CN102799083A - 光刻胶去除系统以及光刻设备 - Google Patents

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杨勇
张凌越
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Abstract

本发明提供了一种光刻胶去除系统以及光刻设备。根据本发明的光刻胶去除系统包括：载片台以及光刻胶清洗剂喷射装置；其中，所述载片台用于装载晶圆，其包括多个晶圆槽，晶圆逐片地卡在载片台的分开的各个晶圆槽内；其中，所述光刻胶清洗剂喷射装置用于在光刻胶去除过程中向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂；所述载片台的上部框体包括一个延伸部分，从而所述载片台的上部框体完全覆盖卡在最上方的晶圆槽中的晶圆；并且，在所述光刻胶清洗剂喷射装置向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射所述光刻胶清洗剂时，喷射至卡在最上方的晶圆槽中的晶圆的光刻胶清洗剂的流速与喷射至卡在其它晶圆槽中的晶圆的流速相同。

Description

光刻胶去除系统以及光刻设备
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，本发明涉及一种光刻胶去除系统、以及采用了该光刻胶去除系统的光刻设备。
背景技术
光刻工艺是半导体制造过程中经常采用到的一种常见工艺。随机半导体制造技术的发展以及集成电路设计及制造的发展，光刻成像技术随之发展，半导体器件的特征尺寸也不断的缩小。随着先进封装技术的发展，对光刻的要求（关键尺寸均匀性、套刻精度等）也将逐渐提高。
在光刻及刻蚀工艺过程中，需要先涂覆光刻胶并对光刻胶进行光刻，随后利用光刻后的光刻胶图案来对硬掩膜进行刻蚀，最后利用刻蚀出来的硬掩膜图案来刻蚀半导体晶圆，从而形成期望的半导体结构，例如沟槽。
其中，在利用光刻后的光刻胶图案来对硬掩膜进行刻蚀之后，并且在利用刻蚀出来的硬掩膜图案来刻蚀半导体晶圆之前，需要去除光刻胶。
图1示意性地示出了根据现有技术的光刻胶去除系统的示图。
如图1所示，根据现有技术的光刻胶去除系统包括：载片台1以及光刻胶清洗剂喷射装置2。其中，载片台（cassette，也称为晶舟、花篮、片盒、片筐等）是用来装晶圆的工具，其包括多个晶圆槽（slot1、slot2……slot25），类似于光盘装载装置，晶圆逐片地卡在载片台的分开的各个晶圆槽内。例如，如图2所示，晶圆W1卡在最下方的晶圆槽slot1中，晶圆W25卡在最上方的晶圆槽slot25中。
在光刻胶去除过程中，光刻胶清洗剂喷射装置2向载片台1的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂21。
图2示意性地示出了根据现有技术的光刻胶去除系统中的载片台的局部示意图。具体地说，图2是沿图1的箭头C的方向看到的示图。如图2所示，在现有技术中，载片台1的上部框体11没有完全覆盖卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25。由此，卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25的一部分未被载片台1的上部框体11覆盖，如图1的虚线框A所示。而卡在其它晶圆槽中的晶圆都被上方的晶圆挡住，如图1的虚线框B所示。
因此，在光刻胶清洗剂喷射装置2向载片台1的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂21时，喷射至卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25的光刻胶清洗剂21的流速低于喷射至卡在其它晶圆槽中的晶圆。
由于现有技术的光刻胶去除系统中卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25与卡在其它晶圆槽中的晶圆之间的区别，容易造成卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆的缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够一致地去除载片台的所有晶圆槽中的晶圆上的光刻胶的光刻胶去除系统、以及采用了该光刻胶去除系统的光刻设备。
为了实现上述技术目的，本发明的第一方面提供了一种光刻胶去除系统，其包括：载片台以及光刻胶清洗剂喷射装置；其中，所述载片台用于装载晶圆，其包括多个晶圆槽，晶圆逐片地卡在载片台的分开的各个晶圆槽内；其中，所述光刻胶清洗剂喷射装置用于在光刻胶去除过程中向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂；所述载片台的上部框体包括一个延伸部分，从而所述载片台的上部框体完全覆盖卡在最上方的晶圆槽中的晶圆；并且，在所述光刻胶清洗剂喷射装置向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射所述光刻胶清洗剂时，喷射至卡在最上方的晶圆槽中的晶圆的光刻胶清洗剂的流速与喷射至卡在其它晶圆槽中的晶圆的流速相同。
优选地，在上述光刻胶去除系统中，所述光刻胶清洗剂包括去离子水以及化学试剂。
优选地，在上述光刻胶去除系统中，所述化学试剂包括硫酸。
优选地，在上述光刻胶去除系统中，卡在所述载片台的所述多个晶圆槽中的晶圆彼此平行布置。
优选地，在上述光刻胶去除系统中，所述上部框体与卡在所述载片台的所述多个晶圆槽中的晶圆平行布置。
本发明的第一方面提供了一种采用了根据本发明的第一方面所述的光刻胶去除系统的光刻设备。
由此，由于本发明的光刻胶去除系统中卡在最上方的晶圆槽中的晶圆与卡在其它晶圆槽中的晶圆之间的光刻胶清洗剂的流速没有区别，不会造成卡在最上方的晶圆槽中的晶圆的缺陷。相应地，本发明上述实施例提供的光刻胶去除系统能够一致地去除载片台的所有晶圆槽中的晶圆上的光刻胶。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据现有技术的光刻胶去除系统的示图。
图2示意性地示出了根据现有技术的光刻胶去除系统中的载片台的局部示意图。
图3示意性地示出了根据本发明实施例的光刻胶去除系统的示图。
图4示意性地示出了根据本发明实施例的光刻胶去除系统中的载片台的局部示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图3示意性地示出了根据本发明实施例的光刻胶去除系统的示图。
如图3所示，根据本发明实施例的光刻胶去除系统包括：载片台1以及光刻胶清洗剂喷射装置2。其中，载片台1用于装载晶圆，其包括多个晶圆槽，类似于光盘装载装置，晶圆逐片地卡在载片台的分开的各个晶圆槽内。
其中，在图3所示的示例中，载片台1在安装的状态下自下而上包括25个晶圆槽：slot1、slot2、slot3、slot4、slot5、slot6、slot7、slot8、slot9、slot10、slot11、slot12、slot13、slot14、slot15、slot16、slot17、slot18、slot19、slot20、slot21、slot22、slot23、slot24、slot25。
优选地，卡在载片台1的所述多个晶圆槽中的晶圆（W1至W25）彼此平行布置。
例如，如图3所示，晶圆W1卡在最下方的晶圆槽slot1中，晶圆W25卡在最上方的晶圆槽slot25中。
光刻胶清洗剂喷射装置2用于在光刻胶去除过程中向载片台1的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂21。优选地，光刻胶清洗剂21包括去离子水以及化学试剂。化学试剂例如包括硫酸。
图4示意性地示出了根据本发明实施例的光刻胶去除系统中的载片台的局部示意图。具体地说，图4是沿图3的箭头C的方向看到的示图。
如图4所示，在根据本发明实施例的光刻胶去除系统中，载片台1的上部框体11相对于图1所示的现有技术的上部框体11（如虚线所示）而言包括一个延伸部分111。通过附加延伸部分111，载片台1的上部框体11完全覆盖卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25。
优选地，所述上部框体11与卡在载片台1的所述多个晶圆槽中的晶圆平行布置。
由此，卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25的所有部分都被载片台1的上部框体11覆盖，如图3的虚线框A所示。
同时，卡在其它晶圆槽中的晶圆都被上方的晶圆挡住，如图3的虚线框B所示。
因此，在光刻胶清洗剂喷射装置2向载片台1的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂21时，喷射至卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25的光刻胶清洗剂21的流速与喷射至卡在其它晶圆槽中的晶圆的流速相同。
由于本发明上述实施例的光刻胶去除系统中卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆W25与卡在其它晶圆槽中的晶圆之间的光刻胶清洗剂21的流速没有区别，不会造成卡在最上方的晶圆槽slot25中的晶圆的缺陷。
相应地，本发明上述实施例提供的光刻胶去除系统能够一致地去除载片台的所有晶圆槽中的晶圆上的光刻胶。
在具体的优选实施例中，如果所述上部框体11与卡在载片台1的所述多个晶圆槽中的晶圆平行布置，则能够更加一致地去除载片台的所有晶圆槽中的晶圆上的光刻胶。
需要说明的是，虽然上述实施例示出了载片台1中包含25个晶圆槽的示例，但是，对于任何熟悉本领域的技术人员而言，可以理解的是，载片台1中包含的晶圆槽的数量可以是任何适当的数量，而不限于25个。
根据本发明的另一优选实施例，本发明还提供了一种采用了上述光刻胶去除系统的光刻设备。由于采用了上述光刻胶去除系统的光刻设备，因此根据本发明的另一优选实施例的光刻设备也能实现上述技术效果。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种光刻胶去除系统，其特征在于包括：载片台以及光刻胶清洗剂喷射装置；其中，所述载片台用于装载晶圆，其包括多个晶圆槽，晶圆逐片地卡在载片台的分开的各个晶圆槽内；其中，所述光刻胶清洗剂喷射装置用于在光刻胶去除过程中向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射光刻胶清洗剂；
所述载片台的上部框体包括一个延伸部分，从而所述载片台的上部框体完全覆盖卡在最上方的晶圆槽中的晶圆；
并且，在所述光刻胶清洗剂喷射装置向所述载片台的晶圆槽内的晶圆喷射所述光刻胶清洗剂时，喷射至卡在最上方的晶圆槽中的晶圆的光刻胶清洗剂的流速与喷射至卡在其它晶圆槽中的晶圆的流速相同。
2.根据权利要求1所述的光刻胶去除系统，其特征在于，所述光刻胶清洗剂包括去离子水以及化学试剂。
3.根据权利要求3所述的光刻胶去除系统，其特征在于，所述化学试剂包括硫酸。
4.根据权利要求1或2所述的光刻胶去除系统，其特征在于，卡在所述载片台的所述多个晶圆槽中的晶圆彼此平行布置。
5.根据权利要求1或2所述的光刻胶去除系统，其特征在于，所述上部框体与卡在所述载片台的所述多个晶圆槽中的晶圆平行布置。
6.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的光刻胶去除系统的光刻设备。
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