JP2009147070A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147070A JP2009147070A JP2007322187A JP2007322187A JP2009147070A JP 2009147070 A JP2009147070 A JP 2009147070A JP 2007322187 A JP2007322187 A JP 2007322187A JP 2007322187 A JP2007322187 A JP 2007322187A JP 2009147070 A JP2009147070 A JP 2009147070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- layer
- diffusion
- boron
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 294
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 291
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 291
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 291
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 210
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 102
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 53
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 109
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 71
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 50
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 45
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 44
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 41
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 37
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 and at the same time Chemical compound 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、高濃度p型不純物拡散層および高濃度p型不純物拡散層の形成時に高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとしてシリコン基板の第1の表面またはシリコン基板の第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。
【選択図】図1
Description
本発明者は、ボロン拡散層、ボロンシリサイド層およびボロンシリケートガラス(BSG)層のアルカリ溶液に対する耐性を確認した。具体的には、本発明者は、まず、アルカリ溶液によりn型シリコン基板のダメージ層を除去して表面が平坦になったn型シリコン基板へのボロンの熱拡散を行なった。n型シリコン基板へのボロンの熱拡散は、BBr3(三臭化ホウ素)を用いた気相拡散およびボロン化合物を含んだ溶液を塗布する塗布拡散によりそれぞれ行なった。
図1(a)〜(f)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造方法の一例について説明する。
図2(a)〜(g)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造方法の他の一例について説明する。
図3(a)〜(g)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造方法の他の一例について説明する。
図4(a)〜(g)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造方法の他の一例について説明する。
n型シリコン基板に形成されたボロン拡散層、ボロンシリサイド層およびBSG層のアルカリ溶液に対する耐性を確認した。
上述の実施の形態1に対応して、実施例1の太陽電池を作製した。したがって、本実施例1の太陽電池の作製については、図1(a)〜(f)を参照して以下に説明する。
上述の実施の形態2に対応して、実施例2の太陽電池を作製した。したがって、本実施例2の太陽電池の作製については、図2(a)〜(g)を参照して以下に説明する。
上述の実施の形態3に対応して、実施例3の太陽電池を作製した。したがって、本実施例3の太陽電池の作製については、図3(a)〜(g)を参照して以下に説明する。
上述の実施の形態4に対応して、実施例4の太陽電池を作製した。したがって、本実施例4の太陽電池の作製については、図4(a)〜(g)を参照して以下に説明する。
Claims (7)
- シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、
前記高濃度p型不純物拡散層および前記高濃度p型不純物拡散層の形成時に前記高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとして前記シリコン基板の前記第1の表面または前記シリコン基板の前記第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法。 - 前記高濃度p型不純物拡散層は前記p型不純物として前記シリコン基板の前記第1の表面にボロンを拡散させて形成されたものであり、前記膜はボロンシリサイド層とボロンシリケートガラス層との積層体からなり、前記エッチングは、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングであり、前記高濃度p型不純物拡散層、前記ボロンシリサイド層および前記ボロンシリケートガラス層からなる群から選択される少なくとも1つが前記マスクとなることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記高濃度p型不純物拡散層の表面におけるボロンの濃度が1×1019個/cm3以上であることを特徴とする、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エッチングを前記シリコン基板の前記第2の表面に対して行なうことによって前記シリコン基板の前記第2の表面に反射低減構造を形成することを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エッチング後に、前記高濃度p型不純物拡散層の形成時よりも前記シリコン基板の温度を低くした状態で、前記シリコン基板の前記第1の表面にp型不純物を拡散して前記高濃度p型不純物拡散層よりもp型不純物濃度の低いp型不純物拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記シリコン基板の前記第1の表面は平坦であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記シリコン基板の厚さが200μm以下であることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007322187A JP5277485B2 (ja) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 太陽電池の製造方法 |
PCT/JP2008/072232 WO2009075244A1 (ja) | 2007-12-13 | 2008-12-08 | 太陽電池の製造方法 |
EP08860782A EP2224494A1 (en) | 2007-12-13 | 2008-12-08 | Method for manufacturing solar cell |
US12/746,811 US8257994B2 (en) | 2007-12-13 | 2008-12-08 | Method for manufacturing solar cell by forming a high concentration P-type impurity diffusion layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007322187A JP5277485B2 (ja) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147070A true JP2009147070A (ja) | 2009-07-02 |
JP5277485B2 JP5277485B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=40755485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007322187A Active JP5277485B2 (ja) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8257994B2 (ja) |
EP (1) | EP2224494A1 (ja) |
JP (1) | JP5277485B2 (ja) |
WO (1) | WO2009075244A1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029553A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011096853A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セル及びその製造方法 |
JP2011171486A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2012038852A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2012114935A1 (ja) | 2011-02-21 | 2012-08-30 | 株式会社サンケイエンジニアリング | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2012256801A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Sharp Corp | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
JP2013526049A (ja) * | 2010-04-26 | 2013-06-20 | イーデーエフ・イーエヌアール・ピーダブリュティー | シリコンウェハ上にn+pp+型又はp+nn+型の構造を作製する方法 |
JP2013168605A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
WO2013133006A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2014505376A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-02-27 | ハンファ ケミカル コーポレーション | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2015111709A (ja) * | 2015-01-21 | 2015-06-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JPWO2013133005A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2015-07-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015138920A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2017535975A (ja) * | 2014-11-19 | 2017-11-30 | 上海神舟新能源▲発▼展有限公司 | 高効率n型両面太陽電池 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008052660A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-03-04 | Gp Solar Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung |
US8168462B2 (en) * | 2009-06-05 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Passivation process for solar cell fabrication |
GB2486626B (en) * | 2009-10-20 | 2012-09-26 | Solar Group Pl Sp Z O O | A solar cell and a method for manufacturing of a solar cell |
US20130000705A1 (en) * | 2009-12-16 | 2013-01-03 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem, Ltd. | Photovoltaic device and method of its fabrication |
EP2398071B1 (en) * | 2010-06-17 | 2013-01-16 | Imec | Method for forming a doped region in a semiconductor layer of a substrate and use of such method |
WO2012024676A2 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | First Solar, Inc. | Anti-reflective photovoltaic module |
JP5595850B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-09-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
