JP2009170695A - 強誘電体メモリの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゾルゲル溶液を準備する工程と、ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、紛体を少なくとも第1の紛体及び第2の粉体に分ける工程と、第1の紛体を用いて溶液を得る工程と、溶液を第1の導電膜上に塗布する工程と、第1の導電膜上の溶液を熱処理して、強誘電体膜を形成する工程と、を含む強誘電体メモリの製造方法。
【選択図】図1
Description
強誘電体キャパシタを構成する強誘電体膜の形成材料、すなわち強誘電体材料としては、ABO3型で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物からなるものが好適とされ、中でも、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zi,Ti)O3:PZT)系のものが、分極量が大きく有力である。
第1に、強誘電体材料として有力なPZT系材料は、その組成比によって特性が大きく変わり、特にPbの組成比については、その最適な範囲が非常に狭くなっている。具体的には、「Pb元素/Bサイト元素」で定義されるPb組成比は、その最適値が±2mol%程度となっており、この範囲よりPbが多い場合にはリーク電流が増大してしまい、Pbが少ない場合には強誘電体膜の疲労特性(Fatigue特性)の劣化が発生する。
これに対して溶液法では、一度合成した材料溶液中の金属組成によってPb組成比が決まってしまうため、その後のスピンコート法などによる塗布成膜により、この組成比を最適範囲に調節するのは非常に困難である。したがって、材料を形成するたびにその金属組成にバラツキが生じ、これにより、得られる強誘電体膜のリーク電流や疲労特性に関する強誘電体特性にバラツキが生じるおそれがある。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、強誘電体膜の強誘電体特性にバラツキが生じるのを防止し、しかも良好な強誘電体特性が得られるようにした、強誘電体メモリの製造方法を提供することにある。
ゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、
前記紛体を少なくとも第1の紛体及び第2の粉体に分ける工程と、
前記第1の紛体を用いて溶液を得る工程と、
前記溶液を第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第1の導電膜上の前記溶液を熱処理して、強誘電体膜を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
前記ゾルゲル溶液を準備する工程は、
Pb及びZrを含む第1のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びTiを含む第2のゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記第1のゾルゲル溶液と前記第2のゾルゲル溶液とを混合することにより、前記ゾルゲル溶液を得る工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記強誘電体メモリの製造方法においては、
前記ゾルゲル溶液を準備する工程は、
Pb及びZrを含む第1のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びTiを含む第2のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びNbを含む第3のゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記第1のゾルゲル溶液と前記第2のゾルゲル溶液と前記第3のゾルゲル溶液とを混合することにより、前記ゾルゲル溶液を得る工程と、を含むことを特徴とする。
前記粉体を得る工程は、噴霧乾燥法を用いることを特徴とする。
前記強誘電体膜上に第2の導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
前記第1の導電膜は、イリジウム、イリジウム酸化物及び白金の少なくとも1つを含み、
前記強誘電体膜は、PZT又はPZTNを含み、
前記第2の導電膜は、イリジウム、イリジウム酸化物及び白金の少なくとも1つを含むことを特徴とする。
ゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、
前記紛体を少なくとも第1の紛体及び第2の粉体に分ける工程と、
前記第1の紛体を用いて第1の溶液を得る工程と、
前記第1の溶液を第1のウエハに形成された第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第1の導電膜上の前記第1の溶液を熱処理して、第1の強誘電体膜を形成する工程と、
前記第2の紛体を用いて第1の溶液を得る工程と、
前記第2の溶液を第2のウエハに形成された第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第2の導電膜上の前記第2の溶液を熱処理して、第2の強誘電体膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
(強誘電体膜の製造方法)
本実施形態では、ABO3型で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物からなる強誘電体膜を製造するものとし、特に、前記化合物を、Pb(Zr,Ti,Nb)O3(PZTNと記す)で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物とする場合について説明する。
同様に、第2のゾルゲル原料溶液については、例えば、PbおよびTiによるPbTiO3ペロブスカイト結晶を形成するための縮重合体を、n−ブタノールの溶媒に無水状態で溶解して作製し、用意する。
第3のゾルゲル原料溶液についても、例えば、PbおよびNbによるPbNbO3ペロブスカイト結晶を形成するための縮重合体を、n−ブタノールの溶媒に無水状態で溶解して作製し、用意する。
なお、これらゾルゲル原料における縮重合物としては、例えば金属アルコキシドの加水分解・縮合物など、従来公知の材料を用いることができる。
なお、本実施形態では、約100リットルの母液を作製した。
なお、形成した母材の一部については、保管することなく、後述するように小分けしてそのまま用いてもよい。
したがって、このような強誘電体膜の製造方法にあっては、使用する材料溶液(小分け溶液)間で金属組成比(例えばPb組成比)にバラツキがなく、もちろん、Pb組成比などが最適範囲となるようにこの材料溶液(小分け溶液)を形成するので、材料溶液のバラツキに起因する強誘電体膜の特性バラツキを防止し、リーク電流や疲労特性などについての強誘電体特性が良好な強誘電体膜を形成することができる。また、大量に母材を作製した後、長期に亘って保管(保存)しておいても、強誘電体の前駆体材料としてのライフを保持することができることから、形成する強誘電体膜の強誘電体特性をより良好にすることができる。
また、このようにして得られた強誘電体膜は、製造工程(製造バッチ)間でバラツキがなく、しかも強誘電体特性が十分に良好なものとなる。
次に、このような強誘電体膜の製造方法を含む、強誘電体メモリ(以下、強誘電体メモリ装置と記す)の製造方法について説明する。
図2は、本発明の強誘電体メモリの製造方法で得られる強誘電体メモリ装置の一例を模式的に示す拡大断面図であり、図2において符号1は強誘電体メモリ装置、3は強誘電体キャパシタである。強誘電体メモリ装置1は、強誘電体キャパシタを備えたスタック構造のもので、図2に示すように、半導体基板2と、半導体基板2上に形成された強誘電体キャパシタ3と、この強誘電体キャパシタ3の駆動素子となるスイッチングトランジスタ(以下、トランジスタと記す)4とを備えて構成されたものである。
プラグ6は、コンタクトホール5A内に充填された導電材料によって形成されたもので、例えばタングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)などの高融点金属からなっている。中でも、タングステン(W)が特に好適とされ、したがって本実施形態ではタングステンが用いられている。
バリア層11は、プラグ6に導通する導電性のもので、結晶質を含み、かつ酸素バリア性を有する材料からなり、例えばTiAlN、TiAl、TiSiN、TiN、TaN、TaSiNなどによって形成されている。本実施形態では、その結晶質が(111)配向を有するTiAlNによって形成されている。
例えば、バリア層11が立方晶系に属してその結晶配向が前記したように(111)面配向である場合、あるいは、バリア層11が六方晶系に属してその結晶配向が(001)面配向である場合、下部電極12の結晶配向が(111)配向であるのが好ましい。このようにすれば、下部電極12上に強誘電体膜13を形成する際、強誘電体膜13の結晶構造を正方晶とし、その結晶配向を(111)配向にするのが容易になる。
したがって、熱処理による強誘電体膜の形成時に、PZTでは結晶からPbが抜け易くなっているものの、Nbが添加されていることにより、このようなPb抜けが抑制されたものとなっている。
なお、この強誘電体膜13は、前述したように溶液法で形成されている。
また、トランジスタ4は、半導体基板2に間隔をおいて複数形成されており、隣接する他のトランジスタ4との間に素子分離領域25が設けられたことにより、互いに絶縁され分離されている。
このようにして強誘電体膜13を形成すると、その結晶構造が成膜時の小分け溶液中の金属元素比によって規定されるものとなり、下部電極膜17上においてPt層17cの(111)配向が反映されて良好に(111)優先配向する。
このような強誘電体キャパシタ3を形成したら、さらにこれ覆って層間絶縁膜(図示せず)を形成し、その上に上部配線等(図示せず)を形成することにより、強誘電体メモリ装置1を得る。
また、強誘電体キャパシタ3については、その側面や上面を覆ってアルミナ(Al2O3)等の絶縁性水素バリアを設けてもよい。
Claims (7)
- ゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、
前記紛体を少なくとも第1の紛体及び第2の粉体に分ける工程と、
前記第1の紛体を用いて溶液を得る工程と、
前記溶液を第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第1の導電膜上の前記溶液を熱処理して、強誘電体膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1において、
前記ゾルゲル溶液を準備する工程は、
Pb及びZrを含む第1のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びTiを含む第2のゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記第1のゾルゲル溶液と前記第2のゾルゲル溶液とを混合することにより、前記ゾルゲル溶液を得る工程と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1において、
前記ゾルゲル溶液を準備する工程は、
Pb及びZrを含む第1のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びTiを含む第2のゾルゲル溶液を準備する工程と、
Pb及びNbを含む第3のゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記第1のゾルゲル溶液と前記第2のゾルゲル溶液と前記第3のゾルゲル溶液とを混合することにより、前記ゾルゲル溶液を得る工程と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記粉体を得る工程は、噴霧乾燥法を用いることを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記強誘電体膜上に第2の導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかにおいて、
前記第1の導電膜は、イリジウム、イリジウム酸化物及び白金の少なくとも1つを含み、
前記強誘電体膜は、PZT又はPZTNを含み、
前記第2の導電膜は、イリジウム、イリジウム酸化物及び白金の少なくとも1つを含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - ゾルゲル溶液を準備する工程と、
前記ゾルゲル溶液から溶媒を除去することにより、紛体を得る工程と、
前記紛体を少なくとも第1の紛体及び第2の粉体に分ける工程と、
前記第1の紛体を用いて第1の溶液を得る工程と、
前記第1の溶液を第1のウエハに形成された第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第1の導電膜上の前記第1の溶液を熱処理して、第1の強誘電体膜を形成する工程と、
前記第2の紛体を用いて第1の溶液を得る工程と、
前記第2の溶液を第2のウエハに形成された第1の導電膜上に塗布する工程と、
前記第2の導電膜上の前記第2の溶液を熱処理して、第2の強誘電体膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
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