JP2015132823A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質及び光効率が向上された表示装置が提供される。
【解決手段】表示装置は、第１ベース基板、第２ベース基板、複数の画素、第１偏光子及び第２偏光子を含む。前記第１ベース基板は複数の透過領域と前記複数の透過領域に隣接する遮光領域とを含む。前記複数の画素は、前記複数の透光領域に各々重畳する。前記第１偏光子及び第２偏光子は、前記複数の画素を介して離隔されて配置される。前記第１偏光子と前記第２偏光子との中で少なくともいずれか１つは、複数の格子パターンを各々含む複数の光学変換層を含む。
【選択図】図３

Description

本発明は表示装置に関し、より詳細には光学変換層を具備する表示装置に関する。

液晶表示装置のような非発光型表示装置は外部の光を利用して画像を生成する。液晶表示装置は液晶表示パネルとバックライトユニットとを含む。液晶表示パネルはバックライトユニットから提供された光を利用して画像を生成する。

液晶表示パネルは２つの表示基板とその間に配置された液晶層とを含む。２つの表示基板上に２つの偏光フィルムが各々配置される。２つの偏光フィルムはバックライトユニットから提供された光を偏光させる。液晶層の配列が変化されることにしたがってバックライトユニットから提供された光は液晶表示パネルを透過するか、或いは透過しない。

米国特許公開第２０１３／００３３６６２号明細書 米国特許公開第２０１２／０２０６５８０号明細書

したがって、本発明は表示品質及び光効率が向上された表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態による表示装置は、第１ベース基板、第２ベース基板、複数の画素、第１偏光子及び第２偏光子を含む。前記第１ベース基板と前記第２ベース基板とは、互いに離隔されて配置される。前記第１ベース基板は、複数の透過領域と前記複数の透過領域に隣接する遮光領域とを含む。

前記複数の画素は、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置される。前記複数の画素は、前記複数の透過領域に各々重畳する。前記第１偏光子及び第２偏光子は、前記複数の画素を介して離隔されて配置される。

前記第１偏光子と前記第２偏光子との中で少なくともいずれか１つは、互に異なる層上に配置された複数の光学変換層を含むことができる。前記複数の光学変換層の各々は、複数の格子パターンを含むことができる。

前記第１偏光子は、第１光学変換層と第２光学変換層とを含むことができる。前記第１光学変換層は、複数の第１格子パターンを含み、前記第２光学変換層は、前記複数の第１格子パターンと実質的に同一の方向に羅列された複数の第２格子パターンを含む。前記第１光学変換層と前記第２光学変換層は、他の層上に配置される。

前記第１偏光子の前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板に配置されてもよい。前記第１偏光子の前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板を介して配置されてもよい。前記第１偏光子の前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板と前記複数の画素間に配置されてもよい。

前記第１偏光子の前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層の中で少なくともいずれか１つは、偏光部と反射部を含むことができる。前記偏光部は、前記複数の第１格子パターンと前記複数の第２格子パターンとの中で対応する格子パターンを含む。前記偏光部は、前記複数の透過領域に重畳する。前記反射部は、前記遮光領域をカバーする。

前記偏光部と前記反射部は、同一の物質を含むことができる。

前記画素の各々は、薄膜トランジスター及び画素電極を含む。前記薄膜トランジスターは、前記第１ベース基板上に配置された複数のゲートラインの中で対応するゲートライン及び複数のデータラインの中で対応するデータラインに連結される。前記画素電極は、前記薄膜トランジスターに連結される。

前記偏光部は、前記画素電極に重畳し、前記反射部は、前記薄膜トランジスターに重畳することができる。

前記第２偏光子は、延伸型偏光フィルムであってもよい。

前記複数の第１格子パターンの各々は、アルミニウム層及び前記アルミニウム層をカバーするアルミニウム酸化物層を含むことができる。

前記複数の第１格子パターンと前記複数の第２格子パターンは、実質的に同一の方向に延長される。

前記複数の第１格子パターンと前記複数の第２格子パターンの各々は、５０nm乃至１５０nmの高さを有することができる。

前記複数の第１格子パターンの中で２つの格子パターンの間の前記羅列された方向の離隔距離及び前記２つの格子パターンの中で１つの格子パターンの前記羅列された方向の幅の合計をピッチとして定義される。前記ピッチに対する前記１つの格子パターンの前記羅列された方向の幅は０．３：１乃至０．６：１であり得る。

前記第２格子パターンは、前記第１格子パターンの前記ピッチと同一のピッチを有し、前記第２格子パターンは、前記第１格子パターンの前記幅と同一の幅を有することができる。

上述したことによれば、重畳して配置された複数の光学変換層は、偏光子を通過する光の偏光性を向上させる。第１光学変換層と第２光学変換層との中でいずれか１つが損傷されても、その他の１つは偏光子に入射された光を偏光させることができる。

第１光学変換層と第２光学変換層との中で少なくともいずれか１つに具備された反射部は、バックライトユニットから提供された光を吸収せず、反射させる。反射された光は、バックライトユニットに具備された光学フィルム等によって再反射された後、最終的に液晶表示パネルに入射される。消滅する光量が減少し、液晶表示パネルに入射する光量が増加することによって光効率が向上する。

本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。 図１に図示された表示パネルの部分斜視図である。 本発明の一実施形態による画素の平面図である。 図３のI−I’に対応する断面図である。 図４のＡＡ領域を拡大した図面である。 図５の格子パターンを拡大した図面である。 本発明の一実施形態による第１光学変換層の平面図である。 本発明の一実施形態による第２光学変換層の平面図である。 第１格子パターンと第２格子パターンとの配置関係を示した図面である。 損傷された光学変換層のＳＥＭイメージである。 光学変換層の構造と格子パターンとの損傷にしたがう消光比（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）を比較したグラフである。 本発明の一実施形態による第１偏光子に提供される光の進行方向を示した断面図である。 本発明の一実施形態による第２光学変換層の平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。

