JPH0545636A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH0545636A JPH0545636A JP20073791A JP20073791A JPH0545636A JP H0545636 A JPH0545636 A JP H0545636A JP 20073791 A JP20073791 A JP 20073791A JP 20073791 A JP20073791 A JP 20073791A JP H0545636 A JPH0545636 A JP H0545636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- dielectric layer
- pixel
- thin film
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い視角と多階調表示を同時に実現する液晶
表示素子を提供する。 【構成】 電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持して
なる液晶表示素子において、画素電極上に誘電体層を選
択的に形成し、一画素内の複数の領域にそれぞれ異なる
電圧を印加することにより、視角による電気光学特性の
ずれを小さくすることができ、従来液晶表示素子では困
難であった広い視角と多階調表示の同時実現を可能にす
る。
表示素子を提供する。 【構成】 電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持して
なる液晶表示素子において、画素電極上に誘電体層を選
択的に形成し、一画素内の複数の領域にそれぞれ異なる
電圧を印加することにより、視角による電気光学特性の
ずれを小さくすることができ、従来液晶表示素子では困
難であった広い視角と多階調表示の同時実現を可能にす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子はＣＲＴディスプレ
イの代替としての応用がさかんに行われている。ノート
パソコンに代表されるＯＡ機器の軽薄短小化により、そ
の表示用デバイスとして採用されている液晶表示素子に
は、複雑なグラフィック表示を可能にするための高い階
調表示能力が要求される。従来の方法での階調表示は、
マルチレベル・ドライバを用いた場合、図７に表したよ
うに、液晶表示素子に用いた液晶の電気光学的曲線３４
（電圧−透過率特性）に基づいて行われており、オフ電
圧Ｖ0とオン電圧Ｖsの間で、必要とする階調レベルに対
応する電圧を目的の画素に印加して得ていた。２値レベ
ル・ドライバを用いた場合には、フレーム単位ごとに表
示のオン／オフを行い、その点灯回数により階調表示を
行うフレーム階調法や、複数の画素を組み合わせて１単
位として、点灯する画素の数をコントロールして階調表
示する面積階調法により得ていた。
イの代替としての応用がさかんに行われている。ノート
パソコンに代表されるＯＡ機器の軽薄短小化により、そ
の表示用デバイスとして採用されている液晶表示素子に
は、複雑なグラフィック表示を可能にするための高い階
調表示能力が要求される。従来の方法での階調表示は、
マルチレベル・ドライバを用いた場合、図７に表したよ
うに、液晶表示素子に用いた液晶の電気光学的曲線３４
（電圧−透過率特性）に基づいて行われており、オフ電
圧Ｖ0とオン電圧Ｖsの間で、必要とする階調レベルに対
応する電圧を目的の画素に印加して得ていた。２値レベ
ル・ドライバを用いた場合には、フレーム単位ごとに表
示のオン／オフを行い、その点灯回数により階調表示を
行うフレーム階調法や、複数の画素を組み合わせて１単
位として、点灯する画素の数をコントロールして階調表
示する面積階調法により得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】パソコン用ディスプレ
イ、とりわけラップトップパソコンやノートパソコンの
ように、画面の観察者が、ほとんどその正面に位置する
オペレーター一人に限定されるような場合には視角の狭
さはそれほど問題となることはないが、一般に液晶表示
素子を用いたディスプレイには、広い視角と階調表示が
要求される場合が多い。しかし従来の液晶表示素子は、
良好な視角特性と多階調表示を同時に実現することが困
難であり、ＣＲＴディスプレイの代替としての条件を十
分に満たしているとは言い難い。特に壁掛けＴＶなどへ
の応用においては、フルカラーを実現するための多階調
表示と、複数の画面観察者に対応するための広視野角の
両立が大きな技術的課題となる。
イ、とりわけラップトップパソコンやノートパソコンの
ように、画面の観察者が、ほとんどその正面に位置する
オペレーター一人に限定されるような場合には視角の狭
さはそれほど問題となることはないが、一般に液晶表示
素子を用いたディスプレイには、広い視角と階調表示が
要求される場合が多い。しかし従来の液晶表示素子は、
良好な視角特性と多階調表示を同時に実現することが困
難であり、ＣＲＴディスプレイの代替としての条件を十
分に満たしているとは言い難い。特に壁掛けＴＶなどへ
の応用においては、フルカラーを実現するための多階調
表示と、複数の画面観察者に対応するための広視野角の
両立が大きな技術的課題となる。
【０００４】図８は、画素に電圧を印加していったとき
の光の透過率の変化を示したものである。同じ画素につ
いて、３５は画面に垂直な方向から見たとき、３６は垂
直な方向から３０゜だけずれた方向から見たときの光学
応答曲線であり、Ｔn1とＴa1、Ｔn2とＴa2は、ある任意
の電圧Ｖ1、あるいはＶ2が印加されたときのそれぞれの
方向での光の透過率である。このように同じ画素を見た
としても、ある任意の電圧Ｖ1が印加されたときの階調
レベルは見る角度により異なってしまう。また電圧Ｖ2
が印加された場合では、画面に垂直な方向で表示しよう
とする階調レベルは、Ｔn2の透過率に対応するものであ
るはずが、３０゜の方向では透過率がＴa2となり、階調
の反転が生じてしまうという欠点があげられた。
の光の透過率の変化を示したものである。同じ画素につ
いて、３５は画面に垂直な方向から見たとき、３６は垂
直な方向から３０゜だけずれた方向から見たときの光学
応答曲線であり、Ｔn1とＴa1、Ｔn2とＴa2は、ある任意
の電圧Ｖ1、あるいはＶ2が印加されたときのそれぞれの
方向での光の透過率である。このように同じ画素を見た
としても、ある任意の電圧Ｖ1が印加されたときの階調
レベルは見る角度により異なってしまう。また電圧Ｖ2
が印加された場合では、画面に垂直な方向で表示しよう
とする階調レベルは、Ｔn2の透過率に対応するものであ
るはずが、３０゜の方向では透過率がＴa2となり、階調
の反転が生じてしまうという欠点があげられた。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するもの
で、その目的とするところは、同一画素内に異なる電圧
を印加する手段を設けることにより、広い視野角と正確
な多階調表示を同時に実現する液晶表示素子を提供する
ところにある。
で、その目的とするところは、同一画素内に異なる電圧
を印加する手段を設けることにより、広い視野角と正確
な多階調表示を同時に実現する液晶表示素子を提供する
ところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持してなる液
晶表示素子において、該基板の少なくとも一方に、一画
素内の複数の領域にそれぞれ異なる電圧を印加する手段
を有することを特徴とする。
は、電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持してなる液
晶表示素子において、該基板の少なくとも一方に、一画
素内の複数の領域にそれぞれ異なる電圧を印加する手段
を有することを特徴とする。
【０００７】また、前記液晶表示素子において、平坦な
画素電極上に誘電体層を選択的に形成したことを特徴と
する。
画素電極上に誘電体層を選択的に形成したことを特徴と
する。
【０００８】また、前記液晶表示素子において、微細な
凹凸を有する画素電極上に平坦な誘電体層を形成したこ
とを特徴とする。
凹凸を有する画素電極上に平坦な誘電体層を形成したこ
とを特徴とする。
【０００９】
（実施例１）図１は、本発明の実施例１における液晶表
示素子の断面図である。図中１は液晶層、２は液晶セル
の上基板、３は下基板、４は透明電極、そして５はＳｉ
Ｏ2薄膜誘電体層である。また、ここでは省略したが、
液晶セルは一対の偏光板によって挟まれ、液晶が９０゜
ねじれたツイステッドネマチック（ＴＮ）モードを成し
ている。ＳｉＯ2薄膜誘電体層５は透明電極４の上面に
ａ）スパッタリング法、ｂ）蒸着法、ｃ）印刷法などに
より作成されるものである。以上の工程により作成され
た画素電極は、透明電極の露出している部分と薄膜誘電
体層におおわれている部分が存在することにより、１画
素内に電圧の分布を持つこととなる。
示素子の断面図である。図中１は液晶層、２は液晶セル
の上基板、３は下基板、４は透明電極、そして５はＳｉ
Ｏ2薄膜誘電体層である。また、ここでは省略したが、
液晶セルは一対の偏光板によって挟まれ、液晶が９０゜
ねじれたツイステッドネマチック（ＴＮ）モードを成し
ている。ＳｉＯ2薄膜誘電体層５は透明電極４の上面に
ａ）スパッタリング法、ｂ）蒸着法、ｃ）印刷法などに
より作成されるものである。以上の工程により作成され
た画素電極は、透明電極の露出している部分と薄膜誘電
体層におおわれている部分が存在することにより、１画
素内に電圧の分布を持つこととなる。
【００１０】図２は、実施例１における液晶表示素子の
画素部の等価回路を表している。ここで６は画素中の透
明電極の露出している部分の容量、７は画素中の薄膜誘
電体層におおわれている部分の容量、８、９はそれぞれ
画素中の透明電極部及び薄膜誘電体層におおわれている
部分の蓄電容量を表している。また１０は薄膜誘電体層
部の容量を表す。画素中の薄膜誘電体層におおわれてい
る部分の面積、および薄膜誘電体層部の容量をコントロ
ールすることにより、従来の視角と階調の問題を改善す
ることができる。ここでは、画素面積６×１０-4cm2、
画素中の透明電極露出部と薄膜誘電体層におおわれてい
る部分との面積比１：１、薄膜誘電体層厚２０００Åと
した場合を示す。
画素部の等価回路を表している。ここで６は画素中の透
明電極の露出している部分の容量、７は画素中の薄膜誘
電体層におおわれている部分の容量、８、９はそれぞれ
画素中の透明電極部及び薄膜誘電体層におおわれている
部分の蓄電容量を表している。また１０は薄膜誘電体層
部の容量を表す。画素中の薄膜誘電体層におおわれてい
る部分の面積、および薄膜誘電体層部の容量をコントロ
ールすることにより、従来の視角と階調の問題を改善す
ることができる。ここでは、画素面積６×１０-4cm2、
画素中の透明電極露出部と薄膜誘電体層におおわれてい
る部分との面積比１：１、薄膜誘電体層厚２０００Åと
した場合を示す。
【００１１】図３は、実施例１における上記条件に基づ
く液晶表示素子の視角による電気光学的特性の変化を示
す図である。図３（ａ）は画面に垂直な方向での電気光
学的応答曲線を示している。図中１１は透明電極露出部
の電気光学的応答曲線、１２は薄膜誘電体層におおわれ
ている部分の電気光学的応答曲線、そして１３はそれら
の平均、即ち１画素全体の電気光学的応答曲線である。
また図３（ｂ）は画面に垂直な方向から３０゜だけずれ
た方向での電気光学的応答曲線を示している。図中１４
は透明電極露出部の電気光学的応答曲線、１５は薄膜誘
電体層におおわれている部分の電気光学的応答曲線、そ
して１６はそれらの平均、即ち１画素全体の電気光学的
応答曲線である。
く液晶表示素子の視角による電気光学的特性の変化を示
す図である。図３（ａ）は画面に垂直な方向での電気光
学的応答曲線を示している。図中１１は透明電極露出部
の電気光学的応答曲線、１２は薄膜誘電体層におおわれ
ている部分の電気光学的応答曲線、そして１３はそれら
の平均、即ち１画素全体の電気光学的応答曲線である。
また図３（ｂ）は画面に垂直な方向から３０゜だけずれ
た方向での電気光学的応答曲線を示している。図中１４
は透明電極露出部の電気光学的応答曲線、１５は薄膜誘
電体層におおわれている部分の電気光学的応答曲線、そ
して１６はそれらの平均、即ち１画素全体の電気光学的
応答曲線である。
【００１２】図４は実施例１における前記図３に示した
液晶表示素子の電気光学的特性の視角による変化の比較
を示す図である。図中１７は画面に垂直な方向から見た
ときの電気光学的応答曲線、１８は画面に垂直な方向か
ら３０゜だけずれた方向から見たときの電気光学的応答
曲線を示している。この電気光学的応答曲線はなめらか
であり、画素の階調をコントロールする電圧レンジが広
くとれ、表示レベル・ドライバに要求される電圧コント
ロール精度を緩和することができる。同時に、ある電圧
Ｖ1を画素に印加したとき、画面に垂直な方向からある
角度だけずれた方向での階調レベルＴa1と画面に垂直な
方向における階調レベルＴn1との差も大きく減少してい
る。さらに、従来の方法においては階調レベルの反転が
生じるという問題点があげられたが、画素に電圧Ｖ2を
印加したときの画面に垂直な方向から見たときの階調レ
ベルＴn2と画面に垂直な方向からある角度だけずれた方
向から見たときの階調レベルＴa2との間に階調の反転は
みられない。
液晶表示素子の電気光学的特性の視角による変化の比較
を示す図である。図中１７は画面に垂直な方向から見た
ときの電気光学的応答曲線、１８は画面に垂直な方向か
ら３０゜だけずれた方向から見たときの電気光学的応答
曲線を示している。この電気光学的応答曲線はなめらか
であり、画素の階調をコントロールする電圧レンジが広
くとれ、表示レベル・ドライバに要求される電圧コント
ロール精度を緩和することができる。同時に、ある電圧
Ｖ1を画素に印加したとき、画面に垂直な方向からある
角度だけずれた方向での階調レベルＴa1と画面に垂直な
方向における階調レベルＴn1との差も大きく減少してい
る。さらに、従来の方法においては階調レベルの反転が
生じるという問題点があげられたが、画素に電圧Ｖ2を
印加したときの画面に垂直な方向から見たときの階調レ
ベルＴn2と画面に垂直な方向からある角度だけずれた方
向から見たときの階調レベルＴa2との間に階調の反転は
みられない。
【００１３】（実施例２）図５は、本発明の実施例２に
おける液晶表示素子の断面図である。図中１９は液晶セ
ルの上基板、２０は下基板、２１は透明電極である。ま
た、画素電極上にはポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分２２と、ポリイミド薄膜誘電体層に厚く
おおわれている部分２３とが存在する。図６は、実施例
２における画素電極部の製造工程の流れを示したもので
ある。下基板２４の電極面側に微細な凹凸を多数作成す
る工程３０により作成された下基板２５上に、透明電極
を形成する工程３１により透明電極２６が形成される。
さらにその上面にポリイミド薄膜誘電体層を選択的に形
成する工程３２により薄膜誘電体層２７におおわれた画
素電極を、ａ）研磨、ｂ）プレスなどにより平坦にする
工程３３により作成された画素電極は、薄膜誘電体層に
薄くおおわれている部分２８と、薄膜誘電体層に厚くお
おわれている部分２９とが存在することにより、１画素
内に電圧の分布を持つこととなる。このことにより、実
施例１と同様に広い視野角と階調表示を同時に実現する
ことができる。さらにこの場合、薄膜誘電体層の占める
面積が画素電極全体にわたって均等に分散していること
により、１画素内の電圧の分布は一部に局在することが
ない。そのうえ工程３３により、画素電極が平坦となっ
ているために、画素内の薄膜誘電体層に薄くおおわれて
いる部分と薄膜誘電体層に厚くおおわれている部分とで
セルギャップｄが異なることがなく、液晶の複屈折率Δ
ｎとセルギャップｄの積であるリターデーションΔｎ×
ｄに変化が起こらない。従って、本発明はスーパーツイ
ステッドネマチック（ＳＴＮ）モード等、リターデーシ
ョンによって特性が大きく変化するような液晶モードに
も応用することができる。
おける液晶表示素子の断面図である。図中１９は液晶セ
ルの上基板、２０は下基板、２１は透明電極である。ま
た、画素電極上にはポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分２２と、ポリイミド薄膜誘電体層に厚く
おおわれている部分２３とが存在する。図６は、実施例
２における画素電極部の製造工程の流れを示したもので
ある。下基板２４の電極面側に微細な凹凸を多数作成す
る工程３０により作成された下基板２５上に、透明電極
を形成する工程３１により透明電極２６が形成される。
さらにその上面にポリイミド薄膜誘電体層を選択的に形
成する工程３２により薄膜誘電体層２７におおわれた画
素電極を、ａ）研磨、ｂ）プレスなどにより平坦にする
工程３３により作成された画素電極は、薄膜誘電体層に
薄くおおわれている部分２８と、薄膜誘電体層に厚くお
おわれている部分２９とが存在することにより、１画素
内に電圧の分布を持つこととなる。このことにより、実
施例１と同様に広い視野角と階調表示を同時に実現する
ことができる。さらにこの場合、薄膜誘電体層の占める
面積が画素電極全体にわたって均等に分散していること
により、１画素内の電圧の分布は一部に局在することが
ない。そのうえ工程３３により、画素電極が平坦となっ
ているために、画素内の薄膜誘電体層に薄くおおわれて
いる部分と薄膜誘電体層に厚くおおわれている部分とで
セルギャップｄが異なることがなく、液晶の複屈折率Δ
ｎとセルギャップｄの積であるリターデーションΔｎ×
ｄに変化が起こらない。従って、本発明はスーパーツイ
ステッドネマチック（ＳＴＮ）モード等、リターデーシ
ョンによって特性が大きく変化するような液晶モードに
も応用することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、同一
