TW201530677A - 化學流體處理設備及化學流體處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明描述一種化學流體處理設備及化學流體處理方法，用於以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度。該設備包含：一釋放噴嘴，於基板上方，以對基板的前表面供給在第一溫度下的第一化學流體；一桿狀噴嘴，定向於基板的徑向方向，以對基板的前表面或後表面供給在第二溫度下的第二化學流體，第二溫度係高於第一溫度，及其中桿狀噴嘴包含複數個出口，其用以分配第二化學流體至與基板中央不同距離之基板前表面或後表面上的複數個接觸位置。
Description
本申請案係與西元2013年7月26日申請之美國暫時申請案第61/859,112號（參考編號：SPS-020 Pro）相關，並主張此暫時申請案的優先權，且藉由參照此暫時申請案的整體內容納入本案揭示內容。
本揭露內容係與一種用於處理基板（例如：半導體晶圓）的化學流體處理設備及化學流體處理方法相關，該設備及該方法係以高溫化學流體來處理基板。
許多用於製造半導體元件的製程包括：以化學流體處理基板，例如：當藉由以化學液體蝕刻來移除半導體晶圓上所形成的膜時。在一範例中，可以氫氟酸（HF）自晶圓移除用作硬遮罩的SiN膜，或可以氨或氨-過氧化氫溶液移除Si類膜。
在單一晶圓膜蝕刻製程中，化學流體係分配在轉動中晶圓的中央，且化學液體會由晶圓中央流動到晶圓邊緣而流過晶圓表面。然而，當化學液體流過晶圓時，此化學液體會冷卻，而此狀況造成問題，這是因為於基板上膜的蝕刻速率係取決於液體及基板的溫度，因此可能會在基板中央與基板邊緣之間造成不佳的蝕刻均勻性。此問題將隨著基板尺寸的增加而變得更為明顯。
本發明實施例描述一種處理基板的化學流體處理設備及化學流體處理方法。根據一實施例，提供一種化學流體處理設備，以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度。該設備包含：一基板固持機構，用於固持基板；一轉動機構，用於轉動該基板固持機構；一釋放噴嘴，位在基板上方，以對基板的一前表面供給在一第一溫度下的一第一化學流體；及一第一化學流體供應機構，用於對該釋放噴嘴供給該第一化學流體。該設備更包含：一桿狀噴嘴，定向於基板的徑向方向，以對基板的該前表面或一後表面供給在一第二溫度下的一第二化學流體，該第二溫度係高於該的一溫度；及一第二化學流體供應機構，用於對該桿狀噴嘴供給該第二化學流體，其中該桿狀噴嘴包含複數個出口，該等出口用以釋放該第二化學流體至與基板中央不同距離之基板的該前表面或該後表面上的複數個接觸位置。
根據另一實施例，提供一種化學流體處理方法，其以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度。該方法包含：將基板固持；將基板轉動；對基板的一前表面供給來自一釋放噴嘴的一第一化學流體；及對基板的該前表面或一後表面供給來自一桿狀噴嘴的一第二化學流體。該桿狀噴嘴係定向於基板的徑向方向，以供給在一第二溫度下的該第二化學流體，該第二溫度係高於一第一溫度，其中供給該第二化學流體，使得該第二化學流體自該桿狀噴嘴通過複數個出口，而釋放至與基板中央不同距離之基板的該前表面或該後表面上的複數個接觸位置。
在下列的詳細描述中，參考隨附圖式，其構成本案的一部分。在此詳細敘述、圖式、及申請專利範圍中所描述的說明性實施例並非是限制性的。在不背離本文所示之申請標的之精神或範圍的情況下，可利用其他的實施例，且可進行其他的變化。
本揭露內容提供一種基板處理設備及基板處理方法，其用以藉由在整個基板表面上維持實質不變的溫度，而提升處理基板的均勻性。相較於其他的設備及處理方法，本文所提供的設備及處理方法係使用較少量的化學流體，且會在整個大基板上維持優越的溫度均勻性。此處理可包含各種常見於半導體製造中的製程，包括：蝕刻、清潔、清洗、沉積、及調節。