以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。

図１は本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。図２は図１に図示された表示パネルの部分斜視図である。本実施形態で表示装置は液晶表示装置を例として説明される。但し、これに制限されず、本発明は偏光子を含む他の表示装置に変形されて実施できる。

図１に示したように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示パネルＤＰ、信号制御部１００、ゲート駆動部２００、データ駆動部３００、バックライトユニットＢＬＵ、及び図示されない２つの偏光子を含む。

液晶表示パネルＤＰは、複数の信号配線及び複数の信号配線に連結された複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍを含む。複数の信号配線は、複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍを含む。複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎは、第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に配列される。複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは、複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと絶縁されるように交差する。別途に図示しなかったが、複数の信号配線は複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎに対応するように具備された複数の共通ラインをさらに含んでもよい。

複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはマトリックス状に配列される。複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は、複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍの中で対応するゲートライン及び対応するデータラインに連結される。

液晶表示パネルＤＰは、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード又はＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ−ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、及びＰＬＳ（Ｐｌａｎｅ ｔｏ Ｌｉｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の中でいずれか１つのパネルである。本実施形態で液晶表示パネルＤＰは特定なモードのパネルに制限されない。

信号制御部１００は、入力画像信号ＲＧＢを受信し、入力画像信号ＲＧＢを液晶表示パネルＤＰの動作に相応しい画像データ（Ｒ’Ｇ’Ｂ’）に変換する。また、信号制御部１００は、各種制御信号ＣＳ、例えば垂直同期信号、水平同期信号、メーンクロック信号、及びデータイネーブル信号等を受信し、第１及び第２制御信号ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２を出力する。また、信号制御部１００は、バックライトユニットＢＬＵを制御する第３制御信号ＣＯＮＴ３を出力する。第３制御信号ＣＯＮＴ３は調光信号（ｄｉｍｍｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ）を含む。

ゲート駆動部２００は、第１制御信号ＣＯＮＴ１に応答して複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎにゲート信号を出力する。第１制御信号ＣＯＮＴ１は、ゲート駆動部２００の動作を開始する垂直開始信号、ゲート電圧の出力時期を決定するゲートクロック信号、及びゲート電圧のオンパルス幅を決定する出力イネーブル信号等を含む。

データ駆動部３００は、第２制御信号ＣＯＮＴ２及び画像データＲ’Ｇ’Ｂ’を受信する。データ駆動部３００は、画像データＲ’Ｇ’Ｂ’をデータ電圧に変換して複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍに提供する。

第２制御信号ＣＯＮＴ２は、データ駆動部３００の動作を開始する水平開始信号、データ電圧の極性を反転させる反転信号、及びデータ駆動部３００からデータ電圧が出力される時期を決定する出力指示信号等を含む。

バックライトユニットＢＬＵは、第３制御信号ＣＯＮＴ３に応答して液晶表示パネルＤＰに光を提供する。バックライトユニットＢＬＵは、光を生成する発光素子を含む。バックライトユニットＢＬＵは直下型又はエッジ型の中でいずれか１つであり得る。エッジ型バックライトユニットＢＬＵは導光体を含み、直下型バックライトユニットＢＬＵは導光体を含まない。エッジ型バックライトユニットＢＬＵ及び直下型バックライトユニットＢＬＵの各々は光学フィルムを含む。

図２に示したように、液晶表示パネルＤＰは、第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とを含む。第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とは、厚さ方向ＤＲ３（以下第３方向）に互いに離隔されて配置される。第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とは、シーラント（図示せず）によって第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２との枠において結合される。第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２との間に液晶層ＬＬが配置される。

液晶表示パネルＤＰは、複数の透過領域ＴＡと複数の透過領域ＴＡに隣接する遮光領域ＬＳＡとに区分される。複数の透過領域ＴＡは、バックライトユニットＢＬＵから生成された光を通過させる。遮光領域ＬＳＡは、バックライトユニットＢＬＵから生成された光を遮断させる。

図１に図示された複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ、及び複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは、第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２との中でいずれか１つに配置される。複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは、遮光領域ＬＳＡに重畳するように配置される。複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍは、複数の透過領域ＴＡに各々対応するように配置される。後述するように、複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は、複数の透過領域ＴＡの中で対応する透過領域に部分的に重畳する。

図３は本発明の一実施形態による画素の平面図である。図４は本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。図３はＰＬＳモードの画素ＰＸｉｊを例示的に図示したが、画素ＰＸｉｊの構成はこれに制限されない。図４は図３のI−I’に対応する断面を図示した。

図３及び図４に示したように、第１表示基板ＤＳ１は、第１ベース基板ＳＵＢ１、ゲートラインＧＬｉ、データラインＤＬｊ、共通ラインＣＬｉ、及び複数の絶縁層１０乃至５０を含む。第２表示基板ＤＳ２は、第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。

図４に示したように、第２表示基板ＤＳ２は、第１表示基板ＤＳ１の上側に配置される。本発明の一実施形態で第１表示基板ＤＳ１が上側に配置され、第２表示基板ＤＳ２は下側に配置されてもよい。

第１ベース基板ＳＵＢ１と第２ベース基板ＳＵＢ２との間に画素ＰＸｉｊが配置される。図３及び図４に示したように、画素ＰＸｉｊは第１ベース基板ＳＵＢ１上に配置されてもよい。画素ＰＸｉｊは薄膜トランジスターＴＦＴ、共通電極ＣＥ、及び画素電極ＰＥを含む。

第１偏光子ＰＬ１と第２偏光子ＰＬ２とは、画素ＰＸｉｊを介して離隔されて配置される。第１偏光子ＰＬ１と第２偏光子ＰＬ２との中で少なくともいずれか１つは、互に異なる層上に配置された複数の光学変換層を含む。複数の光学変換層の各々は入射される光を偏光させる。

図４に示したように、第１偏光子ＰＬ１は、第１光学変換層ＬＣＬ１及び第２光学変換層ＬＣＬ２を含む。第１光学変換層ＬＣＬ１上に第２光学変換層ＬＣＬ２が配置される。第１光学変換層ＬＣＬ１及び第２光学変換層ＬＣＬ２の各々は入射光を偏光させる複数の格子パターン（図示せず）を含む。

第１光学変換層ＬＣＬ１及び第２光学変換層ＬＣＬ２の中でいずれか１つは反射部と偏光部とを含む。反射部は入射光を反射させる部分である。偏光部は入射光を偏光させる部分に対応し、実質的に格子パターンに対応する。図４に示したように、第２光学変換層ＬＣＬ２は反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含む。

本発明の一実施形態で第１偏光子ＰＬ１は第３光学変換層をさらに含んでいてもよい。また、第２光学変換層ＬＣＬ２のみでなく、第１光学変換層も反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含んでもよい。

本実施形態による液晶表示パネルの第２偏光子ＰＬ２は延伸型偏光フィルムであり得る。延伸型偏光フィルムは、ヨウ化物系化合物又は二色性偏光物質が吸着配向され、一方向に延伸されたポリビニールアルコール系偏光子と、偏光子を保護するトリアセチルセルロース保護フィルムとを含む。

第１偏光子ＰＬ１と第２偏光子ＰＬ２とは、各々光学軸（例えば、透過軸）を有する。第１偏光子ＰＬ１の光学軸と第２偏光子ＰＬ２の光学軸は互いに直交するか、或いは互いに平行になる。本発明の一実施形態で第２偏光子ＰＬ２は複数の光学変換層を含んでもよい。

以下、第１偏光子ＰＬ１及び画素ＰＸｉｊに対してさらに詳細に説明する。本実施形態によれば、第１ベース基板ＳＵＢ１の一面、即ち図４を基準に第１ベース基板ＳＵＢ１の上面上に第１偏光子ＰＬ１及び画素ＰＸｉｊが配置される。

第１ベース基板ＳＵＢ１は、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板等のような透明な基板である。第１ベース基板ＳＵＢ１の一面上に第１光学変換層ＬＣＬ１が配置される。第１光学変換層ＬＣＬ１上に第１絶縁層１０が配置される。第１ベース基板ＳＵＢ１の一面と第１光学変換層ＬＣＬ１との間にバッファ層が配置される。

第１絶縁層１０は１．５以下の屈折率を有することが望ましい。また、第１絶縁層１０は３００ｎｍ以下の厚さを有することが望ましい。第１絶縁層１０は３００ｎｍ以下の厚さであることが好ましい理由は、第２光学変換層ＬＣＬ２に到達するまで、第１光学変換層ＬＣＬ１を通過した光の偏光性が変化されることを最小化するためである。

第１絶縁層１０は有機物又は無機物を含む。第１絶縁層１０は多層構造を有していてもよい。第１絶縁層１０はシリコン無機物を含み得る。シリコン無機物はシリコン酸化物及びシリコンナイトライドの中で少なくともいずれか１つを含み得る。

第１絶縁層１０上に第２光学変換層ＬＣＬ２が配置される。反射部ＲＰは遮光領域ＬＳＡに重畳し、偏光部ＰＰは透過領域ＴＡに重畳する。反射部ＲＰは遮光領域ＬＳＡをカバーする。言い換えれば、平面上で反射部ＲＰと遮光領域ＬＳＡとは実質的に同一の形状を有する。

第２光学変換層ＬＣＬ２上に第２絶縁層２０が配置される。第２絶縁層２０は第１絶縁層１０と同一の層構造及び／又は同一の物質を含む。第２絶縁層２０上にゲートラインＧＬｉ及び共通ラインＣＬｉが配置される。

薄膜トランジスターＴＦＴのゲート電極ＧＥがゲートラインＧＬｉから分岐される。ゲート電極ＧＥは、ゲートラインＧＬｉと同一の物質で構成され、同一の層構造を有する。ゲート電極ＧＥとゲートラインＧＬｉは銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金、又は各々の合金を含む。ゲート電極ＧＥとゲートラインＧＬｉとはアルミニウム層と他の金属層とを含む多層構造を有する。共通ラインＣＬｉはゲートラインＧＬｉと同一の物質で構成され、同一の層構造を有する。

第２絶縁層２０上にゲートラインＧＬｉ及び共通ラインＣＬｉをカバーする第３絶縁層３０が配置される。第３絶縁層３０は有機物又は無機物を含む。第３絶縁層３０は多層構造を有し得る。

第３絶縁層３０上にゲート電極ＧＥと重畳する半導体層ＡＬが配置される。第３絶縁層３０の上には、図示されないオーミックコンタクト層がさらに配置されてもよい。第３絶縁層３０上にデータラインＤＬｊが配置される。

データラインＤＬｊは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金、又は各々の合金を含む。データラインＤＬｊは、アルミニウム層と他の金属層（例えば、クロム又はモリブデン）とを含む多層構造を有する。データラインＤＬｊから薄膜トランジスターＴＦＴのソース電極ＳＥが分岐される。ソース電極ＳＥはデータラインＤＬｊと同一な物質で構成され、同一の層構造を有する。

第３絶縁層３０上に、ソース電極ＳＥと離隔されたドレーン電極ＤＥが配置される。ソース電極ＳＥとドレーン電極ＤＥとは半導体層ＡＬに各々重畳する。

第３絶縁層３０上にソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、及びデータラインＤＬｊをカバーする第４絶縁層４０が配置される。第４絶縁層４０は平坦面を提供する。第４絶縁層４０上に共通電極ＣＥが配置される。共通電極ＣＥは、第３絶縁層３０及び第４絶縁層４０を貫通する第１貫通ホールＣＨ１を通じて共通ラインＣＬｉに連結される。本発明の一実施形態で、共通電極ＣＥは、画素ＰＸｉｊの動作モードにしたがって第２ベース基板ＳＵＢ２上に配置されてもよい。

