JP2011009368A - 面発光レーザの製造方法、該製造方法により製造された面発光レーザ、およびそれを用いた面発光レーザアレイ素子、光走査装置、ならびに画像形成装置 - Google Patents
面発光レーザの製造方法、該製造方法により製造された面発光レーザ、およびそれを用いた面発光レーザアレイ素子、光走査装置、ならびに画像形成装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】化合物半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部多層膜反射鏡、コンタクト層からなる積層膜を形成する工程と、該積層膜上にメサ形成用マスクを兼ねた第一の保護膜を形成する工程と、積層膜および第一の保護膜をエッチングによりメサ構造に加工する工程と、該メサ構造上に第二の保護膜を形成する工程と、第一および第二の保護膜を光出射部分では残し電極とコンタクトする部分をエッチング除去してコンタクト層を露出させる工程と、該露出したコンタクト層に接続するように上部電極を形成し、化合物半導体基板の裏側に下部電極を形成する工程を有する。
【選択図】図1−B
Description
同図に示すように、従来の面発光レーザの製造方法では、まず、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor:有機金属気相成長法)法やMBE(Molecular Beam Epitaxy;分子線エピタキシー)法により、n−GaAs単結晶基板1上に順次以下の積層膜を形成する。
即ち、本発明は、780nm帯面発光レーザ(VCSEL)など、コンタクト層が20nm程度と薄い面発光レーザ(VCSEL)であっても、GaAsコンタクトのダメージによる、コンタクト抵抗の増大、黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性を有し、時間と共に出力が低下することのない、信頼性の高い面発光レーザおよび、その製造方法を歩留まりよく提供することを目的とする。
本発明では、n−GaAs単結晶基板上に、n−AlGaAs/n−AlGaAs数十ペアからなる下部半導体多層膜(DBR)、下部AlGaAsスペーサ層、AlGaAs/AlGaAs MQW活性層、上部AlGaAsスペーサ層、AlAs選択酸化層、p−AlGaAs/p−AlGaAs 数十ペアからなる上部半導体多層膜反射鏡(DBR)、p−GaAsコンタクト層を順次成長させて、積層膜を形成する。
この構成によれば、選別の自由度がある単素子の場合に比べて製造歩留まり改善効果が大きい。また、GaAsコンタクトのダメージによりエッチングが不均一になるとアレイにした場合、個々のばらつき(GaAs厚さのばらつきによる反射率のばらつきなどがあり、レーザ特性がばらつく)があったが、本発明によれば、アレイの個々の特性が均一になる効果がある。
この構成によれば、高精細な光走査装置をアレイ間の特性を均一に、低コストで提供することができる。
この構成によれば、高精細且つ高速走査可能な光走査装置をアレイ間の特性を均一に低コストで提供することができる。
この構成によれば、高精細な画像形成装置をアレイ間の特性を均一に低コストで提供することができる。
この構成によれば、高精細且つ高速描画可能な画像形成装置をアレイ間の特性を均一に低コストで提供することができる。
本発明に係る面発光レーザは、同図に示すように、n−GaAs単結晶基板1上に積層された、下部半導体多層膜反射鏡(DBR)3、下部スペーサ層4、MQW活性層5、上部スペーサ層6、電流狭窄構造を有するAlAs選択酸化層7、上部半導体多層膜反射鏡(DBR)8、およびp−GaAsコンタクト層9、メサマスクパターン層112からなるメサ構造と、保護膜(絶縁膜)113と、p側電極111と、n側電極2と、から構成されている。
同図に示すように、本発明に係る面発光レーザの製造方法では、まず、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor:有機金属気相成長法)法やMBE(Molecular Beam Epitaxy;分子線エピタキシー)法により、n−GaAs単結晶基板1上に順次以下の積層膜を形成する。
図2には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ500の概略構成が示されている。
次に、図2における光走査装置900の構成および作用を、図3を用いて説明する。
2:n側電極
3:下部半導体多層膜反射鏡(DBR)
4:下部スペーサ層
5:MQW活性層
6:上部スペーサ層
7:AlAs選択酸化層
8:上部半導体多層膜反射鏡(DBR)
9:p−GaAsコンタクト層
10:光源ユニット
11:カップリングレンズ
12:アパーチャ
13:シリンドリカルレンズ
14:ポリゴンミラー(偏向手段)
15:fθレンズ(走査光学系の一部)
16:トロイダルレンズ(走査光学系の一部)
17,18:ミラー
111:p側電極
112:第一の保護膜(メサマスクを兼ねる)
113:第二の保護膜
500:レーザプリンタ
900:光走査装置
901:感光体ドラム(像担持体)
902:帯電チャージャ
903:現像ローラ(転写手段の一部)
904:トナーカートリッジ
905:クリーニングブレード
906:給紙トレイ
907:給紙コロ
908:レジストローラ対
909:定着ローラ
910:排紙トレイ
911:転写チャージャ(転写手段の一部)
912:排紙ローラ
913:記録紙
914: 徐電ユニット
Claims (13)
- 化合物半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部多層膜反射鏡、コンタクト層からなる積層膜を形成する工程と、該積層膜上にメサ形成用マスクを兼ねた第一の保護膜を形成する工程と、前記積層膜および前記第一の保護膜をエッチングによりメサ構造に加工する工程と、該メサ構造上に第二の保護膜を形成する工程と、前記第一および前記第二の保護膜を光出射部分では残し電極とコンタクトする部分をエッチング除去して前記コンタクト層を露出させる工程と、該露出したコンタクト層に接続するように上部電極を形成するとともに、前記化合物半導体基板の裏側に下部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
- 発光されるレーザの波長が、波長780nm帯または780nmよりも短波であることを特徴とする、請求項1に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記コンタクト層が、GaAsで構成されることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記保護膜が、SiNまたはSiO2またはその組合わせで構成されることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記第一の保護膜と前記第二の保護膜の光学長の合計が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍に形成されたことを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記第一の保護膜の光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/4に形成され、前記第二の保護膜の光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/4または3/4に形成されたことを特徴とする、請求項5に記載の面発光レーザの製造方法。
- 前記光出射部を含むメサ構造上の保護膜の光学長が前記活性層より得られる発振光の波長に形成され、前記メサ構造以外の保護膜の光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/4または3/4に形成されたことを特徴とする、請求項6に記載の面発光レーザの製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法により製造されたことを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項8に記載の面発光レーザを複数備えたことを特徴とする面発光レーザアレイ素子。
- 光ビームによって被走査面上を走査する光走査装置であって、請求項9に記載の面発光レーザアレイ素子を有する光源ユニットと、前記光源ユニットからの光ビームを偏向する偏向手段と、前記偏向された光ビームを被走査面上に集光する走査光学系と、を備えたことを特徴とする光走査装置。
- 複数の光ビームによって被走査面上を走査する光走査装置であって、請求項9に記載の面発光レーザアレイ素子を有する光源ユニットと、前記光源ユニットからの複数の光ビームを偏向する偏向手段と、前記偏向された複数の光ビームを被走査面上に集光する走査光学系と、を備えたことを特徴とする光走査装置。
- 少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる光ビームを走査する少なくとも1つの請求項10に記載の光走査装置と、前記少なくとも1つの像担持体に形成された像を転写対象物に転写する転写手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
- 少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる複数の光ビームを走査する少なくとも1つの請求項11に記載の光走査装置と、前記少なくとも1つの像担持体に形成された像を転写対象物に転写する転写手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
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