JP2009031774A - 液晶表示装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶滴下工法において、硬化させていないシール材は、一対の基板を貼り合わせた時にシール材の幅が増大し、シール材に液晶材料が入り込んで、シール材の内周縁に凹凸が生じる問題が生じている。
【解決手段】一対の基板を貼り合わせた時に液晶が拡散する速度を遅くする領域をシール材と配向膜の間に設け、液晶が拡散してシール材と接触するまでの時間を長くすることで、液晶が接触する前にシール材を光硬化させる。液晶が拡散する速度を遅くする領域の形成は、垂直配向膜形成材料、シランカップリング剤、または光触媒機能を有する物質などを用いて形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置及びその作製方法に関する。例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する液晶表示パネルに代表される電気光学装置及びその作製方法、およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器の作製方法に関する。

近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。

従来、画像表示装置として液晶表示装置が知られている。パッシブマトリクス型の液晶表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。

このようなアクティブマトリクス型の電気光学装置の用途は広がっており、画面サイズの大面積化とともに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。

パネルサイズが大型化するにつれ、使用する材料のコストがかかる。特に画素電極と対向電極との間に配置される液晶材料は高価である。

液晶注入法を用いる場合、液晶を封止するために、シール描画、対向基板の貼り合わせ、分断、液晶注入、液晶注入口の封止などといった複雑な工程が必要である。特にパネルサイズが大型になると、毛細管現象を用いて液晶注入を行うため、シールで囲まれた領域（少なくとも画素部を含む）に液晶を充填することが困難となってくる。毛細管現象を用いて液晶注入を行う際、液晶注入口に注入する量よりも多くの量の液晶が使用され、無駄になってしまう。

また、液晶注入法を用いる場合、２枚の基板を貼り合わせた後、分断を行い、分断面に形成されている液晶注入口から液晶材料を注入することとなるが、液晶注入口から画素領域まで延びている液晶材料の通り道となる部分にも液晶を充填されてしまう。また、駆動回路部を画素部と同一基板に設けた場合、画素部領域だけでなく駆動回路部と重なる部分にも液晶を充填する場合がある。このように表示部となる領域以外の余分な部分にも液晶材料が充填されてしまう。

また、液晶注入口から画素領域まで延びている液晶材料の通り道、特に液晶注入口付近は、パネルのほかの部分に比べて極端に多くの液晶が通過する部分となり、注入の際に摩擦が生じて配向膜表面が変化し、結果的に液晶の配向の乱れを生じさせる恐れもある。

また、液晶注入法は、液晶注入後に液晶注入口を塞ぐ工程も必要となる。

また、本出願人は、液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせる技術を特許文献１に提案している。
米国特許第４，６９１，９９５号明細書

特許文献１に開示されている技術は液晶滴下工法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）と呼ばれている。液晶滴下工法は、必要な箇所のみに必要な量の液晶が滴下されるため、材料のロスがなくなる。また、シールパターンは閉ループとするため、液晶注入口および通り道のシールパターンは不要となる。従って、液晶注入時に生じる不良（例えば、配向不良など）がなくなる。

また、液晶滴下工法は、液晶注入法と工程順序が大きく異なる。

液晶注入法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にスクリーン印刷法、またはディスペンス装置を用いてシール材を描画する。次いで、対向基板ともう一枚の基板とを貼り合わせ、熱プレスを行ってシール材を硬化し、貼り合わせる。次いで、基板の端面にシール材の一部（液晶注入口）が位置するように一対の基板の分断を行う。次いで、一対の基板を減圧下のチャンバー内に配置し、液晶材料を液晶注入口に接した状態としたまま、チャンバー内を減圧から大気圧に徐々に戻すことによって、液晶注入口から毛細管現象を用いて液晶注入を行う。次いで、液晶注入口を封止材で塞ぎ、紫外線照射を行って封止材を硬化させる。最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。

また、液晶滴下工法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にディスペンスを用いて閉パターンのシール材を描画する。次いで、シール材で囲まれた領域に対して液晶を所望の量だけ対向基板上に滴下する。次いで、対向基板ともう一枚の基板とを減圧下で貼り合わせる。次いで、一対の基板の雰囲気を減圧から大気圧にする。次いで、紫外線照射を行い、シール材を硬化させる。次いで、さらなるシール材の硬化のための加熱処理と、液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行う。最後に一対の基板の分断を行う。

液晶注入法は、一対の基板を熱プレスで貼り合わせた後に分断し、液晶を注入するが、液晶滴下工法は、基板上に液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、その後に分断する。

また、液晶の配向を整えるための加熱処理を行う必要があるが、液晶注入法は、封止材を硬化させた後に加熱処理を行って液晶の配向を揃えている。一方、液晶滴下工法は、シール材の硬化のための加熱処理と液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行うことで効率よく液晶表示装置を作製している。

また、液晶注入法は、熱プレスで硬化させたシール材と液晶とが接触するのに対して、液晶滴下工法は、硬化させていないシール材と液晶とが接触することとなる。

加えて、液晶滴下工法において、硬化させていないシール材は、一対の基板を貼り合わせた時にシール材の幅が増大し、且つ、液晶は滴下部分から広がることとなる。

結果として、シール材に液晶材料が入り込んで、シール材の内周縁に凹凸が生じる問題が生じている。このシール材の内周縁に形成された凹凸形状により、表示不良を引き起こす恐れがある。

本発明は、一対の基板を貼り合わせた時に硬化させていないシール材と液晶とが接触して、シール材の内周縁に凹凸形状が生じないパネル構成およびその作製方法を提供することを課題とする。

そこで、本発明は、一対の基板を貼り合わせた時に液晶が拡散する速度を遅くする領域をシール材と配向膜の間に設け、液晶が拡散してシール材と接触するまでの時間を長くすることで、液晶が接触する前にシール材を硬化させる。なお、液晶が接触する前にシール材を硬化させる必要は特になく、液晶が一部シール材と接触した状態で硬化させても、シール材の内周縁に凹凸が生じることを防ぐことができる。また、硬化していないシール材から不純物が液晶に溶け出すことも防止できる。

また、一対の基板を貼り合わせて、液晶が拡散してシール材に触れる前に紫外線照射を行ってシール材を光硬化させることが好ましい。

シール材は短時間に硬化させることができる紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。また、シール材は紫外線照射と加熱との両方で硬化する樹脂を用いてもよい。また、粘度が低いシール材は、シール材を滴下する際にはインクジェット法が向いており、粘度が高いシール材は、シール材を滴下する際にはディスペンス法が向いている。

液晶が拡散する速度を遅くする領域の形成は、垂直配向膜形成材料、シランカップリング剤、または光触媒機能を有する物質などを用いて形成する。

本明細書で開示する作製方法に関する発明の構成は、第１の基板上に第１の配向膜を形成し、前記第１の基板上に前記第１の配向膜を囲む第２の配向膜を形成し、前記第１の基板上に前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜を囲むシール材を形成し、前記第１の配向膜上に液晶を滴下し、減圧下で前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせる間に、前記シール材の幅を広げて前記第２の配向膜と一部重ね、且つ、少なくとも前記シール材の一部を光硬化させる液晶表示装置の作製方法である。なお、前記第２の配向膜は、垂直配向膜であり、第１の配向膜とは異なる配向膜である。

