JP2010003873A - 面発光レーザ素子と面発光レーザアレイ、光走査装置と画像形成装置、光送受信モジュールと光通信システムおよび電気機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】GaAs基板101と下部DBR105との間に新たに放熱のよい反射鏡(第1下部DBR103)を設け、また、その反射鏡の膜厚の分だけGaAs基板101を除去等する構成とすることで、面発光レーザ素子の光出力の熱飽和特性を改善し、活性層部分の温度上昇を抑制する。
【選択図】図1
【解決手段】GaAs基板101と下部DBR105との間に新たに放熱のよい反射鏡(第1下部DBR103)を設け、また、その反射鏡の膜厚の分だけGaAs基板101を除去等する構成とすることで、面発光レーザ素子の光出力の熱飽和特性を改善し、活性層部分の温度上昇を抑制する。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザプリンタや複写機、光ディスク装置などの電気機器、光通信システムにおける光送受信モジュールなどに用いる面発光レーザ素子に係り、特に、温度特性に優れ、高出力動作が可能な面発光レーザ素子およびそれを用いた装置に関するものである。
面発光レーザ(VCSEL;Vertical Cavity Surface Emitting LASER,垂直共振器面発光レーザ)は、基板に対して垂直方向に光を出射する半導体レーザであり、壁開不要(基板の側面から光を放射する端面発光型半導体レーザでは、レーザ作製の工程において基板を数百ミクロンの幅でへき開する必要があるのに対し、面発光レーザはこの小さく割る工程が不要なのでありシンプルな製作工程となる)、2次元並列集積が可能、素子の検査が容易であるなどの特長から光インターコネクションなどの光通信の光源、光ピックアップ用の光源、画像形成装置の光源などの民生用途で用いられている。
このような用途の面発光レーザ素子には、活性層の利得が大きく、低しきい値であって、さらに、高出力であって、信頼性に優れ、偏光方向が制御されていることが求められる。しかし、面発光レーザ素子は、活性層体積が小さいため、端面発光型半導体レーザと比較して、光出力が小さいという問題がある。
この光出力を増大させる技術の一つに、発光部の温度上昇を低減する技術を掲げることができる。
一般に、面発光レーザ素子に限らず、半導体レーザでは、電流注入によって発生する熱の拡散の度合いが、レーザ出力、光スペクトルやモード、レーザ寿命などに大きな影響を与える。熱拡散など半導体の熱伝導についての問題は、デバイスの性能と密接に関係した重要なものである。
特に、面発光レーザ素子では、活性層が熱抵抗の大きい半導体多層膜反射鏡(DBR;(Distributed Brag Reflector))で挟み込まれた構造になっているために活性層の温度上昇が大きい。
素子が高温になると光出力は飽和してしまうために、光出力が低くなるという問題がある。この問題は発振波長の如何を問わず、面発光半導体レーザ素子に共通の問題である。
活性層の温度上昇を抑制する従来技術として、例えば特許文献1に記載の技術がある。この技術では、AlGaAs材料系からなる下部DBRの下側の大部分の低屈折率層にAlGaAs材料系において最も熱抵抗が小さいAlAsを用いるものである。
また、特許文献2では、活性領域とDBRの間、あるいはDBR中に高熱伝導率層を有する垂直共振器型面発光レーザが開示されている。この特許文献2に開示されている垂直共振器型面発光レーザでは、高熱伝導率層にAlAsなどを用い、さらに、その膜厚を厚くしている。
また、これらの特許文献1,2に記載されている技術よりも、さらに、放熱性に優れた面発光レーザ素子を提供する技術が特許文献3において開示されている。
この特許文献3に記載の技術は、基板上に、屈折率および熱抵抗率が互いに異なる2つの層を組とする複数の組からなる第1の半導体多層膜反射鏡、活性層を含む共振領域、並びに屈折率および熱抵抗率が互いに異なる2つの層を組とする複数の組からなる第2の半導体多層膜反射鏡を有する垂直共振器型の面発光レーザ素子において、第1の半導体多層膜反射鏡および第2の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一方の少なくとも一つの組では、熱抵抗率が小さい方の第1の層の光学的厚さが発振波長の1/4倍よりも大きく、熱抵抗率が大きい方の第2の層の光学的厚さが発振波長の1/4倍よりも小さく、第1の層の光学的厚さと第2の層の光学的厚さの和が、2以上の偶数mを用いて、発振波長のm/4倍であることとするものである。
これによれば、第1の半導体多層膜反射鏡および第2の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一方の半導体多層膜反射鏡では、複数の組のうち少なくとも一つの組では、熱抵抗率が小さい方の第1の層の光学的厚さが発振波長の1/4倍よりも大きくなるように設定され、熱抵抗率が大きい方の第2の層の光学的厚さが発振波長の1/4倍よりも小さくなるように設定されている。
すなわち、熱抵抗率が小さい方の層は従来よりも厚く、熱抵抗率が大きい方の層は従来よりも薄い。また、第1の層の光学的厚さと第2の層の光学的厚さの和は、2以上の偶数mを用いて、発振波長のm/4倍であるため、半導体多層膜反射鏡としての機能は維持される。従って、従来よりも放熱性を向上させることが可能となる。そして、その結果として、活性層の温度上昇が抑制され、従来よりも高出力が可能となる。
例えば、図13に示すように、AlxGa1−xAs混晶の熱抵抗率(熱伝導率の逆数)は、Al組成xに対して非線形的な変化を示し、GaAs(x=0)で比較的小さく、Al0.5Ga0.5As近傍で極大値をとり、再び小さくなって、AlAs(x=1)で極小になる。
従って、Al0.9Ga0.1AsやAl0.2Ga0.8Asは、熱抵抗率がそれぞれ3.9cm・K/Wおよび6.8cm・K/Wであって、AlAsの1.1cm・K/Wに比べて著しく大きい。
このことから、放熱をより向上させるには熱抵抗率が格段に小さいAlAs層を、さらに、より積極的に利用することが効果的であり、また、下部DBRのみの改善にはおのずと限界があり、下部DBR以外での改善の余地がある。
解決しようとする問題点は、従来の技術では、AlAs層の積極的な利用が不十分であり、また、下部DBRのみの改善にはおのずと限界があり、下部DBR以外での改善に関しての考慮がなされていない点である。
本発明の目的は、これら従来技術の課題を解決し、さらに、放熱が良く、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制された、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明では、GaAs基板と下部DBRとの間に新たに放熱のよい反射鏡を設け、さらに、その反射鏡の膜厚の分だけGaAs基板を削除する構成とすることで、面発光レーザ素子の光出力の熱飽和特性を改善し、活性層部分の温度上昇を抑制することを特徴とする。
本発明によれば、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を提供することが可能である。
以下、図を用いて本発明を実施するための最良の形態例を説明する。図1は、本発明に係る面発光レーザ素子の第1の構成例を示す側断面図であり、図2は、本発明に係る780nm帯VCSELのDBR1ペアあたりの熱抵抗とそれと同じ膜厚のGaAs層の熱抵抗との比較例を示す説明図、図3は、各波長帯のVCSELの下部DBRに用いられる典型的なAl組成例を示す説明図、図4は、各設計波長における、AlGaAs/AlAsの対42ペアからなるDBRのうち基板側からGaAs/AlAsの対からなるDBRに置き換えた場合のペア数と反射率の関係を示すグラフの説明図、図5は、各波長帯のVCSELの下部DBRで99.999%を超える反射率を得るのに必要なペア数の例を示す説明図、図6は、本発明に係る面発光レーザ素子の第1の層構成例を示す側断面図、図7は、本発明に係る面発光レーザ素子の第2の構成例を示す側断面図、図8は、本発明に係る面発光レーザ素子の第3の構成例を示す側断面図、図9は、従来の面発光レーザ素子の活性層近傍の構成を示す側断面図、図10は、本発明に係るレーザプリンタの構成例を示す側断面図、図11は、本発明に係る光走査装置の構成例を示す説明図、図12は、本発明に係る面発光レーザアレイの構成例を示す上面図、図14は、本発明に係る光送受信モジュールを用いた光通信システムの構成例を示すブロック図、図15は、本発明に係る面発光レーザ素子を用いた電気機器としての光ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
本例では、前述の図13における、AlGaAs混晶の混晶比と熱抵抗率との関係を示すグラフで説明した、熱抵抗率が格段に小さいAlAs層をより積極的に利用すると共に、下部DBR以外での改良により、従来の面発光レーザ素子の光出力の熱飽和特性をさらに改善することを目的に、GaAs基板と下部DBRとの間に放熱の良い反射鏡を備えるようにした。
すなわち、<第1の実施例>として、本例では、半導体基板上に、活性層と当該活性層を挟んで設けられたスペーサ層とからなる共振領域、この共振領域を挟んで設けられた分布ブラッグ反射器からなる上部反射鏡および下部反射鏡とを備えた面発光レーザ素子において、下部反射鏡を、高屈折率層がGaAsからなり低屈折率層がAlAsからなる第1下部反射鏡と、この第1下部反射鏡の上に形成され、高屈折率層がAlGaAsからなり低屈折率層がAlAsからなる第2下部反射鏡とから構成している。
このように、面発光レーザの下部反射鏡を、高屈折率層がGaAsからなる第1下部反射鏡と、この第1下部反射鏡の上に形成され、高屈折率層がAlGaAsからなる第2下部反射鏡とにより構成することから以下の効果を得ることができる。
一般に、多層膜反射鏡は、屈折率の異なる材料を、発振光の位相変化量がπ/2となる厚さに交互に積層して構成されている。すなわち、厚さd、屈折率n、発振光波長λとしたときに、光学的膜厚nd(nとdの積)が発振波長の4分の1の長さの奇数倍でブラッグ多重反射条件を満たす。
屈折率はAl組成に依存し、Al組成が大きなAlGaAs材料ほど低屈折率となる。従って、一般に、多層膜反射鏡は熱抵抗の異なる材料の積層構造により構成されることになり、多層膜反射鏡の熱抵抗は、材料として用いるAlGaAs材料の組成に大きく依存し、熱抵抗の大きな材料の特性が支配的となる。
GaAsとAlAsからなるDBRは、AlGaAs系材料において最も熱抵抗率の小さいAlAsを含んでいることから、DBR1ペアあたりの熱抵抗は同じ膜厚のGaAs層の熱抵抗よりも小さい。図2において、780nm帯のVCSELでの例を示す。すなわち、780nm帯VCSELのDBR1ペアあたりの熱抵抗とそれと同じ膜厚のGaAs層の熱抵抗との比較例を示す。
以下、図1と図9を用いて、このようなAlAsを含むDBRを具備した本例の面発光レーザ素子の構成と、従来の面発光レーザ素子の構成とを比較して説明する。
図9には、従来の面発光レーザ素子(VCSEL)の構成を、図1には、本例の面発光レーザ素子の構成を、それぞれ780nm帯のVCSELで例示する。
図9に示す従来構成のVCSELは、基板201と、バッファ層202と、下部DBR203と、共振器スペーサ層205,207と、活性層206と、選択酸化層208と、上部DBR209と、SiO2層210と、絶縁性樹脂211と、p側電極212と、n側電極213とを備える。
下部DBR203は、n−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対42ペアからなり、バッファ層202上に形成される
図1に示す本例の面発光レーザ素子は、図9中の下部DBR203を、高屈折率層のAl組成の異なる2種類のDBRにわけ、下から第1下部DBR103、第2下部DBR104としたものである。
第2下部DBR104は、図9における下部DBR203と同じ構成であり、n−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対42ペアからなる。これに対して、第1下部DBR103は、n−AlAs/GaAsの対200ペアからなり、バッファ層102上に形成される。
図1における基板101を、図9における基板201よりも、第1下部DBR103と同じ膜厚だけ研磨すれば、第1下部DBR103がない場合に比べ、VCSEL全体の熱抵抗を低減することができる。
また、第1下部DBR103は、AlAs/GaAsの対からなるので、GaAs基板よりも吸収が少ない。
計算の結果、図9における従来構成の面発光レーザ素子の熱抵抗は2414[K/W]であるのに対し、図1における構成の面発光レーザ素子の熱抵抗は、2369[K/W]と求まった。
従って、図1に示す本例の面発光レーザ素子では、第2下部DBR104の下に、熱抵抗の小さい第1下部DBR103を配置したことによって、熱抵抗が小さくなり、活性層106で発生した熱が効果的に取り除かれるので、その結果、活性層106の温度上昇が抑制された、高いレーザ出力を有する面発光レーザ素子を提供することができる。
また、<第2の実施例>として、図1における面発光レーザ素子は、発振波長が872nm以下とし、駆動時の活性層部分の温度上昇を抑制し、温度特性が良好で、高出力動作が可能な面発光レーザ素子とする。
すなわち、多層膜反射鏡は、用いる半導体材料が、使用する波長帯で透明である必要があり、半導体材料中で吸収が起きないように、使用する半導体材料のバンドギャップを、発振波長のバンドギャップよりも小さくする必要がある。
図3においては、各波長帯において典型的に用いられるDBRのAl組成と、高屈折率層のバンドギャップと発振波長のエネルギーの差を示している。
GaAsのバンドギャップは1.42eVであるため、透過できる光の波長は872nm以上である。そのため、一般に、650nm帯、780nm帯、850nm帯の面発光レーザでは、DBRの高屈折率層にはAlGaAsを用い、GaAsを用いることはない。
前述のように、GaAsとAlAsからなるDBRは、AlGaAs系材料において最も熱抵抗率の小さいAlAsを含んでいることから、DBR1ペアあたりの熱抵抗は、同じ膜厚のGaAs層の熱抵抗よりも小さい。
また、第1下部DBR103は、AlAs/GaAsの対からなるので、GaAs基板よりも吸収が少ない。
よって、本例の面発光レーザ素子では、発振波長が872nm以下の、熱抵抗が小さい、活性層106で発生した熱が効果的に取り除かれ、活性層106の温度上昇が抑制された、高出力のレーザを出力することができる。
また、<第3の実施例>として、第2下部DBR104を、99.999%を超える反射率を満足するペア数から構成することで、吸収の影響を受けることなく、駆動時の活性層部分の温度上昇を抑制でき、温度特性が良好で、高出力動作が可能な面発光レーザ素子を得ることができる。
すなわち、前述のように、AlAs/GaAsの対からなる第1下部DBR103は、AlGaAs/GaAsの対からなる第2下部DBR104と異なり、872nm以下の光では吸収が生じる。
しかし、第1下部DBR103は第2下部DBR104の下に配設されており、また、第1下部DBR103はAlAs/GaAsの対からなるので、GaAs基板101よりも吸収が少ないため、99.999%を超える反射率を有する第2下部DBR104であれば、吸収の影響は無視できる。
図5には、各波長帯のVCSELで典型的に用いられる、下部DBRのAl組成と、99.999%を超える反射率を得るのに必要なペア数を示す。第2下部DBRのペア数が図5に記載のペア数以上であれば、第1下部DBRはどのようなペア数であっても、吸収の影響は無視できる。
よって本発明では、99.999%を超える反射率を満足するペア数から構成されている第2下部DBRの下に、熱抵抗の小さい第1下部DBRを配置したことによって、吸収の影響を受けることなく、熱抵抗が小さくなり、活性層で発生した熱が効果的に取り除かれ、活性層の温度上昇が抑制された、高いレーザ出力を有する面発光レーザ素子を提供することができる。
また、<第4の実施例>として、発振波長を770nm〜790nmとし、第1下部反射鏡を6ペア以下で構成することにより、駆動時の活性層部分の温度上昇を抑制し、温度特性が良好で、高出力動作が可能な面発光レーザ素子を得ることができる。
すなわち、設計波長が780nmで、AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対からなる多層膜反射鏡で、99.999%を超える反射率を得るためには、ペア数が42ペア必要となる。また波長によって屈折率が変わり、波長が短いほどその波長におけるAlAsとAl0.3Ga0.7As層の間の屈折率差が大きくなるため、反射率が大きくなる。
図4には、各設計波長において、AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対42ペアからなる反射鏡のうち、基板側から順にAlAs/GaAsの対からなるDBRに置き換えたペア数とその反射率を示している。
AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対に比べ、AlAs/GaAsの対からなるDBRは構成する層の間で屈折率差が大きいことから、置き換えることによって、反射率を大きくすることができる。しかしながら、前述のようにGaAsは780nm帯の光を吸収してしまうので、置き換えるペア数をさらに増やしていくと、吸収が大きくなり反射率が小さくなってしまう。
図4から、770nm〜790nmの光に対し、99.999%を超える反射率を得るためには、置き換えるペア数は6ペア以下である必要があることがわかる。
780nmで設計された下部DBRが全てAlAs/Al0.3Ga0.7Asの対から構成される従来構成のVCSELの熱抵抗は2414[K/W]である。AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対から構成される下部DBRを基板側からAlAs/GaAsの対からなるDBRに6ペア置き換えた場合、計算の結果、熱抵抗は2412[K/W]と求まった。
よって、本第4の実施例では、第2下部DBRの一部を、熱抵抗の小さい第1下部DBRに置き換えたことによって、反射率を損なうことなく、熱抵抗を小さくすることが可能になった。
従って、本第4の実施例のような構成にすることにより、発振波長が770nm〜790nmのVCSELにおいて放熱に優れたDBRを得ることができ、これによって放熱特性の優れた、高出力動作が可能な面発光レーザ素子が得られる。
また、<第5の実施例>として、第1〜第4の実施例における面発光レーザ素子を同一基板上に複数個設けられ面発光レーザアレイを構成することで、アレイ内素子間の熱干渉が抑えられた、温度特性が良好で、高出力、高密度な面発光レーザアレイを得ることができる。
面発光レーザ素子は、面発光型であることからアレイ化が容易で、しかも通常の半導体プロセスで形成されるので、素子の位置精度が高い。更にメサ形成時の制御性が改善されているので低コスト化できる。
一般に、面発光レーザアレイでは、相互の熱干渉による活性層の温度上昇が単素子の場合に比べて大きく、単素子に比べて寿命が短くなる傾向がある。しかし、本例のようにして面発光、2次元アレイを構成した場合、従来に比べて熱干渉の影響を大幅に低減することができるので、低消費電力で長寿命な面発光レーザアレイを得ることができる。
また、放熱特性が改善された構造であることから、アレイ内素子間の熱干渉が抑えられ、より近接した(高密度)アレイとすることが可能となる。
また、高出力動作可能な面発光レーザ素子を同一基板上に多数集積することで、書き込み光学系に応用した場合、同時にマルチビームでの書きこみが容易となり、書きこみ速度が格段に向上し、書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷できる。
また、同じ書きこみドット密度の場合は印刷速度を早くできる。また、通信に応用した場合、同時に多数ビームによるデータ伝送が可能となるので高速通信ができる。更に、面発光レーザ素子は低消費電力動作し、特に機器の中に組み込んで利用した場合、温度上昇を低減できる。
また、<第6の実施例>として、光によって被走査面を走査する光走査装置において、第1〜第4の実施例のいずれかにおける面発光レーザ素子、もしくは、第5の実施例における面発光レーザアレイのいずれかを有する光源と、この光源からの光を偏向する偏向器と、この偏光器で偏向された光を被走査面上に集光する走査光学系とを備えた構成とする。
このような構成とすることにより、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子/面発光レーザアレイにより、高速であり、且つ、高精細画像が形成可能な光走査装置を得ることができる。
特に、面発光レーザアレイは長寿命であるので、信頼性の高い光走査装置が得られる効果を有する。