CN102487103B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-07-09 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
TWI407576B (zh) * | 2010-12-22 | 2013-09-01 | Big Sun Energy Tech Inc | 具有差異性摻雜之太陽能電池的製造方法 |
TWI424584B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | Au Optronics Corp | 製作太陽能電池之方法 |
US20130180577A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JP2013165160A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
KR101977927B1 (ko) | 2012-07-11 | 2019-05-13 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 광전소자 및 그 제조방법 |
JP6071318B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | 光学部材および光学部材の製造方法 |
JP6246744B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2017-12-20 | パナソニックプロダクションエンジニアリング株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
WO2014174613A1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP6279878B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-02-14 | 東京応化工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
CN103811591B (zh) * | 2014-02-27 | 2016-10-05 | 友达光电股份有限公司 | 背接触式太阳能电池的制作方法 |
CN107394009B (zh) * | 2017-08-02 | 2019-04-19 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法 |
CN109301031B (zh) * | 2018-09-12 | 2021-08-31 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | N型双面电池的制作方法 |
CN111081786B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-09-29 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种平面串联耐高压二极管及其制备方法 |
CN111509057A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种n型电池及其制备方法 |
CN111463322A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种p型双面电池及其制备方法 |
CN111463323A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种p型选择性掺杂方法 |
CN111584666A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-25 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新的p型晶硅电池结构及其制备工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197932A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP2005223080A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2007049079A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Sharp Corp | マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02123769A (ja) | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法 |
US7468485B1 (en) * | 2005-08-11 | 2008-12-23 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell with doped polysilicon regions |
WO2007020833A1 (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法 |
US20100108134A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Crystal Solar, Inc. | Thin two sided single crystal solar cell and manufacturing process thereof |
-
2007
- 2007-12-13 JP JP2007322187A patent/JP5277485B2/ja active Active
-
2008
- 2008-12-08 US US12/746,811 patent/US8257994B2/en active Active
- 2008-12-08 EP EP08860782A patent/EP2224494A1/en not_active Withdrawn
- 2008-12-08 WO PCT/JP2008/072232 patent/WO2009075244A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197932A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP2005223080A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2007049079A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Sharp Corp | マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029553A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011096853A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セル及びその製造方法 |
JP2011171486A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ |
KR101777277B1 (ko) * | 2010-04-26 | 2017-09-11 | 에데에프 으네에르 페드불베떼 | 실리콘 웨이퍼들 상에 n+pp+ 또는 p+nn+ 구조를 준비하는 방법 |
JP2013526049A (ja) * | 2010-04-26 | 2013-06-20 | イーデーエフ・イーエヌアール・ピーダブリュティー | シリコンウェハ上にn+pp+型又はp+nn+型の構造を作製する方法 |
JP2012038852A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2012114935A1 (ja) | 2011-02-21 | 2012-08-30 | 株式会社サンケイエンジニアリング | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2014505376A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-02-27 | ハンファ ケミカル コーポレーション | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2012256801A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Sharp Corp | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
JP2013168605A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
WO2013133006A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JPWO2013133006A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2015-07-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JPWO2013133005A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2015-07-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9419168B2 (en) | 2012-03-08 | 2016-08-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing a solar cell by texturing a principal surface using an alkaline solution |
JP2015138920A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2017535975A (ja) * | 2014-11-19 | 2017-11-30 | 上海神舟新能源▲発▼展有限公司 | 高効率n型両面太陽電池 |
JP2015111709A (ja) * | 2015-01-21 | 2015-06-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100267187A1 (en) | 2010-10-21 |
WO2009075244A1 (ja) | 2009-06-18 |
EP2224494A1 (en) | 2010-09-01 |
JP5277485B2 (ja) | 2013-08-28 |
US8257994B2 (en) | 2012-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5277485B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5236914B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5490231B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
JP2008010746A (ja) | 太陽電池、および太陽電池の製造方法 | |
JP2009295715A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
CN103858239A (zh) | 全背接触太阳能电池和制造方法 | |
JP2012023228A (ja) | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 | |
JP2007266262A (ja) | インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 | |
JPWO2014123060A1 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
US9685581B2 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
JP2013516081A (ja) | 裏面電極型の太陽電池の製造方法 | |
JP2008034543A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP2007299844A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP2010161310A (ja) | 裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
WO2016068237A1 (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2012176839A1 (ja) | 裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
KR101165915B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
WO2014092649A1 (en) | A method of manufacturing a photovoltaic cell | |
JP6426486B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JPH11284212A (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
JP2010080576A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP5627194B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6494414B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP2004281569A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP6392717B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5277485 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |