JP2009081377A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009081377A5
JP2009081377A5 JP2007251130A JP2007251130A JP2009081377A5 JP 2009081377 A5 JP2009081377 A5 JP 2009081377A5 JP 2007251130 A JP2007251130 A JP 2007251130A JP 2007251130 A JP2007251130 A JP 2007251130A JP 2009081377 A5 JP2009081377 A5 JP 2009081377A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
gate electrode
semiconductor
transistor
vertical mos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007251130A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009081377A (ja
JP5466818B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007251130A priority Critical patent/JP5466818B2/ja
Priority claimed from JP2007251130A external-priority patent/JP5466818B2/ja
Priority to US12/239,048 priority patent/US7902573B2/en
Publication of JP2009081377A publication Critical patent/JP2009081377A/ja
Publication of JP2009081377A5 publication Critical patent/JP2009081377A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5466818B2 publication Critical patent/JP5466818B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007251130A 2007-09-27 2007-09-27 半導体装置 Expired - Fee Related JP5466818B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007251130A JP5466818B2 (ja) 2007-09-27 2007-09-27 半導体装置
US12/239,048 US7902573B2 (en) 2007-09-27 2008-09-26 Semiconductor device including vertical MOS transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007251130A JP5466818B2 (ja) 2007-09-27 2007-09-27 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009081377A JP2009081377A (ja) 2009-04-16
JP2009081377A5 true JP2009081377A5 (https=) 2013-05-23
JP5466818B2 JP5466818B2 (ja) 2014-04-09

Family

ID=40507190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007251130A Expired - Fee Related JP5466818B2 (ja) 2007-09-27 2007-09-27 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7902573B2 (https=)
JP (1) JP5466818B2 (https=)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5588123B2 (ja) * 2009-05-22 2014-09-10 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
JP2011086679A (ja) 2009-10-13 2011-04-28 Elpida Memory Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2011171500A (ja) 2010-02-18 2011-09-01 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP5711481B2 (ja) 2010-08-19 2015-04-30 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置
JP2012094762A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Elpida Memory Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9431400B2 (en) * 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
JP2013135130A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2013239568A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Ps4 Luxco S A R L 半導体装置
US8987796B2 (en) 2012-08-17 2015-03-24 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device having semiconductor pillar
WO2014073361A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置
JP5872054B2 (ja) * 2013-06-17 2016-03-01 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
WO2015019444A1 (ja) * 2013-08-07 2015-02-12 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP5936653B2 (ja) * 2014-08-06 2016-06-22 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置
JP5986618B2 (ja) * 2014-12-04 2016-09-06 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置
JP6156883B2 (ja) * 2015-02-06 2017-07-05 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6285393B2 (ja) * 2015-06-04 2018-02-28 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP6174174B2 (ja) * 2016-02-05 2017-08-02 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP6114425B2 (ja) * 2016-03-11 2017-04-12 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP6143913B2 (ja) * 2016-04-06 2017-06-07 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6284585B2 (ja) * 2016-07-15 2018-02-28 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6328832B2 (ja) * 2017-07-05 2018-05-23 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
CN121444607A (zh) * 2023-07-25 2026-01-30 美光科技公司 非对称的竖直薄膜晶体管选择器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2703970B2 (ja) * 1989-01-17 1998-01-26 株式会社東芝 Ｍｏｓ型半導体装置
JPH03231460A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Nec Corp 半導体記憶装置
JP2877462B2 (ja) * 1990-07-23 1999-03-31 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP3315429B2 (ja) * 1991-04-23 2002-08-19 キヤノン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2002094027A (ja) 2000-09-11 2002-03-29 Toshiba Corp 半導体記憶装置とその製造方法
JP2003218242A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
DE10231966A1 (de) * 2002-07-15 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Feldeffekttransistor, zugehörige Verwendung und zugehöriges Herstellungsverfahren
JP4108537B2 (ja) * 2003-05-28 2008-06-25 富士雄 舛岡 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009081377A5 (https=)
JP2011192982A5 (ja) 半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の駆動方法
JP2010272874A5 (https=)
JP2013239713A5 (https=)
JP2011061110A5 (https=)
JP2009033145A5 (https=)
JP2009088134A5 (ja) 半導体装置
JP2008171907A5 (https=)
JP2012114422A5 (ja) 半導体装置
JP2011205101A5 (https=)
JP2009135140A5 (https=)
JP2006041354A5 (https=)
TWI483264B (zh) 階層位元線架構之記憶體陣列
JP2010183022A5 (ja) 半導体装置
JP2012256820A5 (ja) 半導体装置
JP2008046619A5 (https=)
JP2009188223A5 (https=)
JP2011081092A5 (https=)
JP2009033020A5 (https=)
TW200640001A (en) Memory cell array and method of manufacturing the same
TWI760979B (zh) 標頭電路系統、記憶體元件與電子元件
JP2011142190A5 (https=)
CN103838027B (zh) 一种带有jas层的液晶显示面板
JPWO2020031015A5 (https=)
JPWO2021033075A5 (https=)