JP2009537996A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009537996A5
JP2009537996A5 JP2009511331A JP2009511331A JP2009537996A5 JP 2009537996 A5 JP2009537996 A5 JP 2009537996A5 JP 2009511331 A JP2009511331 A JP 2009511331A JP 2009511331 A JP2009511331 A JP 2009511331A JP 2009537996 A5 JP2009537996 A5 JP 2009537996A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength conversion
wavelength range
wavelength
conversion layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009511331A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009537996A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102006024165A external-priority patent/DE102006024165A1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2009537996A publication Critical patent/JP2009537996A/ja
Publication of JP2009537996A5 publication Critical patent/JP2009537996A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2009511331A 2006-05-23 2007-05-18 波長変換物質を有する光電子半導体素子、半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法 Pending JP2009537996A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006024165A DE102006024165A1 (de) 2006-05-23 2006-05-23 Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Wellenlängenkonversionsstoff sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem solchen Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips
PCT/DE2007/000898 WO2007134582A1 (de) 2006-05-23 2007-05-18 Optoelektronischer halbleiterchip mit einem wellenlängenkonversionsstoff sowie optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem solchen halbleiterchip und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterchips

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009537996A JP2009537996A (ja) 2009-10-29
JP2009537996A5 true JP2009537996A5 (enExample) 2011-09-15

Family

ID=38436763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009511331A Pending JP2009537996A (ja) 2006-05-23 2007-05-18 波長変換物質を有する光電子半導体素子、半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7982233B2 (enExample)
EP (1) EP2020038B1 (enExample)
JP (1) JP2009537996A (enExample)
KR (1) KR20090015987A (enExample)
CN (1) CN101490860B (enExample)
DE (1) DE102006024165A1 (enExample)
TW (1) TWI390765B (enExample)
WO (1) WO2007134582A1 (enExample)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009016585A2 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color conversion device
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
DE102008050643B4 (de) * 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
DE102008057720B4 (de) * 2008-11-17 2024-10-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
WO2010074987A2 (en) * 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Light generating device having double-sided wavelength converter
EP2380217A2 (en) 2008-12-24 2011-10-26 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR100993045B1 (ko) * 2009-10-23 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 칩 및 발광소자 패키지
KR101221870B1 (ko) * 2009-04-17 2013-01-15 한국전자통신연구원 태양 전지
JP5662939B2 (ja) * 2009-05-22 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置
US20110062468A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted light emitting diode device
KR101655463B1 (ko) * 2010-03-26 2016-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN102270732B (zh) * 2010-06-03 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 荧光层结构及其形成方法以及发光二极管封装结构
JP5635832B2 (ja) * 2010-08-05 2014-12-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2012042452A2 (en) 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
JP2013541220A (ja) * 2010-10-27 2013-11-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光デバイスの製造用のラミネート支持フィルム、及びその製造方法
TWI474520B (zh) * 2010-11-29 2015-02-21 Epistar Corp 發光裝置、混光裝置及其製造方法
JP5762044B2 (ja) * 2011-02-23 2015-08-12 三菱電機株式会社 発光装置及び発光装置群及び製造方法
DE102011111980A1 (de) 2011-08-29 2013-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
DE102012202927B4 (de) 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
CN102709280A (zh) * 2012-05-29 2012-10-03 宁波升谱光电半导体有限公司 一种cob集成光源模块
DE102012108704A1 (de) * 2012-09-17 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
KR20140038692A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 포항공과대학교 산학협력단 색변환 엘리먼트 및 그 제조방법
CN103852613B (zh) * 2012-11-29 2016-08-10 沈阳工业大学 一种辐射电流传感方法及专用传感器
DE102013205179A1 (de) 2013-03-25 2014-09-25 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102013207226A1 (de) * 2013-04-22 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip
JP2015002182A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 日立アプライアンス株式会社 照明装置
TW201503421A (zh) * 2013-07-15 2015-01-16 Ind Tech Res Inst 發光二極體晶粒
DE102013214896B4 (de) * 2013-07-30 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement
JP2015099911A (ja) * 2013-10-18 2015-05-28 株式会社エルム 蛍光体分離構造を備えた蛍光体含有フィルムおよびその製造方法
JP2015115480A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
DE102013114466A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2015170814A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 Lg Electronics Inc. Apparatus of light source for display and apparatus of display using the same
JP2016062899A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 半導体発光装置
KR101632291B1 (ko) * 2014-12-11 2016-06-21 전남대학교산학협력단 고효율 형광체플레이트 및 상기 형광체플레이트를 포함하는 led 응용제품
DE102015103835A1 (de) * 2015-03-16 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
CN104868026B (zh) * 2015-05-22 2019-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光元件
KR102140826B1 (ko) * 2016-06-13 2020-08-04 전남대학교산학협력단 고효율 형광체플레이트 및 상기 형광체플레이트의 제조방법
CN107611232B (zh) * 2017-08-21 2019-02-05 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
DE102017119872A1 (de) * 2017-08-30 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20220254962A1 (en) * 2021-02-11 2022-08-11 Creeled, Inc. Optical arrangements in cover structures for light emitting diode packages and related methods

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819409A (en) * 1972-07-26 1974-06-25 Westinghouse Electric Corp Method of manufacturing a display screen
DE29724582U1 (de) 1996-06-26 2002-07-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
WO1998031055A1 (en) 1997-01-09 1998-07-16 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5898185A (en) * 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5831277A (en) * 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
JP3691951B2 (ja) 1998-01-14 2005-09-07 東芝電子エンジニアリング株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE19955747A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
TW480744B (en) * 2000-03-14 2002-03-21 Lumileds Lighting Bv Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same
JP4447806B2 (ja) * 2001-09-26 2010-04-07 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2003298120A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Idec Izumi Corp 光源装置および蛍光パターンシート、それらの製造方法、ならびにそれを用いた液晶ディスプレイ装置、照明装置、掲示灯、表示灯および押しボタンスイッチ
JP2004133420A (ja) * 2002-09-20 2004-04-30 Seiko Epson Corp 光学デバイス及びその製造方法、表示装置、電子機器、並びに検査機器
KR100691143B1 (ko) 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US7884382B2 (en) * 2004-02-20 2011-02-08 GE Lighting Solutions, LLC Rules for efficient light sources using phosphor converted LEDs
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
US7045375B1 (en) * 2005-01-14 2006-05-16 Au Optronics Corporation White light emitting device and method of making same
US7321193B2 (en) * 2005-10-31 2008-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer
EP1964184A2 (en) 2005-12-14 2008-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Solid-state light source and method of producing light of a desired color point

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009537996A5 (enExample)
KR102337416B1 (ko) 컬러-바이-화이트 oled 디바이스용 나노구조체
KR102208719B1 (ko) 패턴화되고 구조화된 전사 테이프
KR102174276B1 (ko) 나노구조화된 전사 테이프의 사용방법 및 그로부터 제조된 제품
KR102307788B1 (ko) Oled 디바이스용 나노구조체
JP6567969B2 (ja) 三次元複雑多層構造物及びその製造方法
JP6883632B2 (ja) 発光デバイスを製造する方法
JP6100651B2 (ja) 樹脂製モールドおよび樹脂製モールドをインプリントして得られる光学素子の製造方法
JP2017033949A5 (enExample)
JP2010527144A5 (enExample)
JP2011513958A5 (enExample)
KR20180094057A (ko) Ｏｌｅｄ 조명의 추출 효율을 향상시키기 위한 다기능 계층적 나노 및 마이크로렌즈
JP2008072108A5 (enExample)
JP2008298962A5 (enExample)
CN111257997B (zh) 一种批量制作增强现实光栅波导的方法
US20120140329A1 (en) Light guide body with integral structure and method for making same
CN101607448A (zh) 用于生产光学部件的方法
JP2003302546A5 (enExample)
TW201249636A (en) Manufacturing a plurality of optical elements
JP2020062878A5 (enExample)
KR101363473B1 (ko) 무반사 나노구조층을 구비하는 고분자 렌즈 및 이의 제조 방법
RU2010113000A (ru) Способ получения слоистого материала для этикеток
CN207037298U (zh) 一种量子功能板
JP2016100594A (ja) パッケージ構造及びその製法と成形基材
CN112133472A (zh) 一种透明导电膜及其制作方法