また、上記方法によって得られる液晶表示装置も特徴を有しており、その構造は、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶と、第１の配向領域と、前記第１の配向領域を囲む第２の配向領域と、前記第１の配向領域及び前記第２の配向領域を囲むシール材とを有し、前記第１の配向領域を通る光の光量を画素毎に制御して画像を表示する液晶表示装置である。前記第２の配向領域と重なる第１の基板の表面の一部、または前記第２の配向領域と重なる第２の基板の表面の一部には、垂直配向膜が選択的に形成されており、垂直配向膜とシール材は一部重なっている。

上記構成は、第１の配向膜を通る光の光量を画素毎に制御して画像を表示するため、表示する領域を囲む第２の配向膜によって、表示する領域とは異なる液晶の配向領域を形成し、光漏れを低減することができる。また、光漏れを低減するため、第１の配向膜と第２の配向膜は間を開けないようにすることが望ましい。従って、第１の配向膜と第２の配向膜は接するように形成し、好ましくは、第１の配向膜の端部上に一部第２の配向膜が形成されるようにする。

また、液晶材料としては、特に限定されず、ＴＮ液晶、ＯＣＢ液晶、ＳＴＮ液晶、ＶＡ液晶、ＥＣＢ型液晶、ＧＨ液晶、高分子分散型液晶、ディスコティック液晶などを用いることができる。

また、上述した第１の配向膜と第２の配向膜を異ならせ、その第２の配向膜を垂直配向膜とすると述べたが、第１の配向膜として垂直配向膜を用いて、第２の配向膜を垂直配向膜と異なる配向膜を用い、ノーマリーブラック型の液晶パネル、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置とすることもできる。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ− Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。具体的には、１画素を複数のサブピクセルに分割し、各サブピクセルの中央に位置する対向基板の箇所に凸部を設けることで１画素をマルチドメイン化する。なお、凸部は、対向基板または素子基板の一方または両方に設けてもよく、放射状に液晶分子を配向させ、配向規制力を向上させる。ＭＶＡモードにおいては、画素部内で異なる複数の配向状態を設けるものであるため、本発明を適用した場合には、画素部の外側でさらに異なる配向状態を設けることとなる。

また、作製方法に関する他の発明の構成は、第１の基板上に配向膜を形成し、前記配向膜にラビング処理を行い、前記配向膜を囲むように撥液処理剤を滴下してコーティング部を形成し、前記第１の基板上に前記コーティング部を囲むシール材を形成し、前記コーティング部で囲まれた領域上に液晶を滴下し、減圧下で前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせる間に、前記シール材の幅を広げて前記シール材の内周縁を前記コーティング部の外周縁と合わせ、且つ、前記シール材の少なくとも一部を光硬化させる液晶表示装置の作製方法である。

また、上記方法によって得られる液晶表示装置も特徴を有しており、その構造は、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶と、前記液晶を囲むシール材と、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方または両方に、撥液処理剤を滴下したコーティング部とを有し、前記コーティング部は枠状であり、前記コーティング部の外周縁は、前記シール材の内周縁に沿って配置する液晶表示装置である。なお、前記撥液処理剤は、シランカップリング剤である。

本明細書において、シランカップリング剤とは、基板に結合（化学吸着）しうる部位（例えば、加水分解してシラノール基を与えるアルコキシ基（トリアルコキシシラン系化合物等）、或いはハロゲン原子（トリハロシラン系化合物等）と、液晶分子に対し垂直配向を有する部位（例えば、炭素原子数１０〜２２のアルキル基、またはフルオロアルキル基など））とを有するシリコン系化合物である。従って、シランカップリング剤も垂直配向膜形成材料の一種とも言える。本明細書において、シランカップリング剤で形成される膜は、自己組織化単分子膜であり、非常に薄い膜であるので、樹脂膜などの垂直配向膜とは区別して表記することとする。また、シランカップリング剤を塗布したコーティング部はシール材との密着性が低いため、貼り合わせ時にシール材の幅が広がっても重ならないようにすることが好ましく、コーティング部の外周縁は、前記シール材の内周縁に沿って配置されるようにする。

シランカップリング剤として、具体的には、オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳとも呼ぶ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳとも呼ぶ）、Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ−ｏｃｔａｄｅｃｙｌ−３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＤＭＯＡＰとも呼ぶ）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

またシランカップリング剤は、加水分解、縮合といった反応を経て自己組織化単分子膜を形成する。従って加水分解を促進するため、水、アルコール、ケトン等の溶媒を添加しても良いが、シランカップリング剤は大気中の水分等でも十分に加水分解される。また液晶材料は、液晶合成工程、あるいは通常の液晶表示装置の作製工程においては一時的な大気暴露により水、アルコール、ケトンなどが混入することもあり得る。この程度の含有量であれば加水分解、縮合といった反応が完了するのに十分な量であり、よって必ずしも意図的に加える必要はない。また意図的に水、アルコール、ケトン等を加える場合には、過剰に加える事で電圧保持率特性を低減させるといった悪影響が起きるため１重量％以下であることが好ましい。

また上記トリハロシラン系化合物シランカップリング剤は、加水分解性が高いため水酸基あるいはカルボニル基を有さない溶媒を用いることが好ましい。

また、トリアルコキシシラン系化合物シランカップリング剤を用いる場合には、カルボン酸を触媒として添加して、さらに加水分解反応を進行させてもよい。

また、光触媒機能を有する物質を用いて、液晶が拡散する速度を遅くする領域の形成することができる。光触媒物質は光触媒活性を有しているので、光照射によって活性化し、そのエネルギーによって物質表面を改質することができる。この場合、選択的に光照射しなかった領域を撥液層とすることになる。配向膜にラビング処理を行った後、配向膜上にスピンコート法などによって、光触媒物質を含む撥液層を全面に形成する。その後、メタルマスクなどを用いて選択的に光を照射して撥液層を分解する。本発明においては、配向膜が形成されている領域を囲み、且つ、後のシール材が形成される領域の内側の領域を選択的に遮光する。

光触媒物質は、酸化チタン（ＴｉＯ_Ｘ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ_３）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）等が好ましい。これら光触媒物質に紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせてもよい。

改質処理に用いる光は、特に限定されず、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。例えば、紫外線ランプ、ブラックライト、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いてもよい。その場合、ランプ光源は、必要な時間点灯させて照射してもよいし、複数回照射してもよい。

また、狭額縁化するために、シール材の外周縁形状を矩形とし、その矩形の内側に導電粒子を配置する。この導電粒子は対向基板に設けられる対向電極と、端子部と接続する接続配線とを電気的に接続させるためのものである。導電粒子は、樹脂中に複数の導電粒子を含ませた流動物を用いてディスペンス法で配置される。従って、配向膜などの絶縁膜と導電粒子が重なった場合には導通させることが困難となるため、一対の基板の貼り合わせ前には、第１の配向膜や第２の配向膜やコーティング部と重ならない位置に形成することが好ましい。なお、一対の基板の貼り合わせを行えば、樹脂が広がるため、導電粒子を含ませた樹脂の一部が配向膜などの絶縁膜と重なってもよい。なお、導電粒子が配置される導電部は、少なくとも１箇所設ければよい。

