JP2009260002A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009260002A5
JP2009260002A5 JP2008106586A JP2008106586A JP2009260002A5 JP 2009260002 A5 JP2009260002 A5 JP 2009260002A5 JP 2008106586 A JP2008106586 A JP 2008106586A JP 2008106586 A JP2008106586 A JP 2008106586A JP 2009260002 A5 JP2009260002 A5 JP 2009260002A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal oxide
region
oxide film
electrode
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008106586A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009260002A (ja
JP5325446B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008106586A priority Critical patent/JP5325446B2/ja
Priority claimed from JP2008106586A external-priority patent/JP5325446B2/ja
Priority to US12/423,053 priority patent/US7977675B2/en
Publication of JP2009260002A publication Critical patent/JP2009260002A/ja
Publication of JP2009260002A5 publication Critical patent/JP2009260002A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5325446B2 publication Critical patent/JP5325446B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2008106586A 2008-04-16 2008-04-16 半導体装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5325446B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008106586A JP5325446B2 (ja) 2008-04-16 2008-04-16 半導体装置及びその製造方法
US12/423,053 US7977675B2 (en) 2008-04-16 2009-04-14 Semiconductor device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008106586A JP5325446B2 (ja) 2008-04-16 2008-04-16 半導体装置及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009260002A JP2009260002A (ja) 2009-11-05
JP2009260002A5 true JP2009260002A5 (enExample) 2011-03-24
JP5325446B2 JP5325446B2 (ja) 2013-10-23

Family

ID=41200356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008106586A Expired - Fee Related JP5325446B2 (ja) 2008-04-16 2008-04-16 半導体装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7977675B2 (enExample)
JP (1) JP5325446B2 (enExample)