画素内の複数の領域にそれぞれ異なる電圧を印加する手
段を有する画素電極を用いることにより、広い視野角と
正確な多階調表示を同時に実現する液晶表示素子を提供
することができる。
画素内の複数の領域にそれぞれ異なる電圧を印加する手
段を有する画素電極を用いることにより、広い視野角と
正確な多階調表示を同時に実現する液晶表示素子を提供
することができる。
【図１】本発明の実施例１における液晶表示素子の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１における液晶表示素子の画素
部の等価回路を示す図である。
部の等価回路を示す図である。
【図３】本発明の実施例１における液晶表示素子の電気
光学的特性を示す図である。
光学的特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例１における液晶表示素子の視角
による電気光学的特性の変化を示す図である。
による電気光学的特性の変化を示す図である。
【図５】本発明の実施例２における液晶表示素子の断面
図である。
図である。
【図６】本発明の実施例２における液晶表示素子の画素
電極部の製造工程の流れを示した図である。
電極部の製造工程の流れを示した図である。
【図７】従来技術における液晶表示素子のマルチレベル
ドライバによる階調表示のもととなる電気光学的特性の
例を示した図である。
ドライバによる階調表示のもととなる電気光学的特性の
例を示した図である。
【図８】従来技術における液晶表示素子の視角による電
気光学的特性の変化を示す図である。
気光学的特性の変化を示す図である。
１ 液晶層 ２ 液晶セルの上基板 ３ 液晶セルの下基板 ４ 透明電極 ５ 透明電極４上のＳｉＯ2薄膜誘電体層 ６ 画素中の透明電極の露出している部分の容量 ７ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の容量 ８ 画素中の透明電極の露出している部分の蓄電容量 ９ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の蓄電
容量 １０ 薄膜誘電体層部の容量 １１ 画素中の透明電極の露出している部分の電気光学
的応答曲線 １２ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の電
気光学的応答曲線 １３ １１と１２の平均（一画素全体）の電気光学的応
答曲線 １４ 画素中の透明電極の露出している部分の電気光学
的応答曲線 １５ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の電
気光学的応答曲線 １６ １４と１５の平均（一画素全体）の電気光学的応
答曲線 １７ 画面に垂直な方向から見たときの電気光学的応答
曲線 １８ 画面に垂直な方向から３０゜だけずれた方向から
見たときの電気光学的応答曲線 １９ 液晶セルの上基板 ２０ 液晶セルの下基板 ２１ 透明電極 ２２ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分 ２３ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に厚くおお
われている部分 ２４ 下基板 ２５ 微細な凹凸が多数作成された下基板 ２６ 下基板２５上の透明電極 ２７ 透明電極２６上のポリイミド薄膜誘電体層 ２８ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分 ２９ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に厚くおお
われている部分 ３０ 下基板２４上に微細な凹凸を多数作成する工程 ３１ 下基板２５上に透明電極２６を形成する工程 ３２ 透明電極２６上にポリイミド薄膜誘電体層２７を
選択的に形成する工程 ３３ ポリイミド薄膜誘電体層におおわれた画素電極を
平坦にする工程 ３４ 階調表示の基となる電気光学的応答曲線 ３５ 画面に垂直な方向から見たときの電気光学的応答
曲線 ３６ 画面に垂直な方向から３０゜だけずれた方向から
見たときの電気光学的応答曲線
容量 １０ 薄膜誘電体層部の容量 １１ 画素中の透明電極の露出している部分の電気光学
的応答曲線 １２ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の電
気光学的応答曲線 １３ １１と１２の平均（一画素全体）の電気光学的応
答曲線 １４ 画素中の透明電極の露出している部分の電気光学
的応答曲線 １５ 画素中の薄膜誘電体層におおわれている部分の電
気光学的応答曲線 １６ １４と１５の平均（一画素全体）の電気光学的応
答曲線 １７ 画面に垂直な方向から見たときの電気光学的応答
曲線 １８ 画面に垂直な方向から３０゜だけずれた方向から
見たときの電気光学的応答曲線 １９ 液晶セルの上基板 ２０ 液晶セルの下基板 ２１ 透明電極 ２２ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分 ２３ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に厚くおお
われている部分 ２４ 下基板 ２５ 微細な凹凸が多数作成された下基板 ２６ 下基板２５上の透明電極 ２７ 透明電極２６上のポリイミド薄膜誘電体層 ２８ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に薄くおお
われている部分 ２９ 画素電極上のポリイミド薄膜誘電体層に厚くおお
われている部分 ３０ 下基板２４上に微細な凹凸を多数作成する工程 ３１ 下基板２５上に透明電極２６を形成する工程 ３２ 透明電極２６上にポリイミド薄膜誘電体層２７を
選択的に形成する工程 ３３ ポリイミド薄膜誘電体層におおわれた画素電極を
平坦にする工程 ３４ 階調表示の基となる電気光学的応答曲線 ３５ 画面に垂直な方向から見たときの電気光学的応答