また、液晶材料を滴下する場合、液晶材料の粘度を低くするために液晶材料を加熱してディスペンス法により滴下することが好ましい。滴下時に液晶材料が拡散してシール材に接してしまうことがないように、少なくとも滴下時の液晶の温度よりも滴下される基板の表面温度は、低くしておくことが好ましい。さらに、滴下される基板を冷却し、滴下時に液晶材料の粘度を高くしておいてもよい。

また、滴下時に液晶材料が拡散してシール材に接してしまうことがないように、一箇所に滴下量全ての液晶を滴下するのではなく、一箇所当たりの滴下量を少なくし、複数箇所に分けて滴下してもよい。

一対の基板を貼り合わせた時に硬化させていないシール材と液晶とが接触して、シール材の内周縁に凹凸形状が生じないパネル構成を実現できる。

本発明の実施形態について、以下に説明する。

（実施の形態１）
ここでは、一方の基板側にシール描画、液晶滴下を行い、一対の基板を貼り合わせるまでの例を以下に説明する。

まず、第１の基板１００上に第１の配向膜１０１を形成する。第１の基板１００としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われるガラス基板（「無アルカリガラス基板」とも呼ばれる）、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等を適宜用いることができる。

第１の配向膜１０１は、オフセット印刷法またはスクリーン印刷法などによって液状の水平配向膜形成材料、例えばポリイミドを選択的に塗布し、焼成させることで形成する。そして、焼成後にラビング処理を行って第１の配向膜１０１が形成される。ラビング処理を行うことによって、液晶のプレチルト角が０．１〜１０°として水平配向状態とすることができる。

後に表示領域となる面積とほぼ同じ面積の第１の配向膜１０１とすると、後に第２の配向膜を形成した場合に、第２の配向膜による液晶の配向が表示領域の液晶の配向に影響を与える恐れがある。従って、表示領域となる面積よりも十分大きい面積の第１の配向膜１０１とする。

なお、液晶を滴下する基板を第１の基板と呼び、その第１の基板に貼り合わせる基板を第２の基板と呼ぶ。第１の基板にＴＦＴを含む画素部を形成する場合には第２の基板は対向基板となる。また、第２の基板にＴＦＴを含む画素部を形成する場合には、第１の基板は対向基板になる。

次いで、第２の配向膜１０３を形成する。第１の配向膜１０１にラビング処理を行った後であるので、オフセット印刷法またはディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、第２の配向膜１０３を形成する。第２の配向膜１０３は、ラビング処理などの配向処理を行わなくとも、塗布して焼成するだけで液晶のプレチルト角が８０〜９０°として垂直配向状態とすることができる。ここでは、第２の配向膜１０３として、垂直配向膜形成材料を用い、その基本的骨格は第１の配向膜と同じポリイミドであるが、その側鎖に長鎖アルキル基や平面構造を有する官能基が導入された材料を用いる。このような垂直配向膜形成材料を用いれば、例えば主鎖部分が基板表面に対して水平に並ぶ時に、その側鎖部分が液晶分子をほぼ垂直に配向させることができる。第２の配向膜１０３は、第１の配向膜１０１を囲むように閉口枠形状に形成する。第２の配向膜１０３の内周縁を第１の配向膜１０１の外周縁と合わせて配置する。第１の配向膜１０１と第２の配向膜１０３との間隔が空いてしまうと、液晶の配向状態が乱れる恐れがあるため、第２の配向膜１０３は、間隔が空かないように第１の配向膜１０１上に一部重ねることが好ましい。

次いで、ディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、閉パターンのシール材１１２を形成する。シール材１１２としては、可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を含む材料を用いることができる。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。シール材１１２としては粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。

また、シール材１１２は液晶注入口を有しない閉口枠形状に形成する。シール材１１２の内周縁を第２の配向膜１０３の外周縁と合わせて配置する。ただし、後の一対の基板の貼り合わせ工程で、シール材の幅が広がることを考慮に入れて、第２の配向膜１０３の外周縁とは、シール材が広がる幅の間隔を空けてシール材を形成する。

シール材１１２には、一対の基板間隔を保持するギャップ材（フィラー（直径１μｍ〜２４μｍ）、微粒子など）を含ませてもよい。２インチ以下のパネルサイズであれば、画素部に柱状スペーサや球状スペーサを設けなくとも、シール材に含ませたギャップ材で一対の基板間隔を保つこともできる。

次いで、ディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、第１の配向膜１０１上に液晶材料１０４を滴下する。ここでは液晶ディスペンサ１１８を用いて加熱して粘度を低下させた液晶材料１０４を滴下する。この段階での断面図を図１（Ａ）に示す。

また、図１（Ａ）の斜視図を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）において鎖線で示した領域１０２が、後に表示領域となる領域に相当する。

次いで、減圧下で第２の基板１１０を貼り合わせる。貼り合わせ直後の状態を図１（Ｃ）に示し、さらに時間を経て液晶が充填された状態を図１（Ｄ）に示す。

第２の基板１１０としては、後に液晶表示装置とした場合に熱による変形でシール材が破られることのないように、第１の基板１００と熱膨張係数がほぼ同じ材料を用いることが好ましい。また、第１の基板１００及び第２の基板１１０として、両方とも可撓性を有するプラスチック基板を用いることで、可撓性を有する液晶表示装置を作製することもできる。

第２の基板１１０上には、予め第３の配向膜１１１と第４の配向膜１１３を形成しておく。また図示しないが、液晶を駆動するための電極または薄膜トランジスタなどを形成する。第１の基板１００上に帯状の電極を並べて形成し、第２の基板１１０上にも帯状の電極を並べて形成し、それぞれの基板に形成された電極が交差するように一対の基板を貼り合わせればパッシブマトリクス型の液晶表示装置を作製することができる。

また、第１の基板１００上に対向電極を形成し、第２の基板１１０上に薄膜トランジスタとその薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成して、一対の基板を貼り合わせれば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製することができる。

第３の配向膜１１１は第１の配向膜１０１と同じ形成方法を用い、同じ材料を用いてほぼ同じ面積を有する。ただし、第３の配向膜１１１と第１の配向膜１０１はラビング処理の方向がそれぞれ異なっており、第３の配向膜１１１のラビング方向と第１の配向膜１０１のラビング方向がほぼ直交するように一対の基板が貼り合わされる。

また、第４の配向膜１１３は、第２の配向膜１０３と同じ形成方法を用い、同じ材料を用いてほぼ同じ閉口枠形状を有する。

図１（Ｃ）に示すように、貼り合わせ直後は、シール材が押しつぶされ、幅が広げられたシール材１２２となり、幅が広げられたシール材１２２の一部を、第２の配向膜１０３及び第４の配向膜１１３と重ねる。一対の基板の貼り合わせ後の状態で、幅が広げられたシール材１２２と第２の配向膜１０３との間隔が空いてしまうと、液晶の配向状態が乱れる恐れがあるため、図１（Ｃ）に示すように、幅が広げられたシール材１２２と第２の配向膜１０３とが一部重なるようにすることが好ましい。このようにすることで、液晶表示装置とした時の光の漏れを抑えることができる。

また、液晶材料１０４は、第１の配向膜１０１と第３の配向膜１１１との間を拡散しているが、まだ減圧空間１０５が液晶材料１０４と幅が広げられたシール材１２２との間にある。このように、液晶材料１０４と幅が広げられたシール材１２２とが互いに接していない状態で、紫外線１１５が照射され、幅が広げられたシール材１２２の光硬化を開始する。その後、幅が広げられたシール材１２２の一部、好ましくは、シール材１２２の内周縁が硬化した後で、液晶材料を拡散させて硬化したシール材と液晶材料とが接するようにする。

なお、紫外線１１５は選択的に照射する。紫外線を照射しても液晶材料が変質等生じないのであれば、基板全面に照射してもよい。

そして、幅が広げられたシール材１２２の内部を液晶材料が充填された状態、即ち図１（Ｄ）に示す状態が得られる。必要であれば、最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。

こうして第１の配向膜１０１と第３の配向膜１１１との間に、液晶層における第１の配向領域１１４を形成し、第２の配向膜１０３と第４の配向膜１１３との間に、液晶層における第２の配向領域１１７を形成する。

また、ここではシール材を描画した基板に液晶滴下した例を示したが、特に限定されず、第１の基板上に液晶滴下した後、シール材を描画した第２の基板を貼り合わせてもよい。

また、ここでは、第１の配向膜を形成した後、第２の配向膜を形成し、さらにシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、先に第２の配向膜を形成した後、第１の配向膜を形成し、さらにシール材を形成する順序としてもよい。

また、ここでは、一対の基板を用いて４つの液晶パネルを作製する、所謂多面取りの方法を示している。液晶滴下法は、このような多面取りの方法において、分断を行う前に液晶封止を行うことができるため、大量生産を行う方法として適している。なお、多面取りの方法でなく、一枚の基板に一つの液晶パネルを作製する方法でも本発明を適用することができることは言うまでもない。

（実施の形態２）
本実施の形態では、撥液処理剤を用いて、ＦＴÅ１２５動的接触角計（Ｆｉｒｓｔ Ｔｅｎ Åｎｇｓｔｒｏｍｓ社製）を用いて液晶との接触角が４０°より大きく１３０°未満の層を有するコーティング部を形成する例を示す。液晶との接触角は、同じ撥液処理剤に対する水の接触角よりも小さくなり、液晶材料によっても異なる。従って、撥液処理剤と液晶材料との組み合わせを適宜選択し、液晶との接触角が４０°より大きく１３０°未満の層を有するコーティング部を形成する。液晶との接触角が４０°未満であれば、液晶の拡散速度を十分遅めることが困難である。また、液晶との接触角が１３０°以上であれば、液晶と接触面積が点に近づくため、液晶の一部が球体に近い形状となって移動しやすくなり、シール材に接触する恐れがある。なお、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）と同じ部分は、同じ符号を用いて説明する。

まず、実施の形態１と同様に第１の配向膜１０１を形成する。

次いで、閉口枠形状のコーティング部１３３を形成する。本実施の形態では第２の配向膜１０３に代えて、コーティング部１３３を形成する。撥液処理剤を用いて、ディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、コーティング部１３３を形成する。コーティング部は、撥液処理剤を塗布し、焼成して溶媒を取り除き、得られる自己組織化単分子膜が表面に形成された領域を指している。

コーティング部１３３は、第１の配向膜１０１を囲むように閉口枠形状に形成する。コーティング部１３３の内周縁を第１の配向膜１０１の外周縁とできるだけ一致するように合わせて配置する。第１の配向膜１０１とコーティング部１３３と位置合わせが重要であるため、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法は、微量の液体を複数滴噴射（または滴下）で行なうものである。インクジェット法を用いることによって、吐出回数、または吐出ポイントの数などで微量な撥液処理剤の量を自由に調節することができる。

ここでは、撥液処理剤は、オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳとも呼ぶ）を用いる。オクタデシルトリメトキシシランを用いてコーティング部１３３を形成した場合、得られる自己組織化単分子膜により液晶分子の長軸を基板面に対して垂直に配向させることができるため、非常に薄い第２の配向膜とも呼べる。勿論、撥液処理剤は、オクタデシルトリメトキシシランに限定されず、液晶の配向に影響を与えない材料を用いてもよい。

次いで、ディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、閉パターンのシール材を形成する。ただし、後の一対の基板の貼り合わせ工程で、シール材の幅が広がることを考慮に入れて、コーティング部１３３の外周縁とは、シール材が広がる幅の間隔を空けてシール材を形成する。

次いで、ディスペンス法またはインクジェット法などの液滴吐出法により、第１の配向膜１０１上に液晶材料１０４を滴下する。

次いで、減圧下で第２の基板１１０を貼り合わせる。貼り合わせ直後の状態を図２（Ａ）に示し、さらに時間を経て液晶が充填された状態を図２（Ｂ）に示す。

第２の基板１１０上には、予め第３の配向膜１１１を形成しておく。第３の配向膜１１１は第１の配向膜１０１と同じ形成方法を用い、同じ材料を用いてほぼ同じ面積を有する。ただし、第３の配向膜１１１と第１の配向膜１０１はラビング処理の方向がそれぞれ異なっており、第３の配向膜１１１のラビング方向と第１の配向膜１０１のラビング方向がほぼ直交するように一対の基板が貼り合わされる。

図２（Ａ）に示すように、貼り合わせ直後は、シール材が押しつぶされ、幅が広げられたシール材１２２となり、幅が広げられたシール材１２２の内周縁とコーティング部１３３の外周縁とがほぼ一致する、或いは間隔が空くようにする。

また、液晶材料１０４は、第１の配向膜１０１と第３の配向膜１１１との間を拡散しているが、まだ減圧空間１０５が液晶材料１０４と幅が広げられたシール材１２２との間にある。

また、本実施の形態では、一対の基板の一方にしかコーティング部１３３を設けていない例であるため、液晶材料１０４と幅が広げられたシール材１２２が一部接した状態で紫外線１１５が照射され、幅が広げられたシール材１２２の光硬化を開始する。その後、幅が広げられたシール材１２２の一部、好ましくは、シール材１２２の内周縁が硬化した後で、液晶材料を拡散させて硬化したシール材と液晶材料とが接するようにする。

このように、一対の基板の一方にしかコーティング部１３３を設けていなくとも、少なくともシール材の一部を硬化させることができるため、コーティング部１３３を設けない場合に比べて、シール材の内周縁に凹凸形状が生じにくい。

勿論、一対の基板の両方にコーティング部を設けてもよい。

そして、幅が広げられたシール材１２２の内部を液晶材料が充填された状態、即ち図２（Ｂ）に示す状態が得られる。必要であれば、最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。

また、ここでは、第１の配向膜を形成した後、コーティング部を形成し、さらにシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、先にコーティング部を形成した後、第１の配向膜を形成し、さらにシール材を形成する順序としてもよい。

本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。例えば、第１の配向膜の外側に閉口枠形状の第２の配向膜を形成し、さらに閉口枠形状の領域にコーティング部を設け、その外側にシール材を配置する構造としてもよい。

また、本実施の形態と実施の形態１を組み合わせ、本実施の形態で得られるコーティング部を設けた基板と、実施の形態１で得られる第２の配向膜を設けた基板とを貼り合わせた液晶パネルを作製してもよい。

（実施の形態３）
パネル作製の流れを以下に説明する。主な工程断面図を図３に示す。

まず、対向基板となる第１の基板２２０上に透明導電膜からなる対向電極２２２を形成する。透明導電膜としては、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等がある。また、対向電極２２２は、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した対向電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。

導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。

共役導電性高分子の具体例としては、ポリピロ−ル、ポリ（３−メチルピロ−ル）、ポリ（３−ブチルピロ−ル）、ポリ（３−オクチルピロ−ル）、ポリ（３−デシルピロ−ル）、ポリ（３，４−ジメチルピロ−ル）、ポリ（３，４−ジブチルピロ−ル）、ポリ（３−ヒドロキシピロ−ル）、ポリ（３−メチル−４−ヒドロキシピロ−ル）、ポリ（３−メトキシピロ−ル）、ポリ（３−エトキシピロ−ル）、ポリ（３−オクトキシピロ−ル）、ポリ（３−カルボキシルピロ−ル）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシルピロ−ル）、ポリＮ−メチルピロール、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−オクトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシルチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（２−オクチルアニリン）、ポリ（２−イソブチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）等がある。

次いで、対向電極２２２上に柱状スペーサ２１５を形成する。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。

次いで、対向電極２２２及び柱状スペーサ２１５を覆う第１の配向膜２２１を形成する。次いで、第１の配向膜２２１の表面にラビング処理を行う。この段階での工程断面図が図３（Ａ）に相当する。

次いで、第１の配向膜２２１の端部と重なる第２の配向膜２２３をインクジェット装置２２４で形成する。第１の配向膜２２１を囲むように第２の配向膜２２３は閉口枠形状とする。第２の配向膜２２３は、第１の配向膜２２１とは液晶に異なる配向状態を与えるものとする。この段階での工程断面図が、図３（Ｂ）に相当する。

次いで、対向電極１２２上に第２の配向膜２２３と間隔を空けてシール材２１２を形成する。スクリーン印刷法、インクジェット装置、またはディスペンス装置を用いてシール材２１２の描画を行う。シール材２１２としては、アクリル系光硬化樹脂などを用いればよい。シール材２１２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しないシール材料を選択することが好ましい。この段階での工程断面図が、図３（Ｃ）に相当する。

次いで、第１の配向膜２２１上に液晶の滴下を行う。インクジェット装置、またはディスペンス装置を用いて液晶の滴下を行う。図３（Ｄ）に示すように、シール材２１２に囲まれた領域に液晶２１４を液晶ディスペンサ２１８により大気圧下で滴下する。液晶２１４としては、滴下可能な粘度を有する公知の液晶材料を用いればよい。液晶ディスペンサ２１８により無駄なく必要な量だけの液晶２１４をシール材２１２に囲まれた領域に保持することができる。また、インクジェット法を用いて液晶の滴下を行ってもよい。

次いで、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。この段階での工程断面図が、図３（Ｅ）に相当する。第２の基板２１０には予め、画素電極２１１と端子電極２１３とを形成しておく。さらに画素電極２１１を覆う第３の配向膜２３１を形成し、第３の配向膜と端面がほぼ一致している第４の配向膜２３３を形成しておく。第３の配向膜２３１を囲むように第４の配向膜２３３は閉口枠形状とする。

本実施の形態は、第２の配向膜２２３と第４の配向膜２３３の面積が異なる例を示している。

次いで、基板の貼り合わせ直後にシール材への紫外線照射を行う。第２の配向膜２２３や第４の配向膜２３３により液晶の拡散速度を遅め、液晶がシール材に接触する前にシール材の光硬化を行うことができる。

次いで、熱処理を行って、シール材２１２をさらに硬化させると同時に、液晶を加熱して液晶の配向を揃える。この段階での工程断面図が、図３（Ｆ）に相当する。この加熱処理によって、基板間隔が固定される。図３（Ｆ）に示すように、基板間隔は柱状スペーサ２１５で保持される。

なお、ここでは紫外線照射の後に加熱処理を行うことでシール材の硬化を行っているが、特に限定されず、十分なシール材の密着特性、例えば２００Ｎ／ｃｍ^２以上のシール強度が得られるようにする。

次いで、図３（Ｇ）に示すように、基板の分断を行う。スクライブ溝を形成し、そのスクライブラインに沿って圧力を加え、分断を行い、端子電極２１３を露呈させる。

本実施の形態では、対向基板となる第１の基板２２０上に柱状スペーサ２１５を形成した例を示したが、特に限定されず、第２の基板２１０上に柱状スペーサ２１５を形成してもよい。

本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
一方の基板に設けられた対向電極ともう一方の基板に設けられた接続配線とを電気的に接続するため、導電粒子を用いて導電部を設ける場合の例を示す。

図４（Ａ）は、第２基板１２１０の端子部１２４０にＦＰＣを貼り付ける前の液晶表示装置の上面図であり、図４（Ｂ）は、画素領域と接続配線の接続領域を示す図４（Ａ）のＡ−Ｂの断面図を示す。また、図４（Ｃ）は、導電粒子と接続配線の接続部分となる導電部を示す図４（Ａ）のＣ−Ｄの断面図を示す。

図４（Ａ）に示すように、液晶表示装置は、シール材１２０５で貼り合わされた第１基板１２０４と第２基板１２１０とを有している。第２基板１２１０及び第１基板１２０４としては、ガラス基板（「無アルカリガラス基板」とも呼ばれる）、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等を適宜用いることができる。

第２基板１２１０上には、点線で囲まれた画素領域１２０２と、画素領域１２０２に配置されている複数の画素を駆動させるための信号線駆動回路１２００及び走査線駆動回路１２０１が形成されている。また、第２基板１２１０の端部には、端子部１２４０が形成される。端子部１２４０には、複数の接続配線上にそれぞれ複数の接続端子が形成される。

また、画素領域１２０２、信号線駆動回路１２００及び走査線駆動回路１２０１は、シール材１２０５の内周縁の内側に配置されている。また、信号線駆動回路１２００の一部及び走査線駆動回路１２０１の一部及び画素領域１２０２は、第１の配向膜１２８０で覆われている。また、第２の配向膜１２４６は、シール材１２０５と第１の配向膜１２８０との間に配置されている。また、第２の配向膜１２４６は、図４（Ｂ）に示すように信号線駆動回路１２００の一部と重なっている。

導電部１２７０は、第１の配向膜１２８０と第２の配向膜１２４６の間に配置されている。

また、図４（Ｂ）に示すように、画素領域１２０２は、画素電極１２５０と、画素電極１２５０と電気的に接続するスイッチングＴＦＴ１２１１とを有している。また、画素領域１２０２は、容量素子を有する。本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の形態を用いているため、画素電極１２５０と接続配線１２４２は直接接続せず、スイッチングＴＦＴ１２１１、または信号線駆動回路１２００を介して接続する。接続部１２４０に配置される接続端子１２４３を介してＦＰＣと接続配線１２４２は電気的に接続される。

また、信号線駆動回路１２００は、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを有するＣＭＯＳ回路を含む。なお、信号線駆動回路１２００や図４（Ａ）に示す走査線駆動回路１２０１は、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成してもよい。

絶縁層１２１５は、下地膜として機能する絶縁層を形成すればよく、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化珪素を単層または積層して形成する。

スイッチングＴＦＴ１２１１、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３、ｐチャネル型ＴＦＴ１２２４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、並びにゲート電極で構成される。

半導体層は、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の非単結晶半導体または単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）又はファーネスアニール炉を用いた熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザビームの照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。

加熱処理に加えてレーザビームを照射して結晶化する場合には、連続発振レーザビームの照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザビームの照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。

また、半導体層を単結晶半導体を用いて形成する場合は、第２基板１２１０に酸化珪素層を形成した単結晶半導体基板を接合し、当該単結晶基板の一部を研磨または剥離することにより、第２基板１２１０上に単結晶半導体を用いた半導体層を形成することができる。

ゲート絶縁層は、厚さ５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。

ゲート電極は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。

半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成されるスイッチングＴＦＴ１２１１、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３、ｐチャネル型ＴＦＴ１２２４は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。

半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する配線は、チタンとアルミニウムの積層構造、モリブデンとアルミニウムとの積層構造など、アルミニウムのような低抵抗材料と、チタンやモリブデンなどの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。

なお、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタやことが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。

絶縁層１２１４上にはスイッチングＴＦＴ１２１１の一方の電極と接続された画素電極１２５０がある。また、絶縁層１２１４上には、対向電極と導電粒子１２７３を介して接続される接続配線１２０８が形成される。画素領域、信号線駆動回路、または走査線駆動回路の構造によっては、接続配線１２０８と絶縁層１２１４が何層にも重なっていてもよい。当該場合は、より少ない面積に信号線駆動回路または走査線駆動回路を形成することが可能であるため、画素領域の面積を拡大することができる。

画素電極１２５０上には第１の配向膜１２８０が形成され、その上に柱状スペーサ１２５５が形成されている。

また、図４（Ｃ）は、導電粒子１２７３と接続端子とが接続される領域の断面図である。絶縁層１２１４上に接続配線１２０８が形成される。接続配線１２０８上には画素電極と同時に形成される接続端子１２４１が形成される。接続端子１２４１は、接続配線１２０８及び導電粒子１２７３を介して、対向電極１２５１と電気的に接続される。また、接続端子１２４１はＦＰＣと接続される。接着材１２７１は、導電粒子１２７３をシール材１２０５の枠内に吐出しやすくするための媒体であり、また硬化後は導電粒子１２７３を固定するための媒体である。接着材１２７１は、シール材１２０５と同様の材料を用いて形成することができる。

貼り合わせ時に接着材１２７１は広がり、第１の配向膜１２８０の端部と第２の配向膜１２４６の端部と重なる。

対向基板となる第１基板１２０４には、信号線駆動回路１２００と重なる位置にブラックマトリクス１２５３が設けられ、少なくとも画素領域１２０２と重なる位置にカラーフィルタ１２４９および保護層１２５２が設けられる。カラー表示をフィールドシーケンシャルと言われる色順次方式で表示する場合にはカラーフィルタは設けなくともよい。また、カラーフィルタ１２４９および保護層１２５２上に対向電極１２５１が形成され、対向電極１２５１上に第３の配向膜１２０６が設けられ、ラビング処理が施されている。第３の配向膜１２０６は第１の配向膜１２８０と対向する位置に配置される。また、対向電極１２５１上に第４の配向膜１２０７が設けられている。また、第４の配向膜１２０７は、第２の配向膜１２４６と対向する位置に配置される。

さらにコントラストを向上させるために、第２基板１２１０の外側に第１偏光板１２９０と、第１基板１２０４の外側に第２偏光板１２９５が設けられている。

第２の配向膜１２４６及び第４の配向膜１２０７を設けても、導通部１２７０で確実に電気的な接続が行えるため、液晶表示装置の品質向上を達成できる。また、衝撃などの外力を加えられて基板が変形しても、導通部での接続を維持できる液晶表示装置を提供することができる。

本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。

図５に示すように、透光性有する基板６００を用いてアクティブマトリクス基板を作製する。基板サイズとしては、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ、１８００ｍｍ×２０００ｍｍ、２０００ｍｍ×２１００ｍｍ、２２００ｍｍ×２６００ｍｍ、または２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用い、製造コストを削減することが好ましい。用いることのできる基板として、コーニング社の７０５９ガラスや１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。更に他の基板として、石英基板などの透光性基板を用いることもできる。

まず、スパッタ法を用いて絶縁表面を有する基板６００上に導電層を基板全面に形成した後、第１のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ゲート電極、保持容量配線、及び端子など）を形成する。なお、必要があれば、基板６００上に下地絶縁膜を形成する。

上記の配線及び電極の材料としては、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分とする窒化物で形成する。さらに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジムから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分とする窒化物から複数選択し、それを積層することもできる。

また、画面サイズが大画面化するとそれぞれの配線の長さが増加して、配線抵抗が高くなる問題が発生し、消費電力の増大を引き起こす。よって、配線抵抗を下げ、低消費電力を実現するために、上記の配線及び電極の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、白金またはこれらの合金を用いることもできる。また、銀、金、銅、またはパラジウムなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。

次に、ＰＣＶＤ法によりゲート絶縁膜を全面に成膜する。ゲート絶縁膜は窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層を用い、膜厚を５０〜２００ｎｍとし、好ましくは１５０ｎｍの厚さで形成する。尚、ゲート絶縁膜は積層に限定されるものではなく酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜などの絶縁膜を用いることもできる。

次に、ゲート絶縁膜上に、５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜１５０ｎｍの膜厚で第１の非晶質半導体膜を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。代表的には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、大面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理時間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を用いて非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい。

次に、一導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで成膜する。一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含む第２の非晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。本実施例ではリンが添加されたシリコンターゲットを用いてｎ型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を成膜する。

次に、第２のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して島状の第１の非晶質半導体膜、および島状の第２の非晶質半導体膜を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。

次に、島状の第２の非晶質半導体膜を覆う導電層をスパッタ法で形成した後、第３のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ソース配線、ドレイン電極、保持容量電極など）を形成する。上記の配線及び電極の材料としては、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、銅、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、白金から選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金で形成する。また、銀、金、銅、またはパラジウムなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。インクジェット法で上記の配線及び電極を形成すれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、さらなる低コスト化が実現できる。

次に、第４のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去してソース配線、ドレイン電極、容量電極を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。この段階でゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜を誘電体とする保持容量６２５が形成される。そして、ソース配線、ドレイン電極をマスクとして自己整合的に第２の非晶質半導体膜の一部を除去し、さらに第１の非晶質半導体膜の一部を薄膜化する。薄膜化された領域はＴＦＴのチャネル形成領域となる。

次に、プラズマＣＶＤ法により１５０ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、１５０ｎｍ厚の酸化窒化シリコン膜から成る第１の層間絶縁膜を全面に成膜する。なお、大面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理時間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を用いて窒化シリコン膜からなる保護膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい。この後、水素化を行い、チャネルエッチ型のＴＦＴ６２６が作製される。

なお、本実施例ではＴＦＴ構造としてチャネルエッチ型とした例を示したが、ＴＦＴ構造は特に限定されず、チャネルストッパー型のＴＦＴ、トップゲート型のＴＦＴ、或いは順スタガ型のＴＦＴとしてもよい。

次いで、ＲＦスパッタ法で第２の保護膜６１９を形成する。この第２の保護膜６１９は、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを用いて背圧を１×１０^−３Ｐａ以下とし、単結晶シリコンターゲットをＮ_２ガスもしくはＮ_２と希ガスとの混合ガスでスパッタして作製される窒化珪素膜である。この緻密な窒化珪素膜は、ナトリウム、リチウム、マグネシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属がＴＦＴを汚染してしきい値電圧の変動等を効果的に防ぎ、且つ、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また、ブロッキング効果を高めるために、窒化珪素膜中における酸素及び水素含有量は１０原子％以下、好ましくは１原子％以下とすることが望ましい。

次に、第５のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成して、その後ドライエッチング工程により、ドレイン電極や保持容量電極に達するコンタクトホールを形成する。また、同時にゲート配線と端子部を電気的に接続するためのコンタクトホール（図示しない）を端子部分に形成し、ゲート配線と端子部を電気的に接続する金属配線（図示しない）を形成してもよい。また、同時にソース配線に達するコンタクトホール（図示しない）を形成し、ソース配線から引き出すための金属配線を形成してもよい。これらの金属配線を形成した後に酸化インジウム酸化スズ合金等の画素電極を形成してもよいし、酸化インジウム酸化スズ合金等の画素電極を形成した後にこれらの金属配線を形成してもよい。

次に、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛等の透明電極膜を１１０ｎｍの厚さで成膜する。その後、第６のフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を行うことにより、画素電極６０１を形成する。

以上、画素部においては、６回のフォトリソグラフィー工程により、ソース配線と、画素部６２７の逆スタガ型のＴＦＴ６２６及び保持容量６２５と、端子部で構成されたアクティブマトリクス基板を作製することができる。

次いで、アクティブマトリクス基板上に第１の配向膜６２３を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では第１の配向膜６２３を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ６０２を所望の位置に形成する。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。

そして、実施の形態１に従って、第１の配向膜６２３の端部と重なる第２の配向膜６４０を形成する。

次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ６２０が設けられている。また、このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けている。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極６２１を形成し、対向基板の全面に第３の配向膜６２２を形成し、ラビング処理を施す。

そして、アクティブマトリクス基板の画素部を囲むようにシール材を描画する。そして、シール材に囲まれた領域に液晶ディスペンサ装置で液晶を滴下する。次いで、液晶層６２４を封止するため、減圧下でアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材６０７で貼り合わせる。

第２の配向膜６４０の存在により貼り合わせ時の液晶の拡散速度を遅くして、その間にシール材の表面を光硬化させる。こうすることによって、シール材の内周縁に凹凸が生じることを防ぎ、さらに、硬化していないシール材から不純物が液晶に溶け出すことも防止する。

シール材６０７にはフィラー（図示しない）が混入されていて、このフィラーと柱状スペーサ６０２によって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。液晶を滴下する方法を用いることによって作製プロセスで使用する液晶の量を削減することができ、特に、大面積基板を用いる場合に大幅なコスト低減を実現することができる。

そして、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。

さらに、公知の技術を用いて偏光板６０３やカラーフィルタ等の光学フィルムを適宜設ける。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。

以上の工程によって得られた液晶モジュールに、バックライト６０４、導光板６０５を設け、カバー６０６で覆えば、図５にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置（透過型）が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板６０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。

また、本実施例は透過型の例を示したが、特に限定されず、反射型や半透過型の液晶表示装置も作製することができる。反射型の液晶表示装置を得る場合は、画素電極として光反射率の高い金属膜、代表的にはアルミニウムまたは銀を主成分とする材料膜、またはそれらの積層膜等を用いればよい。半透過型の液晶表示装置を得る場合は、一つの画素電極を透明導電膜と反射金属膜とで形成し、透過部分と反射部分とを設ける。

また、本実施例は実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、実施例１で得られる液晶モジュールの上面図を図６（Ａ）に示すとともに、実施例１と異なる液晶モジュールの上面図を図６（Ｂ）に示す。

本実施例１により得られる非晶質半導体膜で活性層を形成したＴＦＴは、電界効果移動度が小さく１ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ程度しか得られていない。そのために、画像表示を行うための駆動回路はＩＣチップで形成され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）方式で実装することとなる。

図６（Ａ）中、７０１は、アクティブマトリクス基板、７０６は対向基板、７０４は画素部、７０７はシール材、７０５はＦＰＣである。なお、減圧下で液晶をディスペンサ装置またはインクジェット装置により滴下させ、一対の基板７０１、７０６をシール材７０７で貼り合わせている。また、一対の基板を貼り合わせた時に液晶が拡散する速度を遅くする領域をシール材と配向膜の間に設け、液晶が拡散してシール材と接触するまでの時間を長くすることで、液晶が接触する前にシール材を光硬化させる。実施の形態１または実施の形態２に示すように、液晶が拡散する速度を遅くする領域の形成は、垂直配向膜形成材料、シランカップリング剤、または光触媒機能を有する物質などを用いて形成する。

本実施例１により得られるＴＦＴは、電界効果移動度は小さいが、大面積基板を用いて量産する場合、低温プロセスであり作製プロセスにかかるコストを低減することができる。減圧下で液晶をディスペンサ装置またはインクジェット装置により滴下させ、一対の基板を貼り合わせることにより、基板サイズに関係なく一対の基板間に液晶を保持させることができるようになるため、２０インチ〜８０インチの大画面を有する液晶パネルを備えた表示装置を作製することができる。

また、公知の結晶化処理を行って非晶質半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜、代表的にはポリシリコン膜で活性層を構成した場合、電界効果移動度の高いＴＦＴが得られるため、画素部だけでなく、ＣＭＯＳ回路を有する駆動回路をも同一基板上に作製することができる。また、駆動回路に加えＣＰＵなども同一基板上に作製することができる。

ポリシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴを用いた場合、図６（Ｂ）のような液晶モジュールを作製することができる。

図６（Ｂ）中、７１１は、アクティブマトリクス基板、７１６は対向基板、７１２はソース信号線駆動回路、７１３はゲート信号線駆動回路、７１４は画素部、７１７は第１シール材、７１５はＦＰＣである。なお、減圧下で液晶をディスペンサ装置またはインクジェット装置により滴下させ、一対の基板７１１、７１６を第１シール材７１７および第２シール材で貼り合わせている。駆動回路部７１２、７１３には液晶は不要であるため、画素部７１４のみに液晶を保持させており、第２シール材７１８はパネル全体の補強のために設けられている。

また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、または実施例１と自由に組み合わせることができる。

本発明を実施して得た液晶表示装置を表示部に組み込むことによって電子機器を作製することができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図７に示す。

図７（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は表示部２００３に適用することができる。なお、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。

図７（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッターボタン２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０２に適用することができる。

図７（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングデバイス２２０６等を含む。本発明は、表示部２２０３に適用することができる。

図７（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明は、表示部２３０２に適用することができる。

図７（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明は表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

図７（Ｆ）はゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５０４等を含む。

図７（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。本発明は、表示部２６０２に適用することができる。

図７（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明は、表示部２７０３に適用することができる。

以上の様に、本発明を実施して得た表示装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。なお、本実施例の電子機器には、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実施例１、または実施例２のいずれの構成を用いて作製された発光装置を用いても良い。

多面取りを行うのに適した減圧下での貼り合わせを用いて、液晶材料の利用効率が高く、且つ、シールの内周縁における凹凸形状発生を防止した液晶表示装置を生産することが可能となる。

作製工程の一部を示す断面図および斜視図。 作製工程の一部を示す断面図。 工程断面図を示す図。 液晶表示装置の上面図及び断面図を示す図。 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。 液晶モジュールの上面図。 電子機器の一例を示す図。

符号の説明

１００：第１の基板
１０１：第１の配向膜
１０２：領域
１０３：第２の配向膜
１０４：液晶材料
１０５：減圧空間
１１１：第３の配向膜
１１３：第４の配向膜
１１４：第１の配向領域
１１５：紫外線
１１７：第２の配向領域
１１８：液晶ディスペンサ
１２２：幅が広げられたシール材
１３３：コーティング部
６００：基板
６０１：画素電極
６０２：スペーサ
６０３：偏光板
６０４：バックライト
６０５：導光板
６０６：カバー
６０７：シール材
６１９：保護膜
６２０：カラーフィルタ
６２１：対向電極
６２２：第３の配向膜
６２３：第１の配向膜
６２４：液晶層
６４０：第２の配向膜
７０１：アクティブマトリクス基板
７０４：画素部
７０５：ＦＰＣ
７０６：対向基板
７０７：シール材
７１１：アクティブマトリクス基板
７１２：ソース信号線駆動回路
７１３：ゲート信号線駆動回路
７１４：画素部
７１５：ＦＰＣ
７１６：対向基板
７１７：第１シール材
７１８：第２シール材
１２００：信号線駆動回路
１２０１：走査線駆動回路
１２０２：画素領域
１２０４：第１基板
１２０５：シール材
１２０６：第３の配向膜
１２０７：第４の配向膜
１２０８：接続配線
１２１０：第２基板
１２１１：スイッチングＴＦＴ
１２１４：絶縁層
１２１５：絶縁層
１２２３：ｎチャネル型ＴＦＴ
１２２４：ｐチャネル型ＴＦＴ
１２４０：端子部
１２４１：接続端子
１２４２：接続配線
１２４３：接続端子
１２４６：第２の配向膜
１２４９：カラーフィルタ
１２５０：画素電極
１２５１：対向電極
１２５２：保護層
１２５３：ブラックマトリクス
１２５５：柱状スペーサ
１２７０：導通部
１２８０：第１の配向膜
２００１：筐体
２００２：支持台
２００３：表示部
２００５：ビデオ入力端子
２１０１：本体
２１０２：表示部
２１０３：受像部
２１０４：操作キー
２１０５：外部接続ポート
２１０６：シャッターボタン
２２０１：本体
２２０２：筐体
２２０３：表示部
２２０４：キーボード
２２０５：外部接続ポート
２２０６：ポインティングデバイス
２３０１：本体
２３０２：表示部
２３０３：スイッチ
２３０４：操作キー
２３０５：赤外線ポート
２４０１：本体
２４０２：筐体
２４０３：表示部Ａ
２４０４：表示部Ｂ
２４０５：記録媒体読込部
２４０６：操作キー
２４０７：スピーカー部
２５０１：本体
２５０４：操作スイッチ
２５０５：表示部
２６０１：本体
２６０２：表示部
２６０３：筐体
２６０４：外部接続ポート
２６０５：リモコン受信部
２６０６：受像部
２６０７：バッテリー
２６０８：音声入力部
２６０９：接眼部
２７０１：本体
２７０２：筐体
２７０３：表示部
２７０４：音声入力部
２７０５：音声出力部
２７０６：操作キー
２７０７：外部接続ポート
２７０８：アンテナ

Claims (9)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板と対向する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶と、
   第１の配向領域と、前記第１の配向領域を囲む第２の配向領域と、
   前記第１の配向領域及び前記第２の配向領域を囲むシール材とを有し、
   前記第１の配向領域を通る光の光量を画素毎に制御して画像を表示する液晶表示装置。
2. 請求項１において、前記第２の配向領域と重なる第１の基板の表面の一部、または前記第２の配向領域と重なる第２の基板の表面の一部には、垂直配向膜が選択的に形成され、前記垂直配向膜と前記シール材は一部重なっている液晶表示装置。
3. 第１の基板上に第１の配向膜を形成し、
   前記第１の基板上に前記第１の配向膜を囲む第２の配向膜を形成し、
   前記第１の基板上に前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜を囲むシール材を形成し、
   前記第１の配向膜上に液晶を滴下し、
   減圧下で前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせる間に、前記シール材の幅を広げて前記第２の配向膜と一部重ね、且つ、少なくとも前記シール材の一部を光硬化させる液晶表示装置の作製方法。
4. 請求項３において、前記第２の配向膜は、垂直配向膜である液晶表示装置の作製方法。
5. 第１の基板と、
   前記第１の基板と対向する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶と、
   前記液晶を囲むシール材と、
   前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方または両方に、撥液処理剤を滴下したコーティング部とを有し、
   前記コーティング部は枠状であり、前記コーティング部の外周縁は、前記シール材の内周縁に沿って配置する液晶表示装置。
6. 請求項５において、前記コーティング部は、前記液晶との接触角が４０°より大きく１３０°未満の層を有する液晶表示装置。
7. 請求項５または請求項６において、前記撥液処理剤は、シランカップリング剤である液晶表示装置。
8. 第１の基板上に配向膜を形成し、
   前記配向膜にラビング処理を行い、
   前記配向膜を囲むように撥液処理剤を滴下してコーティング部を形成し、
   前記第１の基板上に前記コーティング部を囲むシール材を形成し、
   前記コーティング部で囲まれた領域上に液晶を滴下し、
   減圧下で前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせる間に、前記シール材の幅を広げて前記シール材の内周縁を前記コーティング部の外周縁と合わせ、且つ、少なくとも前記シール材の一部を光硬化させる液晶表示装置の作製方法。
9. 請求項８において、前記撥液処理剤は、シランカップリング剤、或いは垂直配向膜形成材料である液晶表示装置の作製方法。

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