JP2009037227A - 偏光子および偏光子を有する表示装置 - Google Patents

偏光子および偏光子を有する表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】平行透過率Tを増加させ、直交透過率Tを低減させる表示装置の偏光子を提供する。
【解決手段】同一面に複数の金属ワイヤを全て配置するのではなく、少なくとも2つの異なる平行な面に複数の金属ワイヤを作り分け、複数の金属ワイヤのうち、隣り合う金属ワイヤを交互にずらして配置する偏光子とする。第1の面に形成された第1群の金属ワイヤ101と第2の面に形成された第2群の金属ワイヤ102は基板の面から異なる高さに位置し、且つ、第2群の金属ワイヤ102は、第1群の金属ワイヤ101よりも基板の面から距離Dを空けて配置され、距離Dは、第1群の金属ワイヤ101の膜厚以下である。
【選択図】図1

Description

本発明は偏光子、及び偏光子を有する半導体装置に関する。例えば、偏光子を用いる液晶表示パネルに代表される電気光学装置や、偏光子を用いる有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
光の電気振動について、振動方向がランダムな状態である自然光に対し、特定方向に振動が偏った光を偏光と呼ぶ。液晶パネルの表示原理は、偏光を利用しており、この用途には、ヨウ素を含ませた高分子材料のフィルムを特定方向に延伸し、一定方向の直線偏光の光だけを通過させ、これと直交する偏光の光を吸収するフィルム型偏光子が広く実用化されている。
しかし、ヨウ素を用いた偏光子は耐熱性が低く、その偏光子を備えた液晶パネルは、使用環境の条件が限定されている。
また、ヨウ素を用いた偏光子よりも耐熱性が高い偏光子として、細長い金属ワイヤを基板表面に平行に配置したワイヤグリッド構造を有する偏光子が特許文献1に提案されている。
また、細長く線状に伸びた金属層が複数並んで配置され、それらの間の溝部に多孔質層が設けられ、さらにその溝部の底面上に細長く線状に伸びた金属層を配置したワイヤグリッド構造を有する偏光子が特許文献2に開示されている。
特開2002−328234号公報 特開2007−33559号公報
ワイヤグリッド構造を有する偏光子において、アルミニウム線の幅をL、アルミニウム線の間隔をSとして、アルミニウム線に対して平行な電場成分を持つ光(TE波)の透過率Tと、アルミニウム線に対して直交な電場成分を持つ光(TM波)の透過率Tの傾向を発明者らは算出した。なお、アルミニウム線の膜厚tを170nmと仮定して、幅L、または間隔Sの相関関係を求めた。
透過率Tは、S/L比を一定として幅Lを増大させた時、増大する。また、透過率Tは、幅Lを一定の値としてS/L比を増大させた時も増大する。
また、透過率Tは、S/L比を一定として幅Lを減少させた時、増大する。また、透過率Tは、幅Lを一定の値としてS/L比を増大させた時も増大する。
コントラストの指標は、上記の透過率Tと透過率Tの比(T/T)であり、これらの結果から、幅L、間隔Sを調節しても十分な透過率Tと透過率Tの比のワイヤグリッド構造を有する偏光子を実現する事は難しい。
また、アルミニウム線の膜厚tを増大させると、比(T/T)は増大する一方、それぞれの透過率Tと透過率Tは、減少する。アルミニウム線の膜厚tの増大に対する変化量は、透過率Tと透過率Tでは差があり、これらの変化量から透過率Tの消衰係数k及び透過率Tの消衰係数kを算出することができる。透過率Tは平行透過率とも呼び、ワイヤグリッド構造を有する偏光子の偏光軸 (アルミニウム線の方向)に対して平行な磁場成分を持つ光の透過率であることを指す。透過率Tは直交透過率とも呼び、ワイヤグリッド構造を有する偏光子の偏光軸 (アルミニウム線の方向)に対して直交する磁場成分を持つ光の透過率であることを指す。
ワイヤグリッド構造を有する偏光子は、ヨウ素を用いた偏光子と比べて消衰係数kが大きいことから、膜厚tが1μmよりも薄く(上記相関関係では1μmよりも薄い170nmを膜厚tと仮定している)とも吸光量が大きい。従って、ワイヤグリッド構造を有する偏光子は、ヨウ素を用いた偏光子よりも薄膜化することができる。ヨウ素を用いた偏光子は、膜厚が1μmよりも厚い。
しかしながら、ワイヤグリッド構造を有する偏光子は、ヨウ素を用いた偏光子と比べて消衰係数比(k/k)が低く、同じコントラストが得られる条件下では透過率Tが大幅に低下する。透過率Tが大幅に低下してしまうと、例えばこの偏光子を部品として搭載した電気光学装置や 発光表示装置において、明るい表示が得られなくなる。
そこで、ワイヤグリッド構造を有する偏光子において、透過率Tを大幅に低下させることなく、透過率Tを増加させ、透過率Tを低減させる偏光子を提供することを課題とする。また、表示装置において、干渉による光学特性の波長依存性を低減することにより、色むらを低減することを課題とする。
本発明者らは、ワイヤグリッド構造に関して様々な検討を重ね、平行透過率Tを増加させ、且つ、直交透過率Tを低減させる新規な構造を有する偏光子を見いだした。
その構造は、図1に示すような断面構造を有する偏光子である。図1は、ワイヤグリッド構造を構成する一つの金属ワイヤの長手方向と直交する断面で切断した模式図である。同一面に複数の金属ワイヤを全て配置するのではなく、少なくとも基板面上の2つの異なる平行な面に複数の金属ワイヤを作り分け、複数の金属ワイヤのうち、隣り合う金属ワイヤを交互にずらして配置する偏光子である。具体的には、透光性を有する基板上に、金属ワイヤの長手方向が基板面に平行に位置するように複数の金属ワイヤを配置し、それぞれの間隔Sはほぼ等間隔となるようにする。複数の金属ワイヤは大きく2つに分けることができ、基板の面に平行な第1の面に配置される第1群の金属ワイヤ101は、透光性を有する基板上に形成され、基板の面に平行な第2の面に配置される第2群の金属ワイヤ102は、第1群の金属ワイヤよりも突出させて配置する。なお、第1の面と第2の面は、共に基板面上に位置する2つの異なる平行な面である。また、第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤが隣合うように交互に配置する。なお、図1中において、110は入射される光の方向を示している。
また、第1群の金属ワイヤは少なくとも2本以上備え、第2群の金属ワイヤも2本以上備えることは好ましい構成の一つである。また、全金属ワイヤ数の約半数が、第1群に相当し、残りが第2群に相当する。本発明の偏光子は、少なくともそれぞれの金属ワイヤの間に隙間を空けて配置する。図1に示す断面構造は、1層目に第1群の金属ワイヤが形成され、2層目に第2群の金属ワイヤが形成された構造、即ち2層に渡って、複数の金属ワイヤが形成されている一例であって2層に限定されず、3層以上に渡って複数の金属ワイヤを形成してもよい。ただし、偏光子の複数の金属ワイヤは周期的に配置される。
