WO2021020134A1 - 発光素子及び測距装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】垂直共振器型面発光レーザー構造を有し、遠距離への光照射に適した発光素子及び測距装置を提供すること。 【解決手段】本技術に係る発光素子は、複数の発光部と、第１の電極端子と、第２の電極端子とを具備する。複数の発光部は、垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、第１の電極から第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列されている。第１の電極端子は、第１の電極に電気的に接続されている。第２の電極端子は、第２の電極に電気的に接続されている。第１の電極端子から複数の発光部のうち一つの発光部を通過して第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、第１の電極端子から複数の発光部のうち他の発光部を通過して第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる。

Description

発光素子及び測距装置
　本技術は、垂直共振器型面発光レーザー構造を有する発光素子及び測距装置に関する。
　測距方法の一つに空間伝搬時間計測（Time of Flight；ＴＯＦ）法がある。ＴＯＦ法では、発光部から光を出射し、測定対象物によって反射された光を検出器によって検出することで、測定対象物の３次元形状を計測することができる。
　例えば、複数の発光部から出射された光を拡散板で拡散させて測定対象範囲に照射し、反射光を２次元状に配列する受発光部を備える光検出器で検出する測距方法が知られている。この測距方法では、出射光を拡散板で拡散するため、近距離を光範囲にわたって測定することができるが、遠距離の測定には不向きである。
　一方、特許文献１には、複数の発光部から出射された光をレンズでコリメート（平行化）し、それぞれの発光部から出射された光のビームを照射範囲全面に照射する測距方法が開示されている。この方法は出射光をビームとするため、遠距離の測定に適している。
米国特許２００７／０１８１８１０号
　しかしながら、測定対象物で反射された光を検出する検出器は、検出器に対して垂直方向から入射する光の受光感度は高いものの、検出器に対して斜め方向から入射する光の受光感度は低くなるという特性を有する。このため、測定対象範囲のうち、周辺部の測距精度が低下するという問題がある。
　以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、垂直共振器型面発光レーザー構造を有し、遠距離への光照射に適した発光素子及び測距装置を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る発光素子は、複数の発光部と、第１の電極端子と、第２の電極端子とを具備する。
　上記複数の発光部は、垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列されている。
　上記第１の電極端子は、上記第１の電極に電気的に接続されている。
　上記第２の電極端子は、上記第２の電極に電気的に接続されている。
　上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち他の発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる。
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗より大きくてもよい。
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記電流狭窄層は、狭窄領域と、上記狭窄領域より導電性が大きい注入領域を有し、
　上記複数の発光部は、上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部の間で上記注入領域の径である開口径が異なることにより、上記電流経路の電気抵抗が異なってもよい。
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも上記第１のＤＢＲ層、上記電流狭窄層及び上記活性層が隣接する発光部との間で離間されたメサ構造を有し、メサ径が他の発光部との間で異なることにより、上記開口径が異なってもよい。
　上記複数の発光部のうち一つの発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち他の発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なってもよい。
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なってもよい。
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗より大きくてもよい。
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の長さは、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の長さより長くてもよい。
　上記複数の発光部は、複数の列状に配列され、各列を構成する上記複数の発光部は、上記第１の電極から延びる複数の配線に列毎に接続されていてもよい。
　上記複数の配線は、上記第１の電極端子から上記周辺領域を介して上記中央領域に延びる配線と、上記第１の電極端子から上記周辺領域に延びる配線を含み、上記中央領域に延びる配線と上記周辺領域に延びる配線は電気抵抗が異なってもよい。
　上記周辺領域に延びる配線の断面積は、上記中央領域に延びる配線の断面積より大きくてもよい。
　上記複数の発光部のうち一つの発光部が備える上記第１の電極の接触抵抗は、上記複数の発光部のうち他の発光部が備える上記第１の電極の接触抵抗と異なってもよい。
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも上記第１のＤＢＲ層、上記電流狭窄層及び上記活性層が隣接する発光部との間で分離溝により離間されたメサ構造を有し、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の周囲に設けられた上記分離溝の深さは、上記複数の発光部のうち他の発光部の周囲に設けられた上記分離溝の深さと異なってもよい。
　上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る発光素子は、複数の発光部と、第１の電極端子と、第２の電極端子とを具備する。
　上記複数の発光部は、垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列されている。
　上記第１の電極端子は、上記第１の電極に電気的に接続されている。
　上記第２の電極端子は、上記第２の電極に電気的に接続されている。
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の光取り出し効率は、上記複数の発光部のうち他の発光部の光取り出し効率と異なる。
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部の光取り出し効率は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部の光取り出し効率より小さくてもよい。
　上記複数の発光部のそれぞれの光出射面には表面コーティング層が形成され、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の上記表面コーティング層の厚みは、上記複数の発光部のうち他の発光部の上記表面コーティング層の厚みと異なってもよい。
　上記複数の発光部のそれぞれの光出射面には、第１の領域と、上記第１の領域とは光学特性が異なる第２の領域を有する表面コーティング層が設けられ、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部における上記第１の領域と上記第２の領域の境界位置は、上記複数の発光部のうち他の発光部における上記第１の領域と上記第２の領域の境界位置と異なってもよい。
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の上記第１のＤＢＲ層及び上記第２のＤＢＲ層の反射率は、上記複数の発光部のうち他の発光部の上記第１のＤＢＲ層及び上記第２のＤＢＲ層の反射率と異なってもよい。
　上記中央領域から上記周辺領域にかけて、上記複数の発光部による発光強度分布はｃｏｓθのｎ乗で表される形状であってもよい。
　上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る測距装置は、発光ユニットと、受光ユニットと測距演算部とを具備する。
　上記発光ユニットは、垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列する複数の発光部と、上記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、上記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子とを具備し、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち他の発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる発光素子を備える。
　上記受光ユニットは、上記発光ユニットから出射された光の反射光を検出する。
　上記測距演算部は、上記受光ユニットの検出結果に基づいて測定対象との距離を算出する。
