JP2009188155A - 垂直共振器型面発光レーザの製造方法とレーザアレイの製造方法、垂直共振器型面発光レーザとレーザアレイ、及びそれらを備えている画像形成装置 - Google Patents
垂直共振器型面発光レーザの製造方法とレーザアレイの製造方法、垂直共振器型面発光レーザとレーザアレイ、及びそれらを備えている画像形成装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】メサ構造の垂直共振器型面発光レーザを製造する方法であって、
基板上の半導体層上に誘電体膜を形成する工程と、
誘電体膜に、中心軸が同一である大小二つの環状の第1のレジストパターンを形成し、これにより前記大小二つの環状のパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された誘電体膜に、小さい環状の開口パターンのみが露出するように第2のレジストパターンを形成し、該開口パターンの開口部に環状の電極を形成する工程と、
環状の電極を覆うように第3のレジストパターンを形成し、誘電体膜に形成された大きい環状の開口パターンと第3のレジストパターンを用いてメサ構造を形成する工程と、を有する構成とする。
【選択図】 図2
Description
この面発光レーザは、活性領域の両側を二つの反射鏡で挟み、基板面に垂直な方向に共振器を形成し、基板面から垂直方向に光を出射する。
また、反射鏡としては、低屈折率層と高屈折率層とをλ/4の光学膜厚で交互に積層した分布ブラッグ反射鏡(DBR:Distributed Bragg Reflector)が用いられる。
垂直共振器型面発光レーザは、縦モード特性として安定した単一モードが得られ、また端面発光レーザに比べて低しきい値、2次元アレイ化が容易、などの優れた特性を持つ。そのため、この面発光レーザは、光通信、光伝送用の光源、また電子写真の光源として応用が期待されている。
このため、垂直共振器型面発光レーザでは素子内部に選択酸化による電流狭窄構造を設けることにより活性層の発光領域を制限し、また同時に選択酸化部分で導波構造を形成することにより、単一横モード化が図られている。
しかし、この電流狭窄構造だけで単一横モード化しようとすると、狭窄径を小さくしなければならず、狭窄径を小さくすると、発光領域が小さくなり大きなレーザ出力を得ることが難しい。
すなわち、上部多層膜反射鏡上に形成された上部電極に開口部を形成し、上部電極と接する多層膜反射鏡の反射率は、開口部において露出された多層膜反射鏡の反射率よりも低い構造としている。
この構造は、上部電極と接する領域で高次横モードの損失を増大させ、基本横モードで単一横モード発振させることを意図したものである。
つまり、特許文献1の垂直共振器型面発光レーザは、電流狭窄構造の径に加えて、上部電極の開口径というもう一つのパラメータを用いることにより横モードを制御し、より基本モード発振を安定化することを意図しているものである。
このような特許文献1における垂直共振器型面発光レーザでは、上部電極の開口部と、電流狭窄構造の非酸化領域との中心軸の位置合わせが重要となる。
両者の位置合わせが不十分であると、取り出すべき基本横モードの発振を抑制するおそれがあるからである。
すなわち、フォトレジストをマスクとして、誘電体と金属コンタクト層を除去することにより、金属コンタクト層等で形成された環状エッチングマスクを形成する。
この環状エッチングマスクの内径により、電極の開口径のサイズが決定される。次いで、環状エッチングマスクをマスクとして、RIE(Reactive Ion Etching)により、メサ構造を形成し、水蒸気酸化により電流狭窄構造を設ける。
このメサ構造の径は、環状エッチングマスクの外径により決定され、これにより電流狭窄構造の径も決定される。
つまり、フォトリソグラフィの段階で金属コンタクト層の内径と外径を決定し、この金属コンタクト層の内径により電極の開口径を画定し、金属コンタクト層の外径により電流狭窄構造の径を画定する。
このような構成によれば、フォトリソグラフィ技術は位置精度が高いため、電極開口部の中心軸と、電流狭窄構造の径の中心軸とを高い位置精度で制御することができるとされている。
しかしながら、上記特許文献2の製造方法による場合、メサ構造を形成する際に、金属コンタクト層の側面が露出した状態でエッチングを行うことから、次のような課題を有している。
図6(a)は、特許文献2に記載されている製造方法を説明する図であり、メサ構造を形成する前の状態を模式的に示したものである。
この図において、金属コンタクト層600とSiON610により、環状エッチングマスクが形成されている。
この環状エッチングマスク640の内径により、既に電極の開口径が画定されている。
また、環状エッチングマスク640の上には、SiNx620と、レジスト630が形成されている。
すなわち、この製造方法においては、メサ構造を形成する際に、金属コンタクト層600の側面が露出した状態でエッチングを行っている。
このように金属部の側面が露出した状態では、プラズマ中の粒子が均一に分布せず、その結果、均一な形状のメサ構造を得ることが難しい。
また、金属部がプラズマ中の粒子によるスパッタリングにより飛び散り、その結果、飛び散った金属がマイクロマスクを形成し、均一な形状のメサ構造を得ることが難しい。