圖1A係剖面圖，示意性地說明根據第一實施例以複數個化學流體來處理基板10。基板10可以包含：圓形的半導體晶圓，例如：200mm、300mm、或450mm的Si晶圓。又，亦可以使用其他的基板，例如：用於平板顯示器（FPD）的基板，其包含用於液晶顯示器（LCD）的玻璃基板、光微影遮罩石英基板。
基板10係由固持機構（圖未示出）所固持，且基板10係藉由轉動機構（圖未示出）繞著基板10的中央轉動，該轉動機構10係用於轉動基板固持機構。基板固持機構及基板轉動機構對熟習此技藝者係熟知的。將釋放噴嘴12設置在基板10的上方，以對基板10的前（上部）表面16供給在第一溫度下的第一化學流體14。流體輪廓15示意性地顯示在前表面16上。在一範例中，釋放噴嘴12可以包含單一出口，其用以將第一化學流體14分配至基板10。第一化學流體供應機構8係對釋放噴嘴12供給第一化學流體14。
圖1A進一步示意性地說明桿狀噴嘴 18，其定向於基板10的一徑向方向，以對基板的後（下部）表面22供給在第二溫度下的第二化學流體20，其中第二溫度係高於第一溫度。第二化學流體供應機構24係對桿狀噴嘴 18供給第二化學流體20。流體輪廓17示意性顯示在後表面22上。在基板10的處理期間，第一及第二化學流體14、20係同時供給至基板10。較高溫的第二化學流體20會抵消基板10的冷卻，而使基板10的溫度更為均勻。 對膜蝕刻製程而言，提升的基板溫度均勻性會改善整個基板10的膜蝕刻均勻性。該化學流體可包含氣體、液體、或以上的組合。該氣體可以包含多種氣體，包含例如Ar及N2
的惰性氣體。表I中提供示例性的液體。在一範例中，含有氫氟酸 （HF）的水基液體可用於蝕刻像是SiN的氮化物膜。
在一範例中，基板10的前（上部）表面16可為正於其中進行處理的一主動表面；而基板10的後（下部）表面22可為一被動表面，第二化學流體20僅施加至該被動表面以提供熱能，而在整個前表面16上產生提升的基板溫度均勻性。因此，第二化學流體（被動流體）20可以具有不同於第一化學流體14化學組成的化學組成。如此允許使用成本較不昂貴的第二化學流體20來供給或處理。 在其他範例中，主動表面可為後表面，或可為前表面及後表面。
圖1B係剖面圖，示意性地說明根據第二實施例以複數化學流體來處理基板。 圖1B中的實施例類似於圖1A 中的實施例，惟桿狀噴嘴 18係定向於基板的一徑向方向，以對基板10的前表面16供給在第二溫度下的第二化學流體。
圖1C顯示對於圖1A及1B實施例隨著基板徑向位置改變的基板溫度的實驗結果。一450mm的Si基板（晶圓）以熱水液體處理，且基板各處的溫度係加以量測並與僅使用釋放噴嘴而無桿狀噴嘴的一設定加以比較。自釋放噴嘴分配的流體之溫度為70℃，且自桿狀噴嘴釋放的流體之溫度為79℃。圖1C中的結果清楚地顯示整個基板溫度均勻性的提升。當僅使用釋放噴嘴時，整個基板的溫度變化範圍為約4℃；當使用桿狀噴嘴，以亦對基板的前表面供給在第二溫度下的第二化學流體時，整個基板的溫度變化範圍為約2℃（1B）；當使用桿狀噴嘴，以亦對基板的後表面供給在第二溫度下的第二化學流體時，整個基板的溫度變化範圍為約2℃（1A）。此結果顯示，以前側及後側桿狀噴嘴來分配的溫度均勻性是相似的。除了良好的溫度均勻性外，後側分配允許對於釋放噴嘴及後側的桿狀噴嘴使用不同流體。在一範例中，釋放噴嘴可分配蝕刻液，而後側桿狀噴嘴可分配熱水而非蝕刻液。
桿狀噴嘴設計上的試驗及迭代在整個基板的溫度均勻性上已產生顯著提升。在一範例中，改變用於對基板分配化學流體的桿狀噴嘴的出口（孔洞）間距，使得朝向基板邊緣的出口係與朝向基板中央之出口相比較為密集，如此已顯示可以改善整個基板的溫度均勻性。
圖2A示意性地顯示包含具有不變間距之出口的桿狀噴嘴 30，及包含具有可變間距之出口的桿狀噴嘴32。在一範例中，桿狀噴嘴可以包含58個出口。 然而，在其它範例中，桿狀噴嘴可具有更少或更多的出口。根據一些實施例，出口的直徑可以在約0.1mm及約2mm之間，在約0.1mm及約1mm之間，或在約1mm及約2mm之間。在一些範例中，出口的直徑可為約0.35mm或約0.5mm。
圖2B示意性地顯示桿狀噴嘴 34，包含具有可變間距之出口36，此間距從基板中央到基板邊緣變高。換言之，相鄰出口36之間的距離會沿著基板中央到基板邊緣的方向改變。 在圖2B中所示的範例，相鄰出口之間的距離會沿著基板中央到基板邊緣的徑向方向減少。 在一範例中，桿狀噴嘴可包含58個出口。
圖3示意性地顯示包含複數個出口（孔洞）之桿狀噴嘴的剖面圖，該等出口係形成為穿過桿狀噴嘴之壁。已發現將該出口（孔洞）的角度偏離垂直方向而改變使得出口會與基板的轉動對準的配置，可降低濺射並提升整個基板的溫度均勻性效能。示例性的角度包含相對於基板表面的30度及60度，然而，亦可以使用其它角度。圖 3a）示意性地顯示具有0.35mm直徑的垂直出口；圖 3b）示意性地顯示一出口，其與垂直方向成30度，具有0.35mm直徑；圖3c）示意性地顯示一出口，其與水平方向成60度，具有0.35mm直徑；圖 3d）示意性地顯示一出口，其與水平方向成30度，具有0.5mm直徑。
圖4針對不同出口角度及不同間距顯示隨著基板半徑變化而測得的溫度均勻性。這四個實驗包含：（A）釋放噴嘴，用以對基板的前表面分配第一化學流體；及後側桿狀噴嘴，其具有60度角與可變（對於基板邊緣較密集）間距之出口，用以對基板的後表面分配第二化學流體；（B）釋放噴嘴，用以對基板的前表面分配第一化學流體；及後側桿狀噴嘴，其具有60度角與不變間距之出口，用以對基板的後表面分配第二化學流體；（C）釋放噴嘴，用以對基板的前表面分配第一化學流體；及後側桿狀噴嘴，其具有90度角與不變間距之出口，用以對基板的後表面分配第二化學流體；及（D）釋放噴嘴，用以對基板的前表面分配第一化學流體。圖4中的結果顯示：整個基板的溫度均勻性，進行（A）係最高，而進行（D）係最低。溫度均勻性（範圍），對於（A）係約1 .1℃，對於（B）係約1.9℃，對於（C）係約3.7℃，且對於（D）係約5.1℃。
圖5顯示根據本發明實施例之隨著基板半徑變化的蝕刻均勻性。 圖5中的結果顯示：相較於僅使用前表面釋放噴嘴的蝕刻製程，使用前表面釋放噴嘴及後側桿狀噴嘴的蝕刻製程顯示提升的TiN膜的蝕刻均勻性。此結果可歸因於當使用前表面釋放噴嘴及後側桿狀噴嘴時，整個基板表面會有較佳的溫度均勻性。 在圖5中的示例性蝕刻製程中，釋放噴嘴中的化學流體溫度為50℃，及桿狀噴嘴中的化學流體溫度為57℃。所使用的化學流體是含有過氧化氫的氧化性液體。
圖6示意性地顯示桿狀噴嘴60的剖面圖，該桿狀噴嘴60包含二個入口，用於將不同溫度化學流體導入桿狀噴嘴60。 桿狀噴嘴 60包含一混合腔室 69，其中低溫及高溫的化學流體62、64在此 混合，且接著所產生的化學流體66會在由一端的低溫到另一端的高溫的連續溫度範圍中通過出口68分配到基板表面（圖未顯示）。其它的實施例設想使用大於兩個的入口，例如：三個、四個、或甚至大於四個的入口。除了圖6中所描述的位置外，入口亦可以設置在桿狀噴嘴60的其它位置。 在其他實例中，二個以上的入口可用於導入具有非不同溫度（或除了不同溫度之外）之其他不同性質的化學流體。 舉例來說，此不同的性質可以包含化學濃度或化學成分。
圖7顯示根據本發明實施例之桿狀噴嘴70中的模擬溫度分佈。桿狀噴嘴70包含二個入口72、74，其用以將不同溫度的化學流體導入桿狀噴嘴 70。化學流體的低溫入口溫度為70℃，及化學流體的高溫入口溫度為80℃。桿狀噴嘴70之中的化學流體溫度係由基板中央（左）的約70℃上升到基板邊緣（右）的約79℃。
圖8A係剖面圖，示意性地顯示根據一實施例以複數化學流體處理基板80。第一化學流體84係藉由釋放噴嘴82來分配在前（上部）基板 表面86的中央，而桿狀噴嘴88係對基板80的後表面87分配第二化學流體89，使得第二化學流體的出口溫度係隨著基板80的徑向位置而增加（由中央低溫到邊緣高溫）。 桿狀噴嘴88包含兩個入口83、85，其用於將不同溫度的化學流體導入桿狀噴嘴88。相較於包含具有實質不變溫度之化學流體的桿狀噴嘴，改變來自桿狀噴嘴88的分配溫度，在化學流體在前表面86上流過基板80時更完整地抵銷該化學流體的冷卻。
圖8B係剖面圖，示意性地顯示根據一實施例以複數化學流體處理基板。第一化學流體84係藉由釋放噴嘴82來分配在前（上部）基板 表面86的中央上，而桿狀噴嘴88係對前基板表面86分配第二化學流體89，使得第二化學流體89的出口溫度係隨著基板80的徑向位置而增加（由中央低溫到邊緣高溫）。
圖9A-9C對於對基板分配化學流體的不同方法顯示隨著基板半徑改變之模擬的溫度均勻性。 圖9A顯示使用釋放噴嘴對基板前表面供給第一化學流體的溫度均勻性。圖9B顯示使用釋放噴嘴對基板前表面供給第一化學流體及使用桿狀噴嘴對基板後表面供給第二化學流體的溫度均勻性。圖9C顯示使用釋放噴嘴對基板前表面供給第一化學流體及使用後側桿狀噴嘴對基板後表面供給帶有徑向溫度梯度（由中央低溫到邊緣高溫）的第二化學流體的溫度均勻性。此模擬清楚地顯示來自後側桿狀噴嘴的可變溫度（圖9C）會大大地提升整個基板的溫度均勻性。整個基板內的溫度範圍，在圖9A 中係2.3℃，在圖9B中係0.7℃，且在圖 9C中係0.13℃。
圖10示意性地顯示根據本發明實施例之桿狀噴嘴100的剖面圖，該桿狀噴嘴包含用於加熱化學流體104的加熱器（加熱元件102）。桿狀噴嘴100 可以包含：一內部加熱元件102或一系列具有獨立控制的加熱元件，以自桿狀噴嘴100分配具有不同分配溫度的化學流體106，其中從基板中央到基板邊緣分配溫度係增加。
表1提供可用於本發明實施例中的示例性化學流體及流體溫度之列表。
以下敘述用於化學流體處理設備及化學流體處理方法之示例性的參數。
在一實施例中，桿狀噴嘴與基板表面之間的距離可以在1mm及30mm之間、在1mm及20mm之間、或在5mm及20mm之間。在一實施例中，該距離可係約5mm。
在一實施例中， 化學流體的分配流率可以在約100ml/min及約10L/min之間、在約200ml/min及約5L/min之間、或在約200ml/min及約2L/min之間。 在一範例中，化學流體的分配流率可以是約1L/min。
在一實施例中，基板的轉動速度可以在約25 RPM及約4000 RPM之間、在約50 RPM及約1000 RPM之間、或在約50RPM及約500 RPM之間。在一範例中，轉動速度可係約150 RPM。
在一實施例中，基板可暴露於化學流體一段時間，該段時間係在約10秒及約15分鐘之間、在約10秒及約1分鐘之間、或在約30秒及約1分鐘之間。
由上述內容吾人可理解，本揭露內容的各種實施例係為了說明之目的而加以說明，且在不背離本揭露內容的範疇及精神的情況下，可進行各種的修改。因此，本文所揭露的各種實施例並非是限制性的，其真實範圍及精神係由下列申請專利範圍所表示。
8‧‧‧第一化學流體供應機構
10‧‧‧基板
12‧‧‧釋放噴嘴
14‧‧‧第一化學流體
15‧‧‧流體輪廓
16‧‧‧表面
17‧‧‧流體輪廓
18‧‧‧桿狀噴嘴
20‧‧‧第二化學流體
22‧‧‧表面
24‧‧‧第二化學流體供應機構
30‧‧‧桿狀噴嘴
32‧‧‧桿狀噴嘴
34‧‧‧桿狀噴嘴
36‧‧‧出口
60‧‧‧桿狀噴嘴
62‧‧‧化學流體
64‧‧‧化學流體
66‧‧‧化學流體
68‧‧‧出口
69‧‧‧混合腔室
70‧‧‧桿狀噴嘴
72‧‧‧入口
74‧‧‧入口
80‧‧‧基板
82‧‧‧釋放噴嘴
83‧‧‧入口
84‧‧‧第一化學流體
85‧‧‧入口
86‧‧‧表面
87‧‧‧後表面
88‧‧‧桿狀噴嘴
89‧‧‧第二化學流體
100‧‧‧桿狀噴嘴
102‧‧‧加熱元件
104‧‧‧化學流體
106‧‧‧化學流體
10‧‧‧基板
12‧‧‧釋放噴嘴
14‧‧‧第一化學流體
15‧‧‧流體輪廓
16‧‧‧表面
17‧‧‧流體輪廓
18‧‧‧桿狀噴嘴
20‧‧‧第二化學流體
22‧‧‧表面
24‧‧‧第二化學流體供應機構
30‧‧‧桿狀噴嘴
32‧‧‧桿狀噴嘴
34‧‧‧桿狀噴嘴
36‧‧‧出口
60‧‧‧桿狀噴嘴
62‧‧‧化學流體
64‧‧‧化學流體
66‧‧‧化學流體
68‧‧‧出口
69‧‧‧混合腔室
70‧‧‧桿狀噴嘴
72‧‧‧入口
74‧‧‧入口
80‧‧‧基板
82‧‧‧釋放噴嘴
83‧‧‧入口
84‧‧‧第一化學流體
85‧‧‧入口
86‧‧‧表面
87‧‧‧後表面
88‧‧‧桿狀噴嘴
89‧‧‧第二化學流體
100‧‧‧桿狀噴嘴
102‧‧‧加熱元件
104‧‧‧化學流體
106‧‧‧化學流體
由於本發明參照以下結合附圖檢視之詳細敘述而變得更好理解時，將會更完整理解本發明及其伴隨的諸多優點，圖中：
圖1A係剖面圖，示意性地說明根據第一實施例以複數個化學流體來處理基板；
圖1B係剖面圖，示意性地說明根據第二實施例以複數化學流體來處理基板；
圖1C顯示對於圖1A及1B之實施例隨著基板徑向位置改變的基板溫度實驗結果；
圖2A示意性地顯示根據本發明實施例之包含具有不變間距之出口的桿狀噴嘴 ，及包含具有可變間距之出口的桿狀噴嘴；
圖2B示意性地顯示根據本發明實施例之包含具有可變間距之出口的桿狀噴嘴 ，其中從基板中央到基板邊緣，間距會變小；
圖3示意性地顯示根據本發明實施例之包含複數個出口（孔洞）的桿狀噴嘴的剖面圖，該等出口係穿過桿狀噴嘴之壁；
圖4顯示根據本發明實施例當使用具有不同出口孔洞角度及不同出口間距之桿狀噴嘴時，隨著基板半徑變化的測得溫度；
圖5顯示根據本發明實施例之隨著基板半徑變化的蝕刻均勻性；
圖6示意性地顯示根據本發明實施例之包含用於導入不同溫度化學流體之二個入口的一桿狀噴嘴；
圖7顯示根據本發明實施例之桿狀噴嘴中的模擬溫度分佈；
圖8A-8B係剖面圖，示意性地說明根據本發明實施例以複數個化學流體來處理基板；
圖9A-9C對於對基板分配化學流體的不同方法顯示隨著基板半徑改變之模擬的溫度均勻性；及
圖10示意性地顯示根據本發明實施例之桿狀噴嘴的剖面圖，該桿狀噴嘴包含用於加熱化學流體的加熱器。
8‧‧‧第一化學流體供應機構
10‧‧‧基板
12‧‧‧釋放噴嘴
14‧‧‧第一化學流體
15‧‧‧流體輪廓
16‧‧‧表面
17‧‧‧流體輪廓
18‧‧‧桿狀噴嘴
20‧‧‧第二化學流體
22‧‧‧表面
24‧‧‧第二化學流體供應機構
Claims (20)
- 一種化學流體處理設備，以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度，該設備包含： 一基板固持機構，用於固持基板； 一轉動機構，用於轉動該基板固持機構； 一釋放噴嘴，位在基板上方，以對基板的一前表面供給在一第一溫度下的一第一化學流體； 一第一化學流體供應機構，用於對該釋放噴嘴供給該第一化學流體； 一桿狀噴嘴，定向於基板的一徑向方向，以對基板的該前表面或一後表面供給在一第二溫度下的一第二化學流體，該第二溫度係高於該第一溫度；及 一第二化學流體供應機構，用於對該桿狀噴嘴供給該第二化學流體， 其中該桿狀噴嘴包含複數個出口，該等出口用以釋放該第二化學流體至與基板中央不同距離之基板的該前表面或該後表面上的複數個接觸位置。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中該第二化學流體供應機構係設置成對該桿狀噴嘴的至少二個入口供給不同溫度的該第二化學流體。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中自該桿狀噴嘴供給之該第二化學流體的該第二溫度係沿著從基板中央到基板邊緣的徑向方向增加。