JPH11307701A - 放熱基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気鉄道車両や電気自動車等に使用される，
大容量整流器に搭載される大面積を備え、製造が簡単
で，熱膨張率が半導体やセラミック絶縁体に近く，しか
も熱伝導性の優れた大面積を有し、工程の多さ，複維さ
によるコストを低減でき，また，外観から分かる形状で
は，従来の放熱基板と明らかな相違のない経済的に有利
な大面積を備えた放熱基板とその製造方法とを提供す
る。 【解決手段】 放熱基板は、モリブデン（Ｍｏ）の圧粉
体に、質量比で２０〜６０％の銅（Ｃｕ）を溶融、染み
込ませる含浸してなるＣｕ−Ｍｏ複合基板からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，大面積を有する放
熱基板とその製造方法に関し、詳しくは、金属酸化物半
導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ），ＩＧＢ
Ｔ等のパワー半導体、又は、電気鉄道車両や電気自動車
等に用いられる大容量整流器に搭載される大面積放熱基
板とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年，電気鉄道車両，および電気自動車
に使用される大容量の整流器の冷却が重要な課題とな
り，これらの整流器および関連部品を搭載し，冷却装置
に接合するための比較的大型の放熱部材に対する要求が
出てきた。この放熱部材には，熱伝導の観点からアルミ
ニウムや銅等の金属材料が考えられるが，これら材料は
熱膨張が大きく，整流器主材であるシリコンやシリコン
を組みつけた窒化アルミニウム基板等の絶縁材料と接合
する場合，ハンダ付けによる接合や，繰り返し使用時の
熱変化により，熱膨張の差による熱歪により部材が変形
したり破損する恐れが有る。それゆえ，熱膨張が半導体
やセラミック絶縁材料に近くしかも熱伝導の優れた材料
が求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述の整流器に要求さ
れる用途と同種の物性は，これら整流器に限らず半導体
素子を搭載するセラミックパッケージの放熱基板にも，
従来からも要求されてきたものである。

【０００４】特に，ピングリッドアレイ等アルミナ系セ
ラミックと銀ロー付けにて接合される放熱基板の場合
は，８９０〜９００℃と接合温度が高く，冷却時の熱歪
みによるセラミック材の変形，破損に対し，より厳しい
温度条件で組み立てられるため，アルミナ，べリリア等
のセラミック材と熱膨張の近い特性を持つことが，良好
な熱伝導を有する事にも増して材料選定の条件となって
いる。これを満たすものとして、タングステン（Ｗ）と
銅（Ｃｕ）の複合材（以下，Ｗ−Ｃｕ複合材と呼ぶ）が
提案され，汎用されている。このＷ−Ｃｕ複合材の製造
方法は，Ｗ粉末に有機質のバインダーを添加混合し，こ
れを金型内で型押した後，水素等の還元雰囲気中で加熱
し，有機バインダーを蒸発・分解・除去して粉末集合体
を得る。この粉末集合体を還元雰囲気中で焼結して，所
定の空孔率を持つＷ多孔体を得，これに銅の融点以上の
還元雰囲気中で銅を染み込ませ（以下、含浸と呼ぶ）て
Ｗ−Ｃｕ複合体を得る方法がとられている。

【０００５】一方，セラミックを構成材料に用いるＩＣ
（集積回路）パッケージ用の放熱基板は，前述の熱歪み
の問題を避けるため，アルミナ，べリリア等と熱膨張を
近似させる必要があり，銅を質量比１０〜１５％含浸さ
せたＷ−Ｃｕ複合材が使用されている。

【０００６】また上記の質量比の銅を含浸させるＷの多
孔体を経済的に製造するため，１２００〜１３５０℃と
いう比較的低温でＷ多孔体を得るため，及び銅の含浸を
容易ならしむる目的で，熱伝導は最も望ましい値よりは
低くなるが，少量のニッケル等の添加されたＷ粉末が使
用される場合が多い。

【０００７】ところで，大容量の整流器関連部品を搭載
し，ラジエーター等の冷却装置に接続される放熱基板の
場合，整流器（Ｓｉ）やシリコンを組みつけた窒化アル
ミ基板との接合には半田等の低融点材料が使用されるた
め，前述のセラミック製の半導体パッケージの場合に比
べ熱膨張の整合性に対する許容範囲が広くなる。

【０００８】大容量整流器は，半導体素子に比べ使用時
に格段に大きな熱を伴うため，放熱部材の選定には熱伝
導の良否がより重要な要素となる。併せて大型且つ軽量
の部材が要求される。

【０００９】このため，前述の半導体素子を搭載するパ
ッケージに用いられるＣｕ−Ｗ複合材は，特性及び製造
方法の両面で必ずしも，大容量整流器の用途には適合し
ない。さらにまた，本来の物性を現出させ，工業的にも
実用性のある方法でなければならない。

【００１０】一方，プレス加工で仕上げる製品には，ホ
ーニング仕上げのままでは，外表皮の精度を充分満足さ
せ難いのは自明である。圧延工程を必要最小限に行なう
事で，精度も向上出来，製品をより造り易くするばかり
か，本来的にプレス加工がより容易になれば大変有効で
ある。

【００１１】元々の，この方法では造り難かった大面積
でない一般的なサイズ，即ちマイクロ波パッケージの如
くの放熱基板への応用は，本材料の利便性向上のための
課題を充分解決できると期待させるものである。

【００１２】先に述べた放熱基板としてよく用いられて
いるＣｕ−Ｗは、多孔質ＷにＣｕを溶浸しているため、
通常、Ｃｕ含有量が１０〜２０重量％が主で、熱膨張率
が６〜７×１０^-6／Ｋ、熱伝導率２１０〜２５０Ｗ／ｍ
・Ｋと優れた特性を有するが、部品の軽薄短小が進む今
日、密度が大きく重いという欠陥は次第に重大な要因と
なる。また、切断による加工方法のため厚みを薄くでき
ないこと（０．５ｍｍ限度）、大面積化（Ｂ５版相当以
上）ができないこともネックとなっている。

【００１３】また、多孔質ＭｏにＣｕを溶浸した１５〜
２０重量％Ｃｕ−Ｍｏも市販されているが、Ｃｕ−Ｗ同
様厚みや大面積化に問題があり、また、決して安価とは
言い難い。

【００１４】電気自動車や電気鉄道車両に使用されるパ
ワー半導体用には大型基板が使われ、一般的な半導体パ
ッケージよりも大きな熱が発生するため、放熱性、熱膨
張の基板等との整合性、反りが最重要の特性となる。

【００１５】基板のサイズとしては、厚みが２〜４ｍｍ
で、９８〜３７５ｃｍ² のものを大型基板といい、一般
的なパソコン等に使われるＭＰＵ用の基板２．２〜２５
ｃｍ² と比べ十倍以上の面積の違いがある。

【００１６】既に公開されているＴＴ−ＲＣＭは、Ｃｕ
含有量が４０質量％（ＲＣＭ４０）以上のものについて
であり、加えてＣｕ含有量によって圧延できる素材（焼
結体）厚みが異なり、特に、パワー半導体に適当とされ
るＣｕ含有量が４０質量％以下の領域については、大型
基板を製造することは困難である。

【００１７】２０質量％Ｃｕ含浸Ｍｏ（ＰＣＭ２０）で
は、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋと多少低くなるが、放
熱性としては実用に耐え得る値である。また、熱膨張係
数は７×１０^-6／ＫとＳｉとより近い値となり、基板と
の整合性が良くなり、クラックや亀裂等の品質上の不安
がなくなる上、剛性が大きくなるため反りの発生程度が
小さくなるという利点がある。熱伝導率重視とするか、
あるいは熱膨張率や剛性を重視とするかは用途次第であ
り、その選択肢が増える。

【００１８】一方、４０〜６０質量％Ｃｕ−Ｍｏ（ＴＴ
−ＲＣＭ４０〜６０）は、特に、ＲＣＭ６０の熱膨張率
は１２．３×１０^-6／Ｋと大きいが、熱伝導率が２８６
Ｗ／ｍ・Ｋと高く、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）用の放熱
基板として汎用されている。しかし、ＲＣＭは、Ｃｕと
Ｍｏ粒子が非常に細かく均一に混在されている、いわゆ
る分散強化型複合材であり、加工性がＰＣＭよりもやや
劣ることが、製造上コストが高くなる等弱点である。

【００１９】そこで，本発明の一技術的課題は、電気鉄
道車両や電気自動車等に使用される，大容量整流器に搭
載される大面積を備えた放熱基板を提供することにあ
る。

【００２０】また、本発明のもう一つの技術的課題は、
前記放熱基板を製造する方法を提供することにある。

【００２１】また，本発明のさらにもう一つの技術的課
題は，製造が簡単で，熱膨張率が半導体やセラミック絶
縁体に近く，しかも熱伝導性の優れた大面積を有する放
熱基板を提供することにある。

【００２２】また、本発明の他の技術的課題は、前記放
熱基板の製造方法を提供することにある。

【００２３】また、本発明のもう一つの他の技術的課題
は、工程の多さ，複維さによるコストを低減でき，ま
た，外観から分かる形状では，従来の放熱基板と明らか
な相違のない経済的に有利な大面積を備えた放熱基板を
提供することにある。

【００２４】さらに、本発明のさらにもう一つの他の技
術的課題は、前記放熱基板を製造する方法を提供するこ
とにある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、モリブ
デン（Ｍｏ）の圧粉体に、質量比で２０〜６０％の銅
（Ｃｕ）を溶融、染み込ませてなる（以下、含浸とい
う）Ｃｕ−Ｍｏ複合基板からなることを特徴とする放熱
基板が得られる。

【００２６】ここで、本発明の前記放熱基板において、
温間圧延又は冷間圧延を繰り返すことによって得られる
圧延板であって、微小な空孔やＣｕ含浸ムラがない（Ｃ
ｕとＭｏが均一に分布している）ことが好ましい。

【００２７】また、本発明によれば、Ｍｏ粉末に予めＣ
ｕ粉末を５質量％以下の割合で混合した粉末の圧粉体
に、質量比で４０〜６０％の銅（Ｃｕ）を含浸してなる
ことを特徴とする放熱基板が得られる。

【００２８】また、本発明によれば、Ｃｕ−Ｍｏ複合放
熱基板を製造する方法において、平均粒径（ＦＳＳＳ）
２〜６μｍのＭｏ粉末を、油圧あるいは静水圧（ＣＩ
Ｐ）プレス機で５トン／ｃｍ² 以下の圧力で圧粉体を形
成し、還元性あるいは不活性雰囲気炉中で、１０８３〜
１３００℃で質量比２０〜６０％のＣｕをＭｏ圧粉体に
含浸させてＣｕ−Ｍｏ複合基板を得ることを特徴とする
放熱基板の製造方法が得られる。

【００２９】また、本発明によれば、Ｃｕ−Ｍｏ複合基
板を製造する方法において、平均粒径（ＦＳＳＳ）２〜
６μｍのＭｏ粉末と５％以下のＣｕ粉と混合し、油圧あ
るいは静水圧（ＣＩＰ）プレス機で５トン／ｃｍ² 以下
の圧力で圧粉体を形成し、還元性あるいは不活性雰囲気
炉中で、１０８３〜１３００℃で質量比４０〜６０％の
Ｃｕを前記圧粉体に含浸させることを特徴とする放熱基
板の製造方法が得られる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００３１】本発明のように，銅の含有量が質量比３０
％を越える複合材を得るには，銅を含浸させるモリブデ
ン多孔体として見掛け密度６．７（ｇ／ｃｍ³ ）以下の
多孔体を用意する必要がある。しかし，慣習的に行われ
てきた方法では，これは困難である。

【００３２】本発明では，モリブデン粉末に有機質バイ
ンダーを添加することなく，静水圧成形法を用い所定の
空孔率を有する圧粉体を造り，この圧粉体に銅を含浸さ
せてＭｏ−Ｃｕ複合材をつくる造り方を，鋭意テストを
繰り返すことにより得ることができたものである。尚，
適性なモリブデンの粉末調整と加圧成形方法が選択され
る。

【００３３】また，本発明に原料として用いられるモリ
ブデンの金属粉末は，工業的に用いられるモリブデンの
金属粉末であり，これはモリブデン酸化物原料を水素に
て還元し得られる。本発明においては，粉末冶金におけ
る一般的な注意事項を施すことは当然である。さらに，
この粉末の特性は還元温度，水素分圧，水分圧等が主な
支配因子で，これから造られる圧粉体は更に圧粉体の成
形圧力により，その空隙の在り方含む特性がコントロー
ルされる。

【００３４】本発明において，原料モリブデン粉の粒度
は、ＦＳＳＳ粒度で２〜６μｍの範囲である。そのよう
に限定した理由は，圧粉体の加熱前後の特性は，粒度が
細かすぎると嵩（ボリューム）も増え所望の見掛け密度
を得るために成形圧力を上昇させると含浸した後にモリ
ブデン粒子同志の凝集が起こり易いばかりか，プレス機
の負荷も多く不都合であるからである。この臨界的な最
小粒度は，凡そ１．８μｍで，これ以上の２．０μｍで
は，問題無かった。

【００３５】一方，粒度が粗すぎると，成形性も低下す
るし，取り扱いでも圧粉体の周辺が崩れ易い。この臨界
的な最大粒度は，凡そ６．５ミクロンであった。

【００３６】また，本発明において，銅含浸の際の温度
は、１０８３（好ましくは１１５０）〜１３００℃の範
囲である。その理由は、この温度範囲が，空孔も無く，
９ｍｍまでの複合体を安定して得る事が分かった。さら
に加えてこの温度域が上述のそれぞれの圧粉体に無理な
変形を生じ難く良好な条件となる。

【００３７】また，本発明において，ＣＩＰの圧力は、
５トン／ｃｍ² 以下である。その理由は、次の通りであ
る。銅を含浸させて複合材を得るに，含浸時に複合体が
所謂焼結すると，所望の空孔率が変化し，質量３０％以
上の銅を含浸させることが出来ない。したがって，圧粉
体の構造が含浸後も極く小さいことが大切な条件となり
上記粒度及び温度の他成形における成形圧力も５トン／
ｃｍ² を越えないことが重要な条件となるからである。

【００３８】また，放熱基板用材料は，圧延によって加
工度を上げれば，次第に圧延加工による組織が特にモリ
ブデンの結晶粒子の形状に現われてくる。ある限度をこ
えれば，本発明による材料の予見できる特徴の，例え
ば，異方性が出現する事になる。

【００３９】本発明において，圧延加工は少なくても４
０％を越えない範囲なら一般的なサイズの放熱基板の所
望特性を損なわずに製造することができた。ただ，望ま
しくは３０％以内の加工度で行なうことで，比較的コス
トの掛かる圧延工程を少なくできる上，１〜２ｍｍ程度
の薄い放熱基板も賄えることが判明した。

【００４０】また，本発明において，圧延による加工度
４０％を越えない範囲が好ましいとしたのは，４０％を
越えると言わばモリブテンの粒径における最長径と最短
径の比率を３ないし４以上となり，本発明の材料特性及
び経済性の優位性を損なうからである。この場合，熱間
圧延により大きな加工度を採る必要はなく，むしろ冷間
あるいは４００度以下の温間領域で加工をすることで熱
間作業の防熱，安全，衛生に関する配慮か殆ど不要にな
り量産規模の工程として有効である。

【００４１】更に，本発明において，圧延加工の後に，
プレス加工を行ったところ，比較的小さい加工度の段差
を有する形状（キャビテイー型）において，プレス圧力
の減少及び僅かではあるがヘアクラックの発生安定性に
おいて優れていることが見出だされた。

【００４２】また，本発明のような放熱基板において，
めっきは欠かせない表面処理である。銅，モリブデンが
それぞれ化学的性質を大きく異にしている事から，含浸
後ホーニングだけでは，微小なボイドや銅含浸ムラの無
い安定しためっきの条件は狭い範囲でしかなかった。し
かし，本発明においては，僅かながらでも圧延加工を施
すことにより，この安定性が著しく向上することか判っ
た。

【００４３】以上のことにより，本発明によれば，充分
利便性のある一般の小さな放熱基板も供給可能と成しえ
た。

【００４４】一方，先述したマイクロ波パッケージ等の
ような小さいサイズの放熱基板のものは，当然板厚の薄
いものも多く，しかも単に平板形状でない異形形状品の
プレス加工によるものを求められる事も多い。その場合
は，先に得られた本発明の基板にさらなる圧延加工を施
して板厚を薄くしても特性上は支障無いことは当然であ
る。但し，本発明では，量産性、即ち、経済性を重視し
ており，このように圧延加工比率を増せば次第にその経
済性は損なわれることになるは，いうまでも無い。

【００４５】上述の説明の中で、ＣＩＰ圧力を１〜２．
３トン／ｃｍ² でＰＣＭ４０〜２６の製造方法を開示
し、実用上の不都合から、ＣＩＰ圧力２トン／ｃｍ² で
ＰＣＭ３０までとした。

【００４６】しかし、図１に示すように、油圧プレス機
で、Ｍｏ粒怪と圧力の関係を鋭意検討した結果、Ｃｕを
含浸できる領域、いわゆるＰＣＭの作製可能領域が判明
した。また、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であれば
実用に耐え得ることや、熱膨張係数も１２×１０^-6／Ｋ
程度までならマイクロ波用半導体へ応用され得ることか
ら、３０〜４０質量％Ｃｕ（ＰＣＭ３０〜４０）から２
０〜６０質量％Ｃｕ（ＰＣＭ２０〜６０）へ適用範囲を
広げることによって、用途を格段に広げられるメリット
が生ずる。つまり、図１によると、粒度２〜６μｍのＭ
ｏ粉末とプレス圧力を１〜５トン／ｃｍ² の範囲で調整
することにより、いわゆるＰＣＭ２０〜６０を製造する
ことができる。

【００４７】なお、Ｍｏ粒怪が１μｍの場合、プレス成
形性が悪い上、プレス体のＭｏどうしの隙間が狭く、Ｃ
ｕ含浸時の収縮も大きく、Ｃｕの含浸性も悪いため、所
定の量が入り込まない。また、Ｍｏ粒怪が６μｍを超え
るものについては、還元温度を高くしなければならず、
耐火材の消耗が激しく、さらに還元（チャージ）量を多
くせねばならず未還元が発生し易い等という問題があ
り、Ｍｏ粉末の製造白体難しい上、プレス成形性も非常
に悪く実用性に欠ける。プレス圧力については、１トン
／ｃｍ² 未満では、成形後のハンドリング性が悪く、５
トン／ｃｍ² を超えると耐性からプレス機は特殊となり
一般的でなく、また、その圧力に耐え得る金型の材質も
特殊鋼を用いなくてはならず汎用性に欠ける。ＣＩＰと
の聞係については、ＣＩＰは油圧よりも成形性がよいた
め、１０〜２０％低めに設定することができる。しか
し、一般的なＣＩＰ圧力は、３トン／ｃｍ² が汎用限界
であるが、用途（特に、サイズ）に応じて使い分けをす
ればよいことが判った。

【００４８】含浸の際のポイントとしては、Ｍｏ粉末は
酸化し易く、酸化していてはＣｕとの濡れ性が低下（毛
細管現象が低下）し、所望するＣｕが入らなくなるた
め、還元性の強い水素雰囲気で圧粉体を５００〜１００
０℃で還元することにある。本発明では、連続炉を使っ
て行なっているので、還元、含浸の工程が同時に含まれ
ているので、特に製造コストが高くなるという問題はな
い。

【００４９】ＰＣＭ５０〜６０とＣｕ含有量の多いもの
を製造する際は、２μｍ程度の細かいＭｏ粉末を１〜
１．５トン／ｃｍ² の低い圧力で作れるが、粉末が細か
い故、収縮等の影響でＣｕ合浸量をコントロールするに
は若干の熟練を要する。そこで、予め１〜５質量％のＣ
ｕ粉末をＭｏ粉末に混合した粉末て圧粉体を作り、Ｃｕ
を含浸することによりＣｕ含有量の多い領域のＰＣＭを
容易に製造することができるようになる。Ｃｕ粉が予め
少量入っていることにより、Ｍｏ粉とのつなぎの役割を
果たすので成形を保ち易くなり、またＣｕの領域も確保
でき、Ｃｕの含浸が促進されるため、Ｍｏ平均粒怪を３
〜４μｍ（汎用粒怪）、圧力を１．５〜２トン／ｃｍ²
（汎用圧力）とできる。さらに、Ｍｏ平均粒径を２μｍ
から４μｍグレードにすることにより、原料コストを大
幅に下げられるメリットも生ずる。

【００５０】図２はＴＴ−ＲＣＭとＰＣＭの製造工程の
比較を示す図である。

【００５１】ＲＣＭはＣｕ粉末とＭｏ粉末を所定の割合
で配合した後、十分均一混合する。そして、油圧あるい
はＣＩＰにより粉末成形し、焼結した後、圧延するとい
う工程で製造される。それに対し、本発明のＰＣＭは、
Ｍｏ粉末を油圧、あるいは、ＣＩＰにより成形したその
圧粉体にＣｕを含浸した後、圧延するものであり、ＲＣ
Ｍより製造工程が一工程簡略され、製造コストが安くな
る上、緻密化したＣｕ−Ｍｏ複合材が製造できる。

【００５２】また、図３は、ＰＣＭ３５とＲＣＭ４０の
厚さ（Ｔ）１ｍｍの金属組織の比較を示す図である。ミ
クロ的に観ると、ＰＣＭ３５はＣｕの割合が少ないにも
拘らず、Ｍｏ粒子間のＣｕの占める割合が多くなってい
る。これが含浸法の特徴であり、加工性をより良くして
いる一因である。

【００５３】従って，ＰＣＭは、冷間圧延あるいは，４
００℃以下の温間圧延が可能である。含浸体素材の厚み
が，５ｍｍ以下ならば冷間圧延で９０％の加工ができ
る。しかし、素材厚みが１０ｍｍ程度の場合となると、
１５０〜４００℃の加熱が必要である。

【００５４】なぜなら、図４に示すように、Ｃｕは、１
５０℃で引張強度や硬さが低下し始め、４００℃まで急
激に低下し、伸び率は、逆に同温度領域で急激に増加す
る。これによって、加工性が良くなるためであり、圧延
の際には、その効果が大きく表れる。尚、図５は、丸善
出版の金属データブック（古河電工時報）から抜粋した
データであるが、「純銅」として代表される無酸素銅、
電気銅、及びリン脱酸銅のいずれも１５０〜４００℃で
急激な遷移領域を持つことが判り、ＰＣＭの含浸原料に
は酸素銅あるいは電気銅を用いているため適用できる。

【００５５】ＲＣＭも同様の効果があると思われるが、
Ｃｕの一領域に占める面積がＰＣＭより小さいため、そ
の効果は僅かである。

【００５６】プレスによる塑性加工性についても同様の
ことが言える。例えば、キャビティ型の放熱基板をプレ
ス加工により製作すると、ＲＣＭ４０はクラックが入り
易いのに対し、ＰＣＭ３５はＣｕ含有量が少ないにも拘
らず、そのようなクラックが入り難い故、加工性はＲＣ
Ｍより有益である。

【００５７】それでは、本発明の実施の形態による放熱
基板の製造例について説明する。

【００５８】（例１）平均粒径４μｍのＭｏ粉末を油圧
成形機で４．５トン／ｃｍ² の荷重を掛け、厚み（Ｔ）
５×８０×１８５ｍｍの圧粉体を作った。この圧粉体の
相対密度は、７０％であった。この圧粉体の上部にＭｏ
の質量比で２５％分のＣｕ板を載せ、水素還元性雰囲気
炉において、１３００℃でＣｕを溶融、染み込ませた
（含浸した）。

【００５９】含浸体のサイズは、Ｔ４．６×７７×１７
９ｍｍであり、Ｃｕ含浸量はＩＣＰ（Inductively Coup
led Plasma）発光分析装置で測定した結果、２０．５質
量％（ＰＣＭ２０）、相対密度は９７％であった。この
含浸体の表面を液体ホーニングにより平坦処理し、４０
０℃に設定したホットプレートで温めながら、圧下率１
０％以下で圧延を繰り返しＴ３ｍｍまで加工した。この
板のＭｏ粒子のアスペクト比（最長怪／最短怪）を測定
したところ、ほぼ２であり、熱膨張係数の異方性は８％
であった。熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率は２
４０ＧＰａであった。

【００６０】また、この板を１００×１５０ｍｍサイズ
の金型で打ら抜き加工を行なったが、側面や表面にはク
ラックや割れ等の不良はなく良好であった。また、これ
に３μｍ電解Ｎｉめっきを施した後、水素雰囲気中にて
８５０℃×２０分処理したが、めっきの膨れ、変色、染
み、ムラ等の不良はなかった。更に、Ａｇロー（ＢＡｇ
−８）付けした後、密着強度を測定したところ、５ｋｇ
／ｍｍ² の強度が得られた。

【００６１】（例２）平均粒怪３μｍのＭｏ粉末に対
し、質量比で２％分の乎均粒径８μｍの電解Ｃｕ粉を混
合した。この混合粉末をＣＩＰで、Ｍ−８５８１で開示
した方法により２．３トン／ｃｍ² の荷重を掛け、厚み
（Ｔ）５．５×１８０×１８５ｍｍの圧粉体を作った。
この時の相対密度は７０％であった。この圧粉体の上部
にＭｏの質量比で２５％分のＣｕ板を載せ、水素還元性
雰囲気炉において１３００℃でＣｕを含浸した。含浸体
のサイズはＴ５×１６０×１７９ｍｍであり、Ｃｕ含浸
量は２０．３質量％（ＰＣＭ２０）、相対密度は９７％
であった。この含浸体の表面を液体ホーニングにより平
坦処理し、４００℃に設定したホットプレートで温めな
がら、圧下率１０％以下で圧延を燥り返しＴ３×２６０
×１７９ｍｍまで加工した。各々の特性は、例１とほぼ
同じ値であった。

【００６２】また、この板を２４０×１５０ｍｍサイズ
の金型て打ち抜き加工を行ない、３６０ｃｍ² の面積を
有する大型基板ができた。なお、側面や表面にはクラッ
クや割れ等の不良はなく、良好であった。また、この打
ち抜き板に３μｍ電解Ｎｉめっきを施した後、例１と同
様の熱処理し、密着強度を測定した結果、剥がれや膨れ
等の不良は、生じず、良好で、４．８ｋｇ／ｍｍ² の密
着強度が得られ充分なことが判明した。以上のように、
大面積で所望した特性を有する高信頼性放熱基板ができ
た。

【００６３】（例３）平均粒径２μｍのＭｏ粉末を油圧
成形機で１．２トン／ｃｍ² の荷重を掛け、厚み（Ｔ）
１１×８０×１８５ｍｍの圧粉体を作った。この時の相
対密度は３５％であった。この圧粉体の上部にＭｏの質
量比で６３％分のＣｕ板を載せ、水素還元性雰囲気炉に
おいて、１１５０℃でＣｕを含浸した。この時のサイズ
はＴ１０×７５×１７４ｍｍであり、Ｃｕ合浸量は５
８．８質量％（ＰＣＭ６０）であった。

【００６４】この含浸体の表面を液体ホーニングにより
処理し、２５０℃に設定したホットプレートで温めなが
ら、圧下率１０％以下で圧延を燥り返しＴ１ｍｍまで加
工した。この圧延板の平均熱膨張係数は１２×１０^-6／
Ｋ、熱伝導率は２８０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率は１７０Ｇ
Ｐａであった。

【００６５】また、この板を１５×２４ｍｍサイズの部
品に打ち抜いたが、側面や表面にクラックや割れ等は発
生せず良好にできた。また、打ち抜き部品をＮｉめっき
した後、例１と同様の熱処理をし、密着強度を測定した
結果、剥がれや膨れ等の不良は生じず良好で、４．６ｋ
ｇ／ｍｍ² であった。

【００６６】（例４）平均粒径３μｍのＭｏ粉末に対
し、質量比で５％分の平均粒径８μｍの電解Ｃｕ粉を乾
式で混合した。この混合粉末を油圧成形機で１．８トン
／ｃｍ² の荷重を掛け、厚み（Ｔ）１１×８０×１８５
ｍｍの圧粉体を作った。この時の相対密度は５０％であ
った。この圧粉体の上部に、Ｍｏの質量比で５８％分の
Ｃｕ板を載せ、水素還元性雰囲気炉において１１５０℃
でＣｕを含浸した。この時のサイズは、Ｔ１０×７５×
１７４ｍｍであり、Ｃｕ含浸量は５９．６質量％（ＰＣ
Ｍ６０）であった。この含浸体を例３と同様の製造工程
でＴ１ｍｍまで加工し、同様に打ち抜き、Ｎｉめっきし
た後、例１と同様の熱処理をし、密着強度を測定した結
果、剥がれや膨れ等の不良は生じず、良好で、４．８ｋ
ｇ／ｍｍ² の密着強度が得られ充分なことがわかった。
また、各々の特性は、例３と同じで、放熱基板としての
有用性が得られた。

【００６７】（例５）平均粒怪４μｍのＭｏ粉末を油圧
成形機で１．５トン／ｃｍ² の荷重を掛け厚み（Ｔ）５
×８０×１８５ｍｍの圧粉体を作った。この圧粉体の相
対密度は６０％であった。この圧粉体の上部にＭｏの質
量比で３８％分のＣｕ板を載せ、水素還元性雰囲気炉に
おいて、１３００℃でＣｕを含浸した。含浸体のサイズ
は、Ｔ４．６×７７×１７９ｍｍであり、Ｃｕ含浸量
は、３５．５質量％（ＰＣＭ３５）、相対密度は９８％
であった。この含浸体を例３と同様の処理をし、３００
℃に設定したホットプレートで温めながら、圧下率１０
％以下で圧延を繰り返しＴ０．８ｍｍまで加工した。こ
の圧延板の平均熱膨張係数は８．５×１０^-6／Ｋ、熱伝
導率は２００Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率は２２０ＧＰａであ
り、放熱基板として有用な素材ができた。

【００６８】（例６）例５で作製したＰＣＭ３５のＴ
０．８×□３０ｍｍの板を用い、図５（ａ）及び図５
（ｂ）に示すような凹部１３の内径□１５ｍｍ、押し込
み深さ（Ｄ）０．３５ｍｍで常温にてプレス加工により
キャビティ型の基板を作製した。この時の雄型と雌型の
クリアランスは２５μｍで、雄型の突端にＲ０．２ｍｍ
を付けた金型を使って加工を行なった。

【００６９】比較として、ＴＴ−ＲＣＭ４０の同じ板厚
のものも同様の加工を行なった結果、ＰＣＭ３５は段差
部にクラックや亀裂等の不良はなく、しかも凹部底面は
素子を搭載しても十分平坦な精度のある形状に加工でき
たが、ＲＣＭ４０は参照符号１０で示される部分に小さ
い亀裂が見られ、組成の近い領域で比較するとＰＣＭの
加工性の良さが判った。

【００７０】（例７）本発明の例７による大面積放熱基
板を次のように製造した。

【００７１】市販の篩されたモリブデン粉を，上下に鉄
板を配置し，全体をゴムケースに入れ，静水圧プレス
（ＣＩＰ）により１．８トン／ｃｍ² の圧力で，１５５
×２５５×３．３ｍｍあるいは５．３ｍｍに成形する。

【００７２】所定の形状の銅板の上に先のモリブデン圧
粉体を乗せ，水素雰囲気の熱処理炉の中で，１１００℃
程度から徐々に昇温し１１５０〜１３００℃とする。こ
の温度は，粉末の粒度により，例えば、２〜６μｍ（Ｊ
ＩＳ Ｈ２１１６によるＦｓｓｓ法測定値）の範囲で細
かい程低温とし粗い程高温とする。処理最終の温度は，
実質的に銅が十分に溶ける温度が必要で，１１５０℃以
上が欠かせない。また，構体の変形を来たす事は避けね
ばならず，プレス圧力の高くする条件下の場合，銅は含
浸されにくく高温が良いが，実験の結果より１３００℃
を超えてはならないことが判明している。

【００７３】次いで，表面のわずかな余剰銅，および表
面の形状精度を得るため，ホーニング加工を行う。５μ
ｍ以上のニッケルめっきを施し３及び５ｍｍ厚の製品と
した。仕上がり寸法２５０ｍｍの長さ方向の反りは，何
れも６５±５μｍミクロンの範囲に納まっており，大容
量のインバーターに組み込んだ処充分な接合安定性が得
られた。

【００７４】また，熱膨張の異方性は，鍛造品よりは若
干劣り±０．７５×１０^-6／Ｋとなったが実用上充分性
能が得られた。熱伝導率については，１０Ｗ／ｍ・Ｋで
あった。また，粉末のプレス圧力に対する銅含浸量，熱
伝導率，及び熱膨張係数の測定結果を，下記表１に示し
た。９ｍｍの製品板厚まで製作できた。尚，この放熱基
板を搭載した装置は変形，構成部品の剥離，ワレに対し
て高い信頼性を有して入ることが分かった。

【００７５】

【表１】

【００７６】また，ここで，断面組織を観察したとこ
ろ、銅とモリブデンは均一に分布されていたと共に巨大
な粒子を含まずプレスによる加工はスムーズに行え且
つ，周辺部のチッピングも起こさず，電気鉄道自動車や
電気自動車に用いる大容量整流器に搭載可能であること
も判った。

【００７７】しかし，上記表３に示した数値の内、熱膨
張係数＝９は，ギリギリの許容域で，しかもプレス体の
取扱の最中で割れやすく実用上好ましく無い。プレス圧
力２．３トン／ｃｍ² では，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・
Ｋを割る上組織上，モリブデンの凝集が観られた。これ
は銅を徐々に昇温して，含浸しているにも拘わらずモリ
ブデンの焼結が起きてしまい，また粉末の適正範囲を選
択していても変わらず不都合である。したがって，プレ
ス圧力としては２トン／ｃｍ² が実用上の上限と判明し
た。

【００７８】（例８）本発明の例８による大面積放熱基
板を次のように製造した。

【００７９】市販の篩されたモリブデン粉からの圧粉体
を銅板にはさみ，熱処理して，ホーニング加工までを、
例７と同様に行った。次に，板厚５ｍｍの素材を３００
℃の温間条件で，３回ないしは６回に分けて圧延加工を
施し３ｍｍ迄加工した。表面は清浄で凹凸もなく，プレ
ス加工した仕上げ面となんら変わらぬ精度になった。

【００８０】さらにニッケルめっきを施したところ，水
素中アニールをおこなった後の検査で，フクレ，ボイ
ド，色ムラ等生じることなく正常な仕上がりと為しえ
た。また，組織を観察したところ，モリブデンの粒径に
おける最長径と最短径の比率はほぼ２であった。

【００８１】（例９）本発明の例８と同様の加工によ
り，３ｍｍから２．１ｍｍの板材を作成した。外径□３
０，凹部段差０．２５，凹部内径□１５，裏面平坦の放
熱基盤を，雄型の突端形状Ｒ０．２，雌型と雄型のクリ
アランスを片側２５μｍとり，常温にてプレス加工した
ところ，段差部のクラックもなく，しかも凹段部底面は
素子を搭載しても充分平坦な精度のある形状に加工出来
た。もちろんめっきも例８と同様なんら問題もなく正常
な仕上がりになった。

【００８２】一方，比較の為に，銅とモリブデンを混
合，焼結，圧延を施してなる銅／モリブデン複合材で，
銅の含有率が４０％の場合について行なったところ，容
易に２．１ｍｍの板材は準備できた。

【００８３】しかし，例９と同様のプレス加工を行なっ
たところ，段部の底部コーナーに段差と平行にヘアクラ
ックのあることが顕微鏡検査で検出された。

【００８４】この時，モリブデンの最長径と最短径の比
率をはかったところ２．７であった。また，クラックは
圧延方向と直角に加工された部分に発生しており，モリ
ブデンの形状に起因していると思われる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
電気鉄道車両や電気自動車に使用される，大容量整流器
に搭載される大面積放熱基板を提供することができる。

【００８６】また，本発明によれば，汎用的に利用され
ているＷ−Ｃｕ複合材料のごとき，有機質のバインダー
等の添加を行わず，またバインダー除去のための熱処理
も不要であり，極めて経済的に複合材を製造でき，モリ
ブデンの厚粉体に質量比で３０〜４０％の銅を含浸さ
せ，しかもこの外の処理は極めて少なく，熱膨張率が半
導体やセラミック絶縁体に近く，しかも熱伝導性の優れ
た材料を得る大面積放熱基板とその製造方法が得られ
る。

【００８７】さらに，本発明によれば，圧粉体，所謂粉
末を所定の条件でプレス成形しただけの物へ銅を含浸さ
せる事で，焼結や圧延，あるいは鍛造のように，銅の不
均一分布（銅の融点近傍での揺れ）をコントロールした
り，工程の多さ，複維さによるコスト低減でき，また，
外観から分かる形状では明らかに相違のない経済的に有
利な大面積放熱基板とその製造方法を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｍｏ粒径とプレス圧力との関係を示す図であ
る。

【図２】素材製造工程の概略を示す図である。

【図３】ＰＣＭ３５とＲＣＭ４０の厚み１ｍｍにおける
金属組織の比較を示す電子顕微鏡写真である。

【図４】各種純銅板（５０％圧延１ｍｍ）の機械的性質
におよぼす焼なまし温度の影響を示す図である。

【図５】図５（ａ）は本発明の実施例による異形状放熱
基板の平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）の異形状
放熱基板の断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 清史 山形県酒田市大浜二丁目１番12号 東京タ ングステン株式会社酒田事務所内 (72)発明者 前里 英俊 山形県酒田市大浜二丁目１番12号 東京タ ングステン株式会社酒田事務所内 (72)発明者 有川 正 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内