さらに、エッチング中に飛び散った金属によりpn接合部において、好ましくない影響を引き起こす可能性があり、歩留り良く素子を得る上での困難性も有している。
また、上記した構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法、垂直共振器型面発光レーザとレーザアレイ、及びそれらを備えている画像形成装置を提供することを目的とする。
本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、メサ構造の垂直共振器型面発光レーザを製造する方法であって、
基板上に、下部反射ミラー、活性層、選択酸化層、上部反射ミラー、を含む複数の半導体層を順次積層し、該積層された半導体層上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜に、大きい環状の開口パターンと小さい環状の開口パターンとによる、中心軸が同一である大小二つの環状の第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを用いて、前記誘電体膜に前記中心軸が同一である大小二つの環状のパターンを形成する工程と、
前記大小二つの環状のパターンが形成された誘電体膜に、前記小さい環状の開口パターンのみが露出するように第2のレジストパターンを形成し、該露出する小さい環状の開口パターンの開口部に環状の電極を形成する工程と、
前記環状の電極を覆うように第3のレジストパターンを形成し、前記誘電体膜に形成された大きい環状の開口パターンと前記第3のレジストパターンを用いて前記メサ構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記誘電体膜は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのいずれかの材料により形成されることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記大小二つの環状のパターンは、径の異なる大小二つの同心円環状のパターンであることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記大小二つの環状のパターンは、一辺の長さの異なる大小二つの同心正方環状のパターンであることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記第1のレジストパターンを形成する工程で該第1のレジストパターンの形成が、ドライエッチングまたはウエットエッチングによって行われることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記環状の電極を形成する工程での該環状の電極の形成が、第2のレジストパターンを用いたリフトオフ法によって行われることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記リフトオフ法によって前記環状の電極を形成する際、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンが除去されることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザの製造方法は、前記第1のレジストパターンを形成する工程での大きい環状の開口パターンの形成が、ドライエッチングにより行われることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法は、上記したいずれかに記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法による垂直共振器型面発光レーザを複数個配置して製造することを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、基板上に、下部反射ミラーと、活性層と、電流狭窄構造と、環状の電極を備えた上部反射ミラーと、を有するメサ構造の垂直共振器型面発光レーザであって、
前記メサ構造は、平面形状が環状による構造を備え、該環状によるメサ構造の中心軸が前記環状の電極の中心軸と同一であり、かつ該環状によるメサ構造の外径が前記環状の電極の外径より大きい構造とされていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記環状によるメサ構造と前記環状の電極とは、これらの環状による形状が径の異なる大小二つの同心円環状または一辺の長さの異なる大小二つの同心正方環状に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記電流狭窄構造における非酸化領域の直径が3から5ミクロンの直径を備え、
前記環状の電極における開口部の直径が前記非酸化領域の直径に比べ0.5から1.0ミクロン大きい直径を備えていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、上記したいずれかに記載の垂直共振器型面発光レーザを複数個配置して構成されていることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記した垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法による垂直共振器型面発光レーザアレイ、または上記した垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
