JP2009539204A - ダミーsramセルのための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、一般的にはメモリに関し、特に、より一般的にはSRAMsと称されるスタティック・ランダム・アクセス・メモリに関する。
SRAMsは、特に小さなデバイス・ジオメトリを利用する高密度SRAMsは、一般的に、メモリ読み出しのために出力ドライブ能力を提供するためにセンスアンプを組み入れている。各センスアンプは、SRAMアレイにおける相補的ビット線(BLおよびBL’)の対応する対の間の差動電圧を検出する。メモリ・アレイから正確に感知されたビット・データを出力する動作はセンスアンプの整定時間に依存し、それは幾つかのプロセス関連変数および環境変数に依存する。
SRAM回路のダミー・ビット線で用いられるダミーSRAMセル(dummySRAM cell)は、ダミーSRAMセルをSRAMセルと同じトランジスタおよびレイアウトに基づかせることによって(実際の)SRAMセルと実質的に同じビット線電気特性を示すようにされることができる。例えば、SRAMセルからダミーSRAMセルを導出する1つの方法は、SRAMセル内の第1トランジスタのための金属層結線を、該第1トランジスタがダミー・ビット線出力回路として動作するように再構成することと、SRAMセル内の第2トランジスタのための金属層結線を、該第2トランジスタがダミー・ビット線出力回路のための電圧連絡回路(voltage tie circuit)として動作するように再構成することとを備える。
図1は、SRAMアレイ12と、読み出し/書き込み回路14と、本書で教示されるダミーSRAMセル方法および装置を用いて構成される1つ以上のダミー・ビット線回路16とを含むSRAM回路10を示す。非限定的な例として、SRAM回路10は、マイクロプロセッサ18において組み込みメモリ回路を構成する。他の実施態様においては、SRAM回路10は、FPGAあるいは他の複雑なプログラマブル論理装置のような他のタイプの集積回路装置に組み込まれる。他の実施態様においては、SRAM回路10は組み込まれない。
図4は、バック・ツー・バック・インバータ40および42のトランジスタ・ベースの構造を描くことによって更なる詳細を提供する。NFETトランジスタM3とPFETトランジスタM4とはインバータ40を構成し、トランジスタM5およびM6の同様のNFET/PFET対はインバータ42を構成する。各インバータのNFETトランジスタ、すなわちインバータ40のM3とインバータ42のM5とは、“プルダウン(pull-down)”デバイスと称されても良い。
さらに、本書で前述された遅延タイミングがプログラマブルであることに関して、図7は、3対のスタックド・プルダウン・トランジスタM10およびM12を備えたプログラマブルな遅延制御回路72の一実施態様を示す。各対の下側のM12トランジスタは3ビット・デジタル制御信号EN[0,1,2]のうちの1ビットによりゲーティングされ、各対の上側のM10トランジスタはダミーWL信号または他の協調アレイ・アクセス信号によりゲーティングされる。ダミー・ビット線負荷として構成されたダミーSRAMセル34は、ダミーWLがアサートされた時にダミー・ビット線32をプルダウンし、またプルダウン負荷の追加の“量”がプログラマブルな遅延制御回路72によって付け加えられる。
Claims (14)
- SRAM回路のダミー・ビット線上で使用されるダミーSRAMセルであって、
ダミー・ビット線出力回路として構成され、また、機能SRAMセル内の第1ビット線出力回路として構成された前記機能SRAMセル内の同様の第1トランジスタに対応する、第1トランジスタと、そして
前記ダミー・ビット線出力回路のための電圧連絡回路として構成され、また、前記機能SRAMセル内の第2ビット線出力回路の少なくとも一部として構成された前記機能SRAMセル内の同様の第2トランジスタに対応する、第2トランジスタと、
を備えるダミーSRAMセル。 - 前記電圧連絡回路は、前記ダミー・ビット線出力回路をダミー・ビット線負荷として構成するために、論理ロー電圧レールを前記ダミー・ビット線出力回路のトランジスタ・ゲート入力に結合させるロー連絡回路を備える、請求項1のダミーSRAMセル。
- 前記電圧連絡回路は、前記ダミー・ビット線出力回路をダミー・ビット線ドライバとして構成するために、論理ハイ電圧レールを前記ダミー・ビット線出力回路のトランジスタ・ゲート入力に結合させるハイ連絡回路を備える、請求項1のダミーSRAMセル。
- 前記ダミーSRAMセルの前記第1トランジスタ間の金属層配線は前記機能SRAMセルの前記同様の第1トランジスタ間に存在する実質的に同じ金属層配線を備え、前記ダミーSRAMセルの前記第2トランジスタ間の金属層配線は、前記ダミーSRAMセルの前記第2トランジスタが前記機能SRAMセルの前記第2ビット線出力回路としてではなくて前記ダミー・ビット線出力回路のための前記電圧連絡回路として機能するように、前記機能SRAMセルの前記同様の第2トランジスタに関連して変更されている金属層配線を備える、請求項1のダミーSRAMセル。
- SRAM回路であって、
データを格納するためのSRAMセルのアレイと、
機能SRAMセルの前記アレイへのアクセスを提供するための読み出し/書き込み回路と、そして
前記読み出し/書き込み回路と関連してタイミング信号を生成するための1つ以上のダミー・ビット線回路とを備え、各ダミー・ビット線回路は、ダミー・ビット線と、前記ダミー・ビット線に結合された幾つかのダミーSRAMセルとを含み、各前記ダミーSRAMセルは、
ダミー・ビット線出力回路として構成され、また、前記機能SRAMセル内の第1ビット線出力回路として構成された前記機能SRAMセル内の同様の第1トランジスタに対応する、第1トランジスタと、そして
前記ダミー・ビット線出力回路のための電圧連絡回路として構成され、また、前記機能SRAMセル内の第2ビット線出力回路の少なくとも一部として構成された前記機能SRAMセル内の同様の第2トランジスタに対応する、第2トランジスタと、
を備える、SRAM回路。 - 組み込まれたメモリとして前記SRAM回路を含むマイクロプロセッサをさらに備える、請求項5のSRAM回路。
- 前記幾つかのダミーSRAMセルは、ダミー・ビット線ドライバとして構成された1つのダミーSRAMセルと、ダミー・ビット線負荷として構成された1つ以上のダミーSRAMセルとを備える、請求項5のSRAM回路。
- 前記ダミー・ビット線回路は、前記ダミー・ビット線回路のために遅延タイミング調整を提供するように構成されたプログラマブルな遅延制御回路を含む、請求項7のSRAM回路。
- 前記プログラマブルな遅延制御回路は、前記1つ以上のダミー・ビット線ドライバをイネーブルすることと関連して0個、1個、またはより多くの並列プルダウン素子がイネーブルされ得るようにデジタル的にアドレス可能な、並列のプルダウン素子を備えている、請求項8のSRAM回路。
- 前記プログラマブルな遅延制御回路の前記並列のプルダウン素子は、前記SRAMセルに使用されている1つ以上のトランジスタのスケーリングされたバージョンを備える、請求項9のSRAM回路。
- 電子設計ライブラリ内のダミーSRAMセルであって、前記ダミーSRAMセルは、前記電子設計ライブラリにおいて定義されている標準的SRAMセルの改変されたバージョンを表し、前記ダミーSRAMセルは、
前記標準的SRAMセル内の同様の第1トランジスタに対応する第1トランジスタを用いて構成されたダミー・ビット線出力回路と、そして
前記ダミー・ビット線出力回路の電圧入力を所望の電圧信号に連絡するための電圧連絡回路とを備え、前記電圧連絡回路は、前記標準的SRAMセル内の同様の第2トランジスタに対応する第2トランジスタを用いて構成されている、ダミーSRAMセル。 - ダミーSRAMセルがビット線負荷に関して標準的SRAMセルと実質的に同様の電気的特性を示すように前記標準的SRAMセルから前記ダミーSRAMセルを導出する方法であって、
前記標準的SRAMセル内の第1トランジスタのための金属層結線を、前記第1トランジスタがダミー・ビット線出力回路として動作するように再構成することと、そして
前記標準的SRAMセル内の第2トランジスタのための金属層結線を、前記第2トランジスタが前記ダミー・ビット線出力回路のための電圧連絡回路として動作するように再構成することと、
を備える方法。 - 前記第1トランジスタのための金属層結線を再構成することは、前記ダミー・ビット線出力回路をダミー・ビット線負荷として構成するために前記金属層結線を再構成することを備え、前記第2トランジスタのための金属層結線を再構成することは、前記ダミー・ビット線負荷の入力をロー電圧レールに結合させるためのロー連絡回路として前記電圧連絡回路を構成するために前記金属層結線を再構成することを備える、請求項12の方法。
- 前記第1トランジスタのための金属層結線を再構成することは、前記ダミー・ビット線出力回路をダミー・ビット線ドライバとして構成するために前記金属層結線を再構成することを備え、前記第2トランジスタのための金属層結線を再構成することは、前記ダミー・ビット線負荷の入力をハイ電圧レールに結合させるためのハイ連絡回路として前記電圧連絡回路を構成するために前記金属層結線を再構成することを備える、請求項12の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015503818A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-02-02 | マーベル ワールド トレード リミテッド | センス増幅器のアクティブ化を修正するシステムおよび方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7855924B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-12-21 | Arm Limited | Data processing memory circuit having pull-down circuit with on/off configuration |
JP2008097787A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7755964B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-07-13 | Qualcomm Incorporated | Memory device with configurable delay tracking |
JP5093885B2 (ja) * | 2007-04-26 | 2012-12-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7646658B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-01-12 | Qualcomm Incorporated | Memory device with delay tracking for improved timing margin |
JP5262454B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-08-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ |
JP2010140534A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8279693B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-10-02 | Qualcomm Incorporated | Programmable tracking circuit for tracking semiconductor memory read current |
JP5539916B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9142274B2 (en) * | 2012-01-30 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tracking for write operations of memory devices |
CN103219036A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-07-24 | 西安华芯半导体有限公司 | 一个可调整的静态随机存储器自定时电路 |
US9099200B2 (en) | 2013-06-27 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | SRAM restore tracking circuit and method |
CN105336358B (zh) * | 2014-05-28 | 2019-01-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种sram存储单元、sram存储器及其控制方法 |
US10236055B1 (en) | 2014-12-12 | 2019-03-19 | Altera Corporation | Memory element write-assist circuitry with dummy bit lines |
US9858985B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual port SRAM cell |
US9865316B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-01-09 | Qualcomm Incorporated | Memory with a word line assertion delayed by a bit line discharge for write operations with improved write time and reduced write power |
CN107293323B (zh) * | 2016-04-05 | 2020-04-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 写操作追踪电路及包括写操作追踪电路的存储器 |
US9858217B1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-02 | Qualcomm Incorporated | Within-die special oscillator for tracking SRAM memory performance with global process variation, voltage and temperature |
TWI699781B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-07-21 | 聯華電子股份有限公司 | 靜態隨機存取記憶元件 |
CN109308920B (zh) * | 2017-07-27 | 2020-11-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 静态随机存取存储器阵列的供电控制电路 |
