JP2015138920A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015138920A JP2015138920A JP2014010883A JP2014010883A JP2015138920A JP 2015138920 A JP2015138920 A JP 2015138920A JP 2014010883 A JP2014010883 A JP 2014010883A JP 2014010883 A JP2014010883 A JP 2014010883A JP 2015138920 A JP2015138920 A JP 2015138920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- concentration layer
- light
- receiving surface
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1実施形態に係る太陽電池の製造方法の一例を、図3を参照しつつ以下に述べる。ただし、本発明は本実施形態の方法で作製された太陽電池に限定されるものではない。
上記の第1実施形態では、n型シリコン基板を用いた場合の太陽電池の製造方法の一例を説明したが、本発明はp型シリコン基板を用いた太陽電池の製造方法に適用することもできる。
基板厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、リンドープ<100>n型アズカットシリコン基板に、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。
実施例1に対し、熱酸化工程において1100℃、60分間のドライ酸化を行った。この結果、各部表面の酸化膜厚は、第1高濃度層および第2高濃度層で約205nm、非受光面の非拡散領域で約153nmであった。続いて実施例1と同様の工程を経て、太陽電池を作製した。
実施例1と同様の、テクスチャ形成後基板を用意し、スピンエッチング装置を用いて、フッ硝酸により非受光面のテクスチャをエッチング除去した。続いて実施例1と同様の工程を経て、太陽電池を作製した。
基板厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、ホウ素ドープ<100>p型アズカットシリコン基板に、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。
実施例3に対し、熱酸化工程において1100℃、60分間のドライ酸化を行った。この結果、各部表面の酸化膜厚は、第1高濃度層および第2高濃度層で約194nm、非受光面の非拡散領域で約145nmであった。続いて実施例3と同様の工程を経て、太陽電池を作製した。
実施例3と同様の、テクスチャ形成後基板を用意し、スピンエッチング装置を用いて、フッ硝酸により非受光面のテクスチャをエッチング除去した。続いて実施例3と同様の工程を経て、太陽電池を作製した。
102、202、302・・・テクスチャ
103、203、303・・・第1高濃度層
104、204・・・保護膜
105、205・・・電極
106、206、304・・・第2高濃度層
107・・・電極
207・・・保護膜
208・・・電極
305・・・酸化膜
306・・・保護膜
307・・・電極
308・・・電極
Claims (9)
- 結晶シリコン基板の少なくとも非受光面の一部に、凹凸構造を形成する工程と、
前記基板の受光面の少なくとも一部に添加不純物濃度が前記基板の添加不純物濃度より高く、かつ前記基板と異なる導電型を有する第1高濃度層を形成する工程と、
前記基板の非受光面に添加不純物濃度が前記基板の添加不純物濃度より高く、かつ前記基板と同じ導電型を有する第2高濃度層を局所的に形成する工程と、
前記基板を熱酸化する工程と、
前記熱酸化する工程で形成された酸化膜をエッチングし、非受光面の前記第2高濃度層が形成された領域以外の少なくとも一部の領域において前記基板のシリコン表面を露出させる工程と、
前記基板に入射した光により励起された電荷を外部に取り出す集電極を、前記第1高濃度層上および前記第2高濃度層上に形成する工程と、
前記基板の非受光面において前記第1高濃度層および前記第2高濃度層が形成された領域以外の領域における前記凹凸構造の少なくとも一部を平滑化する工程と
を備える太陽電池の製造方法。 - 前記熱酸化する工程は、前記第1高濃度層および前記第2高濃度層の上に、前記第1高濃度層および前記第2高濃度層が形成された領域以外の領域上よりも酸化膜を厚く形成することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記露出させる工程は、前記第1高濃度層および前記第2高濃度層が形成された領域以外の領域に形成された酸化膜を酸溶液中で選択的に除去することを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記熱酸化する工程は、前記非受光面の前記第2高濃度層が形成された領域に膜厚が20nm以上200nm以下の酸化膜を形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記平滑化する工程が、露出したシリコンをアルカリ溶液でエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記アルカリ溶液は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれか又はこれらの組合せから選択されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2高濃度層を形成する工程は、前記第2高濃度層を前記電極が形成される領域にパターン形成する工程を含むこと特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2高濃度層を形成する工程が、ホウ素を前記基板に添加する工程を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2高濃度層を形成する工程が、リンを前記基板に添加する工程を含み、且つ、前記熱酸化する工程が800℃以上950℃以下の熱処理を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014010883A JP6114205B2 (ja) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014010883A JP6114205B2 (ja) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015138920A true JP2015138920A (ja) | 2015-07-30 |
JP6114205B2 JP6114205B2 (ja) | 2017-04-12 |
Family
ID=53769711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014010883A Active JP6114205B2 (ja) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6114205B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050402A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 |
JP2018120979A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147070A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2011009247A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法及び湿式エッチング装置 |
JP2012054457A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | PVG Solutions株式会社 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
US20120090673A1 (en) * | 2010-10-19 | 2012-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming solar cell with selective emitters |
WO2013125036A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法、光起電力モジュール |
JP2013187287A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
WO2013161373A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-01-24 JP JP2014010883A patent/JP6114205B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147070A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2011009247A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法及び湿式エッチング装置 |
JP2012054457A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | PVG Solutions株式会社 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
US20120090673A1 (en) * | 2010-10-19 | 2012-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming solar cell with selective emitters |
WO2013125036A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法、光起電力モジュール |
JP2013187287A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
WO2013161373A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050402A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 |
JP2018120979A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6114205B2 (ja) | 2017-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2650926B1 (en) | Solar cell and method of making a solar cell | |
TWI641155B (zh) | 太陽電池之製造方法及製膜裝置 | |
JP6258576B2 (ja) | 光電素子の製造方法 | |
JP5991945B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
JP5490231B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
JP5478726B2 (ja) | シリコンの表面処理 | |
TWI649883B (zh) | Solar battery unit and method of manufacturing solar battery unit | |
CN102959717A (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
JP5338702B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2010171263A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
KR20130092494A (ko) | 태양 전지의 제조 방법 및 태양 전지 | |
Singh et al. | Fabrication of c-Si solar cells using boric acid as a spin-on dopant for back surface field | |
JP6426486B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
TWI650872B (zh) | 太陽能電池及其製造方法、太陽能電池模組及太陽能電池發電系統 | |
JP6114205B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5623131B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール | |
JP2005136081A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2006024757A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JP4646584B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5316491B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5516611B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
JP5494511B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6741626B2 (ja) | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 | |
JP5994895B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5848417B1 (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6114205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |