JP5702005B2 - 液晶表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
という)で構成された回路を有する液晶表示パネルに代表される電気光学装置の作製方法
、およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器の作製方法に関する。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置
が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては
、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に画像が表示され
る。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加さ
れることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、
この光学変調が画像として観察者に認識される。
の大面積化とともに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同
時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
極と対向電極との間に配置される液晶材料は高価である。
分断、液晶注入、液晶注入口の封止などといった複雑な工程が必要である。特にパネルサ
イズが大型になると、毛細管現象を用いて液晶注入を行うため、シールで囲まれた領域(
少なくとも画素領域を含む)に液晶を充填することが困難となってくる。また、毛細管現
象を用いて液晶注入を行う際、液晶注入口に注入する量よりも多くの量の液晶が使用され
、無駄になってしまう。
成されている液晶注入口から液晶材料を注入することとなるが、液晶注入口から画素領域
まで延びている液晶材料の通り道となる部分にも液晶が充填されてしまう。このように表
示部となる領域以外の余分な部分にも液晶材料が充填されてしまう。
は、パネルのほかの部分に比べて極端に多くの液晶が通過する部分となり、注入の際に摩
擦が生じて配向膜表面が変化し、結果的に液晶の配向の乱れを生じさせる恐れもある。
た後、減圧下で一対の基板を貼り合わせる技術を特許文献1に提案している。
囲む障壁を設ける技術を特許文献2に提案している。
)と呼ばれている。液晶滴下工法は、必要な箇所のみに必要な量の液晶が滴下されるため
、材料のロスがなくなる。また、シールパターンは閉ループとするため、液晶注入口は不
要となる。また、液晶の通り道における配向膜表面の変化に伴う不良(例えば、配向不良
など)がなくなる。
刷法、またはディスペンス装置を用いてシール材を描画する。次いで、対向基板ともう一
枚の基板とを向かい合うように配置し、シール材を硬化し、貼り合わせる。次いで、基板
の端面にシール材の一部(液晶注入口)が位置するように一対の基板の分断を行う。次い
で、一対の基板を減圧下のチャンバー内に配置し、液晶材料を液晶注入口に接した状態と
したまま、チャンバー内を減圧から大気圧に徐々に戻すことによって、液晶注入口から毛
細管現象を用いて液晶注入を行う。次いで、液晶注入口を封止材で塞ぎ、紫外線照射を行
って封止材を硬化させる。最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。
スペンス装置を用いて閉パターンのシール材を描画する。次いで、シール材で囲まれた領
域に対して液晶を所望の量だけ対向基板上に滴下する。次いで、対向基板ともう一枚の基
板とを減圧下で貼り合わせる。次いで、一対の基板の雰囲気を減圧から大気圧にする。次
いで、紫外線照射を行い、シール材を硬化させる。次いで、さらなるシール材の硬化のた
めの加熱処理と、液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行う。最後に一対の基板の
分断を行う。
は、基板上に液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、その後に分断する。
硬化させた後に加熱処理を行って液晶の配向を揃えている。一方、液晶滴下工法は、シー
ル材の硬化のための加熱処理と液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行うことで効
率よく液晶表示装置を作製している。
液晶注入法は、熱プレスで硬化させたシール材と液晶とが接触するため、硬化されたシー
ル材からは不純物が液晶に拡散しにくい。しかしながら、液晶滴下工法は、硬化させてい
ないシール材と液晶とが接触することとなる。液晶は流動性を有し、加熱により液晶分子
が広範囲へ移動するため、シール材を硬化するための加熱工程において、液晶中に不純物
が混入するという問題がある。本発明は、液晶滴下工法を用いて液晶表示装置を作製する
場合、液晶へ混入する不純物を低減する構成を課題の一つとする。
動させる液晶モードをアクティブマトリックス駆動する際には、アクティブマトリックス
基板に貼り合わされるFlexible Printed Circuit(FPC)を
通じて電圧の印加を行っているため、一対の基板間に電位差を生じさせるためには、対向
基板の対向電極をアクティブマトリックス基板の接続配線へ導通させる導通部(コモンコ
ンタクト部分)が必要である。
のどちらかの導電部に接して配置する。この後、一対の基板を貼り合わせ、導電部に形成
される導電粒子が一対の基板にそれぞれ設けられた電極と接触することにより、対向基板
の対向電極とアクティブマトリクス基板の接続配線との導通がとれるようにする。本発明
は、対向基板の対向電極とTFT基板の接続配線とを導通させる導通部の導通をより確実
に行うことを課題の一つとする。
ため、液晶滴下法においては、硬化させていないシール材の中に複数の導電粒子を混ぜた
ものを導電部に配置することとなる。従って、複数の導電粒子を混ぜ合わせたシール材と
液晶とが接触することとなる。予め、複数の導電粒子をシール材に混ぜ合わせる作業を行
っているため、当該作業中に外部から不純物が混入している恐れが高い。また、不純物が
付着した導電粒子とシール材を混ぜ合わせると、導電粒子に付着した不純物がシール材に
混入する恐れもある。
を制御する加熱を行うと、当該不純物が液晶に拡散してしまい、液晶パネルの表示に不都
合を与えてしまう。これは、液晶は流動性を有しており、液晶分子が広範囲に移動できる
ため、不純物の液晶層全体への拡散は、短時間に行われ、極わずかな量の不純物であって
も顕著に液晶パネルの表示に現れてしまうためである。
金ペーストなどの導電ペーストを導電部に配置する方法もある。しかしながら、銀ペース
トや金ペーストにおいても不純物が混入している恐れが高い。
ることを防ぐことを課題の一つとする。
れた対向電極と、第1の基板と第2の基板の間にシール材と、第1の基板と第2の基板の
間に接続配線と対向電極とを電気的に接続する導電粒子とを有し、第1の基板、第2の基
板、及びシール材による囲まれた第1スペース及び第2スペースを有し、第1スペースは
接続配線と重なり、且つ、第1スペースの内側に導電粒子が配置され、第2スペースは画
素電極と重なり、且つ、第2スペースの内側に液晶層が配置されることを特徴とする液晶
表示装置である。
電性を有する有機材料が配置される。また、導電粒子は、第2のシール材と接していても
よい。
、対向電極を有する第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に液晶層を有し、第1
の基板、第2の基板、及びシール材による囲まれた第1スペースは、導電部と重なり、第
1の基板、第2の基板、及びシール材による囲まれた第2スペースは、表示部と重なり、
表示部と端子部との間にシール材が配置され、導電部と端子部との間にシール材が配置さ
れ、記表示部と導電部との間にシール材が配置され、端子部は、第1の接続端子及び第2
の接続端子を有し、第1の接続端子は、導電部を介して対向電極と電気的に接続され、第
2の接続端子は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置である。
のシール材が設けられ、前記第2のシール材の中に導電粒子が含まれていてもよい。また
、導電部には、第1の接続端子と電気的に接続する接続配線が設けられ、接続配線と対向
電極との間に導電粒子を設ける。
のシール材で囲まれた第1の領域上に導電粒子を含む第2のシール材を形成し、第1のシ
ール材で囲まれた第2の領域上に液晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う
ことを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
ル材及び第2のシール材の形成は、インクジェット法を用いる。
囲まれた第1の領域上に導電性を有する有機材料を含む組成物を滴下し、シール材で囲ま
れた第2の領域上に液晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行うことを特徴と
する液晶表示装置の作製方法である。
機材料を含む組成物は、ナノ粒子を含むことを特徴とする。また、導電性を有する有機材
料を含む組成物の塗布は、インクジェット法を用いる。また、シール材の形成は、インク
ジェット法を用いる。
状は、複数の環状形状を組み合わせた形状とし、開口を有していない形状とする。また、
シール材は、複数の隔室を形成し、複数の隔室は画素領域を配置する隔室と導電部を配置
する隔室とを区画するように形成される。また、シール材は、導通部を配置する第1スペ
ースと、画素領域を配置する第2スペースとを画設するように形成される。
