JP2009533886A - バルク金属ガラスハンダ、発泡バルク金属ガラスハンダ、チップパッケージ内の発泡ハンダボンディングパッド、そのアセンブル方法、およびそれを含むシステム - Google Patents

バルク金属ガラスハンダ、発泡バルク金属ガラスハンダ、チップパッケージ内の発泡ハンダボンディングパッド、そのアセンブル方法、およびそれを含むシステム Download PDF

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Abstract

【課題】 バルク金属ガラスハンダ、発泡バルク金属ガラスハンダ、チップパッケージ内の発泡ハンダボンディングパッド、そのアセンブル方法、およびそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】 発泡バルク金属ガラス電気接続部が集積回路パッケージの基板に形成される。発泡バルク金属ガラス電気接続部は率が低く、衝撃荷重および動的荷重による亀裂に対する耐性を持つ。発泡バルク金属ガラス電気接続部は、集積回路デバイスと外部構造との間で通信を行うためのハンダバンプとして使用され得る。発泡バルク金属ガラス電気接続部を形成するプロセスは、バルク金属ガラスと発泡剤とを混合することを含む。
【選択図】 図１

Description

実施形態は広くは、集積回路の製造に関する。特に、集積回路の製造における電気接続に関する。
電気接続は、パッケージ集積回路（ＩＣ）において重要な部分である。ＩＣダイからは通常、プロセッサのようなマイクロエレクトロニクスデバイスが製造される。電気接続部はＩＣダイの動作中において熱応力にさらされる。また製造時および取り扱い時には、パッケージＩＣダイは電気接続部の信頼性を低減し得る物理的衝撃を受ける場合がある。
本発明の実施形態を実現するための方法を説明する目的で、添付図面に示した具体的な実施形態を参照しつつ、簡潔に上述した実施形態をより詳細に説明する。尚、添付図面は典型的な実施形態を示したものに過ぎず、図示されている内容は必ずしも実寸に沿ったものではないので、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではないことを理解されたい。本発明の実施形態を、添付図面に基づき、さらに詳細且つ具体的に説明する。添付図面を以下に説明する。
一実施形態に係る発泡ボンディングパッドを含む製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る発泡ボンディングフィンガー・配線を含む製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る発泡性のボンディングパッドと電気バンプとを含む製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る発泡メタライゼーションインターコネクトを含む製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る、発泡ボンディングパッドと電気バンプとを含み、ハンダシェル内に発泡ハンダコアとして電気バンプを有する製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る、ハンダ基板第２材料に配設される発泡ハンダコア第１材料を含む製品を示す立面断面図である。
一実施形態に係る発泡ＢＭＧを形成するプロセスを示す図である。
さまざまな実施形態に係る処理のフローを示すフローチャートである。
一実施形態に係る、多孔質ＢＭＧ電気接続部を形成するためのプロセスを示す図である。
一実施形態に係る、ＢＭＧ先駆体の処理を示すフローチャートである。
一実施形態に係るコンピュータシステムを示す切り欠き射視図である。
一実施形態に係るコンピュータシステムを示す概略図である。
本明細書で開示する実施形態は集積回路（ＩＣ）で利用されるバルク金属ガラス（ＢＭＧ）に関する。実施形態はさらに、閉セル状および網状のバルク金属ガラスハンダを形成するべく利用される、バルク金属ガラスの発泡ハンダ冶金技術に関する。
以下の説明では上方や下方、第１や第２といった用語が用いられるが、これらの用語は説明のために用いられているに過ぎず、本発明を限定するものと解釈されるべきではない。本明細書に記載する実施形態に係るデバイスまたは製品は、様々な位置および向きで、製造、使用および出荷することができる。「ダイ」および「チップ」という用語は一般的に、基本的な被処理物である物理的な物体を意味し、さまざまな処理を施すことによって所望の集積回路デバイスへと作り変えられる。ダイは通常ウェハから個別化され、ウェハは半導体材料、非半導体材料、または半導体材料および非半導体材料の組み合わせから構成され得る。ボードは通常、ダイ用の実装基板として利用される、樹脂含侵ガラス繊維構造体である。
本開示内容は、発泡電気接続部およびＢＭＧ電気接続部のうち少なくとも一方に関する。バルク金属ガラスは基本的に金属の組成を持っているが、従来の金属のような金属格子は形成していない。一実施形態によると、電気接続部とはボンディングパッドである。一実施形態によると、電気接続部は電気バンプである。一実施形態によると、電気接続部はメタライゼーションインターコネクトである。一実施形態によると、電気接続部は配線である。本開示において、マクロ構造として構成されている電気接続部は発泡電気接続部およびＢＭＧ電気接続部のうち少なくとも一方を含み得る。
一実施形態によると、電気接続部はＢＭＧ材料から成る。一実施形態によると、ＢＭＧはジルコニウム含有型ＢＭＧである。一実施形態によると、ＢＭＧはジルコニウム−アルミニウム含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これらに限定されないが、ジルコニウム−アルミニウム含有ＢＭＧには、ＺｒＡｌＣｕＯ、ＺｒＡｌＮｉＣｕＯ、ＺｒＴｉＡｌＮｉＣｕＯ、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ｃｒ，Ｍｏ）、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ）、ＺｒＡｌＮｉ（Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）、ＺｒＡｌＣｕＰｄおよびＺｒＡｌＣｕ（Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）がある。表１はジルコニウム−アルミニウム含有ＢＭＧの実施形態の例を示す。
Figure 2009533886
一実施形態によると、ＢＭＧはジルコニウム−ニッケル含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これらに限定されないが、ジルコニウム−ニッケル含有ＢＭＧには、ＺｒＮｉ（Ｆｅ，Ｃｏ）およびＺｒＮｉ（Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）が挙げられる。表２はジルコニウム−ニッケル含有ＢＭＧの実施形態の例を示す。
Figure 2009533886
一実施形態によると、ＢＭＧはジルコニウム−白金族含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これらに限定されないが、ジルコニウム−白金族含有ＢＭＧには、ＺｒＣｕＰｄ、ＺｒＰｄ、およびＺｒＰｔが挙げられる。表３はジルコニウム−白金族含有ＢＭＧの実施形態の例を示す。
Figure 2009533886
一実施形態によると、ＢＭＧはハフニウム含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これらに限定されないが、ハフニウム含有ＢＭＧには、ＨｆＡｌＮｉＣｕ、ＨｆＡｌＮｉＣｕＰｄ、ＨｆＡｌＮｉＡｇ、およびＨｆＣｕ（Ｐｄ，Ｐｔ）が挙げられる。表４はジルコニウム−ハフニウム含有ＢＭＧの実施形態の例を示す。
Figure 2009533886
一実施形態によると、ＢＭＧはチタン含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これらに限定されないが、チタン含有ＢＭＧには、ＴｉＺｒＮｉおよびＴｉＺｒＮｉＣｕが挙げられる。表５はジルコニウム含有ＢＭＧの実施形態の例を示す。
Figure 2009533886
一実施形態によると、ＢＭＧは鉄含有型ＢＭＧである。その中から選択したものを挙げると、これに限定されないが、鉄含有ＢＭＧにはＦｅ（Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ）Ｂが挙げられる。鉄含有ＢＭＧの実施形態の例（例２１）はＦｅ６０（Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ）１０Ｂ３０である。
一実施形態によると、電気接続部には、上述した種類のＢＭＧのうち少なくとも２つが組み合わせられて利用される。一実施形態によると、電気接続部には、上述した種類のＢＭＧのうち少なくとも３つが組み合わせられて利用される。一実施形態によると、電気接続部には、上述した種類のＢＭＧのうち少なくとも４つが組み合わせられて利用される。一実施形態によると、電気接続部には、上述した種類のＢＭＧのうち少なくとも５つが組み合わせられて利用される。
一実施形態によると、電気接続部は第１の材料から成る発泡ＢＭＧであり、発泡ＢＭＧの比較密度は約０．１から約０．９の範囲内である。「比較密度」とは、発泡ＢＭＧの密度を同一の材料から成る中実なＢＭＧと比較することを意味する。同一材料から成る中実なＢＭＧは、参考資料またはアルキメデス法によって得られるような、合金および純金属のような材料の古典物理学による密度を確認することで得ることができる。
一実施形態によると、第１の材料から成る発泡金属の比較密度は約０．５である。一実施形態によると、第１の材料から成る発泡金属の比較密度は約０．６である。一実施形態によると、第１の材料から成る発泡金属の比較密度は約０．７である。一実施形態によると、第１の材料から成る発泡金属の比較密度は約０．８である。
ＩＣパッケージ内において衝撃に対する耐性を得る方法の１つには、電気接続部のＢＭＧのヤング率（Ｙｏｕｎｇ'ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ：ｍ）を改善することが挙げられる。ＩＣパッケージの試験の衝撃荷重条件によると、動荷重および衝撃荷重の両方について、ひずみ速度は約１０２／秒のオーダーとなり得る。一実施形態において、このひずみ速度を条件とする場合、発泡ＢＭＧ電気接続部の実施形態は、いわゆるひずみ速度感度を示す。つまり、発泡ＢＭＧ電気接続部の実施形態は、ひずみ速度が増加するにつれて強度が上がる。ひずみ速度感度は、実施形態に係る発泡ＢＭＧ電気接続部の材料が実動作中に高い同相温度（ｈｏｍｏｌｏｇｏｕｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）に接する場合に大きくなる。例えば、ｍが約０．２である場合、ひずみ速度が１０２／秒であれば、降伏強度は準静的降伏強度の約２５０パーセントまで増加する。このため、衝撃荷重を与えると、塑性変形が抑制され、発泡ＢＭＧ電気接続部の実施形態の応力・ひずみ挙動は、準静的降伏強度の金属の従来の応力・ひずみ挙動とははっきりと異なる。発泡ＢＭＧ電気接続部を利用することで、ヤング率（ｍｏｄｕｌｕｓ）はさらに改善され、パッケージの熱衝撃および物理衝撃に対する耐性が高まる。
以下では図面を参照するが、図面については、同様の構造は同様の参照番号を付与することによって指定する。様々な実施形態に係る構造を可能な限り明瞭に示すべく、本明細書に添付する図面は集積回路の構造を線図で示す。このため、製造された構造の実際の外観は、例えば顕微鏡写真で見た場合には、図示されたものと異なるように見えることもあるが、添付図面に図示した実施形態が有する不可欠な構造は備えている。さらに、添付図面は図示される実施形態を理解する上で必要な構造のみを示している。その他の公知の構造は、図示内容を明瞭にするべく、省略されている。
図１は、実施形態に係る発泡ボンディングパッドを含む製品を示す立面断面図である。製品１００は基板１１０を備える。一実施形態によると、基板１１０はＩＣダイである。一実施形態によると、基板１１０はボードまたはインターポーザーのような実装基板である。製品１００はさらに、マクロ構造の電気接続部としてボンディングパッド１１２を備える。ボンディングパッド１１２は、基板１１０の上または内部に配設され、ハンダマスク１１６を通して露出している。図１によると、ボンディングパッド１１２は基板１１０の内部に埋め込まれているが、任意に選択されるアプリケーションに応じて、ボンディングパッド１１２は基板１１０の表面上に配設され得る。ボンディングパッド１１２は、ミクロ構造の電気接続部である発泡セル１１４がボンディングパッド１１２内部に封入されているような発泡構造を持つものとして図示されている。一実施形態によると、発泡セル１１４は閉セル状の発泡体である。一実施形態によると、発泡セル１１４は開セル状の発泡体であって、網状発泡体とも呼ばれる。
一実施形態によると、ボンディングパッド１１２は発泡性ではないが、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。一実施形態によると、ボンディングパッド１１２は発泡性で、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。
一実施形態によると、製品１００はさらに、マクロ構造の電気接続部である電気バンプ１１８を備える。一実施形態によると、電気バンプ１１８は発泡性のミクロ構造の電気接続部である。一実施形態によると、電気バンプ１１８はＢＭＧである。一実施形態によると、電気バンプ１１８は発泡性で且つＢＭＧである。以下では、ボンディングパッドおよびバンプのような構造はマクロ構造の電気接続部として構成されていると理解されたい。また、発泡体の実施形態はミクロ構造の電気接続部として構成されていると理解されたい。一実施形態によると、電気バンプ１１８は第１の電気バンプであって、第２の電気バンプからは約０．８ミリメートル以下のピッチで離間されている。一実施形態によると、電気バンプ１１８というマクロ構造はダイ側電気バンプで、基板１１０はフリップチップである。一実施形態によると、電気バンプ１１８というマクロ構造はボード側電気バンプであって、基板１１０はインターポーザーといった実装基板である。
図２は、実施形態に係る発泡ボンディングフィンガー・配線を含む製品２００を示す立面断面図である。製品２００は基板２１０を備える。一実施形態によると、基板２１０はＩＣダイである。一実施形態によると、基板２１０はボードまたはインターポーザーのような実装基板である。製品２００はさらに、基板２１０の上または内部に配設されハンダマスク２１６を介して露出している配線・露出ボンディングフィンガー２１２を備える。図２によると、配線・露出ボンディングフィンガー２１２は基板２１０の内部に埋め込まれているが、任意に選択されるアプリケーションに応じてボンディングフィンガー２１２の露出部分は基板２１０の表面にも配設される。配線・露出ボンディングフィンガー２１２は、発泡セル２１４が配線・露出ボンディングフィンガー２１２の内部に封入されているような発泡構造を持つものとして図示されている。一実施形態によると、発泡セル２１４は閉セル状の発泡体である。一実施形態によると、発泡セル２１４は開セル状の発泡体であって、網状発泡体とも呼ばれる。
一実施形態によると、配線・露出ボンディングフィンガー２１２は発泡性ではないが、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。一実施形態によると、配線・露出ボンディングフィンガー２１２は発泡性で、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。
一実施形態によると、製品２００はさらに、電気バンプ２１８を備える。一実施形態によると、電気バンプ２１８は発泡性である。一実施形態によると、電気バンプ２１８はＢＭＧである。一実施形態によると、電気バンプ２１８は発泡性で且つＢＭＧである。
図３は、実施形態に係る発泡性のボンディングパッドと電気バンプとを含む製品３００を示す立面断面図である。製品３００は基板３１０を備える。一実施形態によると、基板３１０はＩＣダイである。一実施形態によると、基板３１０はボードまたはインターポーザーのような実装基板である。製品３００はさらに、基板３１０の上または内部に配設されハンダマスク３１６を介して露出しているボンディングパッド３１２を備える。図３によると、ボンディングパッド３１２は基板３１０の内部に埋め込まれているが、任意に選択されるアプリケーションに応じてボンディングパッド３１２は基板３１０の表面にも配設される。ボンディングパッド３１２は、パッド発泡セル３１４がボンディングパッド３１２の内部に封入されているような発泡構造を持つものとして図示されている。一実施形態によると、パッド発泡セル３１４は閉セル状の発泡体である。一実施形態によると、パッド発泡セル３１４は開セル状の発泡体であって、網状発泡体とも呼ばれる。
一実施形態によると、ボンディングパッド３１２は発泡性ではないが、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。一実施形態によると、ボンディングパッド３１２は発泡性で、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。
一実施形態によると、製品３００はさらに、発泡電気バンプ３１８を備える。発泡電気バンプ３１８は、パッド発泡セル３１４よりも発泡セルサイズが大きいバンプ発泡セル３２０を含むものとして図示されている。一実施形態によると、発泡サイズは比較的同一である。一実施形態によると、バンプ発泡セル３２０はパッド発泡セル３１４よりもサイズが小さい。
図４は、実施形態に係る発泡メタライゼーションインターコネクトを含む製品４００を示す立面断面図である。製品４００は、実装基板４１０に配設されるワイヤボンディングダイ４２２として図示されている。製品４００はさらに、実装基板４１０の上または内部に配設される実装基板ボンディングパッド４１２を備える。
一実施形態によると、メタライゼーションインターコネクト４２４は発泡金属として図示されている。一実施形態によると、メタライゼーションインターコネクト４２４は発泡性ではないが、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。一実施形態によると、メタライゼーションインターコネクト４２４は発泡性で、本開示において記載する少なくとも１種類のＢＭＧを含む。
ボンディングワイヤ４２６はワイヤボンディングダイ４２２を実装基板４１０に接合する。ボンディングワイヤ４２６はダイボンディングパッド４２８と実装基板ボンディングパッド４１２との間に電気接合を形成する。一実施形態によると、実装基板４１０はさらに、実装基板電気バンプ４３０を用いて接合することが可能である。例えば、ボード等に実装することができる。一実施形態によると、実装基板電気バンプ４３０は発泡性である。一実施形態によると、実装基板電気バンプ４３０は本開示に記載する種類のＢＭＧである。一実施形態によると、実装基板電気バンプ４３０は本開示に記載する種類の発泡ＢＭＧである。
一実施形態によると、製品４００はワイヤレス通信機などのハンドヘルドデバイスで利用される。製品４００は、ＢＭＧの実施形態および発泡インターコネクトの実施形態のうち少なくとも一方により、大きな物理的衝撃に耐えることができる。
図５は、実施形態に係る、発泡ボンディングパッドと電気バンプとを含み、ハンダシェル内に発泡ハンダコアとして電気バンプを有する製品５００を示す立面断面図である。製品５００は基板５１０を備える。一実施形態によると、基板５１０はＩＣダイである。一実施形態によると、基板５１０はボードまたはインターポーザーのような実装基板である。製品５００はさらに、基板５１０の上または内部に配設されハンダマスク５１６を介して露出しているボンディングパッド５１２を備える。図５によると、ボンディングパッド５１２は基板５１０の内部に埋め込まれているが、任意に選択されるアプリケーションに応じてボンディングパッド５１２は基板５１０の表面にも配設される。ボンディングパッド５１２は、発泡セル５１４がボンディングパッド５１２の内部に封入されているような発泡構造を持つものとして図示されている。一実施形態によると、発泡セル５１４は閉セル状の発泡体である。一実施形態によると、発泡セル５１４は開セル状の発泡体であって、網状発泡体とも呼ばれる。
一実施形態によると、ハンダバンプ５１８は発泡ハンダコア５３２とハンダシェル５３４とを有するものとして図示されている。一実施形態によると、ハンダバンプ５１８のヤング率（ｍｏｄｕｌｕｓ）は約０．２から約０．７の範囲内にある。
一実施形態によると、ハンダシェル５３４は発泡ハンダコア５３２の金属間派生物である。発泡ハンダコア５３２はバンプ発泡セル５３３を含む。金属間派生物の組成は、金属間材料を形成するべく、リフローなどの処理条件において発泡ハンダコア５３２と混ざり合うものであればどのようなものであってもよい。一実施形態によると、発泡ハンダコア５３２はＢＭＧである。一実施形態によると、ハンダシェル５３４はＢＭＧである。一実施形態によると、発泡ハンダコア５３２およびハンダシェル５３４は共にＢＭＧである。
一実施形態によると、発泡ハンダコア５３２は単位元の直径５３６を有し、ハンダシェル５３４の厚み５３８は、単位元の約１パーセントから約１００パーセントの範囲内にある。一実施形態によると、ハンダシェル５３４の厚みは、単位元の約５パーセントから約２０パーセントの範囲内にある。一実施形態によると、ハンダシェル５３４の厚みは、単位元の約６パーセントから約１９パーセントの範囲内にある。
一実施形態によると、ハンダバンプ５１８の寸法ならびに発泡ハンダコア５３２およびハンダシェル５３４のおよその寸法は、ボンディングパッド５１２の寸法から求められ得る。一実施形態によると、ボンディングパッド５１２は約１０６マイクロメートル（μｍ）である。一実施形態によると、発泡ハンダコア５３２の直径５３６とハンダシェル５３４の厚み５３８の２倍との合計も、約１０６マイクロメートル（μｍ）である。寸法は用途に応じて変更してもよい。
図６は、実施形態に係る、ハンダ基板第２材料に配設される発泡ハンダコア第１材料を含む製品６００を示す立面断面図である。製品６００は実装基板６１０を備える。一実施形態によると、実装基板６１０はＩＣダイである。一実施形態によると、実装基板６１０はボードまたはインターポーザーのような実装基板である。製品６００はさらに、基板６１０の上または内部に配設されるボンディングパッド６１２を備える。図６によると、ボンディングパッド６１２は基板６１０の内部に埋め込まれているが、任意に選択されるアプリケーションに応じてボンディングパッド６１２は基板６１０の表面にも配設される。ボンディングパッド６１２は、発泡セル６１４がボンディングパッド６１２の内部に封入されているような発泡構造を持つものとして図示されている。一実施形態によると、発泡セル６１４は閉セル状の発泡体である。一実施形態によると、発泡セル６１４は開セル状の発泡体であって、網状発泡体とも呼ばれる。
発泡ハンダコア６３２第１材料はハンダ基板６３４第２材料に実装されている。一実施形態によると、発泡ハンダコア６３２第１材料はＢＭＧである。発泡ハンダコア６３２はバンプ発泡セル６３３を含む。一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料はＢＭＧである。一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料は発泡ハンダコア６３２第１材料よりも密度が高いリフローハンダである。一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料のリフローは、発泡ハンダコア６３２第１材料の液相温度（ｌｉｑｕｉｄｕｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）よりも低い温度で実行される。
発泡ハンダコア６３２第１材料は、概略的に図示されており、一実施形態によると、セル状発泡ハンダまたは網状発泡ハンダのいずれであってもよい。一実施形態によると、発泡ハンダコア６３２第１材料はＢＭＧである。一実施形態によると、ボンディングパッド６１２はメッキ処理に特徴的な細長い円柱状の粒子形態を示す。
一実施形態によると、上側基板６４２および上側ボンディングパッド６４４は発泡ハンダコア６３２第１材料より高い位置にある。一実施形態によると、上側基板６４２はＩＣダイである。一実施形態によると、上側基板６４２はプリント配線基板のような実装基板である。一実施形態によると、発泡ハンダコア６３２第１材料のヤング率（ｍｏｄｕｌｕｓ）は約０．２から約０．７の範囲内にある。
一実施形態によると、発泡ハンダコア６３２第１材料の直径６３６は約２５μｍから約２００μｍの範囲内にある。一実施形態によると、発泡ハンダコア６３２第１材料の直径６３６は、約１０６μｍである。一実施形骸によると、発泡ハンダコア６３２第１材料の寸法はボンディングパッド６１２の寸法に基づいて求めることができる。一実施形態によると、ボンディングパッド６１２は約１０６μｍである。寸法は用途に応じて変更してもよい。
一実施形態によると、リフロー前には、ハンダ基板６３４第２材料が含む粒子の寸法は約２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にある。一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料が含む粒子の寸法は約１０ｎｍ〜約３０ｎｍの範囲内にある。一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料が含む粒子の寸法は、約９８パーセント、約２０ｎｍ以下の範囲内にある。
一実施形態によると、ハンダ基板６３４第２材料の溶融温度は約摂氏４００度以下である。金属の種類と粒子サイズによって、ハンダ基板６３４第２材料の溶融温度は数百度変化し得る。
ハンダ基板６３４第２材料と発泡ハンダコア６３２第１材料が異なる金属または異なる合金である場合、金属間領域６４８がその間に設けられるとしてもよい。
図７は、一実施形態に係る発泡ＢＭＧを形成するプロセス７００を示す図である。まず、発泡ＢＭＧ先駆体７１１と圧縮性ガス７１３を混ぜる。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体７１１は金属粒子である。一実施形態によると、圧縮性ガス７１３は発泡ＢＭＧ先駆体である金属に対して不活性である。一実施形態によると、圧縮性ガス７１３はアルゴンである。
図７によると、発泡ＢＭＧ先駆体７１１は、金属圧密（ｍｅｔａｌ ｃｏｎｓｏｌｉｄａｔｉｏｎ）関連の技術分野で公知の通り、容器７３８に載置される。容器７３８が充填されると、当該容器７３８に対して圧縮処理が行われ、高圧容器７３９を実現する。高圧容器７３９は発泡ＢＭＧ先駆体７１１および圧縮ガス７１３を含む。一実施形態によると、高圧容器７３９は、金属圧密関連の技術分野で公知の通り、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理によって得られる。ＨＩＰ処理後に高圧容器７３９は、非常に制限的な外圧が加えられることなくさらに加熱され、その結果高圧容器７３９が膨張して、金属チャンバ７１２と金属壁７１４を含む金属発泡体７１０が形成される。これは発泡ＢＭＧがセル状発泡ＢＭＧの場合である。これに代えて、ＨＩＰ処理後に高圧容器７３９は、非常に制限的な外圧が加えられることなくさらに加熱され、その結果高圧容器７３９が膨張して、金属神経節７１４´を含む金属発泡体７１０´が形成される。これは発泡ＢＭＧが網状発泡ＢＭＧの場合である。
一実施形態によると、充填された後容器７３８にはＨＩＰ処理が行われず、金属圧密関連の技術分野において公知の通り、まず発泡ＢＭＧ先駆体７１１を焼結するべく容器７３８を加熱する。焼結によって発泡ＢＭＧ先駆体７１１が完全にリフローされることはなく、むしろ焼結は、発泡ＢＭＧ先駆体７１１の２つの発生物同士の接点７４０の核生成を生じさせる。続いて発泡ＢＭＧ先駆体７１１を加熱することによってＢＭＧ発泡体７１０が形成され、最初の焼結と続いて行われた加熱によって発泡ＢＭＧが拡張する。一実施形態によると、最初の焼結によって発泡ＢＭＧが生成され、金属発泡体７１０はセル状発泡ＢＭＧである。それに替えて、最初の加熱によって発泡ＢＭＧが形成され、金属神経節７１４´を持つ金属発泡体７１０´が形成される。
一実施形態によると、充填された後で容器７３８はまず、特に外部から加熱することなく圧密され、続いてＢＭＧ先駆体７１１が拡張するように加熱される。一実施形態によると、２回目の加熱によって発泡ＢＭＧが形成され、金属発泡体７１０はセル状発泡ＢＭＧとなる。それに替えて、２回目の加熱によって発泡ＢＭＧが形成され、金属神経節７１４´を持つ金属発泡体７１０´が形成される。
発泡ＢＭＧの形成には他の方法を用いるとしてもよい。一実施形態によると、従来から知られているように焼き流し鋳造に基づいて形成するとしてもよい。一実施形態によると、金属水素化物の分解とともに溶融処理を利用して、発泡ＢＭＧに多孔性を持たせるためのガスを形成する。一実施形態によると、粉末処理に基づいて金属水素化物の分解を利用する。一実施形態によると、ポリマープリフォーム（ｐｒｅｆｏａｍ）が一時的に、発泡ＢＭＧが固体化する間発泡ＢＭＧを支持するボイド剤（ｖｏｄｉｎｇ ａｇｅｎｔ）支持構造として利用され、その後でポリマープリフォームは除去される。一実施形態によると、ボイド剤は、永久的で、処理中にＢＭＧの吸収性湿潤が発生する場合、そのような吸収性湿潤に対する耐性を提供する。
一実施形態によると、金属粉末が容器に投入され、当該容器は脱気されてからアルゴンガスで加圧される。当該容器はＨＩＰ処理され金属粉末を圧密する。圧密後、容器を加熱して、封入されたガスを、ＨＩＰ処理された粉末の周辺マトリクスのクリープによって膨張させる。この方法を用いると、かさ密度が約０．６〜約０．８の範囲内にある多孔質金属を得ることができる。孔の寸法および分布は、ガス圧、金属界面活性剤、加熱時間、温度等のパラメータを適切に設定することによって正確に制御するとしてもよい。
一実施形態によると、金属発泡体７１０または金属発泡体７１０´を形成した後、ハンダバンプを形成するべく当該金属発泡体（以下では「金属発泡体７１０」と呼ぶ）に対してさらに処理が行われる。一実施形態によると、金属発泡体７１０はまず発泡性を損なうことなく押し出され、成形器（ｈｅａｄｉｎｇ ｍａｃｈｉｎｅ）によってワイヤとして短く切断される。この切断処理は、ワイヤが略立方体または略中実な円筒として形成されるまで行われる。略立方体または略中実な円筒形状を持つ発泡ＢＭＧに対して行われる処理は、より球体に近い形状を実現するための回転動作、またはミルでの研磨を含む。一実施形態によると、略立方体または略中実な円筒の形状を持つ発泡ＢＭＧに対する自生粉砕は回転ミルで実施される。一実施形態によると、略立方体または略中実な円筒の形状を持つ発泡ＢＭＧに対する準自生粉砕は、セラミックボールなどの研磨媒体を第１量だけ利用することによって、回転ミルで実施される。一実施形態によると、略立方体または略中実な円筒の形状を持つ発泡ＢＭＧに対してミルを用いて研磨を行う場合は、研磨媒体を第２量だけ利用することによって、回転ミルで実施される。ここで、第２量は第１量よりも多い。一実施形態によると、球体形状を実現するべく発泡ＢＭＧをまず研磨した後で、回転を弱めて表面処理を実行する。
一実施形態によると、発泡ＢＭＧコアまたは発泡ＢＭＧ球が形成されると、当該発泡ＢＭＧは電気メッキによってハンダで被覆され得る。
図８は、様々な実施形態に係る処理のフロー８００を示すフローチャートである。
工程８１０において、混合ガスと共に容器内に発泡ＢＭＧ先駆体を形成する。
工程８２０において、当該容器を加圧する。静水圧プレスまたはＨＩＰ処理であってもよい。
工程８３０において、発泡ＢＭＧ先駆体がセル状発泡体もしくは網状発泡体を形成するような条件下で容器を拡張する。一実施形態によると、工程８３０で処理は終了する。
工程８４０において、発泡ＢＭＧ金属からハンダバンプまたは発泡長尺状金属パッドを形成する。
工程８５０において、一実施形態によると、ボンディングパッドに対して中間ハンダ層を形成する。一実施形態によると、中間ハンダ層はＢＭＧプリフォーム（ｐｅｒｆｏｒｍ）である。
工程８５２において、発泡ＢＭＧバンプや発泡ＢＭＧ長尺状パッドなどの発泡ハンダを中間ハンダ層に対して形成する。
工程８５４において、ＢＭＧ金属層をリフローして発泡ＢＭＧとボンディングさせる。一実施形態によると、工程８５４で処理が終了する。
図９は、一実施形態に係る、多孔質ＢＭＧ電気接続部を形成するためのプロセス９００を示す図である。まず、発泡ＢＭＧ先駆体９１１と発泡剤９１３を混ぜ合わせる。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体９１１は金属粒子で、当該金属粒子の平均粒径は約５ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲内にある。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体９１１は金属粒子で、当該金属粒子の平均粒径は約１０ｎｍ〜約４０ｎｍの範囲内にある。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体９１１は金属粒子で、当該金属粒子の平均粒径は約１５ｎｍ〜約３０ｎｍの範囲内にある。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体９１１は金属粒子で、当該金属粒子の平均粒径は、約９９パーセント、２０ｎｍで、約９８パーセント、約５ｎｍを超えている。
