JP2016025289A - 面発光レーザ、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体層への外部からの物質の侵入を防ぎ信頼性を向上させた面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】本面発光レーザは、活性層と反射鏡と、を含む面発光レーザであって、前記面発光レーザから光が出射される出射面を含む平面に対して角度を有する壁面上に、絶縁体膜と、有機元素を含む保護膜とが積層される。
【選択図】図１

Description

本発明は、面発光レーザ、光走査装置及び画像形成装置に関する。

面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）は、形成される基板に対し垂直方向に光を出射する半導体レーザである。面発光レーザは、端面発光型半導体レーザに比べて低コストで、２次元アレイ化を比較的容易に行うことができる。又、面発光レーザは高性能であるため、光インターコネクション等の光通信の光源、光ピックアップ用の光源、レーザプリンター等の画像形成装置の光源等の用途に用いられている。

面発光レーザは、例えばｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型半導体多層膜からなる下部ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）反射鏡、下部スペーサ層、多重量子井戸活性層、上部スペーサ層、ｐ型半導体多層膜からなる上部ＤＢＲ反射鏡、コンタクト層を順次エピタキシャル成長等により積層形成し、積層形成した所定の領域の半導体層をｎ型ＧａＡｓ基板の基板面に対し垂直方向にエッチングすることによりメサ構造を形成し、メサ構造の側面とエッチングされた領域に絶縁体膜を形成し、メサ構造の上面に開口している出射面よりレーザ光を発する構成のものである。

面発光レーザにおいて、上部ＤＢＲ反射鏡の一部、又は、上部ＤＢＲ反射鏡と上部スペーサ層との間に、電流狭窄層を形成した構造のものが有望とされている。このような面発光レーザは、ＡｌＡｓからなる電流狭窄層を選択酸化することにより電流狭窄構造を形成するものであるため、選択酸化型ＶＣＳＥＬとも称されている。選択酸化型ＶＣＳＥＬでは、しきい値電流値、消費電力等を低減することができ、又、良好なレーザ特性を得ることができる。

ところで、面発光レーザにおいて、ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成される半導体層に、外部から水分等の物質が侵入する場合がある。この場合、半導体層に外部から侵入する物質は、半導体層を構成する物質と反応し、面発光レーザの信頼性を低下させるおそれがある。

そこで、半導体層に外部から物質が侵入することを防止し、面発光レーザの信頼性を向上させるための各種の対策が施されている。対策の一例としては、チップ分割ラインに基板に達するまでの素子分離溝を形成して下部ＤＢＲ反射鏡の側面を露出させ、この下部ＤＢＲ反射鏡の側面を含む領域に、誘電体からなるパッシベーション膜を形成した後、チップに分割する技術を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、誘電体からなるパッシベーション膜を形成して素子分離溝の側壁を保護する技術では、半導体層に外部から物質が侵入することを防止する効果が不十分であった。その結果、半導体層に外部から侵入する物質が半導体層を構成する物質と反応するおそれが依然として存在し、面発光レーザの信頼性を低下させる問題を十分に解決することができなかった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半導体層への外部からの物質の侵入を防ぎ信頼性を向上させた面発光レーザ等を提供することを課題とする。

本面発光レーザは、活性層と反射鏡と、を含む面発光レーザであって、前記面発光レーザから光が出射される出射面を含む平面に対して角度を有する壁面上に、絶縁体膜と、有機元素を含む保護膜とが積層されることを要件とする。

開示の技術によれば、半導体層への外部からの物質の侵入を防ぎ信頼性を向上させた面発光レーザ等を提供できる。

第１の実施の形態に係る面発光レーザの断面図である。 第１の実施の形態に係る面発光レーザの上面図である。 第１の実施の形態に係る面発光レーザの製造工程図（その１）である。 第１の実施の形態に係る面発光レーザの製造工程図（その２）である。 第２の実施の形態に係る面発光レーザの断面図である。 第２の実施の形態に係る面発光レーザの要部断面図である。 第２の実施の形態に係る面発光レーザの製造工程図である。 第３の実施の形態に係る画像形成装置の構成図である。 第３の実施の形態に係る光走査装置の概要図である。 第３の実施の形態に係る面発光レーザの概要図である。 第３の実施の形態に係るカラー印刷が可能な画像形成装置の構成図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態に係る面発光レーザについて説明する。本実施の形態に係る面発光レーザは、III−Ｖ族の化合物半導体により形成されるものであり、ＡｌＡｓからなる電流狭窄層を選択酸化することにより電流狭窄構造が形成されるものであって、７８０ｎｍ帯面発光レーザである。但し、本実施の形態に係る面発光レーザは一例を示すものであり、各層に使用する材料や出射光の波長は、この例に限定されるものではない。

（面発光レーザ）
図１及び図２に基づき本実施の形態に係る面発光レーザについて説明する。図１は、本実施の形態に係る面発光レーザの断面構造を示すものであり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における破線１Ａで囲まれた領域の拡大図である。又、図２は、本実施の形態に係る面発光レーザの上面図である。

本実施の形態に係る面発光レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、エピタキシャル成長により形成したバッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ（Multiple-Quantum Well；多重量子井戸）活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８を有している。

ｎ型ＧａＡｓ基板１０は傾斜基板であり、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、例えば、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１１が形成される。