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
KR102275487B1 (ko) 2008-09-19 2021-07-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101622981B1 (ko) 2008-09-19 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 제조방법
KR101660327B1 (ko) * 2008-09-19 2016-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
WO2010050419A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
JP2010140919A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Ltd 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板
JP5104814B2 (ja) * 2009-05-18 2012-12-19 富士通株式会社 設計支援プログラム、設計支援装置、および設計支援方法
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102228220B1 (ko) 2009-07-03 2021-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102473731B (zh) 2009-07-10 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
TWI396314B (zh) * 2009-07-27 2013-05-11 Au Optronics Corp 畫素結構、有機電激發光顯示單元及其製造方法
KR101426723B1 (ko) 2009-10-16 2014-08-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102462145B1 (ko) 2009-10-16 2022-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
KR102162746B1 (ko) 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR20170130641A (ko) 2009-10-21 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
CN102576734B (zh) 2009-10-21 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101835155B1 (ko) * 2009-10-30 2018-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR102142450B1 (ko) * 2009-10-30 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR102066532B1 (ko) * 2009-11-06 2020-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101930230B1 (ko) * 2009-11-06 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR20240119187A (ko) * 2009-11-06 2024-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101818265B1 (ko) 2009-11-06 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101652790B1 (ko) * 2009-11-09 2016-08-31 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR101113370B1 (ko) * 2009-11-11 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치
KR20250029985A (ko) * 2009-11-13 2025-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20220116369A (ko) * 2009-11-13 2022-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
KR20120106766A (ko) 2009-11-20 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011065258A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105739209B (zh) 2009-11-30 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法
EP2507823B1 (en) * 2009-12-04 2018-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
WO2011070900A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102257564B1 (ko) 2009-12-18 2021-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101900662B1 (ko) 2009-12-18 2018-11-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN102804360B (zh) 2009-12-25 2014-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102326104B1 (ko) * 2009-12-25 2021-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101301463B1 (ko) 2009-12-25 2013-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법
CN105023942B (zh) 2009-12-28 2018-11-02 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR102011801B1 (ko) 2010-01-20 2019-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
CN102714026B (zh) * 2010-01-24 2016-09-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2011089844A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20120112803A (ko) 2010-01-29 2012-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 이용한 전자 기기
KR101822962B1 (ko) * 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101950364B1 (ko) 2010-02-26 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102770902B (zh) 2010-02-26 2016-11-23 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
DE112011100840T5 (de) * 2010-03-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101884031B1 (ko) * 2010-04-07 2018-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8842229B2 (en) 2010-04-16 2014-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate, method for producing same, and display device
CN102870219B (zh) * 2010-04-23 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101324760B1 (ko) * 2010-04-23 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20180082636A (ko) 2010-04-28 2018-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011142467A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102893403B (zh) 2010-05-21 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011158703A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
WO2012008080A1 (ja) * 2010-07-14 2012-01-19 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
KR102115344B1 (ko) 2010-08-27 2020-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256012A (ja) * 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8816425B2 (en) * 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI401797B (zh) * 2010-12-28 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 主動元件陣列以及有機發光二極體畫素陣列的製作方法
JP5685989B2 (ja) * 2011-02-28 2015-03-18 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP5766467B2 (ja) * 2011-03-02 2015-08-19 株式会社東芝 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置
CN102760697B (zh) * 2011-04-27 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9412623B2 (en) * 2011-06-08 2016-08-09 Cbrite Inc. Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability
KR102546888B1 (ko) * 2011-06-17 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8748886B2 (en) * 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8643008B2 (en) * 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6019330B2 (ja) * 2012-02-09 2016-11-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器
KR20140136975A (ko) 2012-03-13 2014-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 구동 방법
TW201340329A (zh) * 2012-03-28 2013-10-01 Wintek Corp 薄膜電晶體及其製作方法
KR20150005949A (ko) 2012-04-13 2015-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
TWI478344B (zh) * 2012-07-04 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 電晶體與其製造方法
US20140027762A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
US20150214374A1 (en) * 2012-08-30 2015-07-30 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board and display device
US9626889B2 (en) 2012-09-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and program for driving information processing device
TWI538220B (zh) 2012-11-21 2016-06-11 元太科技工業股份有限公司 薄膜電晶體與其製造方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9356156B2 (en) * 2013-05-24 2016-05-31 Cbrite Inc. Stable high mobility MOTFT and fabrication at low temperature
JP2015149414A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社東芝 半導体装置及び撮像装置
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI735206B (zh) 2014-04-10 2021-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
WO2015170220A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
DE102014111140B4 (de) * 2014-08-05 2019-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon
JP5940124B2 (ja) * 2014-09-04 2016-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR20160084923A (ko) * 2015-01-06 2016-07-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
JP6736321B2 (ja) * 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
CN105140271B (zh) * 2015-07-16 2019-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
WO2017115208A1 (en) 2015-12-28 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device, television system, and electronic device
CN105576038A (zh) * 2016-01-12 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10043917B2 (en) 2016-03-03 2018-08-07 United Microelectronics Corp. Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
CN108109592B (zh) 2016-11-25 2022-01-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
WO2018163997A1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-13 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN108766972B (zh) * 2018-05-11 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板
JP2021153082A (ja) 2020-03-24 2021-09-30 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体記憶装置
US12113115B2 (en) * 2021-02-09 2024-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268724A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5127183B2 (ja) * 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101410926B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR20090069806A (ko) * 2007-12-26 2009-07-01 삼성전자주식회사 표시 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 기판의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009260002A5 (enExample)
JP2010114432A5 (ja) 半導体装置の作製方法
US20140239291A1 (en) Metal-oxide semiconductor thin film transistors and methods of manufacturing the same
JP2016208046A5 (enExample)
JP2011243973A5 (enExample)
JP2012160716A5 (enExample)
JP2011009724A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011009719A5 (enExample)
JP2012160714A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009278075A5 (enExample)
JP2008235876A5 (enExample)
JP2010080947A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011243971A5 (enExample)
JP2016197741A5 (enExample)
JP2013016785A5 (enExample)
JP2010166030A5 (enExample)
TW200943421A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2016021559A5 (ja) 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2009038357A5 (enExample)
JP2012124532A5 (enExample)
JP2011029628A5 (enExample)
JP2011243974A5 (enExample)
CN103745978A (zh) 显示装置、阵列基板及其制造方法
JP2013016862A5 (enExample)
JP2011139050A5 (enExample)