本技術の実施形態に係る測距装置の構成を示すブロック図である。 上記測距装置が備える発光ユニット及び受光ユニットと測定対象の位置関係を示す模式図である。 上記発光ユニットの模式図である。 上記発光ユニットが備える発光素子の斜視図である。 上記発光素子から出射される光を示す模式図である。 上記発光素子の断面図である。 上記発光素子の一部構成の断面図である。 上記発光素子が備える発光部の平面図である。 上記発光素子が備えるアノードを示す平面図である。 上記発光素子が備えるカソードを示す平面図である。 上記測距装置における受光ユニットへの反射光の入射角度を示す模式図である。 上記発光素子における領域（二次元状）を示す模式図である。 上記発光素子における領域（一次元状）を示す模式図である。 上記発光素子における一つの発光部の等価回路を示す回路図である。 上記発光素子における各領域の発光部の等価回路を示す回路図である。 上記発光素子が備える発光部の開口径を示す模式図である。 上記発光部の開口径による電流と電圧の関係を示すグラフである。 上記発光部の開口径による電流と光出力の関係を示すグラフである。 上記発光部の開口径による電圧と光出力の関係を示すグラフである。 上記発光部の、各領域における開口径を示す模式図である。 上記発光部の、狭窄領域の幅による開口径の差異を示す模式図である。 上記発光部の、メサ径による開口径の差異を示す模式図である。 上記発光素子における、アノードと各発光部を接続する配線を示す平面図である。 上記発光素子における、各領域の発光部の配線抵抗を加えた等価回路を示す回路図である。 上記発光素子における、アノードと各発光部を接続する配線を示す平面図である。 上記発光部の、ｐ電極の接触面積及び分離溝深さを示す模式図である。 上記発光部の光出射面における表面コーティング層の厚みを示す模式図である。 上記表面コーティング層の厚みによる、電流と光出力の関係を示すグラフである。 上記発光部の光出射面における表面コーティング層の領域の境界位置を示す模式図である。 上記発光部の光出射面における表面コーティング層の領域の境界位置を示す模式図である。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－１θ：曲線状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－３θ：曲線状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－５θ：曲線状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－７θ：曲線状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－１θ：ステップ状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－３θ：ステップ状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－５θ：ステップ状）を示すグラフである。 上記発光素子の発光強度分布（ｃｏｓ－７θ：ステップ状）を示すグラフである。
　本技術の実施形態に係る測距装置について説明する。
　［測距装置の構成］
　図１は、本実施形態に係る測距装置１００の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測距装置１００は、発光ユニット１０１、発光制御部１０２、受光ユニット１０３及び測距演算部１０４を備える。
　発光ユニット１０１は、周期的に明るさが変動する照射光ＬＩを測定対象Ｐに対して照射する。発光ユニット１０１は、発光制御部１０２から発光制御信号Ｓが供給されると、発光制御信号Ｓに同期して照射光ＬＩを発生させる。発光ユニット１０１の構成については後述する。
　発光制御部１０２は、発光ユニット１０１の発光を制御する。発光制御部１０２は、発光制御信号Ｓを生成し、発光ユニット１０１及び受光ユニット１０３に供給する。発光制御信号Ｓは例えば周波数１００ＭＨｚの矩形波とすることができる。
　受光ユニット１０３は、照射光ＬＩが測定対象Ｐによって反射された反射光ＬＲを受光し、受光量を検出する。受光ユニット１０３は、垂直同期信号を受信し、垂直同期信号の周期が経過する毎に、その周期内の受光量を検出することができる。垂直同期信号は例えば６０Ｈｚの周期信号である。受光ユニット１０３は、２次元格子状に配列された受光素子を備え、各受光素子の受光量に応じた画像データＧを測距演算部１０４に供給する。
　測距演算部１０４は、受光ユニット１０３から供給された画像データＧに基づいて、受光ユニット１０３から測定対象Ｐまでの距離を算出する。測距演算部１０４は、受光素子毎に測定対象Ｐとの距離を階調値で示すデプスマップＭを生成することができる。
　図２は、発光ユニット１０１、受光ユニット１０３及び測定対象Ｐの位置関係を示す模式図である。同図に示すように、発光ユニット１０１と受光ユニット１０３は隣接して配置され、発光ユニット１０１と受光ユニット１０３の距離は例えば数ｍｍ程度である。発光ユニット１０１及び受光ユニット１０３と測定対象Ｐの距離は数十ｃｍ～数ｍ程度とすることができる。後述するように、本実施形態に係る発光ユニット１０１は、照射光ＬＩを遠距離に照射することが可能であり、遠距離の測距が可能である。
　以下、図２に示すように、照射光ＬＩの光軸方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直かつ互いに垂直な方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向とする。
　［発光ユニットの構成］
　図３は、発光ユニット１０１の構成を示す模式図である。同図に示すように、発光ユニット１０１は、発光素子１１１、発光素子支持部１１２、基部１１３、コリメータレンズ１１４及びレンズ支持部１１５を備える。
　発光素子１１１は、複数の発光部を備える。図４は、発光素子１１１の斜視図である。同図に示すように発光素子１１１には光軸方向（Ｚ方向）に垂直な方向（Ｘ－Ｙ方向）に沿って２次元状に配列された複数の発光部１１１ａが設けられている。また、発光部１１１ａはＸ－Ｙ平面上の一方向に沿って一列に配列され、即ち１次元状に配列されたものであってもよい。
　発光素子１１１は、図３に示すように、発光素子支持部１１２を介して基部１１３に固定されている。コリメータレンズ１１４は、レンズ支持部１１５によって支持され、出射光ＬＩをコリメート（平行化）する。
　図５は、発光ユニット１０１から出射される照射光ＬＩを示す模式図である。同図に示すように、照射光ＬＩは各発光部１１１ａから出射されると、コリメータレンズ１１４によってコリメートされ、ビーム化される。照射光ＬＩをビーム化することにより、照射光ＬＩを遠距離まで到達させることが可能である。さらに、コリメータレンズ１１４の周辺部を通過する光ビームは、コリメータレンズ１１４を通過することで光ビームの方向が傾き、これにより広範囲への照射が可能となる。
　なお、発光ユニット１０１の構成はここに示すものに限られない。例えば、コリメータレンズ１１４の先に回折格子（ＤＯＥ：Diffractive Optical Element）を配置して照射光ＬＩを回折させ、タイリングさせてもよい。これにより、照射スポット数を増やし、照射範囲をさらに拡大することが可能である。
　［発光素子の構成］
　発光素子１１１が備える複数の発光部１１１ａはそれぞれが垂直共振器型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser)素子である。図６は発光素子１１１の一部の断面図であり、３つの発光部１１１ａを示す。図７は３つの発光部１１１ａの断面図であり、一部構成の図示を省略している。
　図６及び図７に示すように、発光素子１１１は、基板１２１、ｎ－ＤＢＲ層１２２、ｎ－クラッド層１２３、活性層１２４、ｐ－クラッド層１２５、電流狭窄層１２６、ｐ－ＤＢＲ層１２７、コンタクト層１２８、絶縁層１２９、ｐ電極１３０及びｎ電極１３１を備える。
　基板１２１は発光素子１１１の各層を支持する。基板１２１は、例えばｎ－Ｇａｓ基板とすることができるが他の材料からなるものであってもよい。
　ｎ－ＤＢＲ層１２２は、基板１２１上に設けられ、波長λの光を反射するＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射鏡）として機能する。ｎ－ＤＢＲ層１２２は、ｐ－ＤＢＲ層１２７と共にレーザー発振のための共振器を構成する。
　ｎ－ＤＢＲ層１２２は、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数積層したものとすることができる。低屈折率層は例えばｎ型Ａｌｘ１Ｇａ１－Ｘ１Ａｓ（０＜Ｘ１＜１）からなり、高屈折率層は例えばｎ型Ａｌｘ２Ｇａ１－ｘ２Ａｓ（０＜Ｘ２＜Ｘ１）からなる。
　ｎ－クラッド層１２３は、ｎ－ＤＢＲ層１２２上に積層され、光及び電流を活性層１２４に閉じ込める層である。ｎ－クラッド層１２３は例えば、ｎ型Ａｌｘ３Ｇａ１－ｘ３Ａｓ（０＜Ｘ３＜１）からなる。
　活性層１２４は、ｎ－クラッド層１２３上に設けられ、自然放出光の放出及び増幅を行う。活性層１２４は例えば、アンドープのＩｎＸ４Ｇａ１－Ｘ４Ａｓ又はＡｌｘ４Ｇａ１－ｘ４Ａｓ（０＜Ｘ４＜１）からなる。
　ｐ－クラッド層１２５は、活性層１２４上に設けられ、光及び電流を活性層１２４に閉じ込める層である。ｐ－クラッド層１２５は例えば、ｐ型Ａｌｘ５Ｇａ１－ｘ５Ａｓ（０＜Ｘ５＜１）からなる。
　電流狭窄層１２６は、ｐ－クラッド層１２５上に設けられ、電流に狭窄作用を付与する。図７に示すように、電流狭窄層１２６は狭窄領域１２６ａと注入領域１２６ｂを備える。狭窄領域１２６ａは例えば酸化されたＡｌＡｓ等からなり、導電性及び屈折率が小さく、光閉じ込め領域として機能する。注入領域１２６ｂは、例えば酸化されていないＡｌＡｓ等からなり、狭窄領域１２６ａより導電性が大きい領域である。
　ｐ－ＤＢＲ層１２７は電流狭窄層１２６上に設けられ、波長λの光を反射するＤＢＲとして機能する。ｐ－ＤＢＲ層１２７は、ｎ－ＤＢＲ層１２２と共にレーザー発振のための共振器を構成する。
　ｐ－ＤＢＲ層１２７は、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数積層したものとすることができる。低屈折率層は例えばｐ型Ａｌｘ１Ｇａ１－Ｘ６Ａｓ（０＜Ｘ６＜１）からなり、高屈折率層は例えばｐ型Ａｌｘ７Ｇａ１－ｘ７Ａｓ（０＜Ｘ７＜Ｘ６）からなる。
　コンタクト層１２８は、ｐ－ＤＢＲ層１２７上に設けられ、ｐ電極１３１が接合される層である。コンタクト層１２８は例えば、ｐ型ＧａＡｓ又はｐ型Ａｌｘ８Ｇａ１－ｘ８Ａｓ（０＜Ｘ８＜１）からなる。
　図７に示すように、発光部１１１ａは、ｎ－ＤＢＲ層１２２の一部、ｎ－クラッド層１２３、活性層１２４、ｐ－クラッド層１２５、電流狭窄層１２６、ｐ－ＤＢＲ層１２７及びコンタクト層１２８が分離溝Ｃによって隣接する発光部１１１ａから離間されて構成され、メサ（ＭＥＳＡ：台状形状）構造を形成している。
　絶縁層１２９は、図６に示すように分離溝Ｃの内周面に形成され、隣接する発光部１１１ａの間を絶縁する。絶縁層１２９は例えばＳｉＯ２からなる。
　ｐ電極１３０は、コンタクト層１２８及び絶縁層１２９上に形成され、各発光部１１１ａのｐ電極として機能する。ｐ電極１３０は任意の導電性材料からなる。
　ｎ電極１３１は、基板１２１上に形成され、各発光部１１１ａのｎ電極として機能する。ｎ電極１３１は任意の導電性材料からなる。
　図８は、一つの発光部１１１ａを光出射方向（Ｚ方向）から見た図である。同図に示すように、コンタクト層１２８の表面のうち周辺部分はｐ電極１３０によって被覆されている。またコンタクト層１２８の表面のうち中央部分はｐ電極１３０によって被覆されておらず、発光部１１１ａによって生成されたレーザー光が出射する面となる。図６及び図８に示すように、以下、この面を「光出射面Ｈ」とする。なお、光出射面Ｈには、後述するように光学特性を制御するための表面コーティング層が設けられてもよい。
　図９は、発光素子１１１の表面の平面図である。同図に示すように、発光素子１１１の表面の両端部には「第１の電極端子」としてアノード１４１が設けられている。アノード１４１は、発光素子１１１の駆動源がワイヤボンティング等により接続される部分であり、各発光部１１１ａが備えるｐ電極１３０が接続される。アノード１４１の構成は図９に示すものに限られず、駆動源とｐ電極１３０を電気的に接続可能なものであればよい。
　図１０は、発光素子１１１の裏面の平面図である。同図に示すように、発光素子１１１の裏面には「第２の電極端子」としてカソード１５１が設けられている。カソード１５１は、発光素子１１１のグランド配線がはんだ接続や導電性ペーストにより接続される部分であり、各発光部１１１ａが備えるｎ電極１３１が接続される。カソード１５１の構成は図１０に示すものに限られず、発光素子１１１のグランドとｎ電極１３１を電気的に接続可能なものであればよい。
　発光素子１１１は以上のような構成を有する。なお、発光素子１１１の構成はここに示すものに限られず、各発光部１１１ａがＶＣＳＥＬとして機能するものであればよい。例えば発光素子１１１は、発光方向が基板方向となっているＶＣＳＥＬ、いわゆる裏面出射型ＶＣＳＥＬであってもよい。
　［発光素子の動作］
　アノード１４１とカソード１５１の間に電圧を印加すると、各発光部１１１ａにおいてｐ電極１３０からｎ電極１３１に電流が流れる。電流は電流狭窄層１２６による狭窄作用を受け、注入領域１２６ｂに注入される。
　この注入電流によって活性層１２４うち注入領域１２６ｂに近接する領域において自然放出光が生じる。自然放出光は発光素子１１１の積層方向（Ｚ方向）に進行し、ｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７によって反射される。
　ｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７は発振波長λを有する光を反射するように構成されている。自然放出光のうち発振波長λの成分はｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７の間で定在波を形成し、活性層１２４によって増幅される。
　注入電流が閾値を超えると定在波を形成する光がレーザー発振し、ｐ－クラッド層１２５、電流狭窄層１２６、ｐ－ＤＢＲ層１２７及びコンタクト層１２８を透過して光出射面Ｈから出射される。これにより、各発光部１１１ａからＺ軸方向を光軸方向とする光が出射され、発光ユニット１０１からＺ軸方向を光軸方向とする光ＬＩが出射される（図５参照）。
　［発光強度分布について］
　測距装置１００では上述のように、発光ユニット１０１から照射光ＬＩが出射され、測定対象Ｐによる反射光ＬＲを受光ユニット１０３が受光することにより測定対象Ｐまでの距離が測定される。図１１は、反射光ＬＲの入射角度を示す模式図である。
　本実施形態に係る発光素子１１１は、各発光部１１１ａから放出される照射光ＬＩの強度（以下、発光強度）が均一ではなく、所定の発光強度分布を有するように構成されている。仮に各発光部１１１ａの発光強度が均一である場合、コリメータレンズ１１４により形成される照射スポットの明るさも均一となる。
　ここで、受光ユニット１０３は、広画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ１）の受光感度が　、狭画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ２）の受光感度より低くなる特性をもつ。したがって、照射スポットの明るさが均一である場合、測定対象範囲のうち、周辺領域の測距精度が低下するおそれがある。
　図１２は、本実施形態に係る発光素子１１１を、出射光の光軸に平行な方向（Ｚ方向）から見た平面図である。同図に示すように、発光素子１１１の表面を複数の領域に区分し、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３とする。
　第１領域Ａ１は複数の発光部１１１ａのうち内側に位置する発光部１１１ａを含み、発光素子１１１の中央部に位置する領域である。第３領域Ａ３は複数の発光部１１１ａのうち外側に位置する発光部１１１ａを含み、発光素子１１１の周辺部に位置する領域である。第２領域Ａ２は第１領域Ａ１と第３領域Ａ３の間の領域であり、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３の間に位置する発光部１１１ａを含む。
　発光素子１１１では、後述するように、第３領域Ａ３の発光強度が最も大きく、次に第２領域Ａ２の発光強度が大きく、第１領域Ａ１発光強度が最も小さくなるように構成されている。これにより、受光ユニット１０３に広画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ１）の受光感度の減少を補い、測定対象範囲のうち周辺領域の測距精度の低下を防止することが可能となる。
　また、図１２では、Ｘ方向及びＹ方向の２方向に沿って、即ち２次元状に第１領域Ａ１～第３領域Ａ３が分布するものとしたが、第１領域Ａ１～第３領域Ａ３はＸ方向にのみ沿って、即ち１次元状に第１領域Ａ１～第３領域Ａ３が分布するものであってもよい。
　図１３は、１次元状に分布する第１領域Ａ１～第３領域Ａ３を示す平面図である。同図に示すように、第１領域Ａ１は発光素子１１１の中央部に位置する領域であり、第３領域Ａ３発光素子１１１の周辺部に、第２領域Ａ２は第１領域Ａ１と第３領域Ａ３の間に位置する領域とすることができる。
　なお、以下の説明において、第１領域Ａ１に含まれる発光部１１１ａを第１発光部１１１ａ１、第２領域Ａ２に含まれる発光部１１１ａを第２発光部１１１ａ２、第３領域Ａ３に含まれる発光部１１１ａを第３発光部１１１ａ３とする。第１発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の数は特に限定されない。
　第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で発光部１１１ａの発光強度に差異を生じさせるため、発光素子１１１は以下のような構成を有する。なお、領域の分割数は、この例に限定されるものではない。
　＜１．電気抵抗による発光強度の差異について＞
　上記のように、各発光部１１１ａは、アノード１４１及びカソード１５１に電気的に接続され、アノード１４１とカソード１５１の間は、アノード１４１から各発光部１１１ａを通過し、カソード１５１に到る電流経路が形成される。
　図１４は、一つの発光部１１１ａにおける電流経路の等価回路を示す回路図である。同図においてＶｃｃ（電源電位）はアノード１４１の電位であり、ＧＮＤ（グランド電位）はカソード１５１の電位である。抵抗Ｒｆは、発光部１１１ａとアノード１４１の間の抵抗であり、抵抗Ｒｂは、発光部１１１ａとカソード１５１の間の抵抗である。同図に示すように、アノード１４１から発光部１１１ａを通過してカソード１５１に到る電流経路を電流経路Ｅとし、電流経路Ｅの抵抗を経路抵抗ＲＥとする。
　図１５は、第１発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の電流経路の等価回路を示す回路図である。同図に示すように、アノード１４１から第１発光部１１１ａ１を通過してカソード１５１に到る電流経路を第１電流経路Ｅ１とし、同様に第２発光部１１１ａ２を通過する電流経路を第２電流経路Ｅ２、第３発光部１１１ａ３を通過する電流経路を第３電流経路Ｅ３とする。
　図１５に示すように、第１電流経路Ｅ１における抵抗Ｒｆを抵抗Ｒｆ１とし、第２電流経路Ｅ２における抵抗Ｒｆを抵抗Ｒｆ２、第３電流経路Ｅ３における抵抗Ｒｆを抵抗Ｒｆ３とする。また、第１電流経路Ｅ１における抵抗Ｒｂを抵抗Ｒｂ１とし、第２電流経路Ｅ２における抵抗Ｒｂを抵抗Ｒｂ２、第３電流経路Ｅ３における抵抗Ｒｂを抵抗Ｒｂ３とする。
　第１電流経路Ｅ１の全体の抵抗は抵抗Ｒｆ１と抵抗Ｒｂ１の和であり、第２電流経路Ｅ２の全体の抵抗は抵抗Ｒｆ２と抵抗Ｒｂ２の和である。第３電流経路Ｅ３の全体の抵抗は、抵抗Ｒｆ３と抵抗Ｒｂ３の和である。以下、第１電流経路Ｅ１の全体の抵抗を第１経路抵抗ＲＥ１とし、第２電流経路Ｅ２の全体の抵抗を第２経路抵抗ＲＥ２、第３電流経路Ｅ３の全体の抵抗を第３経路抵抗ＲＥ３とする。
　発光素子１１１では、発光素子１１１の表面において中央に位置する領域ほど、領域内の電流経路の抵抗が大きくなるように構成されている。即ち、第１経路抵抗ＲＥ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３は互いに異なり、第１経路抵抗ＲＥ１は第２経路抵抗ＲＥ２より大きく、第２経路抵抗ＲＥ２は第３経路抵抗ＲＥ３より大きくなるように構成されている。
　経路抵抗ＲＥが小さい電流経路ほど流れる電流が多くなり、発光部１１１ａの発光強度が大きくなるため、第３発光部１１１ａ３は最も発光強度が大きくなり、次いで第２発光部１１１ａ２の発光強度が大きく、第１発光部１１１ａ１の発光強度は最も小さくなる。
　これにより、受光ユニット１０３に広画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ１）の受光感度の低下を補い、測定対象範囲のうち周辺領域の測距精度の低下を防止することができる。
　第１経路抵抗ＲＲ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３に差異を生じさせる具体的手法について、以下に説明する。
　｛１－１．ＯＡ径による経路抵抗の制御｝
　発光素子１１１では、各発光部１１１ａの開口径（ＯＡ（Optical Aperture）径）によって発光部１１１ａの内部抵抗を制御し、電流経路の抵抗に差異を生じさせることができる。
　図１６は、発光部１１１ａの一部構成の断面図であり、ＯＡ径Ｄを示す図である。同図に示すように、ＯＡ径Ｄは、電流狭窄層１２６における注入領域１２６ｂの径である。上述のように発光部１１１ａでは、発光部１１１ａに印加された電流は注入領域１２６ｂに注入され、活性層１２４うち注入領域１２６ｂに近接する領域において自然放出光を発生される。即ち、注入領域１２６ｂは光学開口（Optical Aperture）として機能する。
　図１７は発光部１１１ａのＯＡ径毎の電圧と電流の関係を示すグラフである。同図に矢印で示すように、ＯＡ径が大きくなるにしたがって、同量の電流を流すために必要な電圧は小さくなる。
　図１８は発光部１１１ａのＯＡ径毎の電流と光出力の関係を示すグラフである。同図に矢印で示すように、ＯＡ径が大きくなるにしたがって飽和光出力は大きくなるもの、飽和光出力より小さい光出力ではＯＡ径に依存せず、同じ電流での光出力はほぼ同じとなる。
　図１９は発光部１１１ａのＯＡ径毎の電圧と光出力の関係を示すグラフである。同図に矢印で示すように、ＯＡ径が大きくなるにしたがって、同じ電圧での光出力は増大する。
　したがって、発光素子１１１では第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の領域毎に発光部１１１ａのＯＡ径を異なるものとすることにより、電圧による電流の流れにくさ、即ち発光部１１１ａの抵抗を制御し、経路抵抗ＲＥに差異を生じさせることが可能である。
　具体的には、第３発光部１１１ａ３のＯＡ径を最も大きくし、次いで第２発光部１１１ａ２のＯＡ径を大きくし、第１発光部１１１ａ１のＯＡ径を最も小さくする。図２０は、第１発光部１１１ａ１～第３発光部１１１ａ３のＯＡ径Ｄを示す模式図である。同図に示すように、第３発光部１１１ａ３のＯＡ径Ｄ３は第２発光部１１１ａ２のＯＡ径Ｄ２より大きく、第２発光部１１１ａ２のＯＡ径Ｄ２は第１発光部１１１ａ１のＯＡ径Ｄ１より大きい。例えば、ＯＡ径Ｄ３は９μｍ、ＯＡ径Ｄ２は８μｍ、ＯＡ径Ｄ１は７μｍとすることができる。
　これにより、第１経路抵抗ＲＥ１が最も大きく、次いで第２経路抵抗ＲＥ２大きく、第３経路抵抗ＲＥ３が最も小さくなり、したがって、第３発光部１１１ａ３の発光強度が最も大きく、次いで第２発光部１１１ａ２の発光強度が大きく、第１発光部１１１ａ１の発光強度が最も小さくなる。
　発光部１１１ａの間でＯＡ径に差異を生じさせる手法として、１つには狭窄領域１２６ａのメサ外周からの幅を変更する方法がある。図２１は、狭窄領域１２６ａの幅の差異を示す模式図である。同図に示すように、第１発光部１１１ａ１の狭窄領域１２６ａの幅を幅Ｗａ１とし、第２発光部１１１ａ２の狭窄領域１２６ａの幅を幅Ｗａ２とし、第３発光部１１１ａ３の狭窄領域１２６ａの幅を幅Ｗａ３とする。
　なお、各発光部１１１ａを形成するメサの幅Ｗｂは同一である。ここで、幅Ｗａ３を幅Ｗａ２より小さくし、幅Ｗａ２を幅Ｗａ１より小さくすることにより、ＯＡ径Ｄ３を最も大きく、ＯＡ径Ｄ１を最も小さくすることができる。
　狭窄領域１２６ａは、電流狭窄層１２６となる層の積層後に酸化処理を行うことにより形成することが可能であるが、この際、酸化処理時間あるいは他の酸化処理条件を調整することにより、第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で狭窄領域１２６ａの幅を変更することが可能である。
　また、発光部１１１ａの間でＯＡ径に差異を生じさせる他の手法として、メサの径（以下、メサ径）を変更する方法がある。図２２は、メサ径の差異を示す模式図である。同図に示すように、第１発光部１１１ａ１のメサ径を径Ｗｂ１とし、第２発光部１１１ａ２のメサ径を径Ｗｂ２とし、第３発光部１１１ａ３のメサ径を径Ｗｂ３とする。
　なお、各発光部１１１ａの狭窄領域１２６ａの幅Ｗａは同一である。ここで、径Ｗｂ３を径Ｗｂ２より大きくし、径Ｗｂ２を径Ｗｂ１より大きくすることにより、ＯＡ径Ｄ３を最も大きく、ＯＡ径Ｄ１を最も小さくすることができる。
　メサの径は分離溝Ｃ（図７参照）の形成位置や幅により調整することが可能である。この手法では、第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で狭窄領域１２６ａの幅Ｗａを同一としながら、ＯＡ径を変えることが可能であるため、狭窄領域１２６ａを形成するための酸化処理を第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で同一条件とすることが可能である。
　また、狭窄領域１２６ａの幅Ｗａとメサ径Ｗｂの両方を変更して、第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で発光部１１１ａのＯＡ径に差異を生じさせることも可能である。
　｛１－２．配線抵抗による経路抵抗の制御］
　発光素子１１１では、各発光部１１１ａが備えるｐ電極１３０とアノード１４１との接続を、全面を一様に覆う電極ではなく、例えば列状に分離された配線電極構造にして、その配線の電気抵抗によって、第１経路抵抗ＲＲ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３に差異を生じさせることも可能である。
　図２３は、発光部１１１ａと発光素子１１１の両端のアノード１４１を接続する配線Ｌを示す模式図である。同図に示すように、発光部１１１ａはＸ方向に沿って複数の列状に配列されている。両端のアノード１４１からはＸ方向に沿って複数本の配線Ｌが延伸され、発光部１１１ａは列毎に直列的に配線Ｌに接続されている。なお配線Ｌは、図６において発光部１１１ａの間に形成されているｐ電極１３０とすることができるが、ｐ電極１３０とは別の導電性部材であってもよい。
　この構成においては、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３を図１３に示すように１次元状の配置としたときに第３領域Ａ３の発光強度を最も大きく、第１領域Ａ１の発光強度を最も小さくすることができる。図２３に示すように、各配線Ｌにおいて、アノード１４１と第２領域Ａ２の間の配線Ｌを配線部Ｌａとし、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３の間の配線Ｌを配線部Ｌｂとする。また、第２領域Ａ２間の配線を配線部Ｌｃとする。
　配線Ｌは導電性材料からなるものの、若干の抵抗を有する。以下、配線部Ｌａの抵抗を抵抗ＲＬａとし、配線部Ｌｂの抵抗を抵抗ＲＬｂとする。
　図２４は、この発光素子１１１の回路図である。同図に示すように、第３電流経路Ｅ３の抵抗である第３経路抵抗ＲＥ３は、抵抗Ｒｆ３及び抵抗Ｒｂ３の和である。一方、第２電流経路Ｅ２の抵抗である第２経路抵抗ＲＥ２は、アノード１４１から第２発光部１１１ａ２の間の電流経路に配線部Ｌａが存在するため、抵抗ＲＬａ、抵抗Ｒｆ２及び抵抗Ｒｂ２の和となる。
　また、第１電流経路Ｅ１の抵抗である第１経路抵抗ＲＥ１は、アノード１４１から第１発光部１１１ａ１の間の電流経路に配線部Ｌａ及び配線部Ｌｂが存在するため、抵抗ＲＬａ、抵抗Ｒｆ２及び抵抗Ｒｂ２の和となる。
　このように、両端のアノード１４１に近接する第３発光部１１１ａ３はアノード１４１との間の配線Ｌが短く、第３経路抵抗ＲＥ３は小さくなる。一方、両端のアノード１４１から離間するする第２発光部１１１ａ２はアノード１４１との間の配線Ｌ（配線部Ｌａ）が長く、第２経路抵抗ＲＥ２は大きくなる
　また、両端のアノード１４１から最も離間するする第１発光部１１１ａ１はアノード１４１との間の配線Ｌ（配線Ｌａ＋配線Ｌｂ）がより長く、第１経路抵抗ＲＥ１は最大となる。以上のように、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の間でアノード１４１と各発光部１１１ａの間の配線Ｌの長さを変え、各領域間で経路抵抗ＲＥを異なるものとすることが可能である。
　なお、配線Ｌの断面積は一様でなくてもよく、例えば配線部Ｌａの断面積を配線部Ｌｂの断面積より大きくし、配線部Ｌｂの断面積を配線部Ｌｃの断面積より大きくしてもよい。配線Ｌの断面積は配線Ｌの幅又は厚みの少なくとも一方を変えることで調整することが可能である。
　さらに、発光素子１１１では、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３を図１２に示すように２次元状の配置として、第３領域Ａ３の発光強度を最も大きく、第１領域Ａ１の発光強度を最も小さくすることも可能である。図２５は、発光部１１１ａと発光素子１１１の両端のアノード１４１を接続する配線Ｌを示す模式図である。同図に示すように、発光部１１１ａはＸ方向に沿って複数の列状に配列され、両端のアノード１４１からはＸ方向に沿って複数本の配線Ｌが延伸されている。発光部１１１ａは列毎に配線Ｌに直列的に接続されている。
　ここで、配線Ｌは、配線Ｌ１、配線Ｌ２及び配線Ｌ３を含む。配線Ｌ１は、第３領域Ａ３、及び第２領域Ａ２を介して第１領域Ａ１に延びる配線であり、配線Ｌ２は、第３領域Ａ３を介して第２領域Ａ２に延びる配線である。配線Ｌ３は、第３領域Ａ３に延びる配線である。なお、配線Ｌ１、配線Ｌ２及び配線Ｌ３のそれぞれ数は任意であり、図２５に示すものに限られない。
　配線Ｌ１、配線Ｌ２及び配線Ｌ３は電気抵抗が異なり、配線Ｌ３の電気抵抗が最も小さく、配線Ｌ１の電気抵抗が最も大きい。配線Ｌ１、配線Ｌ２及び配線Ｌ３の電気抵抗は、断面積によって制御することができ、配線Ｌ３は配線Ｌ２より断面積が大きく、配線Ｌ２は配線Ｌ１より断面積が大きいものとすることができる。
　配線Ｌの断面積は配線Ｌの幅又は厚みの少なくとも一方を変えることで調整することが可能であり、図２５に示すように、配線Ｌの厚みは一定とし、配線Ｌ３の幅は配線Ｌ２の幅より大きく、配線Ｌ２の幅は配線Ｌ１の幅より大きいものとすることができる。
　また、配線Ｌの幅を一定とし、配線Ｌ３の厚みを配線Ｌ２の厚みより大きく、配線Ｌ２の厚みを配線Ｌ１の厚みより大きいものとしてもよい。この他にも配線Ｌの厚みと幅の両方を調整し、配線Ｌ３の断面積は配線Ｌ２の断面積より大きく、配線Ｌ２の断面積は配線Ｌ１の断面積より大きいものとすることが可能である。なお、配線Ｌは、断面積が異なる配線として配線Ｌ１、配線Ｌ２及び配線Ｌ３の３種類に限られず、２種類又は４種類以上としてもよい。
　この構成では、配線Ｌの延伸方向であるＸ方向においては、各発光部１１１ａとアノード１４１を接続する配線Ｌの長さによって、中央部において経路抵抗ＲＥが大きくなる。さらに、Ｙ方向においては、配線Ｌの電気抵抗の差異によって中央部において経路抵抗ＲＥが大きくなる。したがって、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３を２次元状の配置とし、第１経路抵抗ＲＥ１を最も大きくし、次いで第２経路抵抗ＲＥ２を最も大きくし、第３経路抵抗ＲＥ３を最も小さくすることが可能である。
　以上のように、配線Ｌの抵抗によって第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の経路抵抗ＲＥに差異を生じさせ、周辺領域（第３領域Ａ３）の発光強度が中央領域（第１領域Ａ１）の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。この構成では各発光部１１１ａは同一の構成であるため、各発光部１１１ａの作成条件を同一としつつ、配線幅の変更のみで発光強度の分布を形成可能である。
　なお、図２３及び図２５では、複数の発光部１１１ａを接続する配線Ｌが設けられる例を示しているが、配線Ｌに代えて平面状の電極（ベタ電極）を設けてもよい。この場合、アノード１４１から各発光部１１１ａまでの配線抵抗が異なるように構成することで、経路抵抗の差異を生じさせることが可能である。
　｛１－３．接触抵抗による経路抵抗の制御｝
　さらに、発光素子１１１では、各発光部１１１ａにおける接触抵抗、即ち半導体と金属界面の抵抗によって、経路抵抗ＲＥに差異を生じさせることも可能である。
　図２６は発光部１１１ａを示す断面図である。図２６及び図８に示すようにコンタクト層１２８に接触するｐ電極１３０の幅Ｗｐを調整することにより、ｐ電極１３０とコンタクト層１２８の接触面積を変更することが可能である。これにより、発光部１１１ａにおける抵抗Ｒｆ（図１４参照）を増減させることが可能であり、第１経路抵抗ＲＲ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３の差異を実現することが可能である。
　具体的には、第３発光部１１１ａ３において幅Ｗｐを所定の幅とし、抵抗Ｒｆ３（図１５参照）とすることができる。また、第２発光部１１１ａ２において幅Ｗｐを第３発光部１１１ａ３より小さい幅とし、抵抗Ｒｆ２を抵抗Ｒｆ３より大きい値とすることができる。さらに、第１発光部１１１ａ１において幅Ｗｐを第２発光部１１１ａ２より小さい幅とし、抵抗Ｒｆ１を抵抗Ｒｆ２より大きい値とすることができる。
　また、幅Ｗｐの制御以外にも、ｐ電極１３０の形状を変更してｐ電極１３０とコンタクト層１２８の接触面積を調整し、抵抗Ｒｆを増減させることも可能である。
　さらに、図２６に示すように分離溝Ｃ（図７参照）の深さＭを調整することにより、抵抗Ｒｂ（図１４参照）を増減させることが可能であり、第１経路抵抗ＲＲ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３の差異を実現することが可能である。
　具体的には、第３発光部１１１ａ３の周囲の分離溝Ｃにおいて深さＭを所定の深さとし、抵抗Ｒｂ３（図１５参照）とすることができる。また、第２発光部１１１ａ２の周囲の分離溝Ｃの深さＭを第３発光部１１１ａ３の周囲の分離溝Ｃの深さＭより深くし、抵抗Ｒｂ２を抵抗Ｒｂ３より大きい値とすることができる。さらに、第１発光部１１１ａ１の周囲の分離溝Ｃの深さＭを第２発光部１１１ａ２の周囲の分離溝Ｃの深さＭより深くし、抵抗Ｒｂ１を抵抗Ｒｂ２より大きい値とすることができる。
　また、第1発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の間で幅Ｗｐと深さＭの両方を変更して、第１経路抵抗ＲＲ１を最も大きくし、第３経路抵抗ＲＥ３を最も小さくすることも可能である。
　このように、幅Ｗｐ及び深さＭを調整して、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の間で経路抵抗ＲＥに差異を生じさせることが可能である。この構成においても発光部１１１ａは均一な積層構造を形成した上で、ｐ電極１３０の形状又は分離溝Ｃの深さにより発光強度の分布を形成することが可能である。
　以上のように、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の間で経路抵抗ＲＥの差異によって周辺領域（第３領域Ａ３）の発光強度が中央領域（第１領域Ａ１）の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。
　なお、第１経路抵抗ＲＲ１、第２経路抵抗ＲＥ２及び第３経路抵抗ＲＥ３の間で経路抵抗ＲＥを変更する手法として、上述したＯＡ径による制御、配線抵抗による制御及び接触抵抗による制御のうちいずれか一つのみを用いてもよく、２つ以上を組み合わせてもよい。例えば、配線抵抗による制御によって１次元状の発光強度分布（図１３参照）を形成した上で、ＯＡ径による制御によって２次元状の発光強度分布（図１２参照）を形成することも可能である。
　また、配線Ｌの材料の変更等、上記各手法とは異なる手法によって、第１経路抵抗ＲＲ１が最も大きく、次いで第２経路抵抗ＲＥ２が大きく、第３経路抵抗ＲＥ３が最も小さい発光素子１１１を実現することも可能である。
　＜２．光取り出し効率による発光強度の差異について＞
　発光素子１１１では、各発光部１１１ａの光取り出し効率を制御することによって第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３（図１２及び図１３参照）の発光強度に差異を生じさせることが可能である。なお、発光部１１１ａの光取り出し効率によって発光強度に差異を生じさせる場合、上述した経路抵抗は各発光部１１１ａの間で同一とすることができる。
　具体的には発光素子１１１では、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の間で発光部１１１ａの光取り出し効率が互いに異なり、発光素子１１１の表面において中央に位置する領域ほど、発光部１１１ａの光取り出し効率が大きくなるように構成されている。即ち、第３発光部１１１ａ３の光り出し効率が最も大きく、次いで第２領域Ａ２に含まれる第２発光部１１１ａ２の光取り出し効率が大きく、第１発光部１１１ａ１の光取り出し効率が最も小さくなるように構成されている。これにより、第３領域Ａ３の発光強度が最も大きく、次に第２領域Ａ２の発光強度が大きく、第１領域Ａ１発光強度が最も小さくなる。
　したがって、上述のように、受光ユニット１０３に広画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ１）の受光感度の低下を補い、測定対象範囲のうち周辺領域の測距精度の低下を防止することが可能となる。
　各発光部１１１ａの光取り出し効率に差異を生じさせる具体的構造について、以下に説明する。
　｛２－１．表面コーティング層の厚みによる光取り出し効率の制御｝
　発光素子１１１では、各発光部１１１ａが備える表面コーティング層の厚みによって発光部１１１ａの光取り出し効率に差異を生じさせることが可能である。
　図２７は、発光部１１１ａの拡大断面図であり、発光部１１１ａが備える表面コーティング層１３５を示す図である。同図に示すように、表面コーティング層１３５はコンタクト層１２８上に形成されている。表面コーティング層１３５は、光出射面Ｈの反射率を制御するための光学薄膜であり、例えばＳｉＮからなるものとすることができる。表面コーティング層１３５の厚みＴを変えることにより、閾値電流及びスロープ効率を変えること可能であり、特定の電流値での光出力が変化する。
　図２８は、表面コーティング層１３５の厚みＴと光出力の関係の一例を示すグラフである。同図に示すように表面コーティング層１３５の厚みＴによって発光部１１１ａの光出力が変化し、即ち光取り出し効率を調整することが可能である。なお、図２８では、厚みＴが増すことで光出力が低下する例を示したが、光取り出し効率は厚みＴによって周期的に変化し、厚みＴが減ることで光出力が増加する場合もある。
　発光素子１１１では、第１発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の間で表面コーティング層１３５の厚みＴを異なるものとし、第３領域Ａ３の光取り出し効率が最も大きく、次に第２領域Ａ２の光取り出し効率が大きく、第１領域Ａ１の光取り出し効率が最も小さくなるようにすることができる。
　これにより、第３領域Ａ３の発光強度が最も大きく、次に第２領域Ａ２の発光強度が大きく、第１領域Ａ１発光強度が最も小さくなり、周辺領域の発光強度が中央領域の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。この構成では各発光部１１１ａは表面コーティング層１３５の厚みを除いて同一の構成であるため、各発光部１１１ａの作成条件を同一としつつ、表面コーティング層１３５の厚みの調製によって発光強度分布を形成可能である。
　｛２－２．表面コーティング層の境界位置による光取り出し効率の制御｝
　発光素子１１１では、各発光部１１１ａの表面コーティング層の境界位置によって発光部１１１ａの光取り出し効率に差異を生じさせることも可能である。
　図２９は、発光部１１１ａの拡大断面図であり、発光部１１１ａが備える表面コーティング層１３６及び表面コーティング層１３７を示す図である。図２９（ａ）及び図２９（ｂ）に示すように、表面コーティング層１３６はコンタクト層１２８上に形成され、表面コーティング層１３７は表面コーティング層１３６の一部領域上に形成されている。表面コーティング層１３６及び表面コーティング層１３７は光出射面Ｈの反射率を制御するための光学薄膜であり、例えばＳｉＮからなるものとすることができる。
　光出射面Ｈにおいて、表面コーティング層１３６及び表面コーティング層１３７が形成されている領域を領域Ｈａとし、表面コーティング層１３６のみが形成されている領域を領域Ｈｂとする。また、領域Ｈａと領域Ｈｂの境界を境界Ｋとする。
　図３０は領域Ｈａ及び領域Ｈｂを示す模式図であり、図３０（ａ）は図２９（ａ）の平面図、図３０（ｂ）は図２９（ｂ）の平面図である。発光部１１１ａでは、境界Ｋの位置によって光の発振モードを切り替えることができ、閾値電流及びスロープ効率を変えること可能となる。したがって、図２９（ａ）及び（ｂ）、図３０（ａ）及び（ｂ）に示すように第１発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の間で境界Ｋの位置を異なるものとし、第３領域Ａ３の光取り出し効率が最も大きく、次に第２領域Ａ２の光取り出し効率が大きく、第１領域Ａ１の光取り出し効率が最も小さくなるようにすることができる。
　これにより、第３領域Ａ３の発光強度が最も大きく、次に第２領域Ａ２の発光強度が大きく、第１領域Ａ１発光強度が最も小さくなり、周辺領域の発光強度が中央領域の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。この構成においても各発光部１１１ａは表面コーティング層の構成を除いて同一の構成であるため、各発光部１１１ａの作成条件を同一としつつ、表面コーティング層の境界位置の調製によって、発光強度の分布を形成可能である。
　なお、領域Ｈａと領域Ｈｂは表面コーティング層の層数が異なる領域に限られず、表面コーティング層の厚みが異なる領域や表面コーティング層の材質が異なる領域等、表面コーティング層の光学特性が異なる領域であればよい。領域の数も２つに限られず、３つ以上であってもよい。
　｛２－３．ＤＢＲ層反射率による光取り出し効率の制御｝
　発光素子１１１では、ｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７のうちいずれか一方又は両方の反射率によって発光部１１１ａの光取り出し効率に差異を生じさせることも可能である。
　上記ように、発光部１１１ａにおいては、アノード１４１とカソード１５１の間に電圧を印加すると、活性層１２４において放出された自然放出光はｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７によって反射され、レーザー発振により光出射面Ｈから放出される。したがって、第１領域Ａ１～第３領域Ａ３の間で各発光部１１１ａのｎ－ＤＢＲ層１２２及びｐ－ＤＢＲ層１２７の反射率を変えることにより、第３領域Ａ３の光取り出し効率が最も大きく、次に第２領域Ａ２の光取り出し効率が大きく、第１領域Ａ１の光取り出し効率が最も小さくなるようにすることができる。
　これにより、第３領域Ａ３の発光強度が最も大きく、次に第２領域Ａ２の発光強度が大きく、第１領域Ａ１発光強度が最も小さくなり、周辺領域の発光強度が中央領域の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。
　以上のように、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の間で光取り出し効率の差異によって周辺領域の発光強度が中央領域の発光強度より高い発光素子１１１を実現することが可能である。
　なお、第１発光部１１１ａ１、第２発光部１１１ａ２及び第３発光部１１１ａ３の間で光取り出し効率を変更する手法として、上述した表面コーティング層の厚みによる制御、表面コーティング層の境界位置による制御及びＤＢＲ層反射率制御のうちいずれか一つのみを用いてもよく、２つ以上を組み合わせてもよい。
　また、上記各手法とは異なる手法によって、第３領域Ａ３の光取り出し効率が最も大きく、次に第２領域Ａ２の光取り出し効率が大きく、第１領域Ａ１の光取り出し効率が最も小さい発光素子１１１を実現することも可能である。
　［発光強度分布の形状について］
　発光素子１１１による発光強度分布の例について説明する。図３１は、発光素子１１１の発光強度分布の一例を示すグラフである。同図に示すように、発光素子１１１の発光強度分布は、中央領域である第１領域Ａ１の発光強度が小さく、周辺領域である第３領域Ａ３の発光強度が大きくなっている。
　ここで、図３１に示す発光強度分布はｃｏｓθの－１乗で表される形状を有している。発光素子１１１の発光強度分布はｃｏｓθの－１乗で表される形状に限られず、ｃｏｓθのｎ乗で表される形状が好適である。図３２乃至図３４は、発光素子１１１の発光強度分布の他の例を示すグラフである。
　図３２に示すように、発光素子１１１の発光強度分布はｃｏｓθの－３乗で表される形状を有していてもよく図３３に示すようにｃｏｓθの－５乗で表される形状を有してもよい。また、図３４に示すように、ｃｏｓθの－７乗で表される形状を有してもよい。
　さらに、発光素子１１１の発光強度分布は、図３１乃至図３４に示すように曲線状に限られない。図３５乃至図３８は、発光素子１１１の発光強度分布の他の例を示す模式図である。これらの図に示すように、発光素子１１１の発光強度分布は、ｃｏｓθのｎ乗に近似するステップ状であってもよい。
　［発光素子による効果］
　以上のように、発光素子１１１においては、各発光部１１１ａを通過する電流経路の抵抗又は各発光部１１１ａから放出される光の取り出し効率を制御することにより、第３領域Ａ３の発光強度を最も大きく、次いで第２領域Ａ２の発光強度を大きく、第１領域Ａ１の発光強度を最も小さくすることが可能である。これにより、受光ユニット１０３に広画角域から入射する光（図１１中、反射光ＬＲ１）の受光感度の低下を補い、測定対象範囲のうち周辺領域の測距精度の低下を防止することが可能となる。そして、このような発光強度分布を実現するために、部品の追加、部品コストの増加及び部品サイズの増加が必要ない。
　また、各発光部１１１ａは共通のアノード１４１とカソード１５１に電気的に接続されていながら、経路抵抗の差異又は光取り出し効率の差異によって上記のような発光強度分布を形成することが可能である。換言すれば、発光強度分布を形成するために、各発光部１１１ａに個別にアノードとカソードを接続して印加電力を調整する必要がない。このため、発光部１１１ａの駆動源を複数配置する必要がなく、これによる部品コストの増加及び測距装置１００のサイズの増加を防止することも可能である。
　さらに、各発光部１１１ａに個別にアノードとカソードを接続し、各発光部１１１ａを個別に駆動する場合においても本技術は有効である。各発光部１１１ａを駆動するドライバには個別に電力を設定するパラメータを有していない、又は統一されたパラメータしか利用できない場合がある。このような場合に対しても、発光素子１１１では各発光部１１１ａ用のアノード１４１とカソード１５１に同等の電力を供給して、発光強度分布を形成可能である。
　［変形例］
　上記実施形態において、発光部１１１ａは第１領域Ａ１，第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の３つの領域の間で発光強度が異なる（図１２及び図１３参照）ものとしたが、領域の数は３つに限られず、２つ又は４つ以上であってもよい。領域の数によらず、発光素子１１１の中央領域において発光強度が小さく、周辺領域において発光強度が大きいものであれば、受光ユニット１０３の測定対象範囲のうち周辺領域の測距精度の低下を防止することが可能である。
　また、発光素子１１１において、基板１２１側（図６中、下方）がｎ型、光出射面Ｈ側（図６中、上方）がｐ型としたが、ｎ型とｐ型は逆であってもよい。さらに、基板１２１は高抵抗基板を用いて、ｐ型層及びｎ型層をその上に設け、片面から両方の電極を取り出してもよい。また、発光素子１１１は発光方向が基板方向となっている裏面出射型ＶＣＳＥＬでもよい。さらに、上記実施形態では、ＧａＡｓ基板の例を示したが、目的とする光出射波長によっては、ＧａＮ基板やＩｎＰ基板を用いることも可能である。
　加えて、発光素子１１１は、測距装置１００の発光ユニット１０１に搭載されるものとしたがこれに限られない。例えば、発光素子１１１は測距装置のストラクチャードライト（構造化光）用光源として利用することも可能であり、拡散板を使わない場合の一様照射にも応用することが可能である。
　さらに、発光素子１１１は、測距装置以外にも照明用光源としても利用可能である。発光波長は赤外光、紫外光又は可視光とすることができ、露光にも適用可能である。この場合にも、照明光学系における光学部（レンズなど）の透過率の角度依存性を補正する（この場合も斜入射となる周辺部の光強度が下がりやすい）ことが可能となる。
　以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
　（１）
　垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、
　上記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、
　上記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子と
　を具備し、
　上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち他の発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる
　発光素子。
　（２）
　上記（１）に記載の発光素子であって、
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗より大きい
　発光素子。
　（３）
　上記（１）又は（２）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記電流狭窄層は、狭窄領域と、上記狭窄領域より導電性が大きい注入領域を有し、
　上記複数の発光部は、上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部の間で上記注入領域の径である開口径が異なることにより、上記電流経路の電気抵抗が異なる
　発光素子。
　（４）
　上記（３）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも上記第１のＤＢＲ層、上記電流狭窄層及び上記活性層が隣接する発光部との間で離間されたメサ構造を有し、メサ径が他の発光部との間で異なることにより、上記開口径が異なる
　発光素子。
　（５）
　上記（１）から（４）のうちいずれか一つに記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち他の発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なる
　発光素子。
　（６）
　上記（５）に記載の発光素子であって、
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なる
　発光素子。
　（７）
　上記（６）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗より大きい
　発光素子。
　（８）
　上記（７）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の長さは、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部と上記第１の電極端子を接続する配線の長さより長い
　発光素子。
　（９）
　上記（８）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部は、複数の列状に配列され、各列を構成する上記複数の発光部は、上記第１の電極から延びる複数の配線に列毎に接続されている
　発光素子。
　（１０）
　上記（９）に記載の発光素子であって、
　上記複数の配線は、上記第１の電極端子から上記周辺領域を介して上記中央領域に延びる配線と、上記第１の電極端子から上記周辺領域に延びる配線を含み、上記中央領域に延びる配線と上記周辺領域に延びる配線は電気抵抗が異なる
　発光素子。
　（１１）
　上記（１０）に記載の発光素子であって、
　上記周辺領域に延びる配線の断面積は、上記中央領域に延びる配線の断面積より大きい
　発光素子。
　（１２）
　上記（５）から（１１）のうちいずれか一つに記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部が備える上記第１の電極の接触抵抗は、上記複数の発光部のうち他の発光部が備える上記第１の電極の接触抵抗と異なる
　発光素子。
　（１３）
　上記（５）から（１２）のうちいずれか一つに記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも上記第１のＤＢＲ層、上記電流狭窄層及び上記活性層が隣接する発光部との間で分離溝により離間されたメサ構造を有し、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の周囲に設けられた上記分離溝の深さは、上記複数の発光部のうち他の発光部の周囲に設けられた上記分離溝の深さと異なる
　発光素子。
　（１４）
　垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、
　上記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、
　上記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子と
　を具備し、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の光取り出し効率は、上記複数の発光部のうち他の発光部の光取り出し効率と異なる
　発光素子。
　（１５）
　上記（１４）に記載の発光素子であって、
　上記発光素子は、上記光軸に平行な方向から見て、上記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、上記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
　上記複数の発光部のうち上記中央領域に位置する発光部の光取り出し効率は、上記複数の発光部のうち上記周辺領域に位置する発光部の光取り出し効率より小さい
　発光素子。
　（１６）
　上記（１４）又は（１５）に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のそれぞれの光出射面には表面コーティング層が形成され、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の上記表面コーティング層の厚みは、上記複数の発光部のうち他の発光部の上記表面コーティング層の厚みと異なる
　発光素子。
　（１７）
　上記（１４）から（１６）のうちいずれか一つに記載の発光素子であって、
　請求項１４に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のそれぞれの光出射面には、第１の領域と、上記第１の領域とは光学特性が異なる第２の領域を有する表面コーティング層が設けられ、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部における上記第１の領域と上記第２の領域の境界位置は、上記複数の発光部のうち他の発光部における上記第１の領域と上記第２の領域の境界位置と異なる
　発光素子。
　（１８）
　上記（１４）から（１７）のうちいずれか一つに記載の発光素子であって、
　請求項１４に記載の発光素子であって、
　上記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、上記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、上記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、上記第１のＤＢＲ層と上記第２のＤＢＲ層の間に配置され、上記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
　上記複数の発光部のうち一つの発光部の上記第１のＤＢＲ層及び上記第２のＤＢＲ層の反射率は、上記複数の発光部のうち他の発光部の上記第１のＤＢＲ層及び上記第２のＤＢＲ層の反射率と異なる
　発光素子。
　（１９）
　上記（２）又は（１５）に記載の発光素子であって、
　上記中央領域から上記周辺領域にかけて、上記複数の発光部による発光強度分布はｃｏｓθのｎ乗で表される形状である
　発光素子。
　（２０）
　垂直共振器型面発光レーザー素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、上記第１の電極から上記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、上記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、上記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、上記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子とを具備し、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、上記第１の電極端子から上記複数の発光部のうち他の発光部を通過して上記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる発光素子を備える発光ユニットと、
　上記発光ユニットから出射された光の反射光を検出する受光ユニットと、
　上記受光ユニットの検出結果に基づいて測定対象との距離を算出する測距演算部と
　を具備する測距装置。
　１００…測距装置
　１０１…発光ユニット
　１０２…発光制御部
　１０３…受光ユニット
　１０４…測距演算部
　１１１…発光素子
　１１１ａ…発光部
　１１１ａ１…第１発光部
　１１１ａ２…第２発光部
　１１１ａ３…第３発光部
　１２２…ｎ－ＤＢＲ層
　１２３…ｎ－クラッド層
　１２４…活性層
　１２５…ｐ－クラッド層
　１２６…電流狭窄層
　１２６ａ…狭窄領域
　１２６ｂ…注入領域
　１２７…ｐ－ＤＢＲ層
　１２８…コンタクト層
　１２９…絶縁層
　１３０…ｐ電極
　１３１…ｎ電極
　１３５…表面コーティング層
　１３６…表面コーティング層
　１３７…表面コーティング層
　１４１…アノード
　１５１…カソード

Claims (20)

  1. 　垂直共振器型面発光レーザ素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、前記第１の電極から前記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、前記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、
    　前記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、
    　前記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子と
    　を具備し、
    　前記第１の電極端子から前記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して前記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、前記第１の電極端子から前記複数の発光部のうち他の発光部を通過して前記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる
    　発光素子。
  2. 　請求項１に記載の発光素子であって、
    　前記発光素子は、前記光軸に平行な方向から見て、前記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、前記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
    　前記複数の発光部のうち前記中央領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗は、前記複数の発光部のうち前記周辺領域に位置する発光部を通過する電流経路の電気抵抗より大きい
    　発光素子。
  3. 　請求項１に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、前記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層と、前記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置され、前記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
    　前記電流狭窄層は、狭窄領域と、前記狭窄領域より導電性が大きい注入領域を有し、
    　前記複数の発光部は、前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部の間で前記注入領域の径である開口径が異なることにより、前記電流経路の電気抵抗が異なる
    　発光素子。
  4. 　請求項３に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも前記第１のＤＢＲ層、前記電流狭窄層及び前記活性層が隣接する発光部との間で離間されたメサ構造を有し、メサ径が他の発光部との間で異なることにより、前記開口径が異なる
    　発光素子。
  5. 　請求項１に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、前記複数の発光部のうち他の発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なる
    　発光素子。
  6. 　請求項５に記載の発光素子であって、
    　前記発光素子は、前記光軸に平行な方向から見て、前記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、前記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
    　前記複数の発光部のうち前記中央領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、前記複数の発光部のうち前記周辺領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗と異なる
    　発光素子。
  7. 　請求項６に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうち前記中央領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗は、前記複数の発光部のうち前記周辺領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の電気抵抗より大きい
    　発光素子。
  8. 　請求項７に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうち前記中央領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の長さは、前記複数の発光部のうち前記周辺領域に位置する発光部と前記第１の電極端子を接続する配線の長さより長い
    　発光素子。
  9. 　請求項８に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部は、複数の列状に配列され、各列を構成する前記複数の発光部は、前記第１の電極から延びる複数の配線に列毎に接続されている
    　発光素子。
  10. 　請求項９に記載の発光素子であって、
    　前記複数の配線は、前記第１の電極端子から前記周辺領域を介して前記中央領域に延びる配線と、前記第１の電極端子から前記周辺領域に延びる配線を含み、前記中央領域に延びる配線と前記周辺領域に延びる配線は電気抵抗が異なる
    　発光素子。
  11. 　請求項１０に記載の発光素子であって、
    　前記周辺領域に延びる配線の断面積は、前記中央領域に延びる配線の断面積より大きい
    　発光素子。
  12. 　請求項５に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部が備える前記第１の電極の接触抵抗は、前記複数の発光部のうち他の発光部が備える前記第１の電極の接触抵抗と異なる
    　発光素子。
  13. 　請求項５に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、前記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、前記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置され、前記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
    　前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、少なくとも前記第１のＤＢＲ層、前記電流狭窄層及び前記活性層が隣接する発光部との間で分離溝により離間されたメサ構造を有し、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部の周囲に設けられた前記分離溝の深さは、前記複数の発光部のうち他の発光部の周囲に設けられた前記分離溝の深さと異なる
    　発光素子。
  14. 　垂直共振器型面発光レーザ素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、前記第１の電極から前記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、前記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、
    　前記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、
    　前記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子と
    　を具備し、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部の光取り出し効率は、前記複数の発光部のうち他の発光部の光取り出し効率と異なる
    　発光素子。
  15. 　請求項１４に記載の発光素子であって、
    　前記発光素子は、前記光軸に平行な方向から見て、前記複数の発光部のうち内側に位置する発光部を含む中央領域と、前記複数の発光部のうち外側に位置する発光部を含む周辺領域とを有し、
    　前記複数の発光部のうち前記中央領域に位置する発光部の光取り出し効率は、前記複数の発光部のうち前記周辺領域に位置する発光部の光取り出し効率より小さい
    　発光素子。
  16. 　請求項１４に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のそれぞれの光出射面には表面コーティング層が形成され、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部の前記表面コーティング層の厚みは、前記複数の発光部のうち他の発光部の前記表面コーティング層の厚みと異なる
    　発光素子。
  17. 　請求項１４に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のそれぞれの光出射面には、第１の領域と、前記第１の領域とは光学特性が異なる第２の領域を有する表面コーティング層が設けられ、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部における前記第１の領域と前記第２の領域の境界位置は、前記複数の発光部のうち他の発光部における前記第１の領域と前記第２の領域の境界位置と異なる
    　発光素子。
  18. 　請求項１４に記載の発光素子であって、
    　前記複数の発光部のうちそれぞれの発光部は、前記第１の電極に電気的に接続された第１のＤＢＲ層と、前記第２の電極に電気的に接続された第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置された電流狭窄層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層の間に配置され、前記電流狭窄層により狭窄された電流により発光する活性層とを有し、
    　前記複数の発光部のうち一つの発光部の前記第１のＤＢＲ層及び前記第２のＤＢＲ層の反射率は、前記複数の発光部のうち他の発光部の前記第１のＤＢＲ層及び前記第２のＤＢＲ層の反射率と異なる
    　発光素子。
  19. 　請求項２又は１５に記載の発光素子であって、
    　前記中央領域から前記周辺領域にかけて、前記複数の発光部による発光強度分布はｃｏｓθのｎ乗で表される形状である
    　発光素子。
  20. 　垂直共振器型面発光レーザ素子であり、第１の電極と第２の電極を備え、前記第１の電極から前記第２の電極へ流れる電流により発光する発光部が、前記発光部から出射される光の光軸に垂直な方向に沿って１次元状又は２次元状に配列された複数の発光部と、前記第１の電極に電気的に接続された第１の電極端子と、前記第２の電極に電気的に接続された第２の電極端子とを具備し、前記第１の電極端子から前記複数の発光部のうち一つの発光部を通過して前記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗は、前記第１の電極端子から前記複数の発光部のうち他の発光部を通過して前記第２の電極端子に到る電流経路の電気抵抗と異なる発光素子を備える発光ユニットと、
    　前記発光ユニットから出射された光の反射光を検出する受光ユニットと、
    　前記受光ユニットの検出結果に基づいて測定対象との距離を算出する測距演算部と
    　を具備する測距装置。
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