また、<第7の実施例>として、少なくとも1つの像担持体と、この像担持体に対して画像情報が含まれる光ビームを走査する上述の<第6の実施例>における光走査装置と、像担持体に形成された像を転写対象物に転写する転写手段とからなる画像形成装置を構成する。
これにより、本例の画像形成装置歯、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイを用いた光走査装置によって、高精彩画像が形成可能となる。
特に、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能で長寿命な面発光レーザアレイを用いた光走査装置を具備した場合、高速、且つ高精細画像が形成可能な上、さらに、信頼性の高い画像形成装置が得られる。
また、<第8の実施例>として、第7の実施例における画像形成装置が、光走査装置により、像担持体に対して、多色のカラー画像情報が含まれる光を走査する構成、すなわち、カラー画像形成装置とする。
このように、画像形成装置を、像担持体に対して走査される光ビームが多色のカラー画像情報を含む構成してカラー画像形成装置とすることにより、本例のカラー画像形成装置は、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を用いた光走査装置により、高速に、高精細な画像が形成可能となり、さらに、駆動時の活性層部分の温度上昇が抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能で長寿命な面発光レーザアレイを用いた光走査装置により、信頼性の高いカラー画像の形成が可能となる。
以下、図1を用いて本発明に係る面発光レーザ素子の構造について説明する。
図1における面発光レーザ素子は、n型GaAs基板101、GaAsバッファ層102、n型第1下部DBR103、n型第2下部DBR104、下部スペーサ層105、活性層106、上部スペーサ層107、p型AlAs比選択酸化層108、p型上部DBR109、SiO2110、絶縁性樹脂111、p側上部電極112、n側下部電極113からなる。
本面発光レーザ素子は、GaInPAs/GaInP多重量子井戸構造を活性層106とし、上部スペーサ層107にAlGaAs系材料、下部スペーサ層105にAlGaInP系材料を用いた780nm帯面発光レーザ素子である。以下、その構造を製造工程に従い説明する。
図1の面発光レーザ素子は、有機金属気相成長法(MOCVD法)により結晶成長を行っており、III族原料に、トリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルインジウム(TMI)を用い、V族原料にはアルシン(AsH3)、フォスフィン(PH3)を用いている。また、p型ドーパント原料には四臭化炭素(CBr4)を、n型ドーパント原料にはセレン化水素(H2Se)を用いている。
具体的には、図1の面発光レーザ素子は、n−GaAs基板101上に、n−GaAsバッファ層102、n−AlAs/GaAsの対を1ペアとした200ペアのn型第1下部DBR103、n−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対を1ペアとした42ペアのn型第2下部DBR104、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P上部スペーサ層105、GaInPAs/GaInP多重量子井戸活性層106、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P下部スペーサ層107、24周期のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As上部DBR108の結晶成長が行われている。
ここで、p型上部DBR109の途中には、p−AlAs選択酸化層108を設けている。また、面発光レーザ素子の最表面にはGaAsコンタクト層(図示せず)を設けている。
ここで、上部DBR109は、低屈折率層であるAl0.9Ga0.1As層と、高屈折率層であるAl0.3Ga0.7As層の間に電気抵抗を低減する目的で、一方の組成から他方の組成へ向かってAlGaAsの組成を変化させた厚さ20nmの組成傾斜層を設けている。
次に、公知の写真製版技術を用いて、図1の面発光レーザ素子の中央部に1辺が20μmの正方形状のレジストパターンを形成した後、公知のドライエッチング技術を用いて、表面のGaAsコンタクト層から、共振器スペーサ層の途中までの各層のエッチング除去を行っている。
ドライエッチングの進行状態は、プラズマ発光モニタ等を用いて、各層に特徴的に現れるプラズマ発光種を観察することで知ることができる。
本例では、共振器スペーサ層を構成するいずれかの層(105,107)にInを含ませてあるので、ドライエッチングによってメサ形状に加工する際に、Inの発光をモニタすることによって、エッチングが行われている部分を知ることができ、また、DBRにはInが含まれていないので、Inを含む共振器部を良好に検出でき、精密にエッチング深さを制御することが可能である。
また、ドライエッチングのほかにも、スペーサ層がAlGaInPであることから、これを、ウエットエッチングを停止するエッチングストップ層として用いることができ、硫酸系のエッチャント(エッチング液)による選択エッチングにより、エッチング深さを精密に制御することができる。しかし、エッチング異方性により、非対称な形状のメサができやすいなどの不具合があるのでドライエッチングとの併用が好ましい。
例えば、ドライエッチング等を用いてAlGaInPスペーサ層近傍までのAlGaAs系半導体層のエッチング除去を行った後、AlGaInPスペーサ層までの残りのAlGaAs系半導体層を硫酸系のエッチャントにより、AlGaInPスペーサ層に対して選択的に除去することができる。
この他にも、GaAsコンタクト層からAlGaInPスペーサ層までの各層を全てウエットエッチングにより除去する方法とすることもできる。
次に、加熱水蒸気雰囲気中において、エッチング側壁からp−AlAs選択酸化層108の酸化を行って電流狭窄層を形成している。ここで、メサエッチングはAlGaInPスペーサ層105中で停止しているので、下部DBR104を構成するAlAs層は選択酸化されない。
次に、公知の気相化学堆積法(CVD法)を用いて、ウエハ全面にSiO2層を形成した後、エッチング除去部にアラインして、光出射部となる領域とその周辺のSiO2層の除去を行っている。
次に絶縁性樹脂のスピンコートを行い、メサ上面の絶縁性樹脂の除去を行っている。そして、次に、光出射部となる領域に1辺が8μmの開口を有したレジストパターンを形成し、p側電極材料の蒸着を行った後、リフトオフによって光出射部の電極材料を除去して、p側上部電極112を形成している。
さらに、n−GaAs基板101の裏面を研磨した後、基板の裏面に蒸着によってn側下部電極113を形成し、アニールによって、両電極のオーミック導通をとっている。
本構成では、上部スペーサ層107をAlGaAs材料、下部スペーサ層105をAlGaInP材料とし、Inの発光をモニタして下部スペーサ層105までエッチングしているので、活性層106部分もエッチング除去されていることにより隣接する素子と電気的に分離している。
よって本例では、第2下部DBR104の下に、熱抵抗の小さい第1下部DBR103を配置したことによって、熱抵抗が小さくなり、活性層106で発生した熱が効果的に取り除かれ、活性層106の温度上昇が抑制された、高いレーザ出力を有する面発光レーザ素子を提供することができる。
このように、本例の面発光レーザ素子では、第2下部DBR104の下に、熱抵抗の小さい第1下部DBR103を配置したことによって、熱抵抗が小さくなり、活性層106からの発熱を効率よく放熱でき、活性層106部分の温度上昇が効果的に抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を得ることができる。
図7においては、発信波長が780nmの面発光レーザ素子の構成を示しており、本例の面発光レーザ素子は、図6に詳細な層構成を示すように、下部DBRとGaAs基板の間に、多数ペアのAlAs/GaAsの対からなるDBRを設けることで、GaAs基板101を除去してもウエハ強度を保つように工夫された面発光レーザである。
すなわち、図1に示す面発光レーザ素子と同様の方法にて成長を行い、図6に示すように、GaAs基板101上に、GaAsバッファ層102、GaInPエッチストップ層120、下部GaAsコンタクト層121、第1下部DBR103、第2下部DBR104、下部スペーサ層105、活性層106、上部スペーサ層107、被選択酸化層108、上部DBR112を順次成長させる。
具体的に、図7における面発光レーザ素子は、n−GaAs基板上に、n−GaAsバッファ層とn−AlAs/GaAsの対からなる400ペアのn型第1下部DBR103、n−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対からなる36ペアのn型第2下部DBR104、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P上部スペーサ層107、GaInPAs/GaInP多重量子井戸活性層106、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P下部スペーサ層105、24周期のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As上部DBR109の結晶成長が行われている。
ここで、上部DBR109の途中には、p−AlAs被選択酸化層108を設けている。また、面発光レーザ素子の最表面には、上部GaAsコンタクト層(図示せず)を設けている。
図1の面発光レーザ素子の際と同様のプロセスを経て、メサエッチング、選択酸化、絶縁膜の形成、p側電極の形成を行ったのち、基板側からGaAs基板101とGaAsバッファ層102を硫酸系のエッチャントによりエッチングして除去し、GaInPエッチストップ層120を露出させる。
次に、塩酸系エッチャントによりGaInPエッチストップ層120を除去し、下部GaAsコンタクト層121を露出させる。露出させた下部GaAsコンタクト層121に蒸着によってn側電極を形成し、アニールによって、両電極のオーミック導通をとっている。
ここでは、AlAs/GaAsの対からなる400ペアの第1下部DBR103が47μmあることから、図6に示す面発光レーザ素子におけるGaAs基板101を除去して図7に示す面発光レーザ素子の構成としても、ウエハを維持する強度は残される。
本例の面発光レーザ素子では、GaAs基板101をエッチングにより除去したことから、発熱源である活性層106と下部電極113の距離を小さくすることができる。
これにより、活性層106からの発熱を効率よく放熱でき、活性層106部分の温度上昇が効果的に抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を得ることができる。
次に、図8を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子の他の構成例について説明する。本例では、第2下部DBRとしてAlGaAs/AlAsDBR36ペアを用い、第1下部DBRとしてGaAs/AlAsDBR6ペアを用いる例である。
本図8における面発光レーザ素子では、GaInPAs/GaInP多重量子井戸構造を活性層とし、上部スペーサ層にAlGaAs系材料、下部スペーサ層にAlGaInP系材料を用いた780nm帯面発光レーザ素子である。
図1における面発光レーザ素子と同様の方法にて成長を行い、GaAs基板101上に、GaAsバッファ層102、第1下部DBR103、第2下部DBR104、下部スペーサ層105、活性層106、上部スペーサ層107、選択酸化層108、上部DBR109を順次成長させる。
具体的に、図8に示す面発光レーザ素子は、n−GaAs基板101上に、n−GaAsバッファ層102、n−AlAs/GaAsの対からなる6ペアのn型第1下部DBR103、n−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対からなる36ペアのn型第2下部DBR104、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P下部スペーサ層105、GaInPAs/GaInP多重量子井戸活性層106、(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P上部スペーサ層107、24周期のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As上部DBR109の結晶成長が行われている。
ここで、上部DBR109の途中には、p−AlAs被選択酸化層108を設けている。また、面発光レーザ素子の最表面にはGaAsコンタクト層(図示せず)を設けている。
本例の面発光レーザ素子では、従来構成であるn−AlAs/Al0.3Ga0.7Asの対からなる42ペアの下部DBRのうち6ペアを、熱抵抗の小さいn−AlAs/GaAsの対からなるDBRに置き換えたことによって、反射率を損なうことなく、熱抵抗を小さくすることができる。
従って、放熱に優れたDBRを得ることができ、活性層106からの発熱を効率よく放熱でき、活性層106部分の温度上昇が効果的に抑制され、温度特性が良好で高出力動作が可能な面発光レーザ素子を得ることができる。
次に、図10を用いて、このような面発光レーザ素子を用いた本発明に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ500の説明を行う。
図10に示すレーザプリンタ500は、光走査装置900、感光体ドラム901、帯電チャージャ902、現像ローラ903、トナーカートリッジ904、クリーニングブレード905、給紙トレイ906、給紙コロ907、レジストローラ対908、転写チャージャ911、除電ユニット914、定着ローラ909、排紙ローラ912、および排紙トレイ910などを備えている。
帯電チャージャ902、現像ローラ903、転写チャージャ911、除電ユニット914およびクリーニングブレード905は、それぞれ感光体ドラム901の表面近傍に配置されている。
そして、感光体ドラム901の回転方向に関して、帯電チャージャ902→現像ローラ903→転写チャージャ911→除電ユニット914→クリーニングブレード905の順に配置されている。
感光体ドラム901の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム901は、図10における面内で時計回り(矢印方向)に回転するようになっている。帯電チャージャ902は、感光体ドラム901の表面を均一に帯電させる。
光走査装置900は、帯電チャージャ902で帯電された感光体ドラム901の表面に、上位装置(例えばパソコン)からの画像情報に基づいて変調された光を照射する。
これにより、感光体ドラム901の表面では、画像情報に対応した潜像が感光体ドラム901の表面に形成される。ここで形成された潜像は、感光体ドラム901の回転に伴って現像ローラ903の方向に移動する。尚、この光走査装置900の構成については後述する。
トナーカートリッジ904にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ903に供給される。現像ローラ903は、感光体ドラム901の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ904から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着された潜像は、感光体ドラム901の回転に伴って転写チャージャ911の方向に移動する。
給紙トレイ906には記録紙913が格納されている。この給紙トレイ906の近傍には給紙コロ907が配置されており、給紙コロ907は、記録紙913を給紙トレイ906から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対908に搬送する。
レジストローラ対908は、転写ローラ911の近傍に配置され、給紙コロ907によって取り出された記録紙913を一旦保持するとともに、記録紙913を感光体ドラム901の回転に合わせて感光体ドラム901と転写チャージャ911との間隙に向けて送り出す。
転写チャージャ911には、感光体ドラム901の表面上のトナーを電気的に記録紙913に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム901の表面の潜像が記録紙913に転写される。ここで転写された記録紙913は、定着ローラ909に送られる。
この定着ローラ909では、熱と圧力とが記録紙913に加えられ、これによってトナーが記録紙913上に定着される。ここで定着された記録紙913は、排紙ローラ912を介して排紙トレイ910に送られ、排紙トレイ910上に順次スタックされる。
除電ユニット914は、感光体ドラム901の表面を除電する。クリーニングブレード905は、感光体ドラム901の表面に残ったトナー(残留トナー)を除去する。尚、除去された残留トナーは、再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム901の表面は、再度帯電チャージャ902の位置に戻る。
次に、図11を用いて、図10におけるレーザプリンタ500に用いられている光走査装置900の構成および作用について説明する。
図11における光走査装置900は、図1,6,7,8を用いて説明した面発光レーザ素子もしくは後述の図12に示す面発光レーザアレイLAを含む光源ユニット10、カップリングレンズ11、アパーチャ12、シリンドリカルレンズ13、ポリゴンミラー14、fθレンズ15、トロイダルレンズ16、2つのミラー(17、18)、および、各部を統括的に制御する不図示の主制御装置を備えている。
カップリングレンズ11は、光源ユニット10から出射された光ビームを略平行光に整形する。アパーチャ12は、カップリングレンズ11を介した光ビームのビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ13は、アパーチャ12を通過した光ビームを、ミラー17を介してポリゴンミラー14の反射面に集光する。
ポリゴンミラー14は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面には6面の偏向面が形成されている。そして、図示していない回転機構により、図11に示される矢印の方向に一定の角速度で回転されている。従って、光源ユニット10から出射され、シリンドリカルレンズ13によってポリゴンミラー14の偏向面に集光された光ビームは、ポリゴンミラー14の回転により一定の角速度で偏向される。
fθレンズ15は、ポリゴンミラー14からの光ビームの入射角に比例した像高をもち、ポリゴンミラー14により一定の角速度で偏向される光ビームの像面を、主走査方向に対して等速移動させる。トロイダルレンズ16は、fθレンズ15からの光ビームを、ミラー18を介して、感光体ドラム901の表面上に結像する。
この場合に、面発光レーザアレイLAが図12に示されるように配置されていると、面発光レーザアレイLAでは、各面発光レーザ素子(VCSEL)の中心から副走査方向に対応する方向に垂線を下ろした時の副走査方向に対応する方向における各面発光レーザ素子の位置関係が等間隔(間隔d2とする)となるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム901上では、副走査方向に等間隔で光源が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
例えば、副走査方向に対応した方向に関する面発光レーザ素子のピッチd1が26.5μmであれば、各面発光レーザ素子の位置間隔d2は2.65μmとなる。そして、光学系の倍率を2倍とすれば、感光体ドラム901上では副走査方向に5.3μm間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、4800dpi(ドット/インチ)に対応している。すなわち、4800dpi(ドット/インチ)の高密度書込みができる。
もちろん、主走査方向に対応する方向の面発光レーザ数を増加したり、ピッチd1を狭くして間隔d2を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。尚、主走査方向の書き込み間隔は、光源の点灯のタイミングで容易に制御できる。
また、この場合、レーザプリンタ500では、書きこみドット密度が上昇しても面発光レーザ素子は高い単一基本横モード出力を発生させることができるので、印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
図12に示す面発光レーザアレイLAでは、各面発光レーザ素子の活性層の温度上昇が従来よりも低減されているため、ピッチd1=26.5μm、間隔d2=2.65μmであっても、各面発光レーザ素子から高出力で光ビームをそれぞれ出射することが可能であり、また、長期信頼性(素子寿命)も改善されている。これにより、レーザプリンタ500では高精細な画像を高速で形成することが可能となる。
以上、説明したように、本例の光走査装置900によると、光源ユニット10は面発光レーザアレイLAを含んでいるため、感光体ドラム901の表面上に高精彩な潜像を高速で走査形成することが可能となる。
また、本例のレーザプリンタ500によると、面発光レーザアレイLAを含む光走査装置900を備えているため、高精細な画像を高速で形成することが可能となる。
尚、光走査装置900において、光源ユニット10は、面発光レーザアレイLAに代えて、図1に示す面発光レーザ素子と同様な構成を有する面発光レーザ素子を含んでいても良い。
また、画像形成装置としてレーザプリンタ500の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、図1に示す面発光レーザ素子と同様な構成を有する面発光レーザ素子あるいは面発光レーザアレイを有する画像形成装置であれば、高精細な画像を高速で形成することが可能となる。
また、カラー画像を形成する画像形成装置であっても、カラー画像に対応した光走査装置を用いることにより、高精細な画像を高速で形成することが可能となる。
また、画像形成装置として、カラー画像に対応し、例えばブラック(K)用の感光体ドラム、シアン(C)用の感光体ドラム、マゼンダ(M)用の感光体ドラム、イエロー(Y)用の感光体ドラムのように複数の感光体ドラムを備えるタンデムカラー機であっても良い。
次に、図14を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子を用いた光送受信モジュールおよび当該光送受信モジュールを用いた光通信システムについて説明する。
図14おいては、複数の面発光レーザ素子を同一の基板上に配置して構成した面発光レーザアレイ1401a,1402aと、面発光レーザアレイ1401a,1402aの各素子から出射されたレーザ光を受光して電気信号に変換出力する受光素子1401b,1402bを、ボード1401,1402上に設け、光送受信モジュールを構成している。
また、ボード1401,1402上には、面発光レーザアレイ1401a,1402aを駆動する駆動回路、および、受光素子1401b,1402bからの出力の信号処理を行う制御回路等が搭載されている。
ボード1401,1402上の面発光レーザアレイ1401a,1402aの各面発光レーザ素子と受光素子1401b,1402bのそれぞれは相互に、光ファイバー1403を介して、光信号の送受信を行う光通信システム構成となっている。
ボード1401,1402は、さらに、図示していないコンピュータ装置等の通信装置に接続され、データ処理が行われる。
このように、本例の高いレーザ出力を有する面発光レーザ素子・アレイを用いることにより、光送受信モジュールの高性能化を図ることができ、かつ、それを用いた光通信システムの高性能化および高信頼化を図ることができる。
次に、図15を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイを用いた電気機器の例として、面発光レーザ素子を用いた光ディスク装置について説明する。
図15において、本例の光ディスク装置は、光ディスク1501へのデータの書き込みや、光ディスク1501に書き込まれたデータの再生に、本発明に係る面発光レーザ素子からなるレーザ装置1502を用いている。
光ディスク装置では、光ディスク1501へのデータの書き込み時、レーザ装置1502から光ディスク1501へ向けて信号光(レーザ光)を出射し、この信号光を、コリメートレンズ1503により平行光とし、ビームスプリッタ1504を透過してλ/4偏光板1505で偏光状態を調節した後、レーザ光照射用対物レンズ1506により光ディスク1501の表面に集光させる。
また、光ディスク1501に記録されたデータを読み出す際には、レーザ装置1502から、データ信号がのっていないレーザ光を書き込み時と同じ経路をたどって光ディスク1501の表面に照射し、光ディスク1501の表面で反射させたレーザ光を、レーザ光照射用対物レンズ1506、λ/4偏光板1505を経由し、ビームスプリッタ1504により光軸の方向を90°変えて、再生光用対物レンズ1507で信号検出用受光素子1508の表面に集光させ、この信号検出用受光素子1508において、レーザ光が示すデータ信号を電気信号に変換して信号光再生回路1509に出力する。そして、この信号光再生回路1509において、電気信号を元の信号に再生する。
このように、本発明に係る高いレーザ出力の面発光レーザ素子を光ディスク装置に用いることにより、光ディスク装置の性能を向上させることができる。
以上、図1〜図15を用いて説明したように、本例の面発光レーザ素子では、GaAs基板上に、活性層と活性層を挟んで設けられたスペーサ層とからなる共振領域と、この共振領域を挟んで設けられた分布ブラッグ反射器からなる上部反射鏡および下部反射鏡とを備えた面発光レーザ素子において、特に、下部反射鏡を、第1下部反射鏡と第2下部反射鏡に分けて構成し、第2下部反射鏡を共振領域の下に配置し、第1下部反射鏡を第2下部反射鏡の下に配置し、さらに、第1下部反射鏡は、高屈折率層がGaAs、低屈折率層がAlAsからなる構成とし、また、第2下部反射鏡は、高屈折率層がAlGaAs、低屈折率層がAlAsからなる構成とすることで、第1下部反射鏡の熱抵抗を第2下部反射鏡の熱抵抗より小さくする。また、第1下部反射鏡の膜厚の分だけ、GaAs基板を除去する。
このことにより、面発光レーザ素子全体の熱抵抗を低減することができ、活性層で発生した熱を効果的に取り除くことができ、活性層の温度上昇を抑圧でき、高いレーザ出力を得ることができる。
尚、本発明は、図1〜図15を用いて説明した例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、図1〜図8を用いて説明した各例の面発光レーザ素子では、結晶成長方法として、MOCVD法を例に挙げて説明を行なったが、この他にも、分子線結晶成長法(MBE法)等のその他の結晶成長法を用いることもできる。
また、図15の例では、発光レーザ素子と集光素子をそれぞれ個別に設けた構成としているが、発光レーザ素子と集光素子を一体化した光ピックアップとして構成することでも良い。
また、図8を用いて説明した例では、第2下部DBRの一部を、第1下部DBRに置き換えた構成とし、GaAs基板の第1下部DBRの膜厚分の除去を行っていないが、適宜、GaAs基板の除去を行っても良い。
10:光源ユニット、11:カップリングレンズ、12:アパーチャ、13:シリンドリカルレンズ、14:ポリゴンミラー(偏向手段)、15:fθレンズ(走査光学系の一部)、16:トロイダルレンズ(走査光学系の一部)、17,18:ミラー、101:GaAs基板、102:GaAsバッファ層、103:第1下部DBR、104:第2下部DBR、105:下部スペーサ層、106:活性層、107:上部スペーサ層、108:被選択酸化層、109:上部DBR、110:SiO2層、111:絶縁性樹脂、112:上部電極、113:下部電極、120:エッチストップ層、121:コンタクト層、201:GaAs基板、202:GaAsバッファ層、203:下部DBR、205:下部スペーサ層、206:活性層、207:上部スペーサ層、208:被選択酸化層、209:上部DBR、210:SiO2層、211:絶縁性樹脂、212:上部電極、213:下部電極、500:レーザプリンタ、900:光走査装置、901:感光体ドラム(像担持体)、902:帯電チャージャ、903:現像ローラ(転写手段の一部)、904:トナーカートリッジ、905:クリーニングブレード、906:給紙トレイ、907:給紙コロ、908:レジストローラ対、909:定着ローラ、910:排紙トレイ、911:転写チャージャ、912:排紙ローラ、913:記録紙、914:除電ユニット、1401,1402:ボード、1401a,1402a:面発光レーザアレイ、1401b,1402b:受光素子、1403:光ファイバー、1501:光ディスク、1502:レーザ装置、1503:コリメートレンズ、1504:ビームスプリッタ、1505:λ/4偏光板、1506:レーザ光照射用対物レンズ、1507:再生光用対物レンズ、1508:信号検出用受光素子、1509:信号光再生回路、LA:面発光レーザアレイ。
Claims (13)
- 半導体基板上に、活性層と該活性層を挟んで設けられたスペーサ層とからなる共振領域と、該共振領域を挟んで設けられた分布ブラッグ反射器からなる上部反射鏡および下部反射鏡とを備えた面発光レーザ素子であって、
上記下部反射鏡は、
第1下部反射鏡と第2下部反射鏡からなり、
該第2下部反射鏡は上記共振領域の下に配置し、
上記第1下部反射鏡は上記第2下部反射鏡より熱抵抗が小さく、該第2下部反射鏡の下に配置することを特徴とする面発光レーザ素子。 - 半導体基板上に、活性層と該活性層を挟んで設けられたスペーサ層とからなる共振領域と、該共振領域を挟んで設けられた分布ブラッグ反射器からなる上部反射鏡および下部反射鏡とを備えた面発光レーザ素子であって、
上記下部反射鏡は、
高屈折率層がGaAsからなり低屈折率層がAlAsからなる第1下部反射鏡と、
該第1下部反射鏡の上に形成され高屈折率層がAlGaAsからなり低屈折率層がAlAsからなる第2下部反射鏡とから構成される
ことを特徴とする面発光レーザ素子。 - 請求項1もしくは請求項2のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
上記第1下部反射鏡の膜厚の分、上記半導体基板を除去して構成した
ことを特徴とする面発光レーザ素子。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
発振波長が872nm以下であることを特徴とする面発光レーザ素子。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
上記第2下部反射鏡は、99.999%を超える反射率を満足するペア数から構成されることを特徴とする面発光レーザ素子。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
発振波長が770nm〜790nmであり、
上記第1下部反射鏡が6ペア以下であることを特徴とする面発光レーザ素子。 - 請求項1から請求項6のいずれか記載の面発光レーザ素子が同一基板上に複数個設けられて構成されることを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1から請求項6のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項7に記載の面発光レーザアレイのいずれかを有する光源と、
該光源からの光を偏向する偏向器と、
該偏光器で偏向された光を上記被走査面上に集光する走査光学系と
を備えたことを特徴とする光走査装置。 - 少なくとも1つの像担持体と、
該像担持体に対して画像情報が含まれる光を走査する少なくとも1つの請求項8に記載の光走査装置と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項9に記載の画像形成装置であって、
上記光走査装置により、上記像担持体に対して、多色のカラー画像情報が含まれる光を走査することを特徴とする画像形成装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項7に記載の面発光レーザアレイのいずれかと、
該面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイのいずれかを駆動する駆動回路と、
レーザ光を受光して電気信号に変換出力する受光素子と
を少なくとも含むことを特徴とする光送受信モジュール。 - 光信号を用いて情報を伝達する光通信システムであって、
上記光信号は、請求項1から請求項6のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項7に記載の面発光レーザアレイのいずれかから出射される光ビームによって生成されることを特徴とする光通信システム。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項7に記載の面発光レーザアレイのいずれかと、
該面発光レーザ素子を駆動する駆動回路と
を具備したことを特徴とする電気機器。
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JP (1) | JP2010003873A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012195431A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器 |
JP2014138096A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ及びその製造方法 |
JP2021086999A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザ装置、光源装置及び検出装置 |
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2008
- 2008-06-20 JP JP2008161378A patent/JP2010003873A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012195431A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器 |
JP2014138096A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ及びその製造方法 |
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