曲線 ３６ 画面に垂直な方向から３０゜だけずれた方向から
見たときの電気光学的応答曲線
Claims (3)
- 【請求項１】 電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持
してなる液晶表示素子において、該基板の少なくとも一
方に、一画素内の複数の領域にそれぞれ異なる電圧を印
加する手段を有することを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記液晶表示素子において、平坦な画素
電極上に誘電体層を選択的に形成したことを特徴とする
請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記液晶表示素子において、微細な凹凸
を有する画素電極上に平坦な誘電体層を形成したことを
特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03200737A JP3120343B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03200737A JP3120343B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545636A true JPH0545636A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3120343B2 JP3120343B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=16429339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03200737A Expired - Fee Related JP3120343B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120343B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000039630A1 (fr) * | 1998-12-24 | 2000-07-06 | Fujitsu Limited | Ecran a cristaux liquides |
| US6468844B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Preparation method of semiconductor device |
| EP1446697A1 (en) * | 2001-11-22 | 2004-08-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | A thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
| US6856360B1 (en) | 1997-11-28 | 2005-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7227603B1 (en) | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8212968B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2020154153A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | スタンレー電気株式会社 | 液晶素子、照明装置 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP03200737A patent/JP3120343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8396690B2 (en) | 1993-07-22 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US7227603B1 (en) | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8243233B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US8212968B2 (en) | 1993-07-22 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US7561246B2 (en) | 1993-07-22 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US6468844B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Preparation method of semiconductor device |
| US6856360B1 (en) | 1997-11-28 | 2005-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7982836B2 (en) | 1998-12-24 | 2011-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7113240B2 (en) | 1998-12-24 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having insulating patterns with width larger than gap in between |
| WO2000039630A1 (fr) * | 1998-12-24 | 2000-07-06 | Fujitsu Limited | Ecran a cristaux liquides |
