JP2009122714A - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の第1信号線のうちの一つと複数の第2信号線のうちのいずれか一つに連結されている第1薄膜トランジスタと、一対の第1信号線のうちの他の一つと複数の第2信号線のうちのいずれか一つに連結されている第2薄膜トランジスタと、第1薄膜トランジスタに連結されている第1画素電極と、第2薄膜トランジスタに連結されている第2画素電極と、第2絶縁基板上に形成されている共通電極と、第1基板と前記第2基板との間に注入されている液晶物質層と、第1画素電極と前記第2画素電極とを複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段とを含み、ドメイン分割手段は第1画素電極と第2画素電極とを各々第1方向ドメインと第2方向ドメインとに分割し、第1画素電極と第2画素電極とは互いにキャパシタを通じて電気的に連結される。
【選択図】図1
Description
具体的には、一つの画素領域が複数の小ドメインに分割されていて、各小ドメインはその内部に含まれている液晶分子が駆動電界印加時に傾く平均方向によって第1方向ドメインとこれに交叉する方向を有する第2方向ドメインに分類される液晶表示装置において、前記第1方向ドメイン内部の駆動電界は前記第2方向ドメイン内部の駆動電界に比べて弱い液晶表示装置を用意する。
T=(Clcb+Cstb−Cpp)/(Clcb+Cstb+Cpp)
で定義されるTが0.65から0.95の間の値を有するのが好ましい。
他の構成としては、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上に第1方向に形成されている第1信号線と、前記第1絶縁基板上に第2方向に形成されていて前記第1信号線と絶縁されて交差している第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線に連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに連結されている画素電極と、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成されている共通電極と、前記画素電極と前記共通電極のうちの少なくともいずれか一つの上に形成されている誘電体層と、前記第1基板と前記第2基板との間に注入されている液晶物質層と、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板のうちの少なくともいずれか一つの基板上に形成されていて前記画素電極を複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段とを含み、前記ドメイン分割手段は前記画素電極を各々第1方向ドメインと第2方向ドメインに分割しており、前記誘電体層は前記液晶物質よりも小さい誘電率を有すると共に前記第1方向ドメインが位置する部分に形成されている液晶表示装置がある。
図1は、本発明の第1実施例による液晶表示装置の配置図であり、図2は図1のII-II’線による断面図である。
ガラスなどからなる透明な基板100上にクロム/酸化クロム二重層からなるブラックマトリックス200が形成されていて画素領域を定義している。各画素領域には色フィルター300が形成されており、色フィルター300上には透明な導電体からなる共通電極400が基板100全面に形成されている。共通電極400には切除パターン510、520、530が形成されている。この時、切除パターン510、520、530は第1乃至第3切除部510、520、530からなっている。第1切除部510は画素領域の下半部を左右に2分しており、第2切除部520と第3切除部530は画素領域の上半部を上下に3分している。各切除部510、520、530の両端部はしだいに拡張されて二等辺三角形模様をなしており、これら各切除部510、520、530は互いに分離されている。
以下、本発明の第1実施例による液晶表示装置について図1を参照しながら説明する。
図3は、テスト用セルの正面と側面60゜でのガンマ曲線を示すグラフである。
R:G:B=73:50:10=55%:37%:8%
であるのに対し、側面60゜から見れば、赤、緑、青の比率が
R:G:B=75:66:41=41%:36%:23%
になって、正面に比べて青色の比率が3倍以上高まって正面でとは全く異なる色に見える。
図4を見れば、低い階調でVT曲線が左側に移動する現象が上側や下側で顕著に現れ、左側と右側では低い階調で正面とほとんど同じ曲線を描いて上昇しており、左下側と右下側では初期に階調反転が発生して再びVTが右側に移動して上昇曲線を描くことが分かる。結局、低い階調でガンマ曲線が上側に歪曲される現象は液晶セルを観測する方向と電界印加によって液晶分子が傾く方向が同様な場合(液晶分子の頭側または尻側で見る場合)に激しく現れ、液晶セルを観測する方向と電界印加によって液晶分子が傾く方向が垂直をなす場合には少なく現れる。したがって、左右側面での視認性基準の視野角に悪影響を及ぼす要素としては左右ドメインのガンマ曲線歪曲が重要であって、上下側面での視認性基準の視野角に悪影響を及ぼす要素としては上下ドメインのガンマ曲線歪曲が重要である。しかし、液晶表示装置を使用する観点から見る時、左右側面での視野角が上下側面での視野角に比べて重要である。したがって、本発明では左右側面視認性に悪影響を及ぼす左右ドメインのガンマ曲線歪曲を補償する方案として、左右ドメイン内の電界強さを上下ドメイン内に比べて弱くする。これについてさらに詳しく見てみる。
第3実施例による液晶表示装置は画素電極の第1小部分91にスリットが形成されないで、共通電極400上の第1小部分91に対応する部分に誘電体層600が形成されているという点が異なるだけであって、他は第1実施例による液晶表示装置と同一である。
まず、薄膜トランジスタ基板について説明する。
ゲート配線20、21は横方向にのびているゲート線20を含み、ゲート線20の一部は図の上下方向に枝状に突出してゲート電極21を構成する。
ゲート配線20、21と保持容量線30とはゲート絶縁膜40で覆われており、ゲート絶縁膜40上には非晶質シリコンからなる半導体層50が形成されている。半導体層50はゲート電極21と重複して薄膜トランジスタのチャンネル部を形成する。半導体層50上にはリンなどのN形不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンからなる抵抗性接触層61、62、63が形成されている。
次に、色フィルター基板について説明する。
このような薄膜トランジスタ基板に対向して共通電極基板が所定の間隔をおいて配置されており、薄膜トランジスタ基板と共通電極基板との間には液晶物質が注入されている。この時、液晶物質は基板に対して垂直配向されている。この他、色フィルター基板上には二軸性(biaxial)フィルムなどの補償フィルムが付着されており、二つの偏光板が薄膜トランジスタ基板と共通電極基板の外側に配置されている。
まず、図12を参考として、一つの画素領域内に配置されている二つの画素電極[P(n)−a、P(n)−b]の電位{V[P(n)−a]、V[P(n)−b]}}の間の関係を導出する。
本発明の第5実施例による液晶表示装置について説明する。
前記では本発明の最も実際的で好ましい実施例を参照して説明したが、本発明は前記に開示された実施例に限られるわけではない。本発明の範囲は特許請求範囲内に属する様々な変形及びなど等価物も含む。
20 ゲート線
21 ゲート電極
30 保持容量線
31〜34 第1〜第4維持電極
40 ゲート絶縁膜
50 半導体層
70 データ線
71 ソース電極
72 ドレーン電極
80 保護膜
90 画素電極
91 上下ドメイン用の電極
92 左右ドメイン用の電極
100 色フィルター基板
200 ブラックマトリックス
300 色フィルター
400 共通電極
500 台切除パターン
600 低誘電率誘電体
Claims (1)
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に第1方向に形成されており、対をなしている複数の第1信号線と、
前記第1絶縁基板上に第2方向に形成されており、前記第1信号線と絶縁されて交差している複数の第2信号線と、
前記一対の第1信号線のうちの一つと前記複数の第2信号線のうちのいずれか一つに連結されている第1薄膜トランジスタと、
前記一対の第1信号線のうちの他の一つと前記複数の第2信号線のうちのいずれか一つに連結されている第2薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタに連結されている第1画素電極と、
前記第2薄膜トランジスタに連結されている第2画素電極と、
前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成されている共通電極と、
前記第1基板と前記第2基板との間に注入されている液晶物質層と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板のうちの少なくともいずいれか一つの基板上に形成されており、前記第1画素電極と前記第2画素電極とを複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段とを含み、
前記ドメイン分割手段は前記第1画素電極と前記第2画素電極とを各々第1方向ドメインと第2方向ドメインとに分割し、前記第1画素電極と前記第2画素電極とは互いにキャパシタを通じて電気的に連結され、
前記液晶物質層に含まれている液晶分子は駆動電界が印加されない状態で前記第1及び第2絶縁基板に対して垂直に配向されている、液晶表示装置。
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