Claims (41)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 モリブデン（Ｍｏ）の圧粉体に、質量比
   で２０〜６０％の銅（Ｃｕ）を溶融、染み込ませる含浸
   してなるＣｕ−Ｍｏ複合基板からなることを特徴とする
   放熱基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載の放熱基板において、温間
   圧延又は冷間圧延を繰り返すことによって得られる圧延
   板であって、微小な空孔やＣｕ含浸ムラがない（Ｃｕと
   Ｍｏが均一に分布している）ことを特徴とする放熱基
   板。
3. 【請求項３】 請求項２記載の放熱基板において，打ち
   抜き加工で端面又は側面及び表面に欠けや、クラック、
   割れがなく、形状精度の良い加工ができ、表面にめっき
   を施した後、７００℃以上で熱処理してもめっきの膨
   れ、剥離、ムラのない充分密着しためっき層を有するこ
   とを特徴とする放熱基板。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
   放熱基板において、前記Ｃｕ−Ｍｏ複合板を圧延加工し
   た圧延板であって、この圧延板中のＭｏ粒子のアスペク
   ト比（最長径／最短径）が２以下であることを特徴とす
   る放熱基板。
5. 【請求項５】 請求項４記載の放熱基板において，前記
   圧延板は、圧延方向に平行な方向と圧延方向に垂直な方
   向の熱膨張係数の差（異方性）が８％以下であることを
   特徴とする放熱基板。
6. 【請求項６】 請求項１記載の放熱基板において、前記
   Ｃｕ含浸量がモリブデン（Ｍｏ）の圧粉体に対して、質
   量比で２０〜４０％であることを特徴とする放熱基板。
7. 【請求項７】 請求項６記載の放熱基板において、電気
   自動車や電気鉄道車両に使用されるパワー半導体に用い
   られ、複数の半導体素子の搭載に用いられることを特徴
   とする放熱基板。
8. 【請求項８】 請求項７記載の放熱基板において、前記
   Ｃｕ含浸量がモリブデン（Ｍｏ）の圧粉体に対して、質
   量比で２０〜３０％であることを特徴とする放熱基板。
9. 【請求項９】 請求項８記載の放熱基板において、熱膨
   張係数７〜８．５×１０^-6／Ｋ、熱伝導率１７０〜１９
   ０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率２２０〜２４０ＧＰａ、密度１
   ０ｇ／ｃｍ³ 以下の各特性を備え、高信頼性を有するこ
   とを特徴とする放熱基板。
10. 【請求項１０】 請求項６記載の放熱基板において，前
    記Ｃｕ含浸量がモリブデン（Ｍｏ）の圧粉体に対して、
    質量比で３０〜４０％であることを特徴とする放熱基
    板。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の放熱基板において、
    車両の大容量整流器に搭載されていることを特徴とする
    放熱基板。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至３の内のいずれかに記載
    の放熱基板において、前記圧延板にプレス加工によって
    凹凸に段差を有する異形状を備えている事を特徴とする
    放熱基板。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の放熱基板において、
    前記Ｃｕ含有量がモリブデン圧粉体に対して質量比で４
    ０〜６０％であることを特徴とする放熱基板。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の放熱基板において、
    熱膨張係数８．７〜１２×１０^-6／Ｋ、熱伝導率２３０
    〜２８０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１７０〜２００ＧＰａ、
    密度１０ｇ／ｃｍ³ 以下の特性を備えていることを特徴
    とする放熱基板。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の放熱基板において、
    表面粗さＲａ≦０．１ｍｍ、反り≦O.３ｍｍであること
    を特徴とする放熱基板。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の放熱基板において、
    マイクロ波用半導体に搭載されることを特徴とする放熱
    基板。
17. 【請求項１７】 請求項１６記載の放熱基板を具備する
    ことを特徴とする半導体パッケージ。
18. 【請求項１８】 Ｍｏ粉末に予めＣｕ粉末を５質量％以
    下の割合で混合した粉末の圧粉体に、質量比で４０〜６
    ０％の銅（Ｃｕ）を含浸したＣｕ−Ｍｏ複合基板から実
    質的になることを特徴とする放熱基板。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載の放熱基板において、
    熱膨張係数８．７〜１２×１０^-6／Ｋ、熱伝導率２３０
    〜２８０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１７０〜２００ＧＰａ、
    密度１０ｇ／ｃｍ³以下の特性を備えたことを特徴とす
    る放熱基板。
20. 【請求項２０】 請求項１９記載の放熱基板において、
    マイクロ波用半導体の搭載に用いられることを特徴とす
    る放熱基板。
21. 【請求項２１】 請求項２０記載の放熱基板において、
    前記Ｃｕ−Ｍｏ複合基板を冷間圧延又は温間圧延した圧
    延板からなり、微小な空孔やＣｕ含浸ムラがないことを
    特徴とする放熱基板。
22. 【請求項２２】 請求項２１記載の放熱基板において、
    前記圧延板は、打抜き加工で端面又は側面にクラック、
    割れがなく、形状精度の良い加工ができ、表面にめっき
    を施した後７００℃以上で熱処理しても、めっきの膨
    れ、剥離、ムラの無い充分密着しためっき層を有するこ
    とを特徴とする放熱基板。
23. 【請求項２３】 請求項２１記載の放熱基板において、
    前記圧延板は、凹凸に段差を有する形状を備えているこ
    とを特徴とする放熱基板。
24. 【請求項２４】 Ｃｕ−Ｍｏ複合放熱基板を製造する方
    法において、平均粒径（ＦＳＳＳ）２〜６μｍのＭｏ粉
    末を、油圧あるいは静水圧（ＣＩＰ）プレス機で５トン
    ／ｃｍ² 以下の圧力で圧粉体を形成し、還元性あるいは
    不活性雰囲気炉中で、１０８３〜１３００℃で質量比２
    ０〜６０％のＣｕをＭｏ圧粉体に含浸させてＣｕ−Ｍｏ
    複合基板を得ることを特徴とする放熱基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 請求項２４記載の放熱基板の製造方法
    において、前記Ｃｕ−Ｍｏ複合基板に、４０％以下の加
    工度で圧延を施して圧延板を得ることを特徴とする放熱
    基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 請求項２５記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延板に冷間圧延あるいは４００℃以下
    の温間圧延によって、微小な空孔やＣｕ含浸ムラがない
    （ＣｕとＭｏが均一に分布している）圧延板を得ること
    を特徴とする放熱基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 請求項２６記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延板中のＭｏ粒子のアスペクト比（最
    長径／最短径）が２以下であることを特徴とする放熱基
    板の製造方法。
28. 【請求項２８】 請求項２７記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延方向に平行な方向と前記圧延方向に
    垂直な方向の熱膨張係数の差（異方性）が８％以下であ
    ることを特徴とする放熱基板の製造方法。
29. 【請求項２９】 請求項２６乃至２８の内のいずれかに
    記載の放熱基板の製造方法において、前記圧延板の表面
    にめっきを施し、７００℃以上で熱処理してもめっきの
    膨れ、剥離、ムラのない充分密着しためっき層を有する
    めっき付圧延板を得ることを特徴とする放熱基板の製造
    方法。
30. 【請求項３０】 請求項２６乃至２８の内のいずれかに
    記載の放熱基板の製造方法において、前記圧延板に、打
    ち抜き加工を施して端面又は側面及び表面に欠けや、ク
    ラック、割れがなく、形状精度の良い加工板を得ること
    を特徴とする放熱基板の製造方法。
31. 【請求項３１】 請求項３０記載の放熱基板の製造方法
    において、前記加工板の表面にめっきを施し、７００℃
    以上で熱処理してもめっきの膨れ、剥離、ムラのない充
    分密着しためっき層を有するめっき付加工板を得ること
    を特徴とする放熱基板の製造方法。
32. 【請求項３２】 請求項２７記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧粉体に含浸させるＣｕ量は、質量比２
    ０〜３０％であることを特徴とする放熱基板の製造方
    法。
33. 【請求項３３】 請求項２７記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延板に、凹凸に段差を有する形状の放
    熱基板にプレス塑性加工を施して異形状の放熱基板を得
    ることを特徴とする放熱基板の製造方法。
34. 【請求項３４】 請求項３３記載の放熱基板の製造方法
    において、更に，プレス加工工程を備え，前記圧延の前
    に銅含浸し，前記圧延を施した後，前記プレス加工工程
    によって段差を有する形状の放熱基板に加工することを
    特徴とする放熱基板の製造方法。
35. 【請求項３５】 請求項３４記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧粉体に含浸させるＣｕ量は、質量比３
    ０〜４０％であることを特徴とする放熱基板の製造方
    法。
36. 【請求項３６】 請求項３５記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧粉体は、実質的に巨大粒子を含まず、
    前記含浸は、体積収縮率３％以下で銅を均一に分布させ
    ることからなることを特徴とする放熱基板の製造方法。
37. 【請求項３７】 請求項３４記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧粉体に含浸させるＣｕ量は、質量比４
    ０〜６０％であることを特徴とする放熱基板の製造方
    法。
38. 【請求項３８】 Ｃｕ−Ｍｏ複合基板を製造する方法に
    おいて、平均粒径（ＦＳＳＳ）２〜６μｍのＭｏ粉末と
    ５％以下のＣｕ粉と混合し、油圧あるいは静水圧（ＣＩ
    Ｐ）プレス機で５トン／ｃｍ² 以下の圧力で圧粉体を形
    成し、還元性あるいは不活性雰囲気炉中で、１０８３〜
    １３００℃で質量比４０〜６０％のＣｕを前記圧粉体に
    含浸させてＣｕ−Ｍｏ複合基板を得ることを特徴とする
    放熱基板の製造方法。
39. 【請求項３９】 請求項３８記載の放熱基板の製造方法
    において、前記Ｃｕ−Ｍｏ複合基板を４０％以上の加工
    度で冷間圧延あるいは４００℃以下の温間圧延によっ
    て、微小な空孔やＣｕ含浸ムラがない圧延板を得ること
    を特徴とする放熱基板の製造方法。
40. 【請求項４０】 請求項３９記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延板にさらに凹凸に段差を有する形状
    の放熱基板にプレス塑性加工して異形状の放熱基板を得
    ることを特徴とする放熱基板の製造方法。
41. 【請求項４１】 請求項３９記載の放熱基板の製造方法
    において、前記圧延板に打抜き加工を施してクラック等
    が発生しない良好な加工板を得た後、表面に安定しため
    っき層を施すことを特徴とする放熱基板の製造方法。