JP2009267344A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板1上の半導体チップ3が樹脂封止されている半導体装置の製造方法は、回路基板に熱硬化型接着フィルム2を介して半導体チップを仮固定し、仮固定された半導体チップに対し、離型フィルム4とその上に積層され、該半導体チップの厚みの0.5〜2倍の層厚の熱硬化型封止樹脂層5とを有する封止樹脂フィルムを、該熱硬化型封止樹脂層が半導体チップ側に面するように配置し、離型フィルム側からゴム硬度5〜100のゴムヘッド7で加圧しながら回路基板側から加熱することにより、回路基板に半導体チップを接着固定すると同時に半導体チップを樹脂封止し、表面の離型フィルムを引き剥がす。
【選択図】図1D
Description
回路基板に熱硬化型接着フィルムを介して半導体チップを仮固定し、
仮固定された半導体チップに対し、離型フィルムとその上に積層され、該半導体チップの厚みの0.5〜2倍の層厚の熱硬化型封止樹脂層とを有する封止樹脂フィルムを、該熱硬化型封止樹脂層が半導体チップ側に面するように配置し、
離型フィルム側からゴム硬度5〜100のゴムヘッドで加圧しながら回路基板側から加熱することにより、回路基板に半導体チップを接着固定すると同時に半導体チップを樹脂封止し、
表面の離型フィルムを引き剥がす
ことを特徴とする製造方法を提供する。
エポキシ樹脂(jER828、ジャパンエポキシレジン(株))50質量部と、潜在性硬化剤(HX3941HP、旭化成ケミカルズ(株))100質量部と、微粒子シリカ((株)龍森)50質量部との混合物を、固形分が50質量%となるようにトルエンに溶解・分散させてなる熱硬化型接着組成物を、剥離処理された50μm厚のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東セロ(株))に、乾燥厚で45μmとなるように塗布し80℃で乾燥することにより、熱硬化型接着フィルムAを作成した。弾性率Bmは5GPaであった。また、ガラス転移温度未満(20〜40℃領域)での線膨脹係数Be1は30ppmであった。ガラス転移温度を超える温度(160〜190℃領域)での線膨脹係数Be2は110ppmであった。
微粒子シリカの配合量を50質量部から30質量部に代えること以外は、参考例1と同様にして熱硬化型接着フィルムBを作成した。弾性率Bmは3.5GPaであった。また、ガラス転移温度未満(20〜40℃領域)での線膨脹係数Be1は52ppmであった。ガラス転移温度を超える温度(160〜190℃領域)での線膨脹係数Be2は145ppmであった。
微粒子シリカの配合量を50質量部から0質量部に代えること以外は、参考例1と同様にして熱硬化型接着フィルムCを作成した。弾性率Bmは1.6GPaであった。また、ガラス転移温度未満(20〜40℃領域)での線膨脹係数Be1は66ppmであった。ガラス転移温度を超える温度(160〜190℃領域)での線膨脹係数Be2は187ppmであった。
微粒子シリカの配合量を50質量部から80質量部に代えること以外は、参考例1と同様にして熱硬化型接着フィルムDを作成した。弾性率Bmは8GPaであった。また、ガラス転移温度未満(20〜40℃領域)での線膨張係数Be1は22ppmであった。ガラス転移温度を超える温度(160〜190℃領域)での線膨張係数Be2は69ppmであった。
エポキシ樹脂(jER828、ジャパンエポキシレジン(株))50質量部と、潜在性硬化剤(HX3941HP、旭化成ケミカルズ(株))100質量部と、微粒子シリカ((株)龍森)50質量部との混合物を、固形分が50質量%となるようにトルエンに溶解・分散させてなる熱硬化型接着組成物を、剥離処理された50μm厚のPETフィルム(東セロ(株))に、乾燥厚で50μmとなるように塗布し80℃で乾燥することにより、熱硬化型封止樹脂フィルム1を作成した。弾性率Amは5GPaであった。また、ガラス転移温度未満(20〜40℃領域)での線膨脹係数Ae1は30ppmであった。ガラス転移温度を超える温度(160〜190℃領域)での線膨脹係数Ae2は110ppmであった。
熱硬化型接着組成物を乾燥厚で100μmとなるように塗布すること以外は、参考例5を同様にして熱硬化型封止樹脂フィルム2を作成した。弾性率Am、線膨脹係数Ae1、線膨脹係数Ae2は、参考例5の熱硬化型封止樹脂フィルム1と同じであった。
熱硬化型接着組成物を乾燥厚で200μmとなるように塗布すること以外は、参考例5を同様にして熱硬化型封止樹脂フィルム3を作成した。弾性率Am、線膨脹係数Ae1、線膨脹係数Ae2は、参考例5の熱硬化型封止樹脂フィルム1と同じであった。
熱硬化型接着組成物を乾燥厚で300μmとなるように塗布すること以外は、参考例5を同様にして熱硬化型封止樹脂フィルム4を作成した。弾性率Am、線膨脹係数Ae1、線膨脹係数Ae2は、参考例5の熱硬化型封止樹脂フィルム1と同じであった。
熱硬化型接着組成物を乾燥厚で500μmとなるように塗布すること以外は、参考例5を同様にして熱硬化型封止樹脂フィルム5を作成した。弾性率Am、線膨脹係数Ae1、線膨脹係数Ae2は、参考例5の熱硬化型封止樹脂フィルム1と同じであった。