下部ＤＢＲ反射鏡１２（下部反射鏡）は、面発光レーザが有する複数の反射鏡のうちＭＱＷ活性層１４に対して光の出射方向とは逆方向に存在する反射鏡である。下部ＤＢＲ反射鏡１２は、レーザの発振波長をλとした場合に、光学長がλ／４となる膜厚で、例えば、ｎ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓとｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとを４０．５ペア交互に積層することにより形成したものである。下部ＤＢＲ反射鏡１２には、例えば、ドーパントとして、Ｓｅ（セレン）が、５×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^１８ｃｍ^−３程度ドープされている。なお、下部ＤＢＲ反射鏡１２は、低屈折率層と高屈折率層とが積層されたものであるが、ｎ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓにより形成される層が低屈折率層となり、ｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓにより形成される層が高屈折率層となる。

下部スペーサ層１３は、例えば、ノンドープのＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓにより形成されている。ＭＱＷ活性層１４は、例えば、Ａｌ_０．１２Ｇａ_０．８８Ａｓ量子井戸層とＡｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ障壁層とを交互に積層した多重量子井戸構造により形成されている。上部スペーサ層１５は、例えば、ノンドープのＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓにより形成されている。

電流狭窄層１６は、例えば、ｐ型ＡｌＡｓにより形成されており、後に選択酸化されることにより選択酸化領域１６ａと電流狭窄領域１６ｂからなる電流狭窄構造を形成する。電流狭窄層１６は、後述する上部ＤＢＲ反射鏡１７の内部に設けられており、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４及び上部スペーサ層１５により構成される共振器領域から光学長がλ／４離れた位置に形成されている。

上部ＤＢＲ反射鏡１７（上部反射鏡）は、例えば、ｐ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓとｐ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとを２４ペア交互に積層形成することにより形成したものである。上部ＤＢＲ反射鏡１７には、例えば、ドーパントとして、Ｚｎが、５×１０^１７ｃｍ^−３〜６×１０^１８ｃｍ^−３程度ドープされている。なお、上部ＤＢＲ反射鏡１７は、低屈折率層と高屈折率層とが積層されたものであるが、ｐ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓにより形成される層が低屈折率層となり、ｐ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓにより形成される層が高屈折率層となる。コンタクト層１８は、例えば、ｐ型ＧａＡｓからなる膜により形成されている。

このように形成されている半導体層において、所定の領域における下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８をエッチングすることにより発光部を含むメサ構造３０を形成する。そして、更に、電流狭窄層１６であるＡｌＡｓ層を選択酸化する。

更に、バッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８をエッチングすることにより、素子分離をするための素子分離溝３１を形成する。そして、メサ構造３０の側面及び素子分離溝３１の壁面（側壁部）を覆うように、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）又は窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる絶縁体膜２１を形成する。

このように、素子分離溝３１の壁面は、バッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８（の各壁面）を含んでいる。そして、素子分離溝３１の壁面は、面発光レーザから光が出射される出射面（後述の開口領域２３内に露出する面）を含む平面に対して角度を有している。素子分離溝３１の壁面は、面発光レーザから光が出射される出射面を含む平面に対して、例えば、垂直に形成することができる。但し、これには限定されず、素子分離溝３１の壁面は、面発光レーザから光が出射される出射面を含む平面に対して、例えば、７０°〜８０°のテーパー状にする等、任意の角度に形成して構わない。

ｐ側電極２２は、絶縁体膜２１上にコンタクト層１８と接して形成されており、コンタクト層１８とオーミック接触するように形成されている。ｐ側電極２２は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ又は、Ｃｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕ等の積層膜により構成されており、真空蒸着又は、ＥＢ（Electron Beam）蒸着等により成膜することができる。なお、コンタクト層１８上には、ｐ側電極２２が形成されていない光を出射するための開口領域２３が形成されている。即ち、開口領域２３内に露出する面は、面発光レーザから光が出射される出射面である。ｐ側電極２２は、ｐ側電極２２と同時に形成された引き出し線２４により電極パッド２５に接続されている。

ｎ側電極２７は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の裏面に設けられており、ｎ型ＧａＡｓ基板１０とオーミック接触するように形成されている。ｎ側電極２７は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ又は、Ｃｒ／ＡｕＧｅ／Ａｕ等の積層膜により構成されており、真空蒸着又は、ＥＢ（Electron Beam）蒸着等により成膜することができる。

なお、本実施の形態に係る面発光レーザでは、下部ＤＢＲ反射鏡１２及び上部ＤＢＲ反射鏡１７は、高屈折率層と低屈折率層とを積層した構成としている。この構成において、高屈折率層と低屈折率層との界面における電気抵抗を低減させるため、高屈折率層と低屈折率層との界面において、ＡｌＧａＡｓの組成を変化させた厚さ２０ｎｍ程度の組成傾斜層を形成すると好適である。

本実施の形態に係る面発光レーザでは、素子分離溝３１の側面の絶縁体膜２１上に、保護膜２６が形成されている。保護膜２６は、有機元素を含む酸化シリコンからなる。即ち、保護膜２６は、酸化ケイ素及び有機物を含む。保護膜２６は、シロキサン系スピンオングラス（ＳＯＧ：Spin On Glass）を用いて形成すると好適である。

シロキサン系スピンオングラス等からなる保護膜２６は、形成時には液体であることから、絶縁体膜２１にピンホール等の欠陥が存在した場合に、その欠陥内に進入し充填されることにより欠陥を確実に塞ぐことができる。そのため、半導体層に外部から物質が侵入して半導体層を構成する物質と反応することを防止することが可能となり、面発光レーザの信頼性を向上することができる。

図１及び図２は、発光部をアレイ状に２次元的に配列した面発光レーザを示すものであるが、本実施の形態に係る面発光レーザの他の構成として、発光部をアレイ状に１次元に配列した面発光レーザとしてもよい。但し、本実施の形態に係る面発光レーザの発光部は単一であってもよい。

（面発光レーザの製造方法）
次に、図３及び図４に基づき、本実施の形態に係る面発光レーザの製造方法を説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、傾斜基板であるｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長法）又は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）により、バッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８を順次エピタキシャル成長により形成する。

バッファ層１１は、例えば、ｎ型ＧａＡｓにより形成する。又、下部ＤＢＲ反射鏡１２は、例えば、高屈折率層となるｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓと低屈折率層となるｎ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓとを交互に４０．５ペア積層形成することにより形成する。又、下部スペーサ層１３は、例えば、アンドープのＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓにより形成する。又、ＭＱＷ活性層１４は、例えば、Ａｌ_０．１２Ｇａ_０．８８Ａｓ量子井戸層とＡｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ障壁層とを交互に積層形成することにより多重量子井戸構造を形成する。又、上部スペーサ層１５は、例えば、アンドープのＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓにより形成する。

更に、上部ＤＢＲ反射鏡１７は、例えば、高屈折率層となるｐ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓと低屈折率層となるｐ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓとを交互に２４ペア積層形成することにより形成する。又、コンタクト層１８は、例えば、ｐ型ＧａＡｓにより形成する。なお、上部ＤＢＲ反射鏡１７において、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４及び上部スペーサ層１５からなる共振器領域よりλ／４離れた領域には、ｐ型ＡｌＡｓからなる電流狭窄層１６が形成されている。

なお、ＭＱＷ活性層１４は、圧縮歪組成であって、バンドギャップ波長が７８０ｎｍとなる３層のＧａＩｎＰＡｓ量子井戸活性層と、格子整合する４層の引張り歪みを有するＧａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐ障壁層とにより形成してもよい。そして、電子を閉じ込めるためのスペーサ層（クラッド層ともいう）として、ワイドバンドギャップ材料である（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐを用いた構成としてもよい。このような構成とすることにより、キャリアを閉じ込めるためのスペーサ層をＡｌＧａＡｓ系により形成した場合に比べて、スペーサ層と量子井戸活性層とのバンドギャップ差を極めて大きくすることができ、高い電子の閉じ込め効果を得ることができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン４１を形成し、メサ構造３０を形成する。具体的には、コンタクト層１８上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、メサ構造３０の形状に対応したレジストパターン４１を形成する。この後、レジストパターン４１をマスクとして、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８をＲＩＥ等のドライエッチングによりエッチングすることによりメサ構造３０を形成する。なお、コンタクト層１８上に塗布されるレジストはポジレジストを用い、コンタクト露光により露光を行う。これにより、メサの上面部には、一辺が２０μｍ〜２５μｍ程度の正方形となるメサ構造３０が形成される。なお、メサ構造３０の側面の傾斜角度は、ドライエッチングの条件を調整することにより調整可能であり、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の基板面に対し７０°〜８０°のテーパー状にすることにより、ｐ側電極２２からの引き出し電極２４等の断線を防止することができる。

次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン４１を除去し、電流狭窄層１６を選択酸化する。具体的には、選択酸化は、水蒸気雰囲気中において熱処理を行うことにより、メサ構造３０により露出している電流狭窄層１６の側面より酸化を進行させる。これによりメサ構造３０の周辺部分は酸化され絶縁体であるＡｌ酸化物（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）となり選択酸化領域１６ａが形成される。この選択酸化領域１６ａと中央部分の酸化されていない電流狭窄領域１６ｂとにより、電流狭窄構造が形成される。この選択酸化により形成される電流狭窄領域１６ｂは、例えば、５μｍ×５μｍ程度の略正方形の形状に形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、素子分離溝３１を形成する。具体的には、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、素子分離溝３１が形成されない領域上に不図示のレジストパターン４２を形成する。この後、レジストパターン４２の形成されていない領域におけるバッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８をＲＩＥ等によりエッチングし除去することにより素子分離溝３１を形成する。

次に、図４（ａ）に示すように、絶縁体膜２１を形成しコンタクトホール３３を形成する。具体的には、レジストパターン４２を除去した後、Ｐ−ＣＶＤにより、例えばＳｉＮからなる絶縁体膜２１を１５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度成膜し、この後、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、レジストパターン４３を形成する。このレジストパターン４３は、メサ構造３０の上面のコンタクト層１８上においてコンタクトホール３３及び素子分離溝３１においてスクライブライン３４が形成される領域に開口部を有するものである。この後、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）により、レジストパターン４３の開口部におけるＳｉＮからなる絶縁体膜２１をウエットエッチングにより除去する。このとき素子分離溝３１の壁面にも絶縁体膜２１が形成される。

次に、図４（ｂ）に示すように、素子分離溝３１の壁面に形成された絶縁体膜２１の表面に保護膜２６を形成する。保護膜２６の材料としては、例えば、シロキサン系スピンオングラス等の有機元素を含む酸化シリコンを用いることができる。保護膜２６は、例えば、絶縁体膜２１の表面にディスペンス法やスピンコート法、スプレー法等の方法により塗布し、３５０℃程度の温度でベークし全面エッチバックすることにより形成することができる。若しくは、素子分離溝３１にのみディスペンス法を用いて液体シロキサン系スピンオングラスを形成し３５０℃程度の温度でベークすることにより形成することができる。

このとき、絶縁体膜２１にピンホール等の欠陥が存在した場合には、保護膜２６がピンホール等の欠陥内に充填されるため、ピンホール等の欠陥を完全に塞ぐことができる。なお、保護膜２６の材料としてシロキサン系スピンオングラスを用いた場合、ベークにより溶媒が蒸発して保護膜２６はＳｉＯ_２を主成分とする固体膜となるが、固体膜中に微量の有機物（有機元素）が残留する。

次に、図４（ｃ）に示すように、ｐ側電極２２、電極パッド２５、及びｎ側電極２７を形成する。具体的には、レジストパターン４３を除去した後、再び、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、不図示のレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、ｐ側電極２２及び電極パッド２５が形成されない領域に形成される。この後、例えば、Ｃｒ（９ｎｍ程度）／ＡｕＺｎ（１８ｎｍ程度）／Ａｕ（７００ｎｍ程度）からなる金属膜をＥＢ蒸着により順次積層形成することにより成膜する。この後、リフトオフ等により、不図示のレジストパターンの形成されている領域上の金属膜を除去することにより、ｐ側電極２２及び電極パッド２５を形成する。

次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の厚さが１００μｍ〜３００μｍ程度となるまで、裏面を研磨し、例えば、Ｃｒ（９ｎｍ程度）／ＡｕＧｅ（１８ｎｍ程度）／Ａｕ（２５０ｎｍ程度）からなる金属膜をＥＢ蒸着により順次積層形成することによりｎ側電極２７を形成する。この後、例えば、４００℃で５分間アニールすることにより、電極はオーミックコンタクトされる。

この後、スクライブライン３４に沿ってダイシングソー等により素子分離をすることにより、図１に示す本実施の形態に係る面発光レーザが作製される。

このように、本実施の形態に係る面発光レーザでは、素子分離溝３１における側面に、絶縁体膜２１と保護膜２６とが積層して形成されている。保護膜２６は形成時には液体であることから、絶縁体膜２１においてピンホール等の欠陥が存在していても、保護膜２６においてピンホール等の欠陥が塞がれるため、下部ＤＢＲ反射鏡１２におけるＡｌ組成の高い半導体膜に水分等が侵入することはない。よって、高温高湿度の環境においても、面発光レーザの劣化を防ぐことが可能であり、信頼性を高めることができる。

なお、従来のように、誘電体からなるパッシベーション膜を形成して素子分離溝の側壁を保護する方法では、パッシベーション膜にピンホール等の欠陥が存在すると水分等の侵入を防止できない。パッシベーション膜を２層にすることも考えられるが、十分な対策とはなり得ない。なぜなら、成膜される膜は、成膜される過程において下地の影響を受けやすく、１層目の膜にピンホール等の欠陥が存在していると、２層目の膜も欠陥の影響を引きずったまま成膜される傾向にある。その結果、パッシベーション膜を２層にしても、欠陥が塞がれないからである。

この場合、１層目の膜の影響をできるだけ防ぐため、１層目の膜の表面を荒らした後、２層目の膜を成膜する方法も考えられる。しかし、１層目の膜の表面を荒らすためには、１層目の膜を形成した後、一旦チャンバー内から取り出し、エッチング処理や純水洗浄等を行う必要があり、１層目の膜にダメージを与えてしまう場合があり好ましくない。更に、このような工程を行う場合、工程数が増えるとともにスループットが低下し、製造コストを上昇させてしまう。

又、誘電体からなるパッシベーション膜に代え、金属膜を形成して素子分離溝の側壁を保護する方法も考えられるが、複数の金属膜を積層する場合も含め、パッシベーション膜を用いた場合と同様な問題が考えられ好ましくない。更に、出射面に対して垂直に近い素子分離溝の壁面に金属膜を形成する必要があり、十分な膜厚を確保することが困難である。

更に、１層目に誘電体からなるパッシベーション膜を形成し、２層目に金属膜を積層して素子分離溝の側壁を保護する方法も考えられる。しかし、上記の場合と同様に、デバイスを保護するのに必要十分な膜厚の金属膜を出射面に対して垂直に近い素子分離溝の壁面に形成することが困難であり、保護効果が不十分である。

これに対して、本実施の形態に係る方法では、１層目の膜の表面を荒らすようなデバイスにダメージを与える工程を設ける必要がなく、又、出射面に対して垂直に近い素子分離溝の壁面に厚い金属膜を形成するような困難な工程も必要ない。即ち、簡易な工程により、デバイスにダメージを与えることなく、絶縁体膜２１に存在するピンホール等の欠陥を確実に保護膜２６で塞ぐことができる。その結果、半導体層への外部からの物質の侵入を防ぐことが可能となり、面発光レーザの信頼性を高めることができる。

なお、絶縁体膜２１は、素子分離溝の側壁内で略均一な厚さで形成でき、電気的絶縁性に優れるが、化学的保護力で劣る。一方、保護膜２６は、液体を塗布して形成するため均一な厚さに形成され難く電気的絶縁性では劣るが、化学的保護力に優れる。これらの膜を積層することで、単に２層にしただけではなく、互いの膜の弱点を補完しあって、面発光レーザの信頼性を高めるという優れた効果を実現できる。

〈第２の実施の形態〉
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる構成の面発光レーザを例示する。本実施の形態に係る面発光レーザは、III−Ｖ族の化合物半導体により形成されるものであり、電流狭窄層であるＡｌＡｓからなる層を選択酸化することにより電流狭窄構造が形成されるものであって、７８０ｎｍ帯面発光レーザである。但し、本実施の形態に係る面発光レーザは一例を示すものであり、各層に使用する材料や出射光の波長は、この例に限定されるものではない。

（面発光レーザ）
図５に基づき本実施の形態について説明する。図５は、本実施の形態に係る面発光レーザの断面構造を示すものであり、図５（ｂ）は、図５（ａ）における破線７Ａで囲まれた領域の拡大図である。

図５に示すように、第２の実施の形態に係る面発光レーザは、下部ＤＢＲ反射鏡１２が下部ＤＢＲ反射鏡１１２に置換された点が、第１の実施の形態に係る面発光レーザ（図１参照）と相違する。

下部ＤＢＲ反射鏡１１２は、面発光レーザが有する複数の反射鏡のうちＭＱＷ活性層１４に対して光の出射方向とは逆方向に存在する反射鏡である。下部ＤＢＲ反射鏡１１２は、例えば、ｎ型ＡｌＡｓとｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとを４０．５ペア交互に積層することにより形成したものである。下部ＤＢＲ反射鏡１１２には、例えば、ドーパントとしてＳｅ（セレン）が、５×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^１８ｃｍ^−３程度ドープされている。なお、下部ＤＢＲ反射鏡１１２は、低屈折率層と高屈折率層とが積層されたものであるが、ｎ型ＡｌＡｓにより形成される層が低屈折率層となり、ｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓにより形成される層が高屈折率層となる。

本実施の形態では、レーザの発振波長をλとした場合に、バッファ層１１上の３７．５ペアは、光学長がλ／４となる膜厚で、高屈折率層及び低屈折率層が形成される。但し、ＭＱＷ活性層１４及び下部スペーサ層１３に近い３ペアでは、ｎ型ＡｌＡｓからなる低屈折率層が、光学長が３λ／４となる膜厚で形成されている。このように、膜厚の厚い低屈折率層が形成される領域を放熱層１５１という。放熱層１５１における低屈折率層は、放熱効果の観点からは厚い膜厚であることが好ましいが、光学長がλ／４の整数倍となる膜厚であればよい。又、放熱層１５１における低屈折率層の層数は、３層よりも多くても少なくてもよい。

本実施の形態では、下部ＤＢＲ反射鏡１１２における素子分離溝３１の壁面の露出している領域において、低屈折率層の不動態化処理がなされており、この後に、絶縁体膜２１及び保護膜２６が形成されている。ここで、不動態化処理とは、チャンバー内にＨ_２Ｏ又はＯ_２を導入し、下部ＤＢＲ反射鏡１１２の形成されているｎ型ＧａＡｓ基板１０を３７０℃〜４００℃程度の温度で熱処理することにより酸化膜にする処理である。下部ＤＢＲ反射鏡１１２において、低屈折率層であるＡｌＡｓ層の側面及び壁面に露出している部分の数１００ｎｍ程度の厚さを、安定した酸化膜にすることができる。具体的には、低屈折率層を構成するＡｌＡｓを酸化することにより、Ａｌ酸化物（Ａｌ_ｘＯ_ｙ又はＡｌ_ｘＡｓ_ｙＯ_ｚ）となる酸化膜を形成するものであり、このように不動態化処理により形成された酸化膜は、緻密な膜であり耐湿性を向上させることができる。

図６は、下部ＤＢＲ反射鏡１１２における放熱層１５１が形成される領域の拡大図である。下部ＤＢＲ反射鏡１１２は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０側には、光学長がλ／４となる膜厚のｎ型ＡｌＡｓからなる低屈折率層１１２ａと、光学長がλ／４となる膜厚のｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層１１２ｂとが積層形成されている。一方、ＭＱＷ活性層１４側、即ち、放熱層１５１となる領域では、光学長が３λ／４となる膜厚のｎ型ＡｌＡｓからなる低屈折率層１５１ａと、光学長がλ／４となる膜厚のｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層１５１ｂとが積層形成されている。

このように形成された低屈折率層を不動態化処理することにより、素子分離溝３１の壁面に露出しているＡｌＡｓ層を酸化させ、Ａｌ_ｘＡｓ_ｙＯ_ｚ層１５２及びＡｌ_ｘＯ_ｙ層１５３となる酸化膜を形成する。この際、酸化の程度によっては、形成されたＡｌ_ｘＯ_ｙ層１５３が膨張し、素子分離溝３１の壁面よりも出っ張った形状となる（酸化された部分が凸状態となる）。

この後、素子分離溝３１の壁面には、ＳｉＯ_２又はＳｉＮからなる絶縁体膜２１が形成され、更に、その上に保護膜２６が形成される。前述のように、保護膜２６は形成時には液体であることから、絶縁体膜２１にピンホール等の欠陥２１ａが存在した場合に、その欠陥２１ａ内に進入し充填されることにより欠陥２１ａを確実に塞ぐことができる。そのため、半導体層に外部から物質が侵入して半導体層を構成する物質と反応することを防止することが可能となり、面発光レーザの信頼性を向上することができる。

このように、本実施の形態では、下部ＤＢＲ反射鏡１１２における低屈折率層はＡｌＡｓにより形成されており、又、ＭＱＷ活性層１４側は、低屈折率層の膜厚が厚いため、高い放熱効果を得ることができる。これにより、放熱効果が高く、信頼性の高い面発光レーザを得ることができる。

（面発光レーザの製造方法）
次に、図７に基づき、本実施の形態に係る面発光レーザの製造方法を説明する。

まず、図７（ａ）に示すように、傾斜基板であるｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥにより、バッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８を順次エピタキシャル成長により形成する。

下部ＤＢＲ反射鏡１１２は、例えば、高屈折率層となるｎ型ＡｌＡｓとｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとを４０．５ペア交互に積層形成することにより形成する。本実施の形態では、レーザの発振波長をλとした場合に、バッファ層１１上の３７．５ペアは、光学長がλ／４となる膜厚で、高屈折率層及び低屈折率層が形成される。但し、ＭＱＷ活性層１４及び下部スペーサ層１３に近い３ペアでは、ｎ型ＡｌＡｓからなる低屈折率層が、光学長が３λ／４となる膜厚で形成される。

バッファ層１１、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８については、第１の実施の形態で説明した通りである。

次に、第１の実施の形態の図３（ｂ）及び図３（ｃ）と同様の工程を実施後、図７（ｂ）に示すように、素子分離溝３１を形成する。具体的には、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、素子分離溝３１が形成されない領域上に不図示のレジストパターン４２を形成する。この後、レジストパターン４２の形成されていない領域におけるバッファ層１１、下部ＤＢＲ反射鏡１１２、下部スペーサ層１３、ＭＱＷ活性層１４、上部スペーサ層１５、電流狭窄層１６、上部ＤＢＲ反射鏡１７及びコンタクト層１８をＲＩＥ等によりエッチングし除去することにより素子分離溝３１を形成する。

この後、不動態化処理を行うことにより、素子分離溝３１の壁面に露出している下部ＤＢＲ反射鏡１１２におけるＡｌＡｓ層にＡｌ_ｘＡｓ_ｙＯ_ｚ層１５２及びＡｌ_ｘＯ_ｙ層１５３（図６参照）からなる酸化膜を形成する。不動態化処理を行うには、例えば、酸化装置（ｉＶＯＸ３００１：エピクエスト社製）のチャンバー内に、素子分離溝３１の形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１０を設置し（このときの基板ホルダーの温度は２００℃程度）、８０ｇ／Ｈｒの流量で１秒間水蒸気を導入する。この後、２ＳＬＭの流量でＮ_２ガスを導入しながら、基板温度を例えば３８０℃まで上昇させ、この状態を３分間保つ。これにより、図６に示す不動態化処理がなされる。

次に、第１の実施の形態の図４（ａ）〜図４（ｃ）と同様の工程を実施し、図７（ｃ）に示すように、ｐ側電極２２、電極パッド２５、及びｎ側電極２７を形成する。この後、スクライブライン３４に沿ってダイシングソー等により素子分離をすることにより、図５に示す本実施の形態に係る面発光レーザが作製される。

このように、本実施の形態に係る面発光レーザでは、素子分離溝３１における側面に、絶縁体膜２１と保護膜２６とが積層して形成されている。保護膜２６は形成時には液体であることから、絶縁体膜２１においてピンホール等の欠陥が存在していても、保護膜２６においてピンホール等の欠陥が塞がれる。そのため、低屈折率層にｎ型Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓよりも酸化されやすいｎ型ＡｌＡｓを用いた下部ＤＢＲ反射鏡１１２に水分等が侵入することはない。よって、第１の実施の形態の場合と同様に、高温高湿度の環境においても、面発光レーザの劣化を防ぐことが可能であり、信頼性を高めることができる。

又、本実施の形態に係る面発光レーザでは、下部ＤＢＲ反射鏡１１２における低屈折率層には、ｎ型ＡｌＡｓを用いている。そして、更に、下部ＤＢＲ反射鏡１１２に形成される放熱層１５１における低屈折率層には、膜厚の厚いｎ型ＡｌＡｓ膜が形成されている。そのため、第１の実施の形態よりも放熱効果を向上することができる。

〈第３の実施の形態〉
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、本発明に係る面発光レーザ、即ち、第１の実施の形態に係る面発光レーザを光源として用いた画像形成装置である。本実施の形態について、図８に基づいて説明する。

本実施の形態に係る画像形成装置であるレーザプリンターは、光走査装置２００、感光体ドラム２０１、帯電チャージャ２０２、現像ローラ２０３、トナーカートリッジ２０４、クリーニングブレード２０５、給紙トレイ２０６、給紙コロ２０７、レジストローラ対２０８、定着ローラ２０９、排紙トレイ２１０、転写チャージャ２１１、排紙ローラ２１２及び除電ユニット２１４等を備えている。

具体的には、感光体ドラム２０１の回転方向において、帯電チャージャ２０２、現像ローラ２０３、転写チャージャ２１１、除電ユニット２１４及びクリーニングブレード２０５の順に、感光体ドラム２０１の近傍に配置されている。

感光体ドラム２０１の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム２０１は、図に示すように、時計回りで回転するように構成されている。帯電チャージャ２０２は、感光体ドラム２０１の表面を均一に帯電させる機能を有するものである。

光走査装置２００は、帯電チャージャ２０２により帯電された感光体ドラム２０１の表面に、パソコン等の上位装置からの画像情報に基づいて変調された光を照射する。この光の照射により感光体ドラム２０１の表面には、画像情報に応じた潜像が形成される。感光体ドラム２０１の表面において潜像の形成された領域は、感光体ドラム２０１が回転することにより、現像ローラ２０３の設けられている方向に移動する。なお、光走査装置２００の詳細については後述する。

トナーカートリッジ２０４には、トナーが格納されており、このトナーは現像ローラ２０３に供給される。現像ローラ２０３は、感光体ドラム２０１の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ２０４から供給されたトナーを付着させて、感光体ドラム２０１の表面において画像情報を顕像化させる。この後、感光体ドラム２０１が回転することにより、感光体ドラム２０１の表面の潜像にトナーが付着している領域は、転写チャージャ２１１の設けられている方向に移動する。

給紙トレイ２０６には記録紙２１３が格納されている。この給紙トレイ２０６の近傍には、給紙コロ２０７が配置されており、この給紙コロ２０７は、記録紙２１３を給紙トレイ２０６から一枚ずつ取り出し、レジストローラ対２０８に搬送する。このレジストローラ対２０８は、転写チャージャ２１１の近傍に配置されている。レジストローラ対２０８は、給紙コロ２０７によって取り出された記録紙２１３を一旦保持するとともに、この記録紙２１３を感光体ドラム２０１の回転に合わせて感光体ドラム２０１と転写チャージャ２１１との間隙に向けて送り出す。

転写チャージャ２１１には、感光体ドラム２０１の表面上のトナーを電気的に記録紙２１３に引きつけるため、感光体ドラム２０１の表面上のトナーとは逆極性の電荷が印加されている。この電荷により感光体ドラム２０１の表面上のトナーは、記録紙２１３に転写され、即ち、トナーにより形成される画像が記録紙２１３に転写される。この後、記録紙２１３は、定着ローラ２０９に送られる。

定着ローラ２０９では、熱と圧力とが記録紙２１３に加えられ、これによって、トナーが記録紙２１３に定着される。ここで画像が定着された記録紙２１３は、排紙ローラ２１２を介して排紙トレイ２１０に送られ、排紙トレイ２１０上に順次スタックされる。

なお、除電ユニット２１４は、感光体ドラム２０１の表面を除電する。クリーニングブレード２０５は、感光体ドラム２０１の表面に残存するトナー（残留トナー）を除去する。除去された残留トナーは、再利用可能な構成となっている。残留トナーが除去された感光体ドラム２０１の表面は、再び帯電チャージャ２０２の設けられている方向に移動する。

（光走査装置）
次に、図９に基づき光走査装置２００について説明する。

この光走査装置２００は、光束によって被走査面上を走査する装置であり、光源ユニット２２１、カップリングレンズ２２２、開口板（アパーチャ）２２３、シリンドリカルレンズ２２４、ポリゴンミラー２２５、ｆθレンズ２２６、トロイダルレンズ２２７、２つのミラー２２８、２２９及び上記各部を統括的に制御する不図示の主制御装置を有している。

光源ユニット２２１は、第１の実施の形態に係る面発光レーザを備えている。

カップリングレンズ２２２は、光源ユニット２２１から出射された光束を略平行光にするためのものである。

開口板２２３は、開口部を有し、カップリングレンズ２２２からの光束のビーム径を規定するためのものである。

シリンドリカルレンズ２２４は、開口板２２３を通過した光束を、ミラー２２８を介してポリゴンミラー２２５の反射面に集光する。

偏向手段であるポリゴンミラー２２５は、正六角柱状に形成されており、６つの側面が反射面となるよう鏡面が形成されている。ポリゴンミラー２２５は、不図示のモータによって、矢印に示す方向に一定速度で回転しており、この回転に伴って、光束は等角速度的に偏向される。

ｆθレンズ２２６は、ポリゴンミラー２２５からの光束の入射角に比例した像高さを有しており、ポリゴンミラー２２５により一定の角速度で偏向される光束の像面を主走査方向に対して等速移動させる。

走査光学系を構成するトロイダルレンズ２２７は、ｆθレンズ２２６からの光束を、ミラー２２９を介して、感光体ドラム２０１の表面上に結像する。

図１０に示すように、光源ユニット２２１は、発光部がアレイ状に２次元的に配列された面発光レーザＬＡを含むものにより構成されている。各々の発光部は、主走査方向には所定の十分な間隔をもって配列されており、発光部の主走査方向における配列は副走査方向において間隔ｄ２ずつずれながら配列されている。このように副走査方向において間隔ｄ２ずつずれながら主走査方向に配列されているものが、副走査方向におけるピッチｄ１ごとに形成されている。このように配置することにより各々の発光部の中心から副走査方向に垂直な垂線の間隔を等間隔（間隔ｄ２が等間隔）とすることができる。これにより、各々の発光部の点灯のタイミングを制御することにより、感光体ドラム２０１上において、副走査方向に狭い等間隔で光源が配列されている場合と同様の構成とすることができる。

例えば、副走査方向における各々の発光部のピッチｄ１が２６．５μｍであって、発光部を主走査方向に１０個ずつ配列させた場合、発光部の間隔ｄ２は、２．６５μｍとなる。そして、光学系における倍率を２倍に設定すれば、感光体ドラム２０１上において、５．３μｍ間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）に相当するものであり、４８００ｄｐｉの高密度の書き込みを行うことができる。

又、主走査方向に配列される発光部の個数を増やし、ピッチｄ１を狭め、間隔ｄ２を更に狭めたアレイ状にすることにより、更に高密度な書き込みを行うことが可能となる。なお、主走査方向の書き込みの間隔は、光源である発光部の点灯のタイミングを制御することにより容易に制御が可能である。

本実施の形態に係る光走査装置、及びこれを用いた画像形成装置においては、光源として、信頼性の高い第１の実施の形態に係る面発光レーザを用いている。そのため、低コストであって、低消費電力で、高速で高品質となる光走査装置、及び画像形成装置を得ることが可能となる。

（カラー画像を形成するための画像形成装置）
次に、図１１に基づきカラー画像を形成するための画像形成装置について説明する。

この画像形成装置は、カラーレーザプリンタであり、カラー画像に対し複数の感光体ドラムを備えたダンデムカラー機である。

このカラーレーザプリンタは、ブラック（Ｋ）用の感光体ドラムＫ１、帯電器Ｋ２、現像器Ｋ４、クリーニング手段Ｋ５、及び転写用帯電手段Ｋ６と、シアン（Ｃ）用の感光体ドラムＣ１、帯電器Ｃ２、現像器Ｃ４、クリーニング手段Ｃ５、及び転写用帯電手段Ｃ６と、マゼンタ（Ｍ）用の感光体ドラムＭ１、帯電器Ｍ２、現像器Ｍ４、クリーニング手段Ｍ５、及び転写用帯電手段Ｍ６と、イエロー（Ｙ）用の感光体ドラムＹ１、帯電器Ｙ２、現像器Ｙ４、クリーニング手段Ｙ５、及び転写用帯電手段Ｙ６と、光走査装置２００、転写ベルト３０１、定着手段３０２等を備えている。