一実施形態によると、発泡剤９１３は水素化チタン（ＴｉＨ２）などの水素化金属である。一実施形態によると、発泡剤９１３は水素化ジルコニウム（ＺｒＨ２）などの水素化金属である。一実施形態によると、発泡剤９１３は水素化ハフニウム（ＨｆＨ２）などの水素化金属である。一実施形態によると、発泡剤９１３はＲＨ２と表される耐火性水素化金属である。一実施形態によると、発泡剤９１３は発泡ハンダ先駆体の粒子サイズ分布と略一致する。一実施形態によると、発泡ＢＭＧ先駆体９１１は発泡ＢＭＧの形成を促進する金属界面活性剤を含む。
図９において、発泡ＢＭＧ先駆体９１１および発泡剤９１３、または固体の場合はボイド剤を、金属粉砕関連の技術分野で公知であるように、混合容器９３８に投入する。続いて混合容器９３８は、先駆体−発泡剤から成る混合物を得るべく発泡ＢＭＧ先駆体９１１および発泡剤９１３を混ぜ合わせるよう駆動される。以下では、「発泡剤」および「ボイド剤」は、「発泡剤」と呼ぶが、明示的に言及されていなければどちらをも意味する。
一実施形態によると、ＢＭＧ先駆体−発泡剤から成る混合物は軸圧縮ダイ９４０で圧縮される。圧縮ダイは例えば、粉末冶金圧密技術において使用される。ＢＭＧ先駆体−発泡剤から成る混合物９４４は、アンビル９４２に入れられて、詰め込み用ロッド９４６によってアンビル９４２へと押し込まれる。軸圧縮が行われた結果、軸方向に圧縮されたＢＭＧペレット９４８が得られる。
一実施形態によると、ＢＭＧ先駆体−発泡剤から成る混合物９４４は押し出しダイ９５０で圧縮される。押し出し処理は、例えば、粉末冶金押し出し技術において公知である。ＢＭＧ先駆体−発泡剤から成る混合物９４４は詰め込み用ロッド９４６によって押し出しダイ９５０へと押し込まれる。押し出し処理の結果、押し出しペレット９５２が得られる。
一実施形態によると、軸圧縮によって得られたＢＭＧペレット９４８または押し出し処理によって得られたＢＭＧペレット９５２は、ＢＭＧ先駆体である。当該ＢＭＧ先駆体は、ローリングなどの処理がさらに行われ、ロール状のシート型ストック９５４または９５６へと加工される。一実施形態によると、ＢＭＧペレット９４８もしくは９５２、またはロール状のＢＭＧシート型ストック９５４もしくは９５６にはプレス加工が施され、さらに処理を行うべく、ＢＭＧ先駆体のＢＭＧペレット９４８または９５２が得られる。
圧縮処理または押し出し処理によって得られたペレットから形成される略立方体または略中実な円筒形状を持つＢＭＧ先駆体に対する処理は、より球形に近い形状を得るための回転動作、もしくはミルでの研磨を含む。一実施形態によると、ＢＭＧ先駆体の自生粉砕は回転ミルで実施される。一実施形態によると、ＢＭＧ先駆体の準自生粉砕は、セラミックボールなどの研磨媒体を第１量だけ利用することによって、回転ミルで実施される。一実施形態によると、ＢＭＧ先駆体に対してミルを用いて研磨を行う場合は、研磨媒体を第２量だけ利用することによって、回転ミルで実施される。ここで、第２量は第１量よりも多い。一実施形態によると、球体形状を実現するべくＢＭＧ先駆体をまず研磨した後で、回転を弱めて表面処理を実行する。
ＢＭＧ先駆体を所望の形状とした後、当該所望の形状はさらに加熱処理されて、ナノ多孔質ハンダ９５８を得る。
図１０は、一実施形態に係る、ＢＭＧ先駆体の処理を示すフローチャート１０００である。
工程１０１０において、ＢＭＧ先駆体と発泡剤を混合する。
工程１０２０において、ＢＭＧ先駆体を圧縮して発泡ＢＭＧ先駆体を形成する。
工程１０３０において、発泡ＢＭＧ先駆体を実装基板およびダイのうちどちらかに載置する。
工程１０４０において、発泡ＢＭＧハンダを膨張させてＢＭＧを得る。
図１１は、一実施形態に係るコンピュータシステム１１００を示す切り欠き射視図である。上述した実施形態に係る発泡ハンダバンプ、発泡ＢＭＧ長尺状パッドまたはＢＭＧ球のうち１以上を、図１１に示したコンピュータシステム１１００のようなコンピュータシステムで利用するとしてもよい。以下では、発泡ＢＭＧ電気接続部、発泡ＢＭＧ長尺状パッド電気接続部またはＢＭＧ球の実施形態のいずれも、単独もしくは他の実施形態と組み合わせて、実施形態に係る構造と呼ぶ。
コンピュータシステム１１００は、パッケージ１１１０に収納されている少なくとも１つのプロセッサ（不図示）、データ格納システム１１１２、キーボード１１１４といった少なくとも１つの入力装置、およびモニタ１１１６のような少なくとも１つの出力装置等を備える。コンピュータシステム１１００はデータ信号を処理するプロセッサを有し、例えば、インテル・コーポレーション社製のマイクロプロセッサを利用するとしてもよい。キーボード１１１４以外にも、コンピュータシステム１１００は例えば、マウス１１１８のようなユーザ入力装置を備えるとしてもよい。
本発明を開示することを目的として、特許請求の範囲の主題に応じた構成要素を実現するコンピュータシステム１１００は、マイクロ電子デバイスシステムを利用したシステムを含むとしてもよい。該マイクロ電子デバイスシステムは例えば、ＢＭＧバンプ、発泡ＢＭＧ長尺状パッドまたはＢＭＧ球の実施形態のうち少なくとも１つを含むとしてもよい。該実施形態のうち少なくとも１つは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、ポリマーメモリ、フラッシュメモリ、および相変化メモリなどのデータ格納装置に接合されている。本実施形態によると、上記実施形態はプロセッサに接合されることによってこれらの機能のどの組み合わせにも接続される。しかし一実施形態によると、本明細書に開示されている実施形態に係る構造はこれらの機能のいずれにも接合される。例えば一実施形態によると、データ格納装置はダイに設けられた埋め込みＤＲＡＭキャッシュを含む。また一実施形態によると、プロセッサ（不図示）に接合された実施形態に係る構造は、ＤＲＡＭキャッシュであるデータ格納装置１１１２へと接合された実施形態に係る構造を有するシステムの一部である。また一実施形態によると、実施形態に係る構造はデータ格納装置１１１２に接合されている。
一実施形態によると、コンピュータシステム１１００はまた、デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）またはマイクロプロセッサを含むダイを備えるとしてもよい。この実施形態によると、実施形態に係る構造は、プロセッサに接合されることによって、これらの機能の任意の組み合わせに接合されている。一実施形態例によると、ＤＳＰ（不図示）はチップセットの一部で、該チップセットは、独立したプロセッサおよび該ＤＳＰを別々の構成要素としてボード１１２０に有するとしてもよい。本実施形態によると、ある実施形態に係る構造がＤＳＰに接合され、別の実施形態に係る構造がプロセッサに接合される形でパッケージ１１１０内に含まれるとしてもよい。また一実施形態によると、実施形態に係る構造はパッケージ１１１０と同じくボード１１２０に実装されているＤＳＰに接合される。本明細書に開示された発泡ＢＭＧバンプ、発泡ＢＭＧ長尺状パッドまたはＢＭＧハンダ球の様々な実施形態およびその均等物に基づいて説明された実施形態に係る構造と共に、実施形態に係る構造はコンピュータシステム１１００に対して上述したように組み合わせられると理解されたい。
図１２は、一実施形態に係るコンピュータシステムを示す概略図である。図示された電子システム１２００は、図１１に示したコンピュータシステム１１００を実施したものとしてもよいが、図１２に示す当該電子システムは概略を示すとする。電子システム１２００には、図３から図６に示したようなＩＣパッケージである電子アセンブリ１２１０が少なくとも１つ組み込まれている。一実施形態によると、電子システム１２００は、該電子システム１２００の様々な構成要素を電気的に接合するシステムバス１２２０を有するコンピュータシステムである。実施形態によっては、システムバス１２２０は１つのバスとしてもよいし、複数のバスを組み合わせたものとしてもよい。電子システム１２００は、集積回路１２１０に電力を供給する電圧源１２３０を有する。実施形態によっては、電圧源１２３０はシステムバス１２２０を介して集積回路１２１０へと電流を供給する。
一実施形態に係る集積回路１２１０は、システムバス１２２０に電気的に接続され、単一の回路または複数の回路の組み合わせを含む。一実施形態によると、集積回路１２１０は任意の種類のプロセッサ１２１２を有する。本明細書で言及される場合、プロセッサ１２１２はどのような種類の回路を意味してもよく、例えば以下に限定されないが、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィクスプロセッサ、デジタル・シグナル・プロセッサなどのプロセッサであってもよい。このほかに集積回路１２１０に組み込まれ得る回路の種類としては、カスタム回路もしくはＡＳＩＣがあり、一例を挙げると、携帯電話、ポケットベル（登録商標）、携帯用コンピュータ、送受信可能ラジオなどの電子システムである無線デバイスで利用される通信回路１２１４を組み込むとしてもよい。一実施形態によると、集積回路１２１０はＳＲＡＭなどのオンダイメモリ１２１６を有する。一実施形態によると、プロセッサ１２１０はｅＤＲＡＭ（混載ＤＲＡＭ）などのオンダイメモリ１２１６を含む。
一実施形態によると、電子システム１２００はさらに外部メモリ１２４０を含む。外部メモリ１２４０は、特定のアプリケーションに適したメモリ素子を１以上含むとしてもよい。該メモリ素子の例を挙げると、ＲＡＭであるメインメモリ１２４２、１以上のハードドライブ１２４４、および／または取外し可能な媒体１２４６を取り扱う１以上のドライブがある。取外し可能な媒体１２４６は、ディスケット、コンパクト・ディスク（ＣＤ）、デジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）、フラッシュ・メモリ・キーなどの公知の取外し可能媒体である。
一実施形態によると、電子システム１２００はさらに表示デバイス１２５０および音声出力部１２６０を備える。一実施形態によると、電子システム１２００はコントローラ１２７０を有する。コントローラ１２７０は、キーボード、マウス、トラックボール、ゲームコントローラ、マイクロフォン、音声認識装置などの電子システム１２００に情報を入力するデバイスである。
本明細書に記載するように、集積回路１２１０は複数の異なる実施形態において実装されるとしてもよい。実施形態の例を挙げると、電子パッケージ、電子システム、コンピュータシステム、１以上の集積回路製造方法、１以上の電子アセンブリ製造方法などがあり、電子アセンブリは当該集積回路と、本明細書に記載する様々な実施形態に係る発泡ＢＭＧ電気接続部およびその均等物を有する。素子、材料、形状、寸法、および動作順序は特定のパッケージングの要件を満たすべく変更されるとしてもよい。
本明細書に記載した実施形態に係るＢＭＧ電気接続部は、従来のコンピュータ以外のデバイスや装置に応用され得ることは明らかである。例えば、ダイのパッケージングを実施形態に係る構造を用いて行い、無線通信機、もしくは携帯情報端末（ＰＤＡ）などのハンドヘルドデバイスなどのポータブル・デバイス内にパッケージング済みのダイを設けるとしてもよい。他の例を挙げると、ダイのパッケージングを実施形態に係る構造を用いて行い、自動車、機関車、船舶、飛行機、宇宙船などの車両にパッケージング済みのダイを設けるとしても良い。
米国特許法施行規則§１．７２（ｂ）は技術内容の本質および要点を簡潔に伝えることを目的として要約を記載するよう求めており、その要件を遵守するべく要約を記載する。要約は特許請求の範囲の意味を解釈または限定するべく利用されないという理解の下、要約を記載する。
上述した「発明を実施するための最良の形態」では、記載を簡潔にすることを目的として、複数の様々な特徴を１つの実施形態にまとめている。このような開示方法は、保護を請求する本発明の実施形態は各請求項に明示されているよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈されるべきではない。むしろ本明細書に添付の請求の範囲が反映しているのは、開示された各実施形態が有するすべての特徴よりも少ない特徴に、発明の主題は存在するという理解である。このため、本明細書に添付の請求の範囲は「発明を実施するための最良の形態」に組み込まれ、請求項はそれぞれが別々の好ましい実施形態として独立している。
本発明の本質を説明するべく記載および図示されている構成要素および方法の工程の詳細な内容、材料および配置は、本明細書に添付する請求項に記載される発明の原理および範囲を超えることなく、上記以外の方法でも変更され得ることは当業者には明らかであると理解されたい。

Claims (30)

  1. バルク金属ガラス
    を含み、
    前記バルク金属ガラスは、電気バンプ、メタライゼーションインターコネクト、配線、およびボンディングパッドから選択されるマクロ構造として構成されている
    製品。
  2. 前記バルク金属ガラスは、セル状発泡体および網状発泡体から選択されるミクロ発泡構造を有する
    請求項１に記載の製品。