第４絶縁層４０上に共通電極ＣＥをカバーする第５絶縁層５０が配置される。第５絶縁層５０上に共通電極ＣＥに重畳する画素電極ＰＥが配置される。画素電極ＰＥは、第４絶縁層４０及び第５絶縁層５０を貫通する第２貫通ホールＣＨ２を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。第５絶縁層５０の上には画素電極ＰＥを保護する保護層（図示せず）及び配向層（図示せず）がさらに配置されてもよい。

画素電極ＰＥは複数のスリットＳＬＴを含む。画素電極ＰＥは第１横部Ｐ１、第１横部Ｐ１と離隔されて配置された第２横部Ｐ２、及び第１横部Ｐ１と第２横部Ｐ２を連結する複数の縦部Ｐ３を含む。複数の縦部Ｐ３の間に複数のスリットＳＬＴが配置される。一方、画素電極ＰＥの形状はこれに制限されない。本発明の一実施形態で、複数のスリットＳＬＴは、画素電極ＰＥではなく、共通電極ＣＥに形成されてもよい。

薄膜トランジスターＴＦＴは、ゲートラインＧＬｉに印加されたゲート信号に応答してデータラインＤＬｊに印加されたデータ電圧を出力する。共通電極ＣＥは、共通電圧を受信し、画素電極ＰＥはデータ電圧に対応する画素電圧を受信する。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは横電界を形成する。横電界によって液晶層ＬＬに含まれた方向子の配列が変化される。

第２ベース基板ＳＵＢ２は、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板等のような透明な基板であってもよい。第２ベース基板ＳＵＢ２上にカラーフィルターＣＦ及びブラックマトリックスＢＭが配置される。

カラーフィルターＣＦは、少なくとも透過領域ＴＡに重畳するように配置される。カラーフィルターＣＦは平面上で透過領域ＴＡをカバーし、遮光領域ＬＳＡにも一部重畳する。カラーフィルターＣＦは、レッド、グリーン、又はブルーカラーを有する。図４には１つの画素ＰＸｉｊに対応する１つのカラーフィルターＣＦが図示されたが、液晶表示パネルＤＰは複数の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍにしたがって互いに異なるカラーを有する複数個グループのカラーフィルターを含む。

ブラックマトリックスＢＭは、遮光領域ＬＳＡに重畳するように配置される。実質的に遮光領域ＬＳＡはブラックマトリックスＢＭが配置された領域に、透過領域ＴＡはブラックマトリックスＢＭが配置されない領域に定義される。

ブラックマトリックスＢＭの形状によって遮光領域ＬＳＡの範囲は変更されることができる。図３及び図４に示したように、薄膜トランジスターＴＦＴは遮光領域ＬＳＡに重畳しているが、本発明の一実施形態で、薄膜トランジスターＴＦＴもやはり透過領域ＴＡに重畳してもよい。

図５は図４のＡＡ領域を拡大した図面である。図６は図５の格子パターンを拡大した図面である。図７Ａ及び図７Ｂそれぞれは、本発明の一実施形態による第１光学変換層と第２光学変換層との平面図である。図８は第１格子パターンと第２格子パターンとの配置関係を示した図面である。図７Ａ及び図７Ｂは図３に図示された画素ＰＸｉｊに重畳する領域を図示する。

図５に示したように、第１偏光子ＰＬ１は第１光学変換層ＬＣＬ１と第２光学変換層ＬＣＬ２とを含む。第１光学変換層ＬＣＬ１は複数の第１格子パターンＷＧ１を含む。第２光学変換層ＬＣＬ２は反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含む。偏光部ＰＰは複数の第２格子パターンＷＧ２を含む。

図６は、基底層ＳＵＢ上に配置された２つの格子パターンＷＧを図示する。２つの格子パターンＷＧは複数の第１格子パターンＷＧ１の一部を構成する。第２格子パターンＷＧ２は、第１絶縁層１０上に形成されるが、その他の構成は第１格子パターンＷＧ１と同様の構成であるので、説明を省略する。つまり、複数の第２格子パターンＷＧ２の一部もまた、図６の２つの格子パターンＷＧと同様に構成され得る。

格子パターンＷＧの各々は所定の高さＨ１０を有する。格子パターンＷＧは互いに同一の高さＨ１０を有するか、或いは互いに異なる高さＨ１０を有する。高さＨ１０は５０ｎｍ乃至１５０ｎｍである。

格子パターンＷＧの各々は所定の幅Ｗ１０を有する。また、格子パターンＷＧは所定の距離Ｌ１０ぐらい離隔されて配置される。幅Ｗ１０と離隔距離Ｌ１０との合計はピッチＰＴとして定義される。ピッチＰＴは１００ｎｍ乃至１５０ｎｍである。ピッチＰＴに対する離隔距離Ｌ１０は０．３：１乃至０．６：１である。

格子パターンＷＧの各々は、金属層ＭＬと、金属層ＭＬを囲む金属酸化物層ＭＯＬとを含む。例えば、金属層ＭＬはアルミニウムであり、金属酸化物層ＭＯＬは酸化アルミニウムを含む。

格子パターンＷＧはインプリント方式によって形成されるが、金属酸化物層ＭＯＬは格子パターンＷＧが製造される過程で形成される。インプリントされた金属層ＭＬの表面が酸化されて金属酸化物層ＭＯＬが形成される。金属酸化物層ＭＯＬは数ｎｍの厚さを有する。

図６には、断面形状が長方形である格子パターンＷＧが例示的に図示される。格子パターンＷＧの形状はこれに制限されない。格子パターンＷＧの断面は正方形状又は台形状等に変形され得る。

図７Ａ及び図７Ｂに示したように、複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とは実質的に同一の方向に延長される。図７Ａ及び図７Ｂは、第２方向ＤＲ２に沿って延長された、複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とを例示的に図示した。複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２との延長された方向が、複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍが延長された方向と必ず一致する必要はない。

図７Ｂに示したように、複数の第２格子パターンＷＧ２は反射部ＲＰから離隔される。複数の第２格子パターンＷＧ２は、反射部ＲＰと透過領域ＴＡの遮光領域ＬＳＡとの境界線に沿って反射部ＲＰから分離される。

複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とは実質的に平行になる。ここで、実質的に平行であることは図８に示したように、第１格子パターンＷＧ１と第２格子パターンＷＧ２との間角（θ）が０．１°以下であることを意味する。

再び図５を参照すれば、複数の第１格子パターンＷＧ１及び複数の第２格子パターンＷＧ２の中で対応するパターンは、互いに完全にオーバーラップされる。この時対応するパターンは同一のピッチＰＴ及び幅Ｗ１０を有する。対応するパターンは同一の高さＨ１０を有してもよい。

本発明の一実施形態で、複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２は、互いに異なるピッチＰＴ、高さＨ１０、及び幅Ｗ１０を有してもよい。複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２の各々のピッチＰＴ、高さＨ１０、及び幅Ｗ１０は、図６を参照して説明した範囲を有すれば、十分である。

バックライトユニットＢＬＵから生成された光ＢＬ１、ＢＬ２は、第１光学変換層ＬＣＬ１に入射される。バックライトユニットＢＬＵから生成された光ＢＬ１、ＢＬ２の中で、複数の第１格子パターンＷＧ１が延長された第２方向ＤＲ２に振動する光は反射され、複数の第１格子パターンＷＧ１が羅列された第１方向ＤＲ１に振動する光は透過する。

バックライトユニットＢＬＵから生成された光ＢＬ１、ＢＬ２の中で一部の光ＢＬ１は、第１光学変換層ＬＣＬ１で偏光された後、第２光学変換層ＬＣＬ２の偏光部ＰＰに入射される。バックライトユニットＢＬＵから生成された光ＢＬ１、ＢＬ２の中で他の一部の光ＢＬ２は、第１光学変換層ＬＣＬ１で偏光された後、第２光学変換層ＬＣＬ２の反射部ＲＰに入射される。

偏光部ＰＰに入射された光は、第１光学変換層ＬＣＬ１を通過した状態の偏光性を維持しながら、第２光学変換層ＬＣＬ２を通過する。複数の第１格子パターンＷＧ１及び複数の第２格子パターンＷＧ２のピッチＰＴに対する離隔距離Ｌ１０の比率が同一である時、透過率が減少されながら、偏光性は維持される。

反射部ＲＰに入射された光は、バックライトユニットＢＬＵに反射される。バックライトユニットＢＬＵに反射された光ＲＬは、バックライトユニットＢＬＵに含まれた光学部材（図示せず）等で再反射される。再反射された光は最終的に偏光部ＰＰに入射される。即ち、再反射された光は、画素ＰＸｉｊ（図３参照）に入射される。反射部ＲＰの上述した機能によってバックライトユニットＢＬＵから生成された光は、画素ＰＸｉｊに到達するまで他の構成に吸収されない。反射部ＲＰで反射された光が画素ＰＸｉｊに提供されることによって、液晶表示装置の光効率が向上される。

図９は損傷された光学変換層のＳＥＭイメージである。図１０は光学変換層の構造と格子パターンとの損傷に伴う消光比（Ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）を比較したグラフである。図１０には４つの棒グラフが図示されている。第１グラフＧＰ１は損傷されない単一層の光学変換層を含む偏光子の消光比を図示し、第２グラフＧＰ２は損傷された単一層の光学変換層を含む偏光子の消光比を図示する。第３グラフＧＰ３は損傷された光学変換層と損傷されない光学変換層とを含む偏光子の消光比を図示し、第４グラフＧＰ４は損傷されない２層の光学変換層を含む偏光子の消光比を図示する。

図９に示したように、複数の第１格子パターンＷＧ１及び複数の第２格子パターンＷＧ２の製造過程でいずれか１つは損傷されることもある。インプリント過程で格子パターンが完全に印刷されず、印刷装置を分離する過程で格子パターンの一部分が印刷装置に付着される。それによって、図９の点線円に表示されたように、格子パターンの一部分が損傷される。

本発明の一実施形態による偏光子は、複数の第１格子パターンＷＧ１及び複数の第２格子パターンＷＧ２の中で一部が損傷されても、光学的に互いに補完することによって画素ＰＸｉｊに正常的に偏光された光を提供することができる。例えば、複数の第１格子パターンＷＧ１の中で一部分が図９のように損傷されても、損傷されていない複数の第２格子パターンＷＧ２は偏光子に入射される光を偏光させることができる。

図１０に図示された第２グラフＧＰ２に示したように、単一層の光学変換層が損傷されれば、偏光子は基準値以下の消光比を有する。ここで、基準値は第１グラフＧＰ１の消光比である。

第３グラフＧＰ３に示したように、いずれか１つの光学変換層が損傷されても、偏光性は他の１つの光学変換層で補償されるので、偏光子は基準値以上の偏光性を有する。第４グラフＧＰ４に示したように、２層の光学変換層が全て損傷されなければ、偏光子は高い偏光性を有する。

図１１は本発明の一実施形態による第１偏光子に提供される光の進行方向を示した断面図である。図１２は本発明の一実施形態による第２光学変換層の平面図である。図１１は図５に対応し、図１２は図７Ｂに対応する。以下、図１１及び図１２を参照して本発明の一実施形態による液晶パネルに対して説明する。但し、図１乃至図１０を参照して説明した構成と同一の構成に対する詳細な説明は省略する。

図１１に示したように、第１偏光子ＰＬ１は第１光学変換層ＬＣＬ１と第２光学変換層ＬＣＬ２とを含む。複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とは同一のピッチＰＴ、高さＨ１０、幅Ｗ１０を有する（図６）。複数の第１格子パターンＷＧ１の幅Ｗ１０は離隔距離Ｌ１０と同一である。複数の第２格子パターンＷＧ２の幅Ｗ１０は離隔距離Ｌ１０と同一である。この時、複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とは同一の幅Ｗ１０を有する。

複数の第１格子パターンＷＧ１及び複数の第２格子パターンＷＧ２は互いにオーバーラップされない。上面視において、複数の第２格子パターンＷＧ２は複数の第１格子パターンＷＧ１と交互に配置される。複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２とがオーバーラップされなくとも、第１偏光子ＰＬ１を通過する光は図５に図示された第１偏光子ＰＬ１を通過した光と同一の偏光性を有する。

本発明の一実施形態で、実質的に平行になる複数の第１格子パターンＷＧ１と複数の第２格子パターンＷＧ２との中で対応するパターンは、互いに部分的にオーバーラップされてもよい。そのような場合にも第１偏光子ＰＬ１を通過する光は図５に図示された第１偏光子ＰＬ１を通過した光と同一の偏光性を有する。

図１２に示したように、第２光学変換層ＬＣＬ２は、互いに連結された反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含む。複数の第２格子パターンＷＧ２の両側末端は反射部ＲＰに各々連結される。反射部ＲＰと偏光部ＰＰとは一体の形状を有する。一体の形状を有する反射部ＲＰと偏光部ＰＰとはスリットＳＬＴ１０をパターニングすることによって形成される。

図１３Ａ乃至図１３Ｅは本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。図１３Ａ乃至図１３Ｅは図４に対応する。以下、図１３Ａ乃至図１３Ｅを参照して本発明の一実施形態による液晶パネルに対して説明する。但し、図１乃至図１０を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。

図１３Ａに示したように、液晶表示パネルの第１偏光子ＰＬ１０は、第１光学変換層ＬＣＬ１０と第２光学変換層ＬＣＬ２０とを含む。第１光学変換層ＬＣＬ１０と第２光学変換層ＬＣＬ２０とは、第１ベース基板ＳＵＢ１の一面上に配置される。

第１光学変換層ＬＣＬ１０上に第２光学変換層ＬＣＬ２０が配置される。第１光学変換層ＬＣＬ１０は反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含む。図１３Ａに図示された第１光学変換層ＬＣＬ１０と第２光学変換層ＬＣＬ２０とは、図４に図示された第２光学変換層ＬＣＬ２と第１光学変換層ＬＣＬ１とに各々対応する。

本実施形態による液晶表示パネルは、第１光学変換層ＬＣＬ１０と第２光学変換層ＬＣＬ２０との中でいずれか１つが損傷されても第１偏光子ＰＬ１０に入射された光を偏光させることができる。また、第１光学変換層ＬＣＬ１０の反射部ＲＰは入射される光を吸収せず、反射させる。反射部ＲＰで反射された光は最終的に液晶表示パネルに入射される。消滅される光量が減少され、液晶表示パネルに入射される光量が増加されることによって光効率が向上される。

図１３Ｂに示したように、液晶表示パネルの第１偏光子ＰＬ１０−１は、第１光学変換層ＬＣＬ１０−１と第２光学変換層ＬＣＬ２０−１とを含む。図１３Ｂに図示された第１光学変換層ＬＣＬ１０−１と第２光学変換層ＬＣＬ２０−１とは、図４に図示された第１光学変換層ＬＣＬ１と第２光学変換層ＬＣＬ２とに各々対応する。

第１光学変換層ＬＣＬ１０−１は第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に配置され、第２光学変換層ＬＣＬ２０−１は第１ベース基板ＳＵＢ１の上面上に配置される。第１ベース基板ＳＵＢ１は図４に図示された第１絶縁層１０の機能を有する。第１光学変換層ＬＣＬ１０−１と第２光学変換層ＬＣＬ２０−１との位置は互いに置き換えられる。別に図示しなかったが、第１ベース基板ＳＵＢ１の下表面上には、第１光学変換層ＬＣＬ１０−１を保護する絶縁層又は保護フィルムがさらに配置されることもある。

図１３Ｃに示したように、液晶表示パネルの第１偏光子ＰＬ１０−２は、２つの第１光学変換層ＬＣＬ１０−２、ＬＣＬ１０−２０と、１つの第２光学変換層ＬＣＬ２０−２を含む。図１３Ｃに図示された２つの第１光学変換層ＬＣＬ１０−２、ＬＣＬ１０−２０は、図４に図示された第１光学変換層ＬＣＬ１に各々対応する。第２光学変換層ＬＣＬ２０−２は、図４に図示された第２光学変換層ＬＣＬ２に各々対応する。即ち、第２光学変換層ＬＣＬ２０−２は反射部ＲＰと偏光部ＰＰとを含む。

第１ベース基板ＳＵＢ１の上面上に１つの第１光学変換層ＬＣＬ１０−２、第２光学変換層ＬＣＬ２０−２、及び他の１つの第１光学変換層（ＬＣＬ１０−２０、以下、第３光学変換層に該当する）が順次的に積層される。第１光学変換層ＬＣＬ１０−２と第２光学変換層ＬＣＬ２０−２との間に配置された第１絶縁層１０と、第２光学変換層ＬＣＬ２０−２と第３光学変換層ＬＣＬ１０−２０との間に配置された第１絶縁層１０’とは同一の物質を含む。第１光学変換層ＬＣＬ１０−２、第２光学変換層ＬＣＬ２０−２、及び第３光学変換層ＬＣＬ１０−２０の積層順序は変更されてもよい。

第３光学変換層ＬＣＬ１０−２０をさらに具備する第１偏光子ＰＬ１０−２の偏光性はさらに向上される。３つの光学変換層の中でいずれか１つが損傷されても他の変換層が入射される光を偏光させることができるためである。

本発明の一実施形態で、偏光子は、１つの第１光学変換層ＬＣＬ１と、２つの第２光学変換層ＬＣＬ２とを含む。また、３つの光学変換層が全て第１光学変換層ＬＣＬ１と同一であるか、或いは第２光学変換層ＬＣＬ２と同一である。

図１３Ｄに示したように、液晶表示パネルの第２偏光子ＰＬ２０は、第３光学変換層ＬＣＬ３と第４光学変換層ＬＣＬ４とを含む。図１３Ｄに図示された第３光学変換層ＬＣＬ３と第４光学変換層ＬＣＬ４とは、図４に図示された第２偏光子ＰＬ２に各々対応する。図１３Ｄに図示された前記第３光学変換層ＬＣＬ３の構造は図４に図示された前記第１光学変換層ＬＣＬ１の構造と同一でありえる。図１３Ｄに図示された前記第４光学変換層ＬＣＬ４の構造は図４に図示された前記第１光学変換層ＬＣＬ１の構造と同一でありえる。本実施形態によれば、図４に図示された延伸型偏光フィルムタイプの第２偏光子ＰＬ２が複数の光学変換層を有する偏光子で代替された。第１偏光子ＰＬ１の構成は図４と同様である。

第２ベース基板ＳＵＢ２の上面上に第３光学変換層ＬＣＬ３が配置される。第３光学変換層ＬＣＬ３上に第６絶縁層６０が配置される。第６絶縁層６０は図４に図示された第１絶縁層１０と同一である。第６絶縁層６０上に第４光学変換層ＬＣＬ４が配置される。第４光学変換層ＬＣＬ４上に第７絶縁層７０が配置される。第７絶縁層７０は図４に図示された第２絶縁層２０と同一である。第７絶縁層７０上に第４光学変換層ＬＣＬ４を保護する保護フィルムＰＭが配置される。

本発明の一実施形態で、第３光学変換層ＬＣＬ３と第４光学変換層ＬＣＬ４との中で少なくともいずれか１つは、第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に配置されてもよい。本発明の一実施形態で、第３光学変換層ＬＣＬ３と第４光学変換層ＬＣＬ４との中で少なくともいずれか１つは、図４に図示された第２光学変換層ＬＣＬ２と同一であることもある。また、第２偏光子ＰＬ２０は３つ以上の光学変換層を含んでもよい。

図１３Ｅに示したように、液晶表示パネルの第１偏光子ＰＬ１０−３は、第１光学変換層ＬＣＬ１０−３と第２光学変換層ＬＣＬ１０−３０とを含む。液晶表示パネルの第２偏光子ＰＬ２０は、第３光学変換層ＬＣＬ３と第４光学変換層ＬＣＬ４とを含む。第１光学変換層ＬＣＬ１０−３、第２光学変換層ＬＣＬ１０−３０、図４に図示された第１光学変換層ＬＣＬ１に対応する。第３光学変換層ＬＣＬ３、及び第４光学変換層ＬＣＬ４は図４に図示された第２偏光子ＰＬ２に各々対応する。図１３Ｅに図示された前記第３光学変換層ＬＣＬ３の構造は図4に図示にされた前記第１光学変換層ＬＣＬ１の構造と同一でありえる。図１３Ｅに図示された前記第４光学変換層ＬＣＬ４の構造は図4に図示された前記第１光学変換層ＬＣＬ１の構造と同一でありえる。

図１４Ａ乃至図１４Ｉは本発明の一実施形態による偏光子の製造方法を示した斜視図である。図１４Ａ乃至図１４Ｈは図４乃至図７Ｂを参照して説明した第１偏光子の製造方法を図示する。

先ず図１４Ａに示したように、基底層ＳＵＢ上に第１金属層ＭＬ１を積層する。第１金属層ＭＬ１上に第１犠牲層ＳＬ１を積層する。第１犠牲層ＳＬ１上に第１マスク層ＭＰ１を形成する。

基底層ＳＵＢは、第１ベース基板ＳＵＢ１（図４参照）又は第１ベース基板ＳＵＢ１上に配置されたバッファ層である。第１金属層ＭＬ１はスパッタリング方式によって形成され、アルミニウムを含んでもよい。第１犠牲層ＳＬ１は蒸着方式によって形成され、無機物質を含む。第１マスク層ＭＰ１は、複数のスリットＭＰ１−ＳＬＴが定義されたマスクパターンを含む。第１マスク層ＭＰ１はインプリント方式によっても形成される。第１マスク層ＭＰ１はレジン（樹脂）を含む。

図１４Ｂに示したように、第１犠牲層ＳＬ１をパターニングする。ドライエッチング方式を利用して、第１マスク層ＭＰ１から露出された第１犠牲層ＳＬ１の一部分を除去する。それによって、第１犠牲層ＳＬ１に複数のスリットＳＬ１−ＳＬＴが形成される。

図１４Ｃに示したように、第１金属層ＭＬ１をパターニングする。ドライエッチング方式を利用して、第１犠牲層ＳＬ１のスリットＳＬ１−ＳＬＴから露出された第１金属層ＭＬ１の一部分を除去する。パターニングされた第１金属層ＭＬ１は複数の第１格子パターンＷＧ１（図７Ａ参照）を構成する。

図１４Ｄに示したように、第１犠牲層ＳＬ１と第１マスク層ＭＬ１とを除去した後、第１格子パターンＷＧ１上に第１絶縁層ＩＬ１を積層する。第１絶縁層ＩＬ１は図４に図示された第１絶縁層１０に対応する。第１絶縁層ＩＬ１は第１格子パターンＷＧ１上に平坦面を提供する。第１絶縁層ＩＬ１は第１格子パターンＷＧ１の間のスリットＳＬ１−ＳＬＴを充填させることもある。

図１４Ｅに示したように、第１絶縁層ＩＬ１上に第２金属層ＭＬ２、第２犠牲層ＳＬ２、及び第２マスク層ＭＰ２を形成する。第２マスク層ＭＰ２は複数のスリットＭＰ２−ＳＬＴが定義されたマスクパターンを含む。