このカラーレーザプリンタでは、光走査装置２００において、ブラック用の半導体レーザ、シアン用の半導体レーザ、マゼンタ用の半導体レーザ、イエロー用の半導体レーザを有している。各々の半導体レーザは、第１の実施の形態に係る面発光レーザにより構成されている。ブラック用の半導体レーザからの光束はブラック用の感光体ドラムＫ１に照射され、シアン用の半導体レーザからの光束はシアン用の感光体ドラムＣ１に照射される。又、マゼンタ用の半導体レーザからの光束はマゼンタ用の感光体ドラムＭ１に照射され、イエロー用の半導体レーザからの光束はイエロー用の感光体ドラムＹ１に照射される。

各々の感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１は、矢印の方向に回転し、回転方向の順に、各々の帯電器Ｋ２、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２、現像器Ｋ４、Ｃ４、Ｍ４、Ｙ４、転写用帯電手段Ｋ６、Ｃ６、Ｍ６、Ｙ６、クリーニング手段Ｋ５、Ｃ５、Ｍ５、Ｙ５が配置されている。各々の帯電器Ｋ２、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２は、対応する感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１の表面を均一に帯電する。帯電された感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１の表面に、光走査装置２００から光束が照射され、感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１の表面に静電潜像が形成される構成となっている。この後、各々の現像器Ｋ４、Ｃ４、Ｍ４、Ｙ４によって、感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１の表面にトナー像が形成される。そして、各々に対応する転写用帯電手段Ｋ６、Ｃ６、Ｍ６、Ｙ６により、記録紙に各々の色のトナー像が転写され、定着手段３０２により、記録紙に画像が定着される。なお、クリーニング手段Ｋ５、Ｃ５、Ｍ５、Ｙ５は、各々に対応した感光体ドラムＫ１、Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１の表面に残存する残留トナーを除去するものである。

なお、本実施の形態では、像担持体として感光体ドラムについて説明したが、像担持体としては、銀塩フィルムを用いた画像形成装置であってもよい。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同様の処理により可視化させることができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼き付け処理と同様の処理により印画紙に転写することが可能である。このような画像形成装置は、光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施することが可能である。

又、像担持体としてビームスポットの熱エネルギーにより発色する発色媒体（ポジの印画紙）を用いた画像形成装置であってもよい。この場合においては、光走査により可視画像を直接像担持体に形成することが可能である。

以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、上記実施の形態では、面発光レーザとしてＶＣＳＥＬを例にして説明をしたが、本発明は、ＶＣＳＥＬ以外の面発光レーザにも適用可能である。ＶＣＳＥＬ以外の面発光レーザとしては、例えば、ＶＥＣＳＥＬ（Vertical External Cavity Surface Emitting Laser）を挙げることができる。ＶＥＣＳＥＬは、素子外部に外部共振器を備えて発振する面発光レーザである。このように、本発明は、共振器が外部に存在する面発光レーザにも適用できる。

１０ ｎ型ＧａＡｓ基板
１１ バッファ層
１２、１１２ 下部ＤＢＲ反射鏡
１３ 下部スペーサ層
１４ 活性層（多重量子井戸層）
１５ 上部スペーサ層
１６ 電流狭窄層
１６ａ 選択酸化領域
１６ｂ 電流狭窄領域
１７ 上部ＤＢＲ反射鏡
１８ コンタクト層
２１ 絶縁体膜
２２ ｐ側電極
２３ 開口領域
２４ 引き出し線
２５ 電極パッド
２６ 保護膜
２７ ｎ側電極
３０ メサ構造
３１ 素子分離溝

特開２００７−１７３５１３号公報

Claims (10)

1. 活性層と反射鏡と、を含む面発光レーザであって、
   前記面発光レーザから光が出射される出射面を含む平面に対して角度を有する壁面上に、絶縁体膜と、有機元素を含む保護膜とが積層されることを特徴とする、面発光レーザ。
2. 前記保護膜は、酸化ケイ素及び有機物を含むことを特徴とする、請求項１記載の面発光レーザ。
3. 前記絶縁体膜は、窒化ケイ素からなり、前記保護膜は、シロキサン系スピンオングラスからなることを特徴とする、請求項１又は２記載の面発光レーザ。
4. 前記絶縁体膜の厚さは、前記壁面内で均一であることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項記載の面発光レーザ。
5. 前記反射鏡は、前記活性層に対して光の出射方向とは逆方向に存在する下部反射鏡を含み、前記壁面は前記下部反射鏡の側面を含むことを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項記載の面発光レーザ。
6. 前記下部反射鏡は、ＡｌＡｓを含むことを特徴とする、請求項５記載の面発光レーザ。
7. 前記反射鏡は、前記活性層に対して光の出射方向側に存在する上部反射鏡を含み、
   前記壁面は、前記活性層と前記上部反射鏡と前記下部反射鏡のそれぞれの側面を含むことを特徴とする、請求項５又は６記載の面発光レーザ。
8. 前記壁面は、Ａｌ酸化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至７の何れか一項記載の面発光レーザ。
9. 光束によって被走査面上を走査する光走査装置であって、
   請求項１乃至８の何れか一項記載の面発光レーザを有する光源ユニットと、
   前記光源ユニットからの光束を偏向する偏向手段と、
   前記偏向手段により偏向された光束を被走査面上に集光する走査光学系と、
   を備えたことを特徴とする、光走査装置。
10. 像担持体と、
    前記像担持体に対して画像情報が含まれる光束を走査する請求項９記載の光走査装置と、を有することを特徴とする、画像形成装置。

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