本明細書において周期的とは、全金属ワイヤ数をN(Nは4以上の整数)とすると、第1群の金属ワイヤの平面方向の隣に第2群の金属ワイヤを配置し、その金属ワイヤの水平方向の隣に第1群の金属ワイヤを配置し、順次に繰り返し配置する構成、即ち、第1群の金属ワイヤ1本と第2群の金属ワイヤ1本とを一組としてN/2組配置する構成を指す。なお、Nが奇数の場合は、第1群の金属ワイヤ或いは第2群の金属ワイヤが1本多い構成となるため、全金属ワイヤ数の約半数が第1群に相当するとしている。
なお、第1群の金属ワイヤは、第2群の金属ワイヤとは断面形状における中心の基板面からの距離が異なっており、基板面から金属ワイヤの中心までの距離が近い方が第1群の金属ワイヤ、遠い方が第2群の金属ワイヤと呼ぶ。
入射される光110の波長をそれぞれ400nm、500nm、600nm、700nmとして平行透過率Tを計算した結果を図2に示し、直交透過率Tを計算した結果を図3に示す。この計算においては、Rsoft社製の光学計算用シミュレーションソフト「DiffractMOD」を用いて計算した。
また、この計算においては、金属ワイヤの材料をアルミニウムとし、金属ワイヤの幅Lを25nm、間隔Sを25nm、膜厚bを240nmに固定して計算した。
また、隣り合う第1群の金属ワイヤ101と第2群の金属ワイヤ102との位置のズレを距離Dとし、その距離Dを0nm〜360nmの範囲で変化させている。なお、距離Dが0nmとは、金属ワイヤが同じ位置に等間隔で一列に並べられた従来のワイヤグリッド構造を指す。距離Dが0nmのワイヤグリッド構造は、上述した特許文献1に示す構造に対応する。
図2の縦軸は、距離Dが0nmの平行透過率と比較するために、距離D=0nmの平行透過率の値を1とした比、即ち、距離D=0nmの平行透過率に対する距離D(D>0)の平行透過率Tの比を示している。
図2に示す結果から、距離Dが0nmよりも大きければ、範囲400nm〜700nmの波長領域において、平行透過率Tの増加が確認できる。従来のワイヤグリッド構造は、1層に全てのワイヤが形成されているため、当該層に均一な密度で複数の金属ワイヤが配置されている。従来のワイヤグリッド構造に対して、本発明のワイヤグリッド構造は、入射される光110に対して垂直な面に配置される密度の高い領域と密度の低い領域が存在する。密度の高い領域は、第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤの両方が配置されて合計の本数が多く、密度の低い領域は、第1群の金属ワイヤ或いは第2群の金属ワイヤの一方のみが配置されて本数が少ない。金属ワイヤの密度の低い領域が存在することにより、図2における平行透過率Tの増加、即ち、透過光量が増大する。図1に示す構造においては、入射される光110の進行方向において金属ワイヤ密度(光の進行方向に対して垂直な面に占める金属ワイヤの本数)が変化しており、金属ワイヤ密度が低い値から高い値、或いは高い値から低い値に変化する。
また、図3の縦軸は、距離Dが0nmの直交透過率と比較するために、距離D=0nmの直交透過率の値を1とした比、即ち、距離D=0nmの直交透過率に対する距離D(D>0)の直交透過率Tの比を示している。
図3に示す結果から、距離Dが0nmよりも大きければ、範囲600nm〜700nmの波長領域において、直交透過率Tの減少が確認できる。図3における直交透過率Tの減少は、光の分解能に対して隣り合うワイヤの間隔が十分に短いため、距離Dの増加により偏光子の厚さが増大した構造と同様の挙動を示し、光の吸収量が増大した結果である。
また、図2において、距離Dが膜厚b=240nmよりも大きい場合、波長400nmにおける平行透過率Tが減少している。これらのことから、平行透過率Tを増加させ、直交透過率Tを低減させる偏光子とするためには、第1群と第2群の金属ワイヤが入射される光に対して垂直な方向に重なる領域の金属ワイヤ密度が小さくなるワイヤグリッド構造とすることが好ましい。
また、距離Dが膜厚b=240nmよりも十分に大きい場合、第1群の金属ワイヤ101と第2群の金属ワイヤ102が入射される光に対して垂直な方向に離れ、第1群の金属ワイヤ101の隣り合う2本の間に第2群の金属ワイヤの1本が配置されない従来のワイヤグリッド構造を指す。距離Dが金属ワイヤの膜厚bよりも十分に大きいワイヤグリッド構造は、上述した特許文献2に示された第六実施態様の構造に対応する。
即ち、図2及び図3の結果から、特許文献2に示された構造は、平行透過率Tを減少させる偏光子と言える。
また、比較のため、図16に示す構造についても同様に、Rsoft社製の光学計算用シミュレーションソフト「DiffractMOD」を用いて平行透過率及び直交透過率を計算した。図16に示す構造は、金属ワイヤの膜厚をそれぞれ同じとし、6本の金属ワイヤを1周期として設けたワイヤグリッド構造である。また、光の入射界面1103に配置される2本の金属ワイヤ間隔をWとして示している。図16に示す構造については、結果として、平行透過率は増大する傾向が得られた。また、間隔Wが広がると、直交透過率も増大してしまい、コントラストが低下する傾向も得られた。なお、図16において、1102は入射される光の方向を示す。
また、図16に示す構造から得られた計算結果から、間隔Wを狭める構造が好ましいと言える。本発明においては、位置をずらした隣り合う6本の平行な金属ワイヤを1周期として間隔Wを狭めて、平行透過率Tを増加させ、直交透過率Tを低減させるワイヤグリッド構造を実現している。平行透過率Tを増加させ、且つ、直交透過率Tを低減させることによって、例えばこの偏光子を部品として搭載した電気光学装置や発光表示装置において、明るさと高コントラストを両立した表示を得ることができる。
本明細書で開示する発明の構成は、透光性を有する基板と、前記基板の面と平行な第1の面に第1の中心を含む第1群の金属ワイヤと、前記基板の面と平行な第2の面に第2の中心を含む第2群の金属ワイヤとを有し、前記第1群の金属ワイヤ及び前記第2群の金属ワイヤは長手方向において平行であり、前記第1群の金属ワイヤと前記第2群の金属ワイヤは前記基板の面から異なる高さに位置し、且つ、前記第2群の金属ワイヤは、前記第1群の金属ワイヤよりも前記基板の面から距離Dを空けて配置され、前記距離Dは、前記第1群の金属ワイヤの膜厚以下であり、前記長手方向と直交する断面形状において、隣り合う第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤは、前記第1の中心及び前記第2の中心を結ぶ線分がジグザグを形成するように分布している偏光子を有する表示装置である。
また、上記構成において、第1群の金属ワイヤの短手方向における第1群の金属ワイヤのそれぞれの間隔は等しく、第2群の金属ワイヤのそれぞれの間隔は等しい。なお、第1群の金属ワイヤの短手方向は、第1群の金属ワイヤの長手方向と直交する方向である。第1群の金属ワイヤの長手方向は、即ち、1つの金属ワイヤが延在している方向である。
また、上記構成において、距離Dが第1群の金属ワイヤの膜厚よりも小さい場合、前記第1群の金属ワイヤのうち、隣り合う金属ワイヤの間に第2群の金属ワイヤが一つ配置される。この場合、入射される光の進行方向に金属ワイヤ密度が変化しており、金属ワイヤ密度が低い値から高い値、或いは高い値から低い値に変化する。また、距離Dが第1群の金属ワイヤの膜厚とほぼ同じ場合には、入射される光に対して垂直な面に配置される金属ワイヤの密度が均一な領域となる。
なお、基板平面において直交する2方向をそれぞれX方向、Y方向と呼び、金属ワイヤの長手方向がY方向に相当する。金属ワイヤの短手方向がX方向に相当する。また、金属ワイヤの幅L、及び金属ワイヤの間隔SはX方向における距離である。
また、上記構成において、前記基板の面に平行な第1の面と前記基板の面に平行な第2の面との間隔は、第1群の金属ワイヤの膜厚と同じまたはそれよりも短い。ここでの間隔は、基板平面に垂直な方向、即ちZ方向の距離を指している。前記基板の面に平行な第1の面と前記基板の面に平行な第2の面との間隔が、第1群の金属ワイヤの膜厚よりも長いと、干渉による光学特性の波長依存性が顕著に表れる。
図1に示す構造は、ナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、Eビームリソグラフィ法、ホログラフィ法、レーザエッチング法などを用いて形成することができる。
第2群の金属ワイヤと透光性を有する基板との間には、第2群の金属ワイヤを支持するため、透光性を有する部材を設け、好ましくは透光性を有する基板よりも低い屈折率を有する透光部材を設ける。
本明細書で開示する他の発明の構成は、透光性を有する基板上に第1群の金属ワイヤと、前記第1群の金属ワイヤのそれぞれの間に透光部材と、前記透光部材上に第2群の金属ワイヤとを有し、前記第2群の金属ワイヤのそれぞれの間に第1群の金属ワイヤの一部を配置し、前記第1群の金属ワイヤの膜厚は、前記透光部材の膜厚よりも厚い偏光子である。
偏光分離を行うため、偏光子に入射させる光の波長が400nmである時、隣り合う第1群の金属ワイヤの断面において、第1群の金属ワイヤの中心から隣の第1群の金属ワイヤの中心までの1周期、即ちピッチが120nm以内の範囲とする。上記構成により、第1群の金属ワイヤから隣り合う第1群の金属ワイヤまでの1周期の長さ(ピッチ)は、入射させる光の波長の1/3以下、望ましくは1/4以下とする。また、この第1群及び第2群の金属ワイヤ及びそれらの間隔は、上記1周期の範囲であれば異なっていても問題はない。また、1本の金属ワイヤの幅Lは入射させる光の波長の1/10以下とすることが好ましい構成である。なお、偏光子に入射させる光の波長が400nmである時、1本の金属ワイヤの幅Lに関しては第1群及び第2群の金属ワイヤのいずれも40nm以下とすることが望ましい。
また、上記構成において、前記第1群の金属ワイヤ及び前記第2群の金属ワイヤの長手方向に直交する断面形状は矩形に限定されず、様々な形状、例えば三角形状などとすることができる。また、望ましくは、透光部材の前記第1群の金属ワイヤの長手方向に直交する断面における面積が小さければ小さいほど偏光子としての光学特性が向上するため、透光部材の断面形状は、第2群の金属ワイヤの断面形状よりも幅の狭い矩形とする。また、第2群の金属ワイヤを安定して支持するため、前記透光部材の断面形状は台形とする。
また、さらに金属ワイヤを安定して支持し、さらに機械強度を増加するため、金属ワイヤを覆うように透光部材を設けてもよい。
透光部材としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムや樹脂などの誘電体を用いることができる。透光部材の形成には、真空蒸着法、スパッタ法、PCVD法、イオンプレーティング法などを用いることができる。
また、透光性を有する基板をエッチング加工し、複数の溝を形成して、それぞれの溝に第1群の金属ワイヤを形成し、基板の溝の間の凸部上に第2群の金属ワイヤを形成する構成としてもよい。
また、透光性を有する基板としては、ガラス、セラミックス、樹脂等の透光性を有する材料を用いることができる。また、透光性を有する基板としては、ガラス中の不純物成分により屈折率を制御された高屈折率のガラス基板を用いることもできる。また、透光性を有するセラミックスとしては、PbZrOとPbTiOとの固溶体にLaを数モル%加えて焼結した多結晶体(PLZTとも呼ばれる)を挙げることができる。
また、金属ワイヤの材料としては、アルミニウム、銀、金、銅、またはこれらの合金などの反射率の高い金属を用いることができる。
また、偏光子は、液晶表示装置や有機EL発光表示装置や無機EL発光表示装置などの表示装置に限らず、偏光を必要とする光学処理を応用したデバイスに使用することもできる。また、本発明の偏光子は、光に限らず電磁波にも応用することができる。なお、本明細書中において光は、少なくとも赤外光及び可視光を含む光を指す。
平行透過率Tを増加させ、直交透過率Tを低減させることができる光学特性に優れたワイヤグリッド構造の偏光子を実現することができる。また、可視光領域で色むらが低減された表示装置を実現することができる。
本発明の実施形態について、以下に説明する。
(実施の形態1)
図4(A)及び図4(B)に本発明のワイヤグリッド構造の偏光子の一例を示す。以下にその作製方法を説明する。図4(A)は基板面に垂直な面で切断した断面図であり、図4(B)は図4(A)の斜視図に相当する図である。
まず、透光性を有する基板401を用意する。透光性を有する基板401としては、ガラス、セラミックス、樹脂等の透光性を有する材料を用いることができる。また、透光性を有する基板401としては、ガラス中の不純物成分により屈折率を制御された高屈折率のガラス基板を用いることもできる。
次いで透光性を有する基板401上にワイヤグリッド構造を形成する。図4(A)及び図4(B)に示すワイヤグリッド構造は、光ナノインプリント法や熱ナノインプリント法などのナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、Eビームリソグラフィ法、ホログラフィ法、レーザエッチングなどを適宜用いて形成すればよい。図4(A)及び図4(B)に示すワイヤグリッド構造の作製方法は特に限定されない。
例えば、透光性を有する基板401上にPCVD法により酸化珪素膜を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行って透光部材404を形成する。ここでは透光部材404として、酸化珪素を用いた例を示したが、フッ化マグネシウムや樹脂などの誘電体を用いてもよい。また、形成方法もPCVD法に限定されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、塗布法などを用いることができる。
そして、アルミニウム膜を成膜し、アルミニウム膜上に塗布法により有機樹脂からなる薄膜を形成し、その薄膜に金型を押しつけて凹部を有するマスクを形成し、金型を薄膜から取り去り、そのマスクを用いてアルミニウム膜を選択的にエッチングして第1群の金属ワイヤ402及び第2群の金属ワイヤ403を作製する。図4(B)に示すように、第1群の金属ワイヤ402及び第2群の金属ワイヤ403は、長手方向、即ちY方向にそれぞれ平行に配置する。また、それぞれの金属ワイヤは、短手方向、即ちX方向における距離、即ち間隔Sを空けて配置する。なお、第2群の金属ワイヤ403は、透光部材404上に形成される。透光部材404の膜厚に相当する距離Dは、Z方向の距離を示しており、基板平面と第2群の金属ワイヤ403との距離とも言える。距離Dが0nmよりも大きければ、第2群の金属ワイヤ403は、第1群の金属ワイヤ402よりも基板の平面から距離Dを空けて配置されていることになる。また、第1群の金属ワイヤ402は基板面に平行な第1の面上に形成され、基板の面に平行な第2の面に第2群の金属ワイヤ403が形成され、第1の面と第2の面とのZ方向の間隔が距離Dに相当するとも言える。
また、他の作製例として、工程数が増えるが、第1群の金属ワイヤ402を形成した後、透光部材404を形成し、その上に第2群の金属ワイヤ403を作製してもよい。また、透光部材404を形成し、その上に第2群の金属ワイヤ403を形成した後、第1群の金属ワイヤ402を作製してもよい。
また、偏光子として機能させる上で、透光部材404の幅は、第2群の金属ワイヤ403の幅と同じ、若しくは狭いことが好ましい。従って、第2群の金属ワイヤ403をマスクとしてエッチングを行って、透光部材404の幅を第2群の金属ワイヤ403とほぼ同じ幅としてもよい。また、金属ワイヤの膜厚bは、50nm〜800nmとする。
また、透光部材の幅を狭めるためにオーバーエッチングを行い、透光部材の形状を逆テーパ形状とした例を図5に示す。図5に示すワイヤグリッド構造は、透光性を有する基板501上に第1群の金属ワイヤ502と、逆テーパ形状の透光部材504上に第2群の金属ワイヤ503とを有する。
(実施の形態2)
図6に本発明のワイヤグリッド構造の偏光子の他の一例を示す。本実施の形態では、ワイヤグリッド構造の機械強度を増加させるために、第1群の金属ワイヤ602及び第2群の金属ワイヤ603を透光部材604で覆う偏光子を示している。第2群の金属ワイヤ603は、第1群の金属ワイヤ602の配列とは、別の配列に中心がある。ここでいう中心とは、金属ワイヤの長手方向と直交する短手方向、即ち金属ワイヤの幅方向に切断した断面形状の中心を指している。例えば、断面形状が四角形である場合、対角を結ぶ2つの線分の交差点を中心と言える。また、1本の金属ワイヤの断面の中心を結んだ線は中心軸とよべ、金属ワイヤの長手方向と平行となる。
図6に示す偏光子は、透光性を有する基板601と、前記透光性を有する基板の面に平行な第1の面に第1の中心を有する第1群の金属ワイヤ602と、前記透光性を有する基板の面に平行な第2の面に第2の中心を有する第2群の金属ワイヤ603とを有し、第1群の金属ワイヤのうち、隣接する金属ワイヤの間に第2群の金属ワイヤが一つ配置され、第1群の金属ワイヤ及び第2群の金属ワイヤは長手方向においてそれぞれ平行である。また、前記長手方向と直交する断面形状において、交互に設けられる第1群の金属ワイヤ602と第2群の金属ワイヤ603は、第1群の金属ワイヤの第1の中心605と第2群の金属ワイヤの第2の中心606を結ぶ線分607を複数繋げた場合にジグザグを形成するように分布している偏光子である。また、第1群の金属ワイヤの第1の中心605と第2群の金属ワイヤの第2の中心606を結び連続させた仮想のラインは、三角波とも言える。
また、図6に示す偏光子は、位置をずらして平行に配置された第1群の金属ワイヤの1本と第2群の金属ワイヤの1本の計2本を1周期として繰り返し配置している。また、光608の入射界面(ここでは第2群の金属ワイヤ側)に配置される2本の金属ワイヤ間隔W、即ち第2群の金属ワイヤ間隔Wを120nm以下の範囲に狭めている。
また、本実施の形態では、第1群の金属ワイヤ602及び第2群の金属ワイヤ603の材料として、シリコンを微量に含むアルミニウム合金を用いる。シリコンの他にネオジムやニオブを微量に含むアルミニウム合金を用いてもよい。シリコン、ネオジム、ニオブなどをアルミニウム膜に含ませることでヒロックやウィスカーと呼ばれるアルミニウム特有の膜質変化を防止することができる。
また、本実施の形態では、透光部材604は透光性を有する樹脂を用いる。樹脂の他に、酸化珪素やフッ化マグネシウムを用いてもよい。また、透光部材604は同一の材料で形成することに限らず、異なる材料で複数の材料層を積層して形成してもよい。
また、図6に示す偏光子の作製方法は、ナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、Eビームリソグラフィ法、ホログラフィ法、レーザエッチングなどを用いて形成することができる。また、これらの方法を組み合わせて図6に示す偏光子を作製してもよい。
また、本実施の形態は、実施の形態1と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態3)
図7に本発明のワイヤグリッド構造の偏光子の他の一例を示す。本実施の形態では、透光性を有する基板701に溝を形成し、基板の凹部上に第1群の金属ワイヤ702と、基板の凸部上に第2群の金属ワイヤ703を有する偏光子を示している。以下にその作製方法を説明する。
まず、透光性を有する基板701を用意する。透光性を有する基板701としては、ガラス、セラミックス、樹脂等の透光性を有する材料を用いることができる。また、透光性を有する基板701としては、ガラス中の不純物成分により屈折率を制御された高屈折率のガラス基板を用いることもできる。
次いで、透光性を有する基板701を加工して、幅(L+2S)を有する溝を形成する。透光性を有する基板701を加工する方法としては、レーザエッチング法や、サンドブラスト法や、フォトリソグラフィ法などを用いる。ここでは、パルス幅がフェムト秒(10−15秒)台で発振するレーザ発振器を用いて溝を形成する。超短光パルスレーザ発振器として用いることができるのは、サファイヤ、YAG、セラミックスYAG、セラミックスY、KGW(タングステン酸カリウム・ガドリニウム)、MgSiO、YLF、YVO、GdVOなどの結晶に、Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Erなどのドーパントを添加したレーザなどが挙げられる。レーザエッチング法において、通常のレーザではレーザ波長以下の加工は困難であるが、超短光パルスレーザを用いることでエネルギー密度の高いビーム中央部だけで加工が出来るため、微細加工(レーザ波長以下の加工)が可能となる。
次いで、アルミニウム膜を成膜し、ナノインプリント法により形成したマスクを形成し、そのマスクを用いてアルミニウム膜をエッチングすることによって、第1群の金属ワイヤ702、第2群の金属ワイヤ703を形成して、図7に示すワイヤグリッド構造を有する偏光子を作製する。
図7に示すワイヤグリッド構造を作製する工程は、上述した手順に限定されず、光ナノインプリント法や熱ナノインプリント法などのナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、Eビームリソグラフィ法、ホログラフィ法などを適宜用いて形成することができる。
また、本実施の形態において、基板平面とは、基板の突出した部分ではなく、溝の底面を指す。また、基板の突出した部分は実施の形態1に示した透光部材に相当すると言える。本実施の形態に示す構成とすることで、実施の形態1に示した透光部材と基板との材料を全く同一とすることができ、入射される光に対する屈折率を同じにすることができるため、実施の形態1に比べて光の屈折による影響を低減できる偏光子とすることができる。
また、本実施の形態は、実施の形態1または実施の形態2と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態4)
図8に本発明のワイヤグリッド構造の偏光子の他の一例を示す。本実施の形態では、透光性を有する基板801上に第1群の金属ワイヤ802と第2群の金属ワイヤ803と第3群の金属ワイヤ804とを有する偏光子を示している。
図8に示す多層構造は、実施の形態1よりも膜厚の薄い金属ワイヤを多層に設けるものである。例えば、実施の形態1の膜厚を200nmとする場合、本実施の形態における各金属ワイヤの膜厚を100nmとする。金属ワイヤの幅と金属ワイヤの膜厚との比を小さくすることで、金属ワイヤの作製工程におけるマージンを広げることができる。
図8に示す偏光子は、透光性を有する基板801と、前記透光性を有する基板の面に平行な第1の面に第1の中心を有する第1群の金属ワイヤ802と、前記透光性を有する基板の面に平行な第2の面に第2の中心を有する第2群の金属ワイヤ803と、前記透光性を有する基板の面に平行な第3の面に第3の中心を有する第3群の金属ワイヤ804とを有し、第1群の金属ワイヤ802と第3群の金属ワイヤ804とが重なる位置に形成されている偏光子である。また、第1群の金属ワイヤ802と第3群の金属ワイヤ804は同じ本数であり、ほぼ同じ間隔で形成するため、1周期、即ちピッチは、実施の形態3と同じ距離である。
また、図8に示す偏光子は、第1群の金属ワイヤ及び第2群の金属ワイヤは長手方向においてそれぞれ平行であり、第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤは基板の面から異なる高さに位置し、且つ、第2群の金属ワイヤは、第1群の金属ワイヤよりも基板の面から距離Dを空けて配置されている。また、この距離Dは、第1群の金属ワイヤの膜厚bとほぼ同じである。
以下にその作製方法を説明する。
まず、透光性を有する基板801を用意する。ここではガラス基板を用いる。次いで、第1群の金属ワイヤ802を形成する。ここでは、光ナノインプリント法を用いて第1群の金属ワイヤ802を形成する。具体的には、透光性を有する基板801上に第1のアルミニウム膜を成膜し、第1のアルミニウム膜上に塗布法により有機樹脂からなる薄膜を形成し、その薄膜に金型を押しつけて凹部を有するマスクを形成し、金型を薄膜から取り去り、そのマスクを用いて第1のアルミニウム膜を選択的にエッチングして第1群の金属ワイヤ802を形成する。
次いで、マスクを除去した後、透光性を有する絶縁膜、例えばPCVD法により酸化珪素膜を形成する。
次いで、第1群の金属ワイヤ802の上面が露呈するように透光性を有する絶縁膜の一部をエッチングする。ここでは化学的機械研磨(CMP)処理を行う。こうして、第1群の金属ワイヤ802の間に第1の透光部材805を形成する。
次いで、第2群の金属ワイヤ803を形成するため、第1の透光部材805及び第1群の金属ワイヤ802上に第2のアルミニウム膜を成膜する。ここでは図示しないが、第1群の金属ワイヤ802の上面が露呈することによって表面に酸化膜が形成されており、ここで形成される第2のアルミニウム膜とは接しない。この酸化膜は、後に行われるエッチングのエッチングストッパーとして機能させる。
次いで、第1群の金属ワイヤ802の形成方法と同様に光ナノインプリント法を用いて第2群の金属ワイヤ803を形成する。第2のアルミニウム膜上に塗布法により有機樹脂からなる薄膜を形成し、その薄膜に金型を押しつけて凹部を有するマスクを形成し、金型を薄膜から取り去り、そのマスクを用いて第2のアルミニウム膜を選択的にエッチングして第2群の金属ワイヤ803を形成する。ここでのエッチングにおいて、第1群の金属ワイヤ802の表面には酸化膜が形成されており、この酸化膜がエッチングストッパーとして機能する。
次いで、マスクを除去した後、透光性を有する絶縁膜、例えばPCVD法により酸化珪素膜を形成する。
次いで、第2群の金属ワイヤ803の上面が露呈するように透光性を有する絶縁膜の一部をエッチングする。ここでは化学的機械研磨(CMP)処理を行う。こうして、第2群の金属ワイヤ803の間に第2の透光部材806を形成する。
次いで、第3群の金属ワイヤ804を形成する。具体的には、第2の透光部材806及び第2群の金属ワイヤ803上に第3のアルミニウム膜を成膜し、第3のアルミニウム膜上に塗布法により有機樹脂からなる薄膜を形成し、その薄膜に金型を押しつけて凹部を有するマスクを形成し、金型を薄膜から取り去り、そのマスクを用いて第3のアルミニウム膜を選択的にエッチングして第3群の金属ワイヤ804を形成する。ここでのエッチングにおいても、第2群の金属ワイヤ803の表面には酸化膜が形成されており、この酸化膜がエッチングストッパーとなる。
以上の工程で図8に示す偏光子を作製することができる。
上記工程で得られる偏光子は、ガラス基板を用い、金属ワイヤにアルミニウムを用い、透光部材に酸化珪素を用いるため、従来のヨウ素を用いた偏光子に比べて耐熱性の高い偏光子とすることができる。従って、その偏光子を備えた液晶パネルは、使用環境の条件が限定されず、耐熱性が求められるプロジェクタ用のディスプレイや車載用のディスプレイなどに採用することができる。
また、上記工程では、3層に渡って金属ワイヤを形成する例を示したが、4層以上に渡って金属ワイヤを形成してもよい。
なお、上記工程では、光ナノインプリント法を用いる例を示したが、上記工程に限定されず、熱ナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、Eビームリソグラフィ法、ホログラフィ法、レーザエッチングなどを用いて形成することができる。また、これらの方法を組み合わせて図8に示す偏光子を作製してもよい。
また、本実施の形態は、実施の形態1乃至3のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態は、上述した実施の形態とは異なる作製方法を用いて偏光子を作製する例を図9(A)、図9(B)、及び図9(C)に示す。以下にその作製方法を説明する。
まず、透光性を有する基板901を用意する。
次いで、透光性を有する基板901上に酸化珪素やフッ化マグネシウムや樹脂などの誘電体膜を形成する。誘電体膜の形成には、真空蒸着法、スパッタ法、PCVD法、イオンプレーティング法などを用いる。
次いで、誘電体膜上に第1のアルミニウム膜を形成する。次いで、第1のアルミニウム膜上に塗布法により有機樹脂からなる薄膜を形成し、その薄膜に金型を押しつけて凹部を有するマスクを形成し、金型を薄膜から取り去り、そのマスクを用いて第1のアルミニウム膜を選択的にエッチングして第2群の金属ワイヤ903を形成する。次いで、第2群の金属ワイヤ903を形成した後に残ったマスクをそのままマスク905として用いて誘電体膜をエッチングして透光部材902を形成する。この段階での断面図が図9(A)に相当する。
次いで、蒸着法またはスパッタ法を用いて第2のアルミニウム膜を成膜すると、図9(B)に示すように、マスク905上に金属膜906と、透光部材902の間に第1群の金属ワイヤ904が形成される。
次いで、マスク905を除去すると、金属膜906も除去され、図9(C)に示す偏光子が得られる。図9(C)に示すように第1群の金属ワイヤ904の断面形状は三角形状であり、第2群の金属ワイヤ903の断面形状である矩形とは異なっている。
本実施の形態においては、先に第2群の金属ワイヤ903を形成した後、第1群の金属ワイヤ904を形成する例を示す。また、第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤとの間には、X方向の間隔Sはゼロであるが、断面形状が三角形状であり、第1群の金属ワイヤ904の先端が第2群の金属ワイヤ903と離れている。
また、X方向の間隔Sを設けるために、図10に示す構造としてもよい。第1群の金属ワイヤと第2群の金属ワイヤとが接していなければ第1群の金属ワイヤの断面形状は特に限定されず、先端が曲面を有する形状を有する第1群の金属ワイヤ914としてもよい。図10に示す構造においては、第1群の金属ワイヤ914のそれぞれの間隔は等しく、第2群の金属ワイヤ903のそれぞれの間隔は等しいが、第1群の金属ワイヤ914間の間隔と、第2群の金属ワイヤ903間の間隔は異なっている例である。また、図10に示す構造において第1群の金属ワイヤ914の幅L1は、第2群の金属ワイヤ903の幅L2よりも狭い例である。金属ワイヤの幅が異なっていても、第1群の金属ワイヤ914の断面における中心から該第1群の金属ワイヤと隣り合う第1群の金属ワイヤの断面における中心までの距離であるピッチが周期的に繰り返される構造であればよい。ピッチは、入射させる光の波長の1/3以下、望ましくは1/4以下とする。また、第1群の金属ワイヤ914の幅L1及び第2群の金属ワイヤ903の幅L2は、入射させる波長の1/10以下とする。
また、第1群の金属ワイヤの先端が第2群の金属ワイヤと離れていれば特に第2群の金属ワイヤの断面形状は特に限定されず、図11に示すように第2群の金属ワイヤ923の断面形状を三角形状としてもよい。図11においては第1群の金属ワイヤ922の断面形状が矩形である例を示している。なお、図11において、透光性を有する基板921上に透光部材924が形成されており、その上に第2群の金属ワイヤ923が形成されている例である。
また、本実施の形態は、実施の形態1乃至4のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
本発明の液晶表示装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、プロジェクタ装置、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図12、及び図13に示す。
図12(A)は22インチ〜50インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、ビデオ入力端子2005等を含む。表示部2003が実施例1の液晶モジュールに相当する。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、TV放送受信用、双方向TV用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、1辺が1000mmを超える第5世代以降のガラス基板を用いても、従来のワイヤグリッド構造に比べて平行透過率を高くできるため、高いコントラストの表示が可能な大型表示装置を実現できる。
図12(B)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングデバイス2206等を含む。本発明により、色再現範囲の広い表示が可能なノート型パーソナルコンピュータを実現できる。
図12(C)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体(DVD等)読込部2405、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、従来のワイヤグリッド構造に比べて平行透過率を高くできるため、高いコントラストの表示が可能な画像再生装置を実現できる。
図12(D)は、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なTVである。筐体2502にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部2503やスピーカ部2507を駆動させる。バッテリーは充電器2500で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器2500は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐体2502は操作キー2506によって制御する。また、図12(D)に示す装置は、操作キー2506を操作することによって、筐体2502から充電器2500に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー2506を操作することによって、筐体2502から充電器2500に信号を送り、さらに充電器2500が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明により、従来のワイヤグリッド構造に比べて平行透過率を高くできるため、高いコントラストの表示が可能なディスプレイを実現できる。
図13で示す携帯電話機は、操作スイッチ類1904、マイクロフォン1905などが備えられた本体(A)1901と、表示パネル(A)1908、バックライト部1900、表示パネル(B)1909、スピーカ1906などが備えられた本体(B)1902とが、蝶番1910で開閉可能に連結されている。表示パネル(A)1908と表示パネル(B)1909は、回路基板1907やバックライト部1900と共に本体(B)1902の筐体1903の中に収納される。表示パネル(A)1908及び表示パネル(B)1909の画素部は筐体1903に形成された開口窓から視認できるように配置される。ここでは、バックライト部1900と表示パネル(A)1908とが重なるように配置して透過型の液晶表示装置としている。バックライト部1900としては、冷陰極管を用いてもよいし、LED素子を用いてもよい。また、バックライト部として、導光板とLED素子との組み合わせを用いてもよい。
表示パネル(A)1908と表示パネル(B)1909は、その携帯電話機1900の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネル(A)1908を主画面とし、表示パネル(B)1909を副画面として組み合わせることができる。
また、表示パネルの種類を異ならせてもよく、例えば、表示パネル(A)として液晶表示装置を用い、表示パネル(B)としてEL素子を用いた発光表示装置としてもよい。
本実施例の携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、蝶番1910の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機としても良い。また、操作スイッチ類1904、表示パネル(A)1908、表示パネル(B)1909を一つの筐体内に納めさせた構成としてもよい。
また、図14(A)に表示パネル(A)1908の構成の一例を示す。表示パネル(A)1908は、画素電極が設けられた第1の基板1920と、第1の基板と対向する第2基板1923をシール材1922で貼り合わせている。また、シール材1922は表示部1921を囲むように形成されていて、第1の基板と第2基板とシール材で囲まれた領域に液晶層が設けられている。図14(A)に示す表示パネル(A)1908の液晶封止方法は、液晶滴下法を用い、減圧下での基板貼り合わせを行っている。一対の基板間隔は、間隙材、具体的には、球状スペーサや柱状スペーサ、またはシール材に含ませたフィラーなどによって保持される。なお、間隙材は、表示パネル(A)1908を駆動させる液晶モード(TNモード、VAモード、IPSモードなど)によって適宜選択すればよい。ただし、IPSモードは第2の基板に電極を設けなくともよいが、その他の液晶モードで第2の基板に対向電極を設ける場合が多く、その場合、一対の基板を貼り付ける際に、対向電極と、第1の基板に設けられた端子電極との導通を取るための接続も行う。なお1924はFPCである。
また、図14(B)に図14(A)とは異なる液晶封止方法を用いて作製したパネルの構成例を示す。なお、図14(B)において、図14(A)と共通な部分には同じ符号を用いる。図14(B)に示す表示パネルは、第1シール材1925で形成された液晶注入口から液晶注入法などを用いて液晶を注入した後、液晶注入口を第2のシール材1926で封止している。
また、図14(C)に図14(A)とは異なるパネル構成の例を示す。なお、図14(C)において、図14(A)と共通な部分には同じ符号を用いる。図14(C)のパネルは、表示部を駆動させるための駆動IC1927が第1の基板1920に搭載されている。駆動IC1927を第1の基板1920に搭載することで回路の集積化を行っている。
また、図14(D)に図14(A)とは異なるパネル構成の例を示す。なお、図14(D)において、図14(A)と共通な部分には同じ符号を用いる。図14(D)のパネルは、表示部1929を駆動させるための駆動回路1928が第1の基板1920に同一基板上に形成されている。駆動回路1928としては、アモルファスシリコンTFTやポリシリコンTFTなどを用いることができる。また、駆動回路だけでなく、その他の回路(光センサ回路、CPUなど)を同一基板上に形成してもよい。
図14(A)、図14(B)、図14(C)、図14(D)で示した表示パネルに所望の光学フィルム、例えば、偏光子、反射防止フィルム、カラーフィルタなどを重ねてもうける。本発明においては、実施の形態に示した偏光子を表示パネル(A)1908に重ねることで、従来のワイヤグリッド構造に比べて平行透過率を高くすることができ、高いコントラストの表示を可能としている。
表示パネル(液晶パネル)1304にバックライトバルブ1304およびミラーを設け、カバー1306で覆えば、図17にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置1308(透過型)が完成する。また、バックライトを表示領域に重ならないように配置して、導光板を用いてもよい。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板1303は、基板1300と対向基板1305の両方に貼り付ける。また、他の光学フィルム(反射防止フィルムや偏光性フィルムなど)や、保護フィルム(図示しない)を設けてもよい。なお液晶表示装置として、パッシブ型液晶表示装置を用いてもよい。
なお、図17中、1300は基板、1301は画素電極、1302は柱状スペーサ、1307はシール材、1320は着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ、1325は平坦化膜、1321は対向電極、1322、1323は配向膜、1324は液晶層、1317は保持容量、1316はTFT、1318は画素部である。なお、画素部1318を構成するTFTとしては、アモルファスシリコンTFTやポリシリコンTFT、セミアモルファス TFT、単結晶TFTを用いることができる。
図15(A)はフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。本発明の偏光子は投射装置2601の一部を構成する液晶モジュール2808に適用することができる。
図15(B)はリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。本発明の偏光子は投射装置2702の一部を構成する液晶モジュール2808に適用することができる。
なお、図15(C)は、図15(A)及び図15(B)中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶モジュール2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図15(C)中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
また、図15(D)は、図15(C)中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図15(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
フロント型プロジェクターやリア型プロジェクターにおいては、光源が強力であるため、液晶モジュール及び偏光子が加熱されて高温になる。本実施例によれば、耐熱性の高い無機材料でワイヤグリッド構造の偏光子を構成することができ、有効である。また、従来のワイヤグリッド構造に比べて平行透過率を高くすることができ、高いコントラストの表示を可能とすることができる。
以上の様に、本発明を実施して得た液晶表示装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。
また、本実施例は実施の形態1乃至5のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本発明のワイヤグリッド構造の模式図である。 距離Dに対する平行透過率Tの計算結果を示すグラフである。 距離Dに対する直交透過率Tの計算結果を示すグラフである。 (A)は、本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図であり、(B)はその斜視図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の作製工程例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 本発明のワイヤグリッド構造の一例を示す断面図である。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 液晶表示装置の斜視図。 液晶プロジェクタ装置の一例を示す図。 比較例を示す断面図。 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
符号の説明
101:第1群の金属ワイヤ
102:第2群の金属ワイヤ
110:光
401:透光性を有する基板
402:第1群の金属ワイヤ
403:第2群の金属ワイヤ
404:透光部材
501:透光性を有する基板
502:第1群の金属ワイヤ
503:第2群の金属ワイヤ
504:透光部材
601:透光性を有する基板
602:第1群の金属ワイヤ
603:第2群の金属ワイヤ
604:透光部材
605:第1の中心
606:第2の中心
607:線分
701:透光性を有する基板
702:第1群の金属ワイヤ
703:第2群の金属ワイヤ
801:透光性を有する基板
802:第1群の金属ワイヤ
803:第2群の金属ワイヤ
804:第3群の金属ワイヤ
805:第1の透光部材
806:第2の透光部材
901:透光性を有する基板
902:透光部材
903:第2群の金属ワイヤ
904:第1群の金属ワイヤ
905:マスク
906:金属膜
914:第1群の金属ワイヤ
921:透光性を有する基板
922:第1群の金属ワイヤ
923:第2群の金属ワイヤ
924:透光部材
1101:金属ワイヤ
1102:光
1103:光の入射界面
1300 基板
1301 画素電極
1302 スペーサ
1303 偏光板
1304 バックライトバルブ
1306 カバー
1307 シール材
1320 CF
1321 対向電極
1322 配向膜
1323 配向膜
1324 液晶層
1325 平坦化膜

Claims (8)

  1. 透光性を有する基板上に設けられた第1群の複数の金属ワイヤと、前記第1群の複数の金属ワイヤのそれぞれの間に透光部材と、
    前記透光部材上に第2群の複数の金属ワイヤとを有し、
    前記第2群の複数の金属ワイヤのそれぞれの間に第1群の一つの金属ワイヤの一部が配置され、
    前記第1群の複数の金属ワイヤの膜厚は、前記透光部材の膜厚よりも厚い偏光子を有する表示装置。
  2. 請求項1において、第1群の金属ワイヤの断面における中心から該第1群の金属ワイヤと隣り合う第1群の金属ワイヤの断面における中心までの距離は、入射される光の波長の1/3以下である偏光子を有する表示装置。
  3. 請求項1または請求項2において、前記第1群の金属ワイヤのそれぞれの金属ワイヤ間隔は等しく、前記第2群の金属ワイヤのそれぞれの金属ワイヤ間隔は等しい偏光子を有する表示装置。
  4. 偏光子を有する表示装置であって、透光性を有する基板と、
    前記基板の面と平行な第1の面に第1の中心を含む第1群の複数の金属ワイヤと、
    前記基板の面と平行な第2の面に第2の中心を含む第2群の複数の金属ワイヤとを有し、
    前記第1群の複数の金属ワイヤ及び前記第2群の複数の金属ワイヤは長手方向において平行であり、
    前記第1群の複数の金属ワイヤと前記第2群の複数の金属ワイヤは前記基板の面から異なる高さに位置し、
    且つ、前記第2群の一つの金属ワイヤは、前記第1群の複数の金属ワイヤよりも前記基板の面から距離を空けて配置され、
    前記第2群の複数の金属ワイヤと前記基板の面との距離は、前記第1群の複数の金属ワイヤの膜厚以下であり、
    前記長手方向と直交する断面において、隣り合う第1群の複数の金属ワイヤと第2群の複数の金属ワイヤは、隣り合う前記第1の中心及び前記第2の中心を結ぶ線分を複数繋げた場合にジグザグを形成するように分布している偏光子を有する表示装置。
  5. 請求項4において、前記第1群の金属ワイヤのうち、隣り合う2つの金属ワイヤの間に第2群の金属ワイヤが一つ配置されている偏光子を有する表示装置。
  6. 請求項4または請求項5において、前記基板の面に平行な第1の面と前記基板の面に平行な第2の面との間隔は、第1群の金属ワイヤの膜厚と同じまたはそれよりも短い偏光子を有する表示装置。
  7. 請求項4乃至6のいずれか一において、第1群の金属ワイヤの短手方向における第1群の金属ワイヤのそれぞれの金属ワイヤ間隔は等しく、第2群の金属ワイヤのそれぞれの金属ワイヤ間隔は等しい偏光子を有する表示装置。
  8. 請求項4乃至7のいずれか一において、第1群の金属ワイヤの断面における第1の中心から該第1群の金属ワイヤと隣り合う第1群の金属ワイヤの断面における中心までの距離は、入射される光の波長の1/3以下である偏光子を有する表示装置。
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