  3. 前記バルク金属ガラスは、ジルコニウム合金で、ＺｒＡｌＣｕＯ、ＺｒＡｌＮｉＣｕＯ、ＺｒＡｌＮｉＣｕＯ、ＺｒＴｉＡｌＮｉＣｕＯ、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ｃｒ，Ｍｏ）、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）、ＺｒＡｌＮｉＣｕ（Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ）、ＺｒＡｌＮｉ（Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）、ＺｒＡｌＣｕＰｄ、ＺｒＮｉ（Ｆｅ，Ｃｏ）、ＺｒＮｉ（Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ）、ＺｒＣｕＰｄ、ＺｒＰｄ、ＺｒＰｔ、またはそれらの組み合わせから選択される
    請求項１に記載の製品。
  4. 前記バルク金属ガラスは、ハフニウム合金で、ＨｆＡｌＮｉＣｕ、ＨｆＡｌＮｉＣｕＰｄ、ＨｆＡｌＮｉＡｇ、ＨｆＣｕ（Ｐｄ，Ｐｔ）またはそれらの組み合わせから選択される
    請求項１に記載の製品。
  5. 前記バルク金属ガラスは、チタン合金で、ＴｉＺｒＮｉ、ＴｉＺｒＮｉＣｕまたはそれらの組み合わせから選択される
    請求項１に記載の製品。
  6. 前記バルク金属ガラスは、鉄合金である
    請求項１に記載の製品。
  7. 前記バルク金属ガラスは、ジルコニウム合金、ハフニウム合金、チタン合金、鉄合金またはそれらの組み合わせから選択される
    請求項１に記載の製品。
  8. 前記マクロ構造は、バンプ直径が約１μｍから約３００μｍの範囲内にある電気バンプである
    請求項１に記載の製品。
  9. 前記マクロ構造は電気バンプであって、前記電気バンプは、
    発泡ハンダコア第１材料と、
    前記発泡ハンダコア第１材料がその上に配設されているハンダ基板第２材料と
    を含む
    請求項１に記載の製品。
  10. 前記マクロ構造は電気バンプであって、前記電気バンプは、
    発泡ハンダコア第１材料と、
    前記発泡ハンダコア第１材料を被覆するハンダシェル第２材料と
    を含む
    請求項１に記載の製品。
  11. 前記マクロ構造はメタライゼーションインターコネクトで、
    前記バルク金属ガラスは、セル状発泡体および網状発泡体から選択されるミクロ発泡構造を有する
    請求項１に記載の製品。
  12. 前記マクロ構造は電気バンプで、前記電気バンプは、第１の電気バンプと、前記第１の電気バンプから離間されている第２の電気バンプとを含む
    請求項１に記載の製品。
  13. 前記マクロ構造は、第１の電気バンプと、前記第１の電気バンプから離間されている第２の電気バンプとを含み、
    前記第１の電気バンプおよび前記第２の電気バンプは、互いに隣接し、０．８ミリメートル以下のピッチで離間している
    請求項１に記載の製品。
  14. 前記マクロ構造は電気バンプで、前記電気バンプは実装基板のボード側に設けられている
    請求項１に記載の製品。
  15. 前記マクロ構造は電気バンプで、前記電気バンプは実装基板のダイ側に設けられている
    請求項１に記載の製品。
  16. 集積回路デバイス内のボンディングパッド
    を含み、
    前記ボンディングパッドは発泡金属ミクロ構造を有する
    製品。
  17. 前記ボンディングパッドはバルク金属ガラスを含む
    請求項１６に記載の製品。
  18. 前記ボンディングパッドは、ジルコニウム合金、ハフニウム合金、チタン合金、鉄合金およびそれらの組み合わせから選択されるバルク金属ガラスを含む
    請求項１６に記載の製品。
  19. 前記発泡金属ミクロ構造はセル状発泡体および網状発泡体から選択される
    請求項１６に記載の製品。
  20. 前記ボンディングパッドは、実装基板のボード側に設けられている
    請求項１６に記載の製品。
  21. 前記ボンディングパッドは、実装基板のダイ側に設けられている
    請求項１６に記載の製品。
  22. バルク金属ガラス先駆体粒子とボイド剤粒子とを共堆積（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔ）させること
    を含むプロセス。
  23. 前記ボイド剤粒子は多孔質粒子で、
    共堆積させることは、電気バンプ、メタライゼーションインターコネクト、配線、およびボンディングパッドから選択されるマクロ構造を共堆積させることである
    請求項２２に記載のプロセス。
  24. 前記ボイド剤粒子は発泡剤粒子で、
    共堆積させることは、電気バンプ、メタライゼーションインターコネクト、配線、およびボンディングパッドから選択されるマクロ構造を共堆積させることである
    請求項２２に記載のプロセス。
  25. ダイと、
    集積回路デバイス内のボンディングパッドと、
    前記ボンディングパッドを介して前記ダイに接合されるダイナミックランダムアクセスメモリと
    を備え、
    前記ボンディングパッドは発泡金属ミクロ構造を持つ
    システム。
  26. 前記システムは、コンピュータ、ワイヤレス通信機、ハンドヘルドデバイス、自動車、機関車、飛行機、船舶または宇宙船のうちのいずれかに配設されている
    請求項２５に記載のシステム。
  27. 前記ダイは、データストレージデバイス、デジタル・シグナル・プロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路またはマイクロプロセッサの中から選択される
    請求項２５に記載のシステム。
  28. ダイと、
    前記ダイに接合されるバルク金属ガラスと、
    前記ダイに接合されるダイナミックランダムアクセスメモリと
    を備え、
    前記バルク金属ガラスは、電気バンプ、メタライゼーションインターコネクト、配線、およびボンディングパッドから選択されるマクロ構造として構成されている
    システム。
  29. 前記コンピュータシステムは、コンピュータ、ワイヤレス通信機、ハンドヘルドデバイス、自動車、機関車、飛行機、船舶または宇宙船のうちのいずれかに配設されている
    請求項２８に記載のコンピュータシステム。
  30. 前記マイクロエレクトロニクスダイは、データストレージデバイス、デジタル・シグナル・プロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路またはマイクロプロセッサの中から選択される
    請求項２８に記載のコンピュータシステム。
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