US20200135266A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-04-30 | Intel Corporation | Random-access memory with loaded capacitance |
US11694745B1 (en) | 2019-10-18 | 2023-07-04 | Gigajot Technology, Inc. | SRAM with small-footprint low bit-error-rate readout |
KR102483906B1 (ko) * | 2021-07-14 | 2022-12-30 | 서울시립대학교 산학협력단 | Nand 플래시 메모리와 sram이 융합된 nas 메모리 셀 및 이를 이용한 nas 메모리 어레이 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264590A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号発生回路 |
JPH02199850A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Nec Corp | ゲートアレイ半導体集積回路 |
JPH0448816A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JPH10177792A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-06-30 | Townsend & Townsend & Crew Llp | センスアンプタイミング回路 |
JP2002367377A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | スタティックram |
JP2003036678A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Fujitsu Ltd | セルフタイミング回路を有するスタティックメモリ |
JP2004071118A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Renesas Technology Corp | スタティック型半導体記憶装置 |
JP2004288306A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2005078714A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2006079692A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5091879A (en) * | 1989-02-14 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | BiCMOS static memory with improved performance stability |
JP3326560B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2002-09-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JP4272592B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2009-06-03 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2007328900A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スタティック型半導体記憶装置 |
-
2006
- 2006-06-01 US US11/421,497 patent/US7376032B2/en active Active
-
2007
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264590A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号発生回路 |
JPH02199850A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Nec Corp | ゲートアレイ半導体集積回路 |
JPH0448816A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JPH10177792A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-06-30 | Townsend & Townsend & Crew Llp | センスアンプタイミング回路 |
JP2002367377A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | スタティックram |
JP2003036678A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Fujitsu Ltd | セルフタイミング回路を有するスタティックメモリ |
JP2004071118A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Renesas Technology Corp | スタティック型半導体記憶装置 |
JP2004288306A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2005078714A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2006079692A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015503818A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-02-02 | マーベル ワールド トレード リミテッド | センス増幅器のアクティブ化を修正するシステムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007143458A3 (en) | 2008-05-02 |
US7376032B2 (en) | 2008-05-20 |
ATE544154T1 (de) | 2012-02-15 |
US20070280022A1 (en) | 2007-12-06 |
KR20090028568A (ko) | 2009-03-18 |
EP2024977B1 (en) | 2012-02-01 |
CN101454841A (zh) | 2009-06-10 |
KR101042094B1 (ko) | 2011-06-16 |
JP5265532B2 (ja) | 2013-08-14 |
WO2007143458A2 (en) | 2007-12-13 |
EP2024977A2 (en) | 2009-02-18 |
CN101454841B (zh) | 2013-05-08 |
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---|---|---|
JP5265532B2 (ja) | ダミーsramセルのための方法および装置 | |
US8867262B2 (en) | Semiconductor memory device | |
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