JP2010062175A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 銅からなる配線7の表面および銅からなる柱状電極10の外周面には針状構造の酸化銅膜11が設けられている。これにより、酸化銅膜11が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜12が配線7の表面および柱状電極10の外周面から剥離しにくいようにすることができる。また、酸化銅膜11を形成する前に、配線7下以外の領域における導電性を有する変質層Cを完全に除去することにより、変質層Cに起因する配線7間でのショートの発生を確実に防止することができる。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記変質層除去工程は、前記配線下以外の領域における前記保護膜の上面側の一部を含んで除去することを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記酸化銅形成工程は、水酸化ナトリウムを含む第1の処理液と亜塩素酸ナトリウムを含む第2の処理液との混合液からなる処理液を用いて行うことを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記第1の処理液は10〜20wt%程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第2の処理液は15〜25wt%程度の亜塩素酸ナトリウムを含むことを特徴とするものである。
2 接続パッド
3 絶縁膜
4 保護膜
7 配線
8 下地金属層
9 上部金属層
10 柱状電極
11 酸化銅膜
12 封止膜
13 半田ボール
A 変質層A
C 変質層C
Claims (4)
- 上面に複数の接続パッドを有する半導体基板上に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に残存された前記保護膜の残渣をドライエッチング法により除去する残渣除去工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に形成された酸化膜を前記残渣除去工程時とは異なるドライエッチング法により除去する酸化膜除去工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記残渣除去工程および前記酸化膜除去工程に起因して前記保護膜の表面に形成された変質層の上面に銅を含む金属からなる配線を形成し、且つ、前記配線の接続パッド部上面に銅からなる柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、
前記配線下以外の領域における前記変質層を除去する変質層除去工程と、
前記配線の表面および前記柱状電極の表面に酸化銅膜を形成する酸化銅膜形成工程と、
を有し、前記変質層除去工程は前記酸化銅膜形成工程よりも前の工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記変質層除去工程は、前記配線下以外の領域における前記保護膜の上面側の一部を含んで除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記酸化銅形成工程は、水酸化ナトリウムを含む第1の処理液と亜塩素酸ナトリウムを含む第2の処理液との混合液からなる処理液を用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項3に記載の発明において、前記第1の処理液は10〜20wt%程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第2の処理液は15〜25wt%程度の亜塩素酸ナトリウムを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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