JP2009517865A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. ａ）表面に物質を有する半導体支持体を処理室中に置き；
   ｂ）硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、第１の供給ラインから、支持体表面を実質的均一に被覆するのに有効な量で支持体表面に投与し；
   ｃ）該支持体表面上の液状硫酸組成物を、第２の供給ラインから投与される水蒸気により、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露し；その場合、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は５：１未満であり、そして
   ｄ）該支持体から物質を除去する、
   ことを含む、半導体支持体から物質を除去する方法。
2. 該液状硫酸組成物は、その温度が、(ｉ）水蒸気に暴露する前の支持体上の液状硫酸組成物の温度と(ii）水蒸気の温度、の両方よりも高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露される、請求項1に記載の方法。
3. 水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は１：２未満である、請求項1に記載の方法。
4. 水蒸気が80℃から110℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
5. 物質がホトレジストである、請求項1に記載の方法。
6. 支持体が液状硫酸組成物の支持体表面への投与中に回転し、そして液状硫酸組成物は、スイーピングによる支持体の回転中心に対して変化する角度でのスプレーによって投与される、請求項1に記載の方法。
7. スプレーの角度が、該液状硫酸組成物の１回の投与の間に変化する、請求項１に記載の方法。
8. 該水蒸気が沸騰水から発生され、水蒸気形成装置により該処理槽の内部又は外部のどちらかで水蒸気を形成する、請求項１に記載の方法。
9. 該液状硫酸組成物が、複数回の不連続パルスによって支持体表面上に投与される、請求項1に記載の方法。
10. ａ）表面に物質を有する半導体支持体を処理室中に置き；
    ｂ）硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、第１の供給ラインから、支持体表面を実質的均一に被覆するのに有効な量で支持体表面に投与し；
    ｃ）該支持体表面上の液状硫酸組成物を、第２の供給ラインから投与される水蒸気により、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露し；その場合、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は５：１未満であり、そして、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の該水蒸気への暴露の前に、液状の水の添加によって希釈されず；そして
    ｄ）該支持体から物質を除去する、
    ことを含む、半導体支持体から物質を除去する方法。
11. ａ）表面に物質を有する半導体支持体を処理室中に置き；
    ｂ）次のｉ）及びii）の連続的２工程からなる処理プロセス：ｉ）硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、第１の供給ラインから、支持体表面を実質的均一に被覆するのに有効な量で支持体表面に投与し；ii）該支持体表面上の液状硫酸組成物を、第２の供給ラインから投与される水蒸気により、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露し；そして
    ｃ）該支持体から物質を除去し、その場合、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は５：１未満である、
    ことを含む、半導体支持体から物質を除去する方法。
12. 水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は２：１未満である、請求項1、１０及び１１の何れか１項に記載の方法。
13. 液状硫酸組成物の投与中又は投与後、処理室中に酸化剤が導入される、請求項1に記載の方法。
14. 該酸化剤が過酸化水素である、請求項１３に記載の方法。
15. 該酸化剤がオゾンである、請求項１３に記載の方法。
16. 液状硫酸組成物の投与中又は投与後、処理室中に酸化剤が導入される、請求項１０及び１１の何れか１項に記載の方法。
17. 水蒸気への暴露の前に、液状硫酸組成物が130℃から200℃の温度で投与される、請求項1、１０及び１１の何れか１項に記載の方法。
18. 水蒸気が処理室の外で発生され、そして望みの形状の水蒸気として処理室中に導入される、請求項1、１０及び１１の何れか１項に記載の方法。