JP2009164592A - 組み合せ基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上基板12Uと下基板12Lとの間にアンダーフィル62が充填されているため、上基板12Uと下基板12Lとに熱が加わり、反り、剥離が生じる方向に応力が生じても、アンダーフィル62によって上基板12U、下基板12Lの反り、剥離が抑えられ、応力を緩和させることが可能となる。また、上基板12Uと下基板12Lとの間に充填された樹脂充填材(アンダーフィル)62により、信頼性条件下において、導体回路や外部からの湿分の侵入による劣化速度が遅くなり、信頼性を確保しやすくなる。
【選択図】 図5
Description
特開2001−230515号公報、特開2001−85603号公報、特開2001−210954号公報には、係る多段パッケージが開示されている。
前記下基板の第1主面に形成されている接続用パッドと、
前記下基板の第2主面に形成されていて、プリント配線板と接続するための実装用パッドと、
第1主面と前記第1主面とは反対側の第2主面とを有する上基板と、
前記上基板の第1主面に形成されていて、パッケージ基板を搭載するための実装用パッドと、
前記上基板の第2主面または前記下基板の第1主面に形成され電子部品を搭載するための部品搭載用パッドと、
前記上基板の第2主面に形成されていて、前記下基板の接続用パッドと電気的に接続するための接続用パッド、とからなる組み合せ基板において、
前記下基板の第1主面と前記上基板の第2主面は向かい合っていて、前記下基板と前記上基板との間に、樹脂が充填されていることを技術的特徴とする。
前記樹脂はアンダーフィル剤とすることができる。
上基板の実装用パッドは、上基板のほぼ全面に形成することができる。
前記上基板の実装用パッド間の距離は、一定であって規則的に配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、マトリクス状又は千鳥状に配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、ランダムに配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、2個以上のパッケージ基板を実装するためのパッドとすることができる。
前記上基板の実装用パッドは、円形状であることができる。
前記上基板の前記第1主面上に受動部品を実装するためのパッドを形成することができる。
前記下基板の接続用パッドと、前記上基板の接続用パッドとは金属部材を介して接続することができる。
ポストによる接続部形成
図4(A)に実施例1の組み合せ基板10の断面図を示す。組み合せ基板10は、上基板12Uと下基板12Lとから成る。上基板12Uには、図4(A)のa矢視図に相当する図6(A)の平面図に示すように、パッケージ基板接続用のパッド42Pのパッド群が、上基板12Uの中央部に配置されている。下基板12Lには同様に他のプリント配線板などに接続するためのパッド42DのBGAなどの外部接続用パッド群が形成されている。下基板12Lの上面にはICチップ50が実装されている。下基板12Lには、ビア44を介して下面側の導体回路42bと上面側の導体回路42aとが接続され、ICチップ50と上面側の導体回路42aとは半田バンプ52を介して接続されている。この場合、ICチップ50は、その他の実装形態(例えば、ワイヤーボンディング実装)で実装されていてもよい。複数のICチップが実装されてもよい。下基板12Lの上面側の導体回路42aのソルダーレジスト48の開口部48aに、上基板接続用のパッド42Gのパッド群が形成されている。下面側の導体回路42のソルダーレジスト48の開口部48aに、プリント配線板接続用のパッド42Dとなるパッド群が形成されている。
アンダーフィル60、樹脂充填剤62は、好ましく熱硬化性樹脂と無機フィラーとから成る。上基板12Uの下面側のパッド42Fと、下基板12Lの上面側のパッド42Gとは、円柱状の金属ポスト46,46を介して、電気接続されている。
A.上基板の作成
1.基材の準備
両面に銅箔32a、32bの積層された両面銅張積層板30Aを用意する。絶縁材料30には、主として樹脂材料を用いたものを用いことが望ましい(図1(A))。
その一例として、ガラエポ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、BT樹脂などが挙げられる。また、セラミック系材料や金属基板などを適用することが可能である。絶縁材料の厚みは、60〜300μmの間であることが望ましい。また、銅箔の厚みは、5〜30μmの間であることが望ましい。上下の銅箔32a、32bの厚みを同じにしてもよいし、厚みが異なってもよい。厚めの銅箔を用意しておき、エッチングなどの薄膜化工程を経て、適時銅箔の厚みを調整してもよい。
両面銅張積層板30A内で電気的な接続を取るために、レーザにより、穴明け加工を行い、開口34を形成する(図1(B))。上面側銅箔32aにダイレクトにレーザを照射するダイレクト加工により穴明けを行う。レーザにはCO2レーザなどを用いることができる。照射条件としては、パルスエネルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5ms以上、周波数2000〜3000Hz、ショット数が1〜10の範囲内であることが望ましい。それにより、レーザを受ける下面側の銅箔32bまで到達する開口34を有する銅張積層板30Aとなる。
開ロ34を有する鍋張積層板30Aの表裏に導通を得るために、めっきにより、膜を形成させる。めっきは、先ず、無電解めっき膜36を形成し(図1(C))、電解めっきを形成させる。この場合、無電解めっきだけで形成してもよいし、電解めっきだけで形成してもよい。あるいはそれらの複数層による膜を形成させてもよい。必要に応じて、めっき膜38の充填させるフィールド形状にしてもよい(図1(D))。これにより、銅張り基板30Aの表裏の導体層と電気的な接続を確保するのである。
めっき膜を形成後の導体層上に、レジスト層を施す。記線パターン等が描画されたマスクをレジスト層上に載置し、集光・現像を経て、導体層38、銅箔32b上に、レジスト層形成部40とレジスト層非形成部とを形成する(図2(A))。その後、塩化第二鉄等のエッチング液によるエッチング処理工程を経ることで、レジスト層非形成部に該当する導体層が削除される。その後、アルカリ溶液等で、レジスト層を剥離することにより、基板上に配線パターン42a、42b、及び、ビア44を有する両面回路基板30ができる(図2(B))。
配線パターン42a上に、金属ポスト46を形成させる(図2(C))。金属ポスト46の形状は、円柱であることが望ましい。その他の形状として、四角柱、五角形以上の多角形柱などを用いることができる。ポストに用いられる金属層は、銅、ニッケル、金、銀などの導電性を有する金属を用いることができる。電気特性や信頼性という点で、主成分が銅であることが望ましい。金属ポスト46の高さは、5〜50μmであることが望ましい。これで上基板12Uが形成される。
上基板の1〜5工程までと同じである。
6.金属ポスト46に半田層49を形成する(図3(A))。
半田層49の形成には、半田メッキ、印刷、転写法などで行うことができる。半田には、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn/Sb、Sn/Ag/Cuなどが主成分となる金属を用いることができる。半田層の形成の一例として、無電解半田めっきが挙げられる。ポスト以外は、レジストなどにより被覆され、半田層が形成されないようにした後、ポスト上に、Pdなどの触媒を付与する。その後、Sn/Pbが9:1であり、その中に還元剤、錯体が含まれためっき液中に浸漬させる。それにより、ポスト46を被覆するように、半田層49が形成される。半田層の厚みは、5〜15μmであることが望ましい。金属ポスト上に必要量が載置させることが必要である。このとき、上基板と接続する下基板の回路は、下基板と同位置になるように配置されている。この後、接合工程において接合し、回路間で電気接続を行えるようになる。
下基板12LのICチップと接続用パッド42E上に半田バンプ用の半田層61を形成する(図3(B))。半田層61は、印刷等により形成させることが望ましい。その半田バンプ52とlCチップ上に形成された金属バンプとにより、リフローを経てICチップ50のフリップチップ実装を行なう(図3(C))。この後、ICチップ50と下基板12Lの隙間にはアンダーフィル60を充填させる(図3(D))。これにより、ICチップ50が実装された実装基板(下基板12L)を作成する。アンダーフィル60には、熱硬化性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを1種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。
また、フリップチップ実装の代わりに、ワイヤーボンディング実装し、封止させたものでもよい、また、2以上のICチップを実装させてもよいし、コンデンサなどの受動部品を混載させてもよい。
1.下基板と上基板との位置合わせ
下基板12Lの回路(パッド)42Gと上基板12Uの回路(パッド)42Fとを位置合わせを行う。このとき、下基板12Lの半田49が形成されたポスト46に、上基板12Uのポスト46を押し付けるように接合させる(図3(E))。この後、リフローにより、下基板12Lの導体回路(パッド)42Gと上基板12Uの導体回路(パッド)42Fが、ポスト46、46を介して接続をされる。このとき、上基板12Uと下基板12Lとは端面が直線状となっている。ポスト46、46を介して接続された導体回路の接続部(パッド)42G、42Fは、組み合せ基板の端面から、50μmよりも内側にあることが望ましい。50μmよりも内側にあることにより、結果として、接続部の電気接続性と接続信頼性が確保されるのである。接続部の中間部分を軸に上基板12Uと下基板12Lとを見ると、接続部の回路部分が鏡面構造(上下対称構造)となっているのである。
上基板12Uと下基板12Lとの間には、充填樹脂(アンダーフィル)62が充填される(図4(A))。その場合の充填樹脂(アンダーフィル)62の端面も基板に対して、直線状となっていることが望ましい。基板間に充填される樹脂には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを1種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。また、アンダーフィル60と同一の樹脂であってもよいし、異なる樹脂あってもよい。
インターポーザを有する積層体
図12(A)に実施例2の組み合せ基板10の断面図を示す。組み合せ基板10は、上基板12Uと中間体であるインターポーザ12Mと下基板12Lとから成る。上基板12Uには、図12(A)のa矢視図に相当する図14(A)の平面図に示すように、パッケージ基板接続用のパッド42Pのパッド群が、上基板12Uの中央部に配置されている。下基板12Lには同様にプリント配線板に接続するためのパッド42Dのパッド群が形成されている。下基板12Lの上面にはICチップ50が実装されている。下基板12Lには、ビア44を介して下面側の導体回路42bと上面側の導体回路42aとが接続され、ICチップ50と上面側の導体回路42bとは半田バンプ52を介して接続されている。下基板12Lの上面側の導体回路42aのソルダーレジスト48の開口部48aに、上基板接続用のパッド42Gが形成され、下面側の導体回路42bのソルダーレジスト48の開口部48aに、プリント配線板接続用のパッド42Dのパッド群が形成されている。
実施例1における1〜4工程まで同様にして上基板12Uを形成する(図9)。
実施例1における1〜4エ程まで同じである(図10(A))。その後、ICチップ50の実装工程を行うことにより、ICチップ50が実装された下基板12Lを得ることができる(図10(B)、図10(C))。
絶縁材料80を用意する(図11(A))。絶縁材料80を貫通する開口82を形成し(図11(B))、該開口82に導体層84を形成する(図11(C))。導体層84は、スルーホール、ビア、インプラントなどのポストにより形成させるのである。導体層は、Cu、Ni、貴金属などの金属を用いることができる。
両面に銅箔、めっきなどで形成した導体層を有する絶縁基板を用意する。絶縁基板に貫通用の開口をドリルもしくはレーザなどにより設ける。この後、導体層の全面にレジスト層を設け、配線パターンが描画されたマスクを載置する。その後、露光・現像を経て、エッチング処理を経ることにより、インターボーザ用のパターン形成がされる。この後、必要の応じて、ソルダーレジスト層を形成や外形加工(インターポーザの個片加工)を行なってもよい。これにより、インプラント用の開口を有する絶縁基板が準備されることとなる。
1.下基板と上基板の位置合わせ
下基板12Lの回路(パッド)42Gとインターポーザ12Mのポスト86と上基板12Uの回路(パッド)42Fとを位置合わせする(図12(A))。このとき、下基板12Lの回路部分42Gとインターポーザ12Mの導体層86と接触させる。上基板12Uの回路部分42Fとインターポーザ12Mの導体層86と接触させる。それにより、インターポーザ12Mを介して、上基板12Uと下基板12Lが電気接続される。インターポーザの導体層86と各基板の導体層42G、42Fとは導電性接着剤88として、半田などを用いて接続させてもよい。このとき、インターポーザの中心部分を軸に上基板と下基板を見ると、接続部の回路部分が鏡面構造(上下対称構造)となっている。
上基板12Uと下基板12Lとの間に充填樹脂(アンダーフィル)62を充填する(図12(B))。その場合の充填樹脂(アンダーフィル)62の端面も基板に対して、直線状となっていることが望ましい。基板間に充填される樹脂には、熱硬化性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを1種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。また、アンダーフィル60と同一の樹脂であってもよいし、異なる樹脂あってもよい。
なお、樹脂充填の代わりに、図11(G)に示すようにインターポーザ12Mの両面に樹脂90を塗布し、該樹脂90により上基板12Uと下基板12Lとの間を封止することも可能である。
50 ICチップ
60 アンダーフィル
70 パッケージ基板
80 絶縁基板
Claims (11)
- 第1主面と前記第1主面とは反対側の第2主面とを有する下基板と、
前記下基板の第1主面に形成されている接続用パッドと、
前記下基板の第2主面に形成されていて、プリント配線板と接続するための実装用パッドと、
第1主面と前記第1主面とは反対側の第2主面とを有する上基板と、
前記上基板の第1主面に形成されていて、パッケージ基板を搭載するための実装用パッドと、
前記上基板の第2主面または前記下基板の第1主面に形成され電子部品を搭載するための部品搭載用パッドと、
前記上基板の第2主面に形成されていて、前記下基板の接続用パッドと電気的に接続するための接続用パッド、とからなる組み合わせ基板において、
前記下基板の第1主面と前記上基板の第2主面は向かい合っていて、前記下基板と前記上基板との間に、樹脂が充填されている組み合せ基板。 - 前記樹脂は熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなる請求項1の組み合せ基板。
- 前記樹脂はアンダーフィル剤である請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッドは、前記上基板のほぼ全面に形成されている請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッド間の距離は、一定であって規則的に配置されている請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッドは、マトリクス状又は千鳥状に配置されている請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッドは、ランダムに配置されている請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッドは、2個以上のパッケージ基板を実装するためのパッドである請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の実装用パッドは、円形状である請求項1の組み合せ基板。
- 前記上基板の前記第1主面上に受動部品を実装するためのパッドが形成されている請求項1の組み合せ基板。
- 前記下基板の接続用パッドと、前記上基板の接続用パッドとは金属部材を介して接続されている請求項1の組み合せ基板。
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