微粒子シリカの配合量を50質量部から0質量部に代えること以外は、参考例7と同様にして熱硬化型封止樹脂フィルム6を作成した。弾性率Amは1.6GPa、線膨脹係数Ae1は66ppm、線膨脹係数Ae2は187ppmであった。
参考例1の熱硬化型接着フィルムAを、評価用の回路基板に貼り付け、離型フィルムを剥がし、その上に評価用の半導体チップを位置合わせして仮固定し、更に参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2を被せ、下から加熱しながら、シリコンゴムヘッドで加圧プレスすることにより、回路基板への半導体チップの実装と封止とを同時に行った。最後に表面の離型フィルムを剥がすことにより実施例1の半導体装置を得た。なお、プレス条件は、180℃、20秒、2.5MPaであった。
参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2に代えて、参考例8の熱硬化型封止樹脂フィルム4を使用すること以外は、実施例1と同様にして実施例2の半導体装置を得た。
参考例1の熱硬化型接着フィルムAに代えて、参考例2の熱硬化型接着フィルムBを使用し、且つ参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2に代えて、参考例7の熱硬化型封止樹脂フィルム3を使用すること以外は、実施例1と同様にして実施例3の半導体装置を得た。
参考例1の熱硬化型接着フィルムAに代えて、参考例3の熱硬化型接着フィルムCを使用すること以外は、実施例3と同様にして実施例4の半導体装置を得た。
参考例1の熱硬化型接着フィルムAに代えて、参考例4の熱硬化型接着フィルムDを使用し、且つ参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2に代えて、参考例10の熱硬化型封止樹脂フィルム6を使用すること以外は、実施例1と同様にして実施例5の半導体装置を得た。
参考例1の熱硬化型接着フィルムAを、評価用の回路基板に貼り付け、離型フィルムを剥がし、そのまま180℃、20秒、2.5MPaの条件で加熱、加圧を行うことにより回路基板に半導体チップを実装接合した。その後、封止用液状樹脂(松下電工(株))を用いて半導体チップをポッティング封止し、加熱循環式オープン中で150℃で3時間加熱することにより、比較例1の半導体装置を得た。
参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2に代えて、参考例5の熱硬化型封止樹脂フィルム1を使用すること以外は、実施例1と同様にして比較例2の半導体装置を得た。
参考例6の熱硬化型封止樹脂フィルム2に代えて、参考例9の熱硬化型封止樹脂フィルム5を使用すること以外は、実施例1と同様にして比較例3の半導体装置を得た。
各実施例及び比較例で得られた半導体装置について、回路基板と半導体チップとの間の導通抵抗値(mΩ)を4端子法(40チャンネル/サンプル)により吸湿・リフロー前(初期)と後(85℃−85%RH中に24時間放置後、265℃(MAX)のハンダリフローにワンパス)に測定し、電気的接合を確認した。また、絶縁抵抗値(Ω)をデイジーチェーン法により吸湿・リフロー前(初期)と後(85℃−85%RH中に24時間放置後、265℃(MAX)のハンダリフローにワンパス)に測定し、絶縁性を確認した。得られた結果を表1に示す。また、吸湿・リフロー後の外観を目視観察した。得られた結果を表1に示す。
2 熱硬化型接着フィルム
3 半導体チップ
4 離型フィルム
5 熱硬化型封止樹脂層
6 封止樹脂フィルム
7 ゴムヘッド
8 加熱ステージ
Claims (5)
- 回路基板上の半導体チップが樹脂封止されている半導体装置の製造方法であって、
回路基板に熱硬化型接着フィルムを介して半導体チップを仮固定し、
仮固定された半導体チップに対し、離型フィルムとその上に積層され、該半導体チップの厚みの0.3〜2倍の層厚の熱硬化型封止樹脂層とを有する封止樹脂フィルムを、該熱硬化型封止樹脂層が半導体チップ側に面するように配置し、
離型フィルム側からゴム硬度5〜100のゴムヘッドで加圧しながら回路基板側から加熱することにより、回路基板に半導体チップを接着固定すると同時に半導体チップを樹脂封止し、
表面の離型フィルムを引き剥がす
ことを特徴とする製造方法。 - 封止樹脂フィルムの熱硬化型封止樹脂層及び接着フィルムが、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂から構成されている請求項1又は2記載の製造方法。
- 該ゴムヘッドが、シリコーン樹脂から構成されている請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1記載の製造方法により製造された半導体装置。
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