JP2011187969A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜5に開口部6を形成したとき、保護膜5の開口部6を介して露出された接続パッド2の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜5の上面側に凸凹構造の変質層Aが形成される。次に、開口部4、6を介して露出された接続パッド2の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Aがさらに変質して網目構造の変質層Cが形成される。次に、チタンなどからなる第1の下地金属層7を成膜する。この場合、第1の下地金属層7は網目構造の変質層Cの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。
【選択図】 図1
Description
2 接続パッド
3 絶縁膜
4 開口部
5 保護膜
6 開口部
7 第1の下地金属層
8 第2の下地金属層
9 配線
10 柱状電極
11 封止膜
12 半田ボール
A 変質層A
B 変質層B
C 変質層C
Claims (13)
- 上面に複数の接続パッドを有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、且つ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜と、前記保護膜の上面側にパターン形成された網目構造の変質層と、前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記変質層の上面に設けられた金属層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記保護膜は炭素、酸素、窒素、水素を含む樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記変質層は炭素、酸素、窒素、水素、アルゴンを含むものからなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記変質層の網目構造は、網目の直径が10〜500nm、網の太さが10〜200nm、層厚が10〜1000nmであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記金属層上に配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられ、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 上面に複数の接続パッドを有する半導体基板上に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に残存された前記保護膜の残渣を酸素プラズマアッシングにより除去し、当該酸素プラズマアッシングにより前記保護膜の上面層が変質された変質層Aが形成される工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に形成された酸化膜を、不活性ガスを用いたプラズマエッチングにより除去し、当該プラズマエッチングにより前記変質層Aが変質され、当該変質層よりも表面粗さが粗い変質層Cが形成される工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記変質層Cの上面に金属層をパターン形成する工程と、
前記金属層下以外の領域における前記変質層Cを酸素プラズマアッシングにより除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の発明において、前記変質層Cを除去する工程は前記金属層下以外の領域における前記保護膜の上面側の一部を含んで除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8に記載の発明において、前記変質層Cは、網目構造を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項10に記載の発明において、前記変質層の網目構造は、網目の直径が10〜500nm、網の太さが10〜200nm、層厚が10〜1000nmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8に記載の発明において、前記保護膜は炭素、酸素、窒素、水素を含む樹脂によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記不活性ガスはアルゴンガスであり、前記変質層Cは炭素、酸素、窒素、水素、アルゴンを含むものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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