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中該桿狀噴嘴更包含： 一加熱器，其用於將該第二化學流體加熱至該第二溫度。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中在該桿狀噴嘴中，該複數個出口係以相對於基板的一銳角穿過該桿狀噴嘴之壁。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中在該桿狀噴嘴中，該複數個出口係以相對於基板轉動方向的一銳角穿過該桿狀噴嘴之壁。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中相鄰出口之間的距離沿著從基板中央到基板邊緣的方向改變。
- 如申請專利範圍第7項之化學流體處理設備，其中相鄰出口之間的距離沿著從基板中央到基板邊緣的徑向方向變小。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，其中該第二化學流體具有不同於該第一化學流體的化學組成。
- 如申請專利範圍第1項之化學流體處理設備，更包含： 一第二桿狀噴嘴，其定向於基板的徑向方向，以對基板的該前表面或該後表面供給一第三化學流體。
- 一種化學流體處理方法，以複數化學流體處理基板，使得整個基板表面維持實質不變的溫度，該方法包含： 固持基板； 轉動基板； 對基板的一前表面自一釋放噴嘴供給在一第一溫度下的一第一化學流體； 對基板的該前表面或一後表面自一桿狀噴嘴供給一第二化學流體，該桿狀噴嘴係定向於基板的徑向方向，以供給在一第二溫度下的該第二化學流體，該第二溫度係高於第一溫度， 其中供給該第二化學流體，使得該第二化學流體自該桿狀噴嘴通過複數個出口，而釋放至與基板中央不同距離之基板的該前表面或該後表面上的複數個接觸位置。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，更包含： 將該桿狀噴嘴的化學流體供應機構設置成對該桿狀噴嘴的至少二個入口供給不同溫度的該第二化學流體。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中自該桿狀噴嘴供給之該第二化學流體的該第二溫度係沿著從基板中央到基板邊緣的徑向方向增加。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中該桿狀噴嘴更包含一加熱器，以將該第二化學流體加熱到該第二溫度。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中在該桿狀噴嘴中，以相對於基板的一銳角，形成穿過該桿狀噴嘴之壁的該複數個出口。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中在該桿狀噴嘴中，以相對於基板轉動方向的一銳角，形成穿過該桿狀噴嘴之壁的該複數個出口。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中相鄰出口之間的距離沿著從基板中央到基板邊緣的方向改變。
- 如申請專利範圍第17項之化學流體處理方法，其中相鄰出口之間的距離沿著從基板中央到基板邊緣的徑向方向變小。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，其中該第二化學流體具有不同於該第一化學流體的化學組成。
- 如申請專利範圍第11項之化學流體處理方法，更包含： 對基板的該前表面或該後表面自一第二桿狀噴嘴供給一第三化學流體，該第二桿狀噴嘴係定向於基板的徑向方向，以供給在一第三溫度下的該第三化學流體，該第三溫度係高於該第一溫度。
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