JP2009195054A - パワースイッチング回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】たとえばMOSFET41hの寄生ダイオードからなる第1ダイオード42hからなる第1転流経路と並列に、第2ダイオード43hとインダクタンス素子44hとを直列接続してなる第2転流経路を設ける。フライホイル電流によりインダクタンス素子44hに蓄積された磁気エネルギーにより、第1ダイオード42hを流れる逆回復電流を吸収する。これにより、下アームスイッチのMOSFET41lに流れ込む逆回復電流を低減することができる。
【選択図】図1
Description
「パワーMOSFETの応用技術」 日刊工業新聞社 P138
(全体回路構成)
誘導性負荷をハーフブリッジにより駆動する実施形態1を図1を参照して説明する。図1において、41h、41lは本発明で言う半導体スイッチング素子をなすMOSFET、42h、42lは本発明で言う第1ダイオードをなすMOSFET41h、41lの寄生ダイオードである。43h、43lは、本発明で言う第2ダイオードをなすショットキーダイオード、44h、44lは配線インダクタンスからなるインダクタンス、46は直流電源、47は誘導性負荷である。このハーフブリッジは、よく知られているように、上アームスイッチ(単に上アームとも略称する)と下アームスイッチ(単に下アームとも呼ぶ)とを直列接続し、直流電源46の両端に接続して構成されている。
上アームスイッチは、直流電源46の正極端に接続される高位電源側端子49と、誘導性負荷47の一端に接続される負荷側端子48と、MOSFET41hと、第1ダイオード42hと、第2ダイオード43hと、インダクタンス素子44hとにより構成されている。
下アームスイッチは、直流電源46の負極端に接続される低位電源側端子50と、誘導性負荷47の一端に接続される負荷側端子51と、MOSFET41lと、第1ダイオード42lと、第2ダイオード43lと、インダクタンス素子44lとにより構成されている。
この実施例のハーフブリッジの動作原理を説明するために、上アームスイッチ(ハイサイドスイッチ)のスイッチング動作を図2を参照して説明する。
図1にて本発明の原理を説明したが、より実際に即した動作、等価回路形態を図3を参照して説明する。図3は、時点t2〜t4における第1転流経路及び第2転流経路の状態を示す。irは時点t2〜t4に第1転流経路を流れる逆回復電流、i2は時点t2〜t4にインダクタンス素子44hの蓄積磁気エネルギーにより第2転流経路を流れるフライホイル電流である。
インダクタンスL1、L2の関係を図4を参照して説明する。図4は、逆回復電流irのうち第2ダイオード43hに流れる割合が、インダクタンスL2とインダクタンスL1とを種々変更した場合にどのように変化するかを調べたものである。つまり、逆回復電流irと第2ダイオード電流i2との比率とインダクタンスL1、L2の関係を以下に説明する。
寄生ダイオードである第1転流ダイオードを内蔵するMOSFET41hを縦型MOSFETチップ81により構成した例を図5、及び図6に示す。縦型MOSFETチップ81の表面にはソース電極82及びゲート電極83が、裏面には図略のドレイン電極が形成されている。810は、複数のリード端子84〜87を有するパッケージであり、縦型MOSFETチップ81のソース電極82は、リード端子85、87にボンディングワイヤ89により接続されている。88は縦型MOSFETチップ81のドレイン電極が接合される導体であり、導体88はボンディングワイヤによりリード端子86に接続されている。同じく、ゲート電極83は、ボンディングワイヤによりリード端子84に接続されている。
第2ダイオード43hをなすフライホイルダイオードチップ911を、MOSFET41hと同一パッケージに実装した例を図7を参照して説明する。縦型MOSFETチップ91の表面にはソース電極92及びゲート電極93が、裏面には図略のドレイン電極が形成されている。913は、複数のリード端子94〜98を有するパッケージであり、パッケージ913内の導体99には縦型MOSFETチップ91のドレイン電極と、第2ダイオード43hをなすフライホイルダイオードチップ911のカソード電極とが接合されている。
回路実装例3を図8を参照して説明する。図8は、図7において、ソース電極92とアノード電極912とをインダクタンス素子44hを通じて接続するためのリード端子97、98を省略し、その代わりに、ソース電極92とアノード電極912とをボンディングワイヤ110により直接接続したものである。この実装例では、この実施形態では、MOSFET41hをなす縦型MOSFETチップ91と、第2ダイオード43hをなすフライホイルダイオードチップ911とが同一パッケージに実装され、第1転流経路及び第2転流経路が、同一パッケージ内に作り込まれるため、インダクタンスL1、L2を精密に作り込むことができる。
回路実装例4を図9を参照して説明する。図9は、図7において、アノード電極912に接続するためのリード端子98を省略し、その代わりに、アノード電極912をボンディングワイヤ910によりリード端子97に接続したものである。ただし、リード端子97は外部には接続されない。このようにすれば、インダクタンス素子44hのインダクタンス値を増大することができる。
回路実装例5を図10を参照して説明する。図10は、図9において、空きのリード端子98の代わりに、導体99に隣接配置されてパッケージ913に内蔵された導体1111に、ボンディングワイヤ1110、1112を通じて、縦型MOSFETチップ91のソース電極92及び第1ダイオード42hをなすフライホイルダイオードチップ911のアノード電極912を接続した点に、その特徴がある。これにより、第2ダイオード43hをなすフライホイルダイオードチップ911と直列接続されるインダクタンス素子44hのインダクタンスL2を大きくし、第1ダイオード42hと直列接続されるインダクタンスL1を最小とすることができる。また、インダクタンスL1、L2がパッケージ913内に作り込まれるため、それらのばらつきを低減することができる。なお、導体1111の形状を種々変更することにより、インダクタンスL2や抵抗r2の大きさを容易かつ高精度に調整することができる。
回路実装例6を図11を参照して説明する。図11は図10において、導体99と導体1111とを絶縁基板1112上に形成し、導体1111をフライホイルダイオードチップ911を囲んで配置した例である。導体1111の両端はボンディングワイヤ1210、1210によりアノード電極912及びソース電極92に個別に接続されている。このようにすれば、コンパクトにインダクタンスL2を銅題することができる。
上記各回路実装例では、MOSFET41hと第2ダイオード43hとを別のチップで構成したが、それらを一体に形成しても良いことはもちろんである。この場合、MOSFET41hのソース電極と、第2ダイオード43hのアノード電極とは、別々に形成することが好適である。更に、このチップに、インダクタンス素子44hを更に集積してもよい。
上記各回路実装例では、縦型MOSFETチップ91のソース電極と第2ダイオード43hのアノード電極との間に、インダクタンス素子44hを配置したが、縦型MOSFETチップ91のドレイン電極と第2ダイオード43hのカソード電極との間にインダクタンス素子44hを設けても良い。つまり、インダクタンスL2は、縦型MOSFETチップ91のソース電極側の電流分岐点と、ドレイン電極側の電流分岐点との間の第1転流経路全体のインダクタンスにより構成される。
上記各回路実装例では、縦型MOSFETチップ91の寄生ダイオードである第1ダイオード42hの逆回復電流の低減を行ったが、縦型MOSFETチップ91の代わりに同様の小数キャリア蓄積効果をもつ種々のパワー半導体スイッチング素子の逆回復電流の低減にも、上記第2ダイオード43h及びインダクタンス素子44hからなる第2転流経路を用いることができる。この種のパワー半導体スイッチング素子として、特に高耐圧のDMOSFET、スーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETがある。なお、SJ構造のMOSFETは逆回復電流の電流変化率が大きいため、第2転流経路の抵抗r2を小さくして、フライホイル電流i2の変化率を大きくすることが好適である。
上記各回路実装例では、ハーフブリッジ回路の上アームスイッチ(ハイサイドスイッチ)に本発明を適用した実施形態を説明したが、本発明の第2ダイオード43hとインダクタンス素子44hとからなる第2転流経路は、下アームスイッチにも適用することができ、ハーフブリッジ回路を複数並列接続してなるインバータ回路にも適用でき、DCDCコンバータなどのパワースイッチング回路にも適用できることは明らかである。
寄生ダイオードである第1ダイオード42hをもつMOSFET41hに対して、第2ダイオード43hとインダクタンス素子44hとが直列接続された第2転流経路を設けた場合(A)、第2ダイオード43hだけの第2転流経路を設けた場合(B)、第2転流経路を設けない場合(C)の、MOSFET41lのオン立ち上がり電流波形を図13に示す。インダクタンス素子44hの設置により逆回復電流を良好に抑制できることがわかる。
42l 寄生ダイオード(第1ダイオード)
43h 第2ダイオード
43l 第2ダイオード
44h インダクタンス(インダクタンス素子)
44l インダクタンス(インダクタンス素子)
46 直流電源
47 誘導性負荷
48 負荷側端子
49 高位電源側端子
50 低位電源側端子
51 負荷側端子
81 チップ
82 ソース電極
83 ゲート電極
84〜87 リード端子
88 導体
89 ボンディングワイヤ
91 チップ
92 ソース電極
93 ゲート電極
94〜98 リード端子
99 導体
110 ボンディングワイヤ
1110 ボンディングワイヤ
1111 導体
1112 絶縁基板
1210 ボンディングワイヤ
910 ボンディングワイヤ
911 フライホイルダイオードチップ
912 アノード電極
913 パッケージ
Claims (16)
- 電力源側に接続される電源側端子と、誘導性負荷に接続される負荷側端子と、前記電源側端子と前記負荷側端子との間を流れるスイッチ電流を断続する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子に対して逆並列接続される第1ダイオードを有して前記半導体スイッチング素子のオフ時に誘導性負荷の転流電流を前記スイッチ電流と逆向きに流す第1転流経路と、
を備えるパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子に対して逆並列接続される第2ダイオードを有して前記第1転流経路と並列接続されるとともに、前記半導体スイッチング素子のオフ時に前記スイッチ電流と逆向きに前記誘導性負荷の転流電流を流す第2転流経路を有し、
前記第2ダイオードは、前記第1ダイオードよりも短い逆回復時間を有し、
前記第2転流経路のインダクタンスは、前記第1転流経路のインダクタンスよりも大きいことを特徴とするパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記逆回復電流が前記第1ダイオードに流れる期間に前記第2転流経路を前記逆回復電流と逆向きに流れて前記第2転流経路のインダクタンスの磁気エネルギーを消勢する前記第2転流経路の磁気エネルギー消勢電流の平均値は、前記逆回復電流の平均値に略等しく設定されているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第2転流経路のインダクタンスは、前記第1転流経路のインダクタンスの2〜8倍に設定されているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第2転流経路のインダクタンスは、前記第1転流経路のインダクタンスの4〜6倍に設定されているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第2転流経路のインダクタンスは、配線インダクタンスにより構成されているパワースイッチング回路。 - 請求項5記載のパワースイッチング回路において、
前記第2転流経路の配線長は、前記第1転流経路の配線長よりも大きく形成されているパワースイッチング回路。 - 請求項6記載のパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子、第1ダイオード及び第2ダイオードは同一基板に実装されて同一パッケージに収容され、前記第1転流経路と前記第2転流経路との接続点は、前記パッケージ内に配置されているパワースイッチング回路。 - 請求項6又は7記載のパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子及び第1ダイオードは同一の半導体チップに集積され、
前記第2ダイオードは前記半導体チップとは異なる半導体チップに作成されて前記半導体スイッチング素子及び第1ダイオードと同一パッケージに収容されているパワースイッチング回路。 - 請求項6又は7記載のパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子、第1ダイオード及び第2ダイオードは、同一の半導体チップに集積されているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子は、前記第1ダイオードとしての寄生ダイオードをもつMOSFETにより構成され、
前記第1転流経路と前記第2転流経路との接続点は、前記MOSFETが形成された半導体チップ表面に形成された電極により構成されているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第1ダイオードの逆回復電流の積分値と、前記第1ダイオードの逆回復電流通電期間の前記第2電流経路に流れるインダクタンス減勢方向の電流の積分値は略等しくされているパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第1ダイオードは、接合ダイオードからなり、前記第2ダイオードは、ショットキーダイオードからなるパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第1ダイオードは、接合ダイオードからなり、前記第2ダイオードは、ファストリカバリダイオードからなるパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第1ダイオードは、ファストリカバリダイオードからなり、前記第2ダイオードは、ショットキーダイオードからなるパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記第1ダイオードは、前記半導体スイッチング素子をなすSJ−MOSFETの寄生ダイオードからなるパワースイッチング回路。 - 請求項1記載のパワースイッチング回路において、
前記半導体スイッチング素子及び前記第1ダイオードは、前記電源側端子または前記負荷側端子として複数の電極端子をもつ同一のパッケージに実装され、前記第2ダイオードは、配線を通じて前記複数の電極端子の一部に接続されるパワースイッチング回路。
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