また、上記した構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法、垂直共振器型面発光レーザとレーザアレイ、及びそれらを備えている画像形成装置を実現することができる。
本実施形態における垂直共振器型面発光レーザ及び垂直共振器型面発光レーザアレイは、基本横モードの損失を最小限に抑えた上で高次横モードを抑制し、基本横モード出力を高めるために、次のような構成が採られる。
すなわち、本発明による垂直共振器型面発光レーザ及び垂直共振器型面発光レーザアレイは、上部電極の開口部と電流狭窄部の非酸化領域との中心軸が一致した構成を採るため、中心軸を同一とする大小二つの環状のパターンを一括で形成する製造方法が採られる。
具体的には、メサ構造の径を画定するための大きい環状の開口パターンと環状の電極の開口径を画定するための小さい環状の開口パターンとによる、中心軸が同一である大小二つの環状のパターンを形成する製造方法が採られる。
その際、小さい環状の開口パターンの開口部に形成された環状の電極を覆った状態で、ドライエッチングによりメサ構造を形成する構成が採られる。
このような製造方法によれば、均一な形状のメサ構造を得ることが可能となり、特性の均一な垂直共振器型面発光レーザ及び垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
また、メサ構造を、平面形状が環状による構造を備え、該環状によるメサ構造の中心軸が環状の電極の中心軸と同一であり、かつ該環状によるメサ構造の外径が前記環状の電極の外径より大きい構成とすることができる。
すなわち、上記従来例のように円環状の電極をマスクとせず、また金属部分を覆ってメサ構造をドライエッチングで形成するようにし、メサ構造の外周の側面と環状の電極の外周の側面とが同一面にない構成とすることで、均一な形状のメサ構造を得ることができる。
これにより上部電極と接する多層膜反射鏡の反射率を、上部電極の開口部において露出された多層膜反射鏡の反射率よりも低い構造とし、この部位において高次横モードの損失を増大させることが可能となる。
さらに、上部電極の開口部と電流狭窄部の非酸化領域との中心軸が一致した垂直共振器型面発光レーザであるため、基本モードの発振を抑制することなく、高次モードの発振を十分に抑制することが可能となる。
これにより、基本横モードの損失を最小限に抑えた上で高次横モードを抑制し、基本横モード出力を高め得る垂直共振器型面発光レーザの製造方法、これらを複数個配置して製造する垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法等を得ることが可能となる。
また、本実施形態の上記構成を有する垂直共振器型面発光レーザを複数個配置して構成される垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えている画像形成装置を構成することにより、高速・高精細印刷を実現できる画像形成装置を得ることが可能となる。
[実施例1]
実施例1においては、本発明を適用して構成した垂直共振器型面発光レーザの製造方法について説明する。
図1に本実施例の垂直共振器型面発光レーザを示す。
図1において、100はn側電極、102は基板、104は下部DBR、106は活性層、108は電流狭窄部(酸化領域)、110は非酸化領域である。
112は上部DBR、114は絶縁膜、116はp側電極、118はパッド電極、120は出射口(上部電極開口)である。
特に、非酸化領域の直径が3から5ミクロンの場合では、電極開口部の直径が非酸化領域の直径に比べ0.5から1.0ミクロン大きくなるように形成することにより、高出力かつ単一横モード発振が可能となる。
このように、非酸化領域の中心軸と電極開口部の中心軸を揃え、且つ非酸化領域の直径と開口部の直径の関係を適切にとることにより、基本モードに損失を与えることなく、且つ高次モードの出射を抑制することができる。
これにより、高出力かつ基本モードによる単一横モード発振が可能となる。
図2及び図3に本実施例の上記面発光レーザの製造方法について説明する模式図を示す。
図2において、200はn型GaAs基板、202は下部反射ミラーを構成する下部DBRミラー層、204は活性層、206は選択酸化層、208は上部反射ミラーを構成する上部DBRミラー層、210は誘電体膜である。
なお、選択酸化層206は後工程で選択酸化により電流狭窄構造を形成するための層である。
212は第1のレジストパターン、214は第2のレジストパターン、216は金属膜(Ti/Au)、218は環状の電極、220は第3のレジストパターン、222はエッチング溝(トレンチ)、224は酸化領域、及び226は非酸化領域である。
なお、スペーサー層、コンタクト層など一部の層は記載を省略してある。
また、図3において、300は絶縁膜(酸化シリコン膜)、302は第4のレジストパターン、304は第5のレジストパターン、306は金属膜(Ti/Au)、308はパッド電極、及び310はn側電極(AuGe/Ni/Au)である。
更にその上に、n型AlGaInPスペーサー層、GaInP/AlGaInP−MQW活性層204を、順次成長させる。
そして、この活性層204上に、p型AlGaInPスペーサー層、p型Al0.98Ga0.02As層206、p型Al0.9Ga0.1As/Al0.5Ga0.5As−上部DBRミラー層208、p型GaAsコンタクト層を、順次成長させる。
具体的には、コンタクト層上に、CVD成膜技術を用いて誘電体(シリコンオキサイド)膜210を成膜する。
続いて、その誘電体膜210上にリソグラフィ技術を用いて、第1のレジストパターン212を形成する。
この誘電体膜は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのいずれかの材料により形成することができる。
図4(a)は斜視図、(b)は平面図、(c)は斜視図におけるy−y’断面図である。
図4に示すように、第1のレジストパターン212は、誘電体膜210上に中心軸が同一である大小二つの異なる環状のパターンが開口するように形成されている。
なお、この図4に示された構成では、大小二つの異なる環状のパターンが、径の異なる大小二つの同心円環状のパターンで構成されているが、このような構成に限定されるものではない。例えば、大小二つの環状のパターンは、一辺の長さの異なる大小二つの同心正方環状のパターンで構成するようにしてもよい。
なお、この転写はウエットエッチングによるだけでなく、ドライエッチングによって行われるようにしてもよい。
この際に、誘電体膜には、中心軸が同一である大小二つの異なる環状の開口パターンが形成されるように転写される。
後述するように、この小さい環状の開口パターンによって上部電極の開口径が画定され、大きい環状の開口パターンによってメサ構造の径が画定される。
次に、図2(c)に示すように、リソグラフィ技術を用いて、第2のレジストパターン214を形成する。
この際に、第2のレジストパターン214は、小さい環状の開口パターンのみを露出するように形成する。
次に、図2(d)に示すように、金属蒸着技術を用いて表面に金属膜(Ti/Au)216を蒸着する。
次に、図2(e)に示すように、第2のレジストパターンを用いたリフトオフ法により、環状の電極(p側電極)218を形成する。
この際に、先の工程で形成した第1のレジストパターン212及び第2のレジストパターン214は除去される。
次に、図2(g)に示すように、ドライエッチング技術を用いて、n型Al0.9Ga0.1As/Al0.5Ga0.5As−下部DBRミラー層202が露出するように、エッチング溝(トレンチ)222を形成する。
次に、図2(h)に示すように、酸素プラズマアッシング技術を用いて、第3のレジストパターン220を除去する。
次に、図2(i)に示すように、基板温度450℃にて、水蒸気雰囲気下でp型Al0.98Ga0.02As層206を選択的に酸化し、電流狭窄構造(酸化領域224、非酸化領域226)を形成する。
次に、図2(j)に示すように、バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングにより、誘電体膜210を除去する。
次に、図3(l)に示すように、リソグラフィ技術を用いて、第4のレジストパターン302を形成する。
次に、図3(m)に示すように、バッファー度フッ酸を用いたウエットエッチングにより、環状電極及び出射口を露出させる。その後、第4のレジストパターンを除去する(不図示)。
次に、図3(n)に示すように、リソグラフィ技術を用いて、第5のレジストパターン304を形成する。
この際に、第5のレジストパターン304は、出射口をふさぐように形成されている。また、素子を電気的に分離するためのレジストパターンも形成されている(不図示)。
次に図3(o)に示すように、金属蒸着技術を用いて表面に金属膜(Ti/Au)306を蒸着する。
次に図3(p)に示すように、リフトオフ技術により、環状電極に電気的に接続するようにパッド電極308を形成する。
次に、図3(q)に示すように、金属蒸着技術を用いてn型GaAs基板裏面にn側電極(AuGe/Ni/Au)310を形成する。
なお、本実施例では、出射口を直径5.5μmの円形、酸化狭窄径を直径5.0μmの円形として設計されている。
そして、この小さい環状の開口パターンによって上部電極の開口径が画定され、大きい環状の開口パターンによってメサ構造の径と電流狭窄構造の径とが画定される。
したがって、電極開口部の中心軸と、電流狭窄構造の径の中心軸とを高い位置精度で制御することができる。
また、大きい環状の開口パターンを用いて、メサ構造を作製する際には、小さい環状の開口パターンに形成されている金属部が外部に露出することがない。
そのため、エッチング時に金属部が露出することによる不都合を解消でき、より高い位置精度で電極開口部の中心軸と電流狭窄構造の径の中心軸とを制御することができる。
この結果、基本横モード発振し、かつ高出力の垂直共振器型面発光レーザを提供することが可能となる。
また、本実施例において示した、成長、リソグラフィ、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法(装置)は記述手法(装置)に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法(装置)であっても良い。
また、本実施例では、単素子の垂直共振器型面発光レーザの製造方法について説明したが、この単素子の垂直共振器型面発光レーザを複数個配置したアレイにも上述の製造方法を適用することができる。
これにより、特性の均一な垂直共振器型面発光レーザを複数個有する垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
特に、各垂直共振器型面発光レーザ間の距離が短い、すなわち狭ピッチ(50μmピッチ以下)のアレイにおいては、本発明における金属部(上部電極)を完全に覆った状態でドライエッチングを行う製造法を適用することができる。
これにより、アレイ上の各垂直共振器型面発光レーザを均一に製造することができ、各々の特性が均一な垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
実施例2においては、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた応用例の一形態として、画像形成装置を構成した一例について説明する。
図5に、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを実装した電子写真記録方式の画像形成装置の構造図を示す。
図5(a)は画像形成装置の平面図であり、図5(b)は同装置の側面図である。
図5において、500は感光ドラム、502は帯電器、504は現像器、506は転写帯電器、508は定着器、510は回転多面鏡、512はモータである。
また、514は垂直共振器型面発光レーザアレイ、516は反射鏡、520はコリメータレンズ及び522はf−θレンズである。
図5において、モータ512は回転多面鏡510を回転駆動するものである。
垂直共振器型面発光レーザアレイ514は、記録用光源となるものであり、レーザドライバ(図示せず)により画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。
こうして光変調されたレーザ光は、垂直共振器型面発光レーザアレイ514からコリメータレンズ520を介し回転多面鏡510に向けて照射される。
回転多面鏡510は矢印方向に回転していて、垂直共振器型面発光レーザアレイ514から出力されたレーザ光は、回転多面鏡510の回転に伴い、その反射面で連続的に出射角度を変える偏向ビームとして反射される。
この反射光は、f−θレンズ522により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡516を経て感光ドラム500に照射され、感光ドラム500上で主走査方向に走査される。
このとき、回転多面鏡510の1面を介したビーム光の反射により、感光ドラム500の主走査方向に垂直共振器型面発光レーザアレイ514に対応した複数のライン分の画像が形成される。
感光ドラム500は、予め帯電器502により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。
また、感光ドラム500は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器504により現像され、現像された可視像は転写帯電器506により、転写紙(図示せず)に転写される。
可視像が転写された転写紙は、定着器508に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
なお、感光ドラム500の側部における主走査方向の走査開始位置近傍に、ビーム検出センサ(Beam Detectセンサ:以下BDセンサ)が配置されている(不図示)。
この検出信号は、主走査方向の走査開始基準信号としてタイミングコントローラ(図示せず)に入力され、この信号を規準として各ラインにおける走査方向の書き出し開始位置の同期が取られる。
なお、本実施例では、4×8垂直共振器型面発光レーザアレイを用いたが、これに限定されるものではなく、m×n垂直共振器型面発光レーザアレイ(m,n:自然数(0は含まず))であっても良い。
以上説明したように、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを電子写真記録方式の画像形成装置に用いることにより、高速・高精細印刷を可能とする画像形成装置を得ることが可能となる。
102:基板
104:下部DBR
106:活性層
108:電流狭窄部(酸化領域)
110:非酸化領域
112:上部DBR
114:絶縁膜
116:p側電極
118:パッド電極
120:出射口(上部電極開口)
200:n型GaAs基板
202:下部DBRミラー層
204:活性層
206:選択酸化層
208:上部DBRミラー層
210:誘電体膜
212:第1のレジストパターン
214:第2のレジストパターン
216:金属膜(Ti/Au)
218:環状の電極
220:第3のレジストパターン
222:エッチング溝(トレンチ)
224:酸化領域
226:非酸化領域
300:絶縁膜(シリコンオキサイド膜)
302:第4のレジストパターン
304:第5のレジストパターン
306:金属膜(Ti/Au)
308:パッド電極
310:n側電極(AuGe/Ni/Au)
500:感光ドラム
502:帯電器
504:現像器
506:転写帯電器
508:定着器
510:回転多面鏡
512:モータ
514:垂直共振器型面発光レーザアレイ
516:反射鏡
520:コリメータレンズ
522:f−θレンズ
Claims (14)
- メサ構造の垂直共振器型面発光レーザを製造する方法であって、
基板上に、下部反射ミラー、活性層、選択酸化層、上部反射ミラー、を含む複数の半導体層を順次積層し、該積層された半導体層上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜に、大きい環状の開口パターンと小さい環状の開口パターンとによる、中心軸が同一である大小二つの環状の第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを用いて、前記誘電体膜に前記中心軸が同一である大小二つの環状のパターンを形成する工程と、
前記大小二つの環状のパターンが形成された誘電体膜に、前記小さい環状の開口パターンのみが露出するように第2のレジストパターンを形成し、該露出する小さい環状の開口パターンの開口部に環状の電極を形成する工程と、
前記環状の電極を覆うように第3のレジストパターンを形成し、前記誘電体膜に形成された大きい環状の開口パターンと前記第3のレジストパターンを用いて前記メサ構造を形成する工程と、
を有することを特徴とする垂直共振器型面発光レーザの製造方法。 - 前記誘電体膜は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのいずれかの材料により形成されることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記大小二つの環状のパターンは、径の異なる大小二つの同心円環状のパターンであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記大小二つの環状のパターンは、一辺の長さの異なる大小二つの同心正方環状のパターンであることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを形成する工程で該第1のレジストパターンの形成が、ドライエッチングまたはウエットエッチングによって行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記環状の電極を形成する工程での該環状の電極の形成が、第2のレジストパターンを用いたリフトオフ法によって行われることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記リフトオフ法によって前記環状の電極を形成する際、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンが除去されることを特徴とする請求項6に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを形成する工程での大きい環状の開口パターンの形成が、ドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザの製造方法による垂直共振器型面発光レーザを複数個配置して製造することを特徴とする垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法。
- 基板上に、下部反射ミラーと、活性層と、電流狭窄構造と、環状の電極を備えた上部反射ミラーと、を有するメサ構造の垂直共振器型面発光レーザであって、
前記メサ構造は、平面形状が環状による構造を備え、該環状によるメサ構造の中心軸が前記環状の電極の中心軸と同一であり、かつ該環状によるメサ構造の外径が前記環状の電極の外径より大きい構造とされていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ。 - 前記環状によるメサ構造と前記環状の電極とは、これらの環状による形状が径の異なる大小二つの同心円環状または一辺の長さの異なる大小二つの同心正方環状に形成されていることを特徴とする請求項10に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
- 前記電流狭窄構造における非酸化領域の直径が3から5ミクロンの直径を備え、
前記環状の電極における開口部の直径が前記非酸化領域の直径に比べ0.5から1.0ミクロン大きい直径を備えていることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の垂直共振器型面発光レーザ。 - 請求項10乃至12のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザを複数個配置して構成されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザアレイ。
- 請求項9に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法による垂直共振器型面発光レーザアレイ、または請求項13に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする画像形成装置。
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