図１４Ｆに示したように、第２犠牲層ＳＬ２をパターニングする。図１４Ｂで説明したことと同一の方式で第２犠牲層ＳＬ２のスリットＳＬ２−ＳＬＴを形成する。

図１４Ｇに示したように、第２マスク層ＭＰ２上に第２マスク層ＭＰ２を部分的にカバーする保護層ＰＲを形成する。保護層ＰＲは以後の工程で第２金属層ＭＬ２の一部分がエッチングされることを防止する。保護層ＰＲは図７Ｂに図示された反射部ＲＰが配置された領域に重畳する。

図１４Ｈに示したように、保護層ＰＲから露出された第２金属層ＭＬ２をパターニングする。ドライエッチング方式を利用して、第２犠牲層ＳＬ２のスリットＳＬ２−ＳＬＴから露出された第２金属層ＭＬ２の一部分を除去する。パターニングされた第２金属層ＭＬ２は複数の第２格子パターンＷＧ２（図７Ｂ参照）と反射部ＲＰ（図７Ｂ参照）とを構成する。

図１４Ｉに示したように、パターニングされた第２金属層ＭＬ２上に第２絶縁層ＩＬ２を形成する。第２絶縁層ＩＬ２は図４に図示された第２絶縁層２０に対応する。以後、通常の表示装置製造方法によって薄膜トランジスターＴＦＴ、共通電極ＣＥ、及び画素電極ＰＥを形成することができる。

本発明の一実施形態で第２絶縁層ＩＬ２上に図１４Ａ乃至図１４Ｄを参照して説明した工程を１回さらに遂行すれば、図１４Ｉに図示された偏光子が形成される。また、図１４Ａ乃至図１４Ｄを参照して説明した工程と図１４Ｅ乃至図１４Ｉを参照して説明した工程の順序を変更すれば、偏光子の層構造を変形できる。

以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明のマッピング及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることは理解できる。

したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されることではなく、特許請求の範囲によって定まれなければならない。

ＤＰ・・・表示パネル
１００・・・信号制御部
２００・・・ゲート駆動部
３００・・・データ駆動部
ＰＬ１・・・第１偏光子
ＰＬ２・・・第２偏光子
ＬＣＬ１・・・第１光学変換層
ＬＣＬ２・・・第２光学変換層
ＰＰ・・・偏光部
ＲＰ・・・反射部
ＷＧ１・・・第１格子パターン
ＷＧ２・・・第２格子パターン

Claims (15)

1. 複数の透過領域と前記複数の透過領域に隣接する遮光領域とを含む第１ベース基板と、
   前記第１ベース基板と離隔されて配置された第２ベース基板と、
   前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置され、前記複数の透過領域に各々重畳する複数の画素と、
   前記複数の画素を介して離隔されて配置された第１偏光子及び第２偏光子と、を含み、
   前記第１偏光子と前記第２偏光子との中で少なくともいずれか１つは互いに異なる層上に配置されている複数の光学変換層を含み、前記複数の光学変換層の各々は複数の格子パターンを含むことを特徴とする表示装置。
2. 前記第１偏光子は、
   複数の第１格子パターンを含む第１光学変換層と、
   前記複数の第１格子パターンと実質的に同一の方向に延長され、実質的に同一の方向に羅列された複数の第２格子パターンを含む第２光学変換層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板を介して配置されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板の一側に配置され、
   前記第１光学変換層及び前記第２光学変換層は、前記第１ベース基板の一面と前記複数の画素との間に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１光学変換層は、前記複数の第１格子パターンを含み、前記複数の透過領域に重畳する偏光部及び前記遮光領域をカバーする反射部を含み、
   前記第２光学変換層は、前記複数の第２格子パターンを含み、前記複数の透過領域に重畳する偏光部を含む請求項３に記載の表示装置。
7. 前記複数の第１格子パターンと前記複数の第２格子パターンとの各々は５０ｎｍ乃至１５０ｎｍの高さを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
8. 前記複数の第１格子パターンの中で隣接する２つの格子パターン間の前記羅列された方向の離隔距離と、前記隣接する２つの格子パターンの中で１つの格子パターンの前記羅列された方向の幅の合計をピッチとして定義し、前記ピッチに対する前記１つの格子パターンの前記羅列された方向の幅は、０．３：１乃至０．６：１であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
9. 前記複数の第２格子パターンは、前記複数の第１格子パターンの前記ピッチと同一のピッチを有し、前記第２格子パターンは、前記第１格子パターンの前記幅と同一の幅を有することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記複数の第１格子パターン及び前記複数の第２格子パターンの各々は、金属層及び前記金属層をカバーする金属酸化物層を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
11. 前記第１偏光子は、
    前記複数の第１格子パターンと実質的に同一の方向に延長され、実質的に同一の方向に羅列された複数の第３格子パターンを含む第３光学変換層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
12. 前記第２偏光子は、延伸型偏光フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
13. 前記第２偏光子は、
    複数の第３格子パターンを含む第３光学変換層と、
    前記複数の第３格子パターンと同一の方向に延長され、同一の方向に羅列された複数の第４格子パターンを含む第４光学変換層と、を含み、
    前記第３光学変換層及び前記第４光学変換層は、前記第２ベース基板に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
14. 前記遮光領域に重畳するブラックマトリックスと、
    前記複数の透過領域に重畳する複数のカラーフィルターと、をさらに含む請求項２に記載の表示装置。
15. 複数の透過領域と前記複数の透過領域に隣接する遮光領域を含む第１ベース基板と、
    前記第１ベース基板と離隔されて配置された第２ベース基板と、
    前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置され、前記複数の透過領域に各々重畳する複数の画素と、
    前記複数の画素を介して離隔されて配置されている第１偏光子及び第２偏光子と、を含み、
    前記第１偏光子は、複数の第１格子パターンを含む第１光学変換層及び前記複数の第１格子パターンと実質的に同一の方向に延長され、実質的に同一の方向に羅列された複数の第２格子パターンを含み、前記第１光学変換層と他の層上に配置されている第２光学変換層を含むことを特徴とする表示装置。

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