| JP2009122714A (ja) * | 2001-11-22 | 2009-06-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
| JP2010231244A (ja) * | 2001-11-22 | 2010-10-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
| US8031286B2 (en) | 2001-11-22 | 2011-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a particular arrangement of pixel electrodes |
| US7460191B2 (en) | 2001-11-22 | 2008-12-02 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| EP1446697A4 (en) * | 2001-11-22 | 2007-08-08 | Samsung Electronics Co Ltd | THIN FILM TRANSISTOR NETWORK ASSEMBLY FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US8248566B2 (en) | 2001-11-22 | 2012-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| EP1446697A1 (en) * | 2001-11-22 | 2004-08-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | A thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
| JP2020154153A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | スタンレー電気株式会社 | 液晶素子、照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3120343B2 (ja) | 2000-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE43640E1 (en) | Liquid crystal display device and driving method of the same | |
| US6046790A (en) | LCD device having relationship between spontaneous polarization and capacitance | |
| JP4408646B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2940354B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3311184B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4486319B2 (ja) | 階調電圧発生装置及び階調電圧発生方法及びこれを利用した反射−透過型液晶表示装置 | |
| JP3127894B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2005055880A (ja) | 液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JPH10301141A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3120343B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH06202127A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2576765B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001235748A (ja) | マルチドメイン型液晶表示装置 | |
| WO2019037291A1 (zh) | 液晶显示装置驱动方法 | |
| JPH07270822A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH07318959A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2580603B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3291396B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20060083643A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JP2004334010A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示素子の駆動方法 | |
| WO2019037290A1 (zh) | 液晶显示装置 | |
| JP2984496B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH0469620A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP3441999B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH07248498A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |