は、それぞれ独立に炭素数1〜8のアルキル基を表す。)
で示される重合単位を有し、それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、並びに(B)ポリ(p−ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の一部を、酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、もしくはヒドロキシル基の一部を水素で置き換えた樹脂、並びに(C)酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物に係るものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト組成物において、樹脂成分の一つは、p−ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位、及び式(1)、式(2)のいずれかで示される重合単位を有し、それ自体ではアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶となるものである。
式(1)、式(2)において、R1、R2は、それぞれ独立に水素またはメチル基を表し、R3〜R5は、それぞれ独立に炭素数1〜8のアルキル基を表す。具体的には、R3としては、メチル又はエチルが挙げられ、R4、R5としては、メチル又はエチルが挙げられる。
該式(1)、式(2)で示される重合単位は、アルカリ水溶液に対しては溶解抑止能を持つ基(以下、保護基ということがある。)であるが、酸に対しては不安定な基である基を有し、該保護基は酸の作用により解裂する。これにより、該樹脂は、アルカリ水溶液に可溶となる。
該保護基としては、2−メチル−2−アダマンチル、2−エチル−2−アダマンチル、1−(1’−アダマンチル)メチルエチル、のような非芳香族環状化合物の残基などが挙げられ、これらの基が酸の作用を受けて、カルボキシル基の水素に置換することになる。これらの保護基は、公知の保護基導入反応によって、アクリル樹脂に導入することができる。また、このような基を有する不飽和化合物を一つのモノマーとする共重合によって、上記の樹脂を得ることもできる。
【0008】
本発明のレジスト組成物において、樹脂成分の一つは、(B)ポリ(p−ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の一部を、酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、もしくはヒドロキシル基の一部を水素で置き換えた樹脂である。
具体的には、(B)の樹脂がポリ(p−ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の10〜50モル%を、酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、もしくはヒドロキシル基の10〜50%を水素で置き換えた樹脂であることが好ましい。
【0009】
該保護基としては、例えば、炭素数1〜4のアルコキシ、アルキル部分の炭素数が1〜4のアルコキシカルボニル、全炭素数1〜5のアシル、全炭素数1〜5のアシルオキシなどを挙げることができる。アルコキシの具体例には、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどが包含され、アルコキシカルボニルにおけるアルコキシの具体例も同様であり、またアシルの具体例には、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ピバロイルなどが包含され、アシルオキシにおけるアシルの具体例も同様である。
【0010】
次に、本発明のポジ型レジスト組成物における酸発生剤は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生するものである。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用して、その樹脂中に存在する酸に不安定な基を解裂させることになる。このような酸発生剤には、例えば、オニウム塩化合物、s−トリアジン系の有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが包含される。具体的には、次のような化合物を挙げることができる。
【0011】
ジフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム テトラフルオロボレート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
【0012】
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、
4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンンスルホネート、
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
【0013】
2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(ベンゾ[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ブトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ペンチルオキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
【0014】
1−ベンゾイル−1−フェニルメチル p−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレート)、
2−ベンゾイル−2−ヒドロキシ−2−フェニルエチル p−トルエンスルホネート(通称α−メチロールベンゾイントシレート)、
1,2,3−ベンゼントリイル トリスメタンスルホネート、
2,6−ジニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
2−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
4−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
【0015】
ジフェニル ジスルホン、
ジ−p−トリル ジスルホン、
ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
【0016】
N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、
N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフタルイミドなど。
【0017】
また、本発明のポジ型レジスト組成物においては、有機塩基化合物、特に含窒素塩基性有機化合物をクェンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良できる。このような含窒素塩基性有機化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるアミン類を挙げることができる。
【0018】
【0019】
式中、R12、R13及びR18は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロアルキル又はアリールを表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリールは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましい。
R14、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましく、該アルコキシは、炭素数1〜6程度が好ましい。
R17は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシクロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましい。
Aは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、炭素数2〜6程度であることが好ましい。
また、R12〜R18において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
【0020】
さらには、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクェンチャーとすることもできる。
【0021】
本発明のレジスト組成物は、その中の全固形分量を基準に、p−ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位中に、式(1)又は式(2)で示される重合単位をもつ樹脂成分を50〜90重量%、酸により解裂しない保護基を部分的に有するポリ(p−ヒドロキシスチレン)樹脂を、10〜50重量%、酸発生剤を0.1〜20重量%の範囲で含有することが好ましい。
クェンチャーとしての含窒素塩基性有機化合物を含有させる場合は、同じくレジスト組成物中の全固形分量を基準に、10重量%以下の範囲で用いるのが好ましい。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
【0022】
本発明のレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、常法によりスピンコーティングなどの方法で塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で通常用いられているものであることができる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル又はピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン又はシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;3−メトキシ−1−ブタノールのようなアルコール類などが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。
【0023】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理(PEB)を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が用いられることが多い。
【0024】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した値である。
【0025】
合成例1:メタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレン共重合体(30:70)の合成
フラスコに、メタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチル59.6g(0.24モル)とp−アセトキシスチレン90.8g(0.56モル)とイソプロパノール279gを仕込んで窒素置換をし、75℃まで昇温した。その溶液に、ジメチル2,2’2−アゾビス(2−メチルプロピオネート)11.05g(0.048モル)をイソプロパノール22.11gに溶かしてから滴下した。75℃で約0.3時間、還流下で約12時間熟成した後、ACTで希釈し、メタノールにチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出した。得られたメタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレンとの共重合体の粗結晶は250gであった。
【0026】
合成例2:メタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−ヒドロキシスチレン共重合体(30:70)の合成
フラスコに、合成例1で得られたメタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレンとの共重合体(30:70)の粗結晶250gと4−ジメチルアミノピリジン10.8g(0.088 モル)とメタノール239gを仕込んで、還流下、20時間熟成した。冷却後、氷酢酸8.0g(0.133モル)で中和し、水にチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出した。その後、結晶をアセトンに溶かし、水にチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出し、この操作を計3回繰り返した後、得られた結晶を乾燥した。得られたメタアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−ヒドロキシスチレンとの共重合体の結晶は102.8gであった。また、重量平均分子量は約8200、分散度1.68(GPC法:ポリスチレン換算)であり、共重合比は核磁気共鳴(13C−NMR)分光計により、約30:70と求められた。この樹脂を樹脂A1とする。
【0027】
合成例3 メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル/p−アセトキシスチレン共重合体(20:80)の合成
フラスコに、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル39.7g(0.16モル)とp−アセトキシスチレン103.8g(0.64モル)とイソプロパノール265gを入れ、窒素雰囲気下にて75℃まで昇温した。その溶液に、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)11.05g(0.048モル)をイソプロパノール22.11gに溶かした溶液を滴下した。75℃で約0.3時間、還流下で約12時間熟成した後アセトンで希釈し、反応液を大量のメタノールに注いで重合物を沈殿させ、濾別した。得られたメタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレンとの共重合体は250g(ただし、メタノールを含んだウェットケーキの重量)であった。
【0028】
合成例4 メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル/p−ヒドロキシスチレン共重合体(20:80)の合成
フラスコに、合成例3で得られたメタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレンとの共重合体(20:80)250g、4−ジメチルアミノピリジン10.3g(0.084モル)およびメタノール202gを入れ、還流下にて20時間熟成した。冷却後、反応液を氷酢酸7.6g(0.126モル)で中和し、大量の水に注ぐことにより沈殿させた。析出した重合物を濾別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を計3回繰り返して精製した。得られたメタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−ヒドロキシスチレンとの共重合体は95.9gであった。また、重量平均分子量は約8600、分散度は1.65(GPC法:ポリスチレン換算)であり、共重合比は核磁気共鳴(13C−NMR)分光計により、約20:80と求められた。この樹脂を樹脂A2とする。
【0029】
合成例5: ポリヒドロキシスチレンの部分1−イソプロポキシの合成
ポリ(p−ビニルフェノール)〔日本曹達(株)製の“VP−2500”、重量平均分子量3,500、分散度1.3〕30.0部(ビニルフェノール単位として0.25モル)及びアセトン120部を反応容器に仕込み、攪拌して溶解させた。そこに無水炭酸カリウム29.6部(0.21モル)及びヨウ化イソプロピル18.2部(0.11モル)を仕込み、還流状態になるまで昇温した。引き続き還流状態を27時間維持した。冷却後、メチルイソブチルケトンを加えて有機層を2.0%蓚酸水溶液で4回洗浄し、その後イオン交換水で5回洗浄した。洗浄後の有機層を71部まで濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート206部を加えて、さらに88.6部まで濃縮した。この濃縮液の固形分含量は、加熱重量減少法により31.9重量%であった。また、1H−NMR測定から、反応後の樹脂では、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基のうち31.4%がイソプロピルエーテル化されていた。これを樹脂A3とする。
【0030】
合成例6:ポリヒドロキシスチレン部分1−ピバロイルオキシ化合物の合成1
ポリ(p−ビニルフェノール)〔トライクエスト社(株)製の“PHS−15E01”、重量平均分子量15000、分散度2.0〕20部(ビニルフェノール単位として0.17モル)及びアセトン200部を仕込み、攪拌して溶解させた後、トリエチルアミン6.3部(0.06モル)を加えて35℃に加熱した。この樹脂溶液に、ピバロイルクロリド5.0部(0.04モル、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基に対して0.25当量)を約10分かけて滴下した。35℃で1.5時間攪拌した後、メチルイソブチルケトン300部を加え、0.5%蓚酸水溶液による洗浄を3回行った。得られた有機層をさらにイオン交換水で洗浄し、分液する操作を5回行った。この有機層から樹脂溶液が70部になるまで溶媒を留去して濃縮した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200部を加えて、さらに69部まで濃縮した。この濃縮液の固形分含量は、加熱重量減少法により30.6重量%であった。また、1H−NMR測定から、反応後の樹脂では、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基のうち24.0%がピバロイル化されていた。これを樹脂A4とする。
【0031】
合成例7ポリヒドロキシスチレン部分1−ピバロイルオキシ化合物の合成2
ポリ(p−ビニルフェノール)〔丸善石油化学(株)製のリンカー M S−2P、重量平均分子量 6,700、分散度3.37〕30部(ビニルフェノール単位として0.25モル)及びアセトン300部を仕込み、攪拌して溶解させた後、トリエチルアミン9.5部(0.09モル)を加えて35℃に加熱した。この樹脂溶液に、ピバロイルクロリド7.5部(0.06モル、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基に対して0.25当量)を約10分かけて滴下した。35℃で3.0時間攪拌した後、メチルイソブチルケトン300部を加え、0.5%蓚酸水溶液による洗浄を3回行った。得られた有機層をさらにイオン交換水で洗浄し、分液する操作を5回行った。この有機層から樹脂溶液が85部になるまで溶媒を留去して濃縮した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200部を加えて、さらに83部まで濃縮した。この濃縮液の固形分含量は、加熱重量減少法により34.8重量%であった。また、1H−NMR測定から、反応後の樹脂では、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基のうち24.3%がピバロイル化されていた。これを樹脂A5とする。
【0032】
酸発生剤B1:ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン〔みどり化学(株)製の“DAM-301”〕
【0033】
酸発生剤B2:トリフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
【0034】
クェンチャーC1:2,6−ジイソプロピルアニリン
【0035】
実施例1〜4及び比較例1
表1に示される割合(固形分換算)で樹脂(合計13.5部、固形分換算)を混合し、クェンチャーC1を0.049部、酸発生剤B1を0.6部、酸発生剤B2を0.45部、希釈溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。
【0036】
有機反射防止膜(BARC)を塗布したシリコンウェハーに、回転塗布機を用いて上のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.42μmとなるように塗布した。有機反射防止膜は、Brewer社製の“DUV−42”を、215℃、60秒のベーク条件で600Åの厚さとなるように塗布して形成させた。レジスト液塗布後のプリベークは、110℃で60秒間ホットプレート上にて行った。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、KrFエキシマレーザー露光機〔(株)ニコン製の“NSR S203B”、NA=0.68、σ=0.75、2/3輪帯照明露光もしくは、(株)ニコン製の“NSR2205 EX12B”、NA=0.55、σ=0.8、2/3輪帯照明露光〕を用いて、ラインアンドスペースパターンを露光した。次にホットプレート上にて、表2に示される温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、以下の方法で実効感度、解像度及びプロファイルを調べ、その結果を表2に示した。
【0037】
実効感度: 露光機がS203Bの場合は0.15μm、EX12Bの場合は0.20μmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。
【0038】
解像度: 実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
【0039】
【表1】
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例No. 樹脂
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 A1/50% A3/50%
実施例2 A1/50% A4/50%
実施例3 A2/50% A4/50%
実施例4 A1/50% A5/50%
──────────────────────────────────
比較例1 A1/50% A2/50%
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0040】
【表2】
【0041】
【発明の効果】
本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、感度、解像度などの基本的な性能を大きく落とさずに大幅にコストを低減することができる。
Claims (3)
- 式(1)において、R1がメチルであり、R3がメチル又はエチルであり、式(2)において、R2がメチルであり、R4、R5がそれぞれ独立にメチル又はエチルである請求項1記載のレジスト組成物。
- (B)の樹脂がポリ(p−ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の10〜50モル%を、酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、もしくはヒドロキシル基の10〜50%を水素で置き換えた樹脂である請求項1記載のレジスト組成物。
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