電粒子を配置する。または、シール材の外周縁形状は複数の辺及び当該辺を繋ぐ曲線から
なる形状、即ち、矩形状で、かつ角の部分が曲線である形状であって、当該形状の曲線の
内側に導電粒子を配置する。導電粒子と液晶層を隔て且つ外周縁のシール材と接続するシ
ール材を配置し、当該シール材の内側に液晶層を配置する。なお、導電部は、少なくとも
1箇所設ければよい。
代表的には、有機絶縁材料で形成される球状の表面に金属薄膜がコーティングされた導電
粒子、無機絶縁材料で形成される球状の表面に金属薄膜がコーティングされた導電粒子、
または有機絶縁材料で形成される球状の表面に異なる金属薄膜が積層された導電粒子を配
置して、一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させる。また、導電部には
導電ペーストを配置して一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させてもよ
い。また、導電部には有機薄膜で被覆された金属ナノ粒子を配置して、一対の基板を貼り
あわせた後、焼成を行って一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させても
よい。なお、金属ナノ粒子の粒径は1nm以上200nm以下である。また、金属ナノ粒
子を被覆している有機薄膜は、導電材料と配位結合界面活性剤より構成されている。
充填してもよいし、減圧空間としてもよい。また、絶縁性を有する有機材料を充填しても
よいし、導電性を有する材料を充填してもよい。第1スペース(隔室)を充填する有機材
料としては、代表的には、導電粒子を第1スペース(隔室)に吐出するための媒体として
用いる有機材料や、シール材及び導電粒子の間に充填される有機材料である。
ある。導電性ポリマーは粘度が低いため、第1スペース(隔室)に充填される。第1スペ
ース(隔室)に導電性ポリマーを充填した場合、接触面積が大きくなるため、導通部にお
ける対向電極と接続配線との導通をより確実にすることができる。
ているが特に限定されず、五角形や六角形などの多角形としてもよい。導電部を4箇所形
成することで導通を確実にし、外力により第1基板または第2基板が変形した場合でも、
少なくとも一箇所導通が図れているため、耐久性を向上できる。特に可撓性を有する基板
を用いた液晶表示装置において、信頼性を向上できる。
が設けられる。複数の第1スペースにおいて、シール材の外周縁形状の角と対向する角は
、液晶と導通部を画設するシール材が複数の辺からなる。複数の第1スペースにおいて、
シール材の外周縁形状の角と対向する角は、一定の角度を有してもいいし、それぞれ異な
る角度を有してもよい。さらには、当該角度が90度より大きく180度未満であること
が好ましい。即ち、導通部が配置されている第1スペース(隔室)の上面形状が多角形で
ある。
導通部を画設するシール材の上面形状が曲線状である。即ち、導通部が配置されている第
1スペース(隔室)の上面形状が扇状である。
対向する角が90度より大きく180度未満の多角形または扇状の場合、シール材の内周
縁で囲まれる平面の面積が小さくなるため、液晶の使用量を減少させることができる。ま
た、シール材と液晶の接触面積を低減することが可能であるため、シール材に含まれる不
純物が液晶に拡散する量を低減することができる。
との間に、第3空間を設けてもよい。第1スペース(隔室)及び第2スペース(隔室)の
間に第3スペース(隔室)を設け、第1スペース(隔室)及び第2スペース(隔室)の距
離を離すことにより、導電粒子に含まれる不純物が液晶に侵入するのを防ぐことができる
。
、シール材の粘度が高い材料は、シール材を滴下する際にはディスペンス法が向いている
。
滴下する。
液晶、VA液晶、ECB型液晶、GH液晶、高分子分散型液晶、ディスコティック液晶な
どを用いることができるが、中でもノーマリーブラック型の液晶パネル、例えば垂直配向
(VA)モードを採用した透過型の液晶表示装置とすることが好ましい。垂直配向モード
としては、いくつか挙げられるが、例えば、MVA(Multi−Domain Ver
tical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertic
al Alignment)モード、ASVモードなどを用いることができる。具体的に
は、1画素を複数のサブピクセルに分割し、各サブピクセルの中央に位置する対向基板の
箇所に凸部を設けることで1画素をマルチドメイン化する。なお、凸部は、対向基板また
は素子基板の一方または両方に設けてもよく、放射状に液晶分子を配向させ、配向規制力
を向上させる。
、電圧のかかる方向を多様化させてもよい。また、光配向を用いて1画素をマルチドメイ
ン化してもよい。
子型の能動素子、或いは、非晶質半導体膜を活性層に用いたTFT、結晶性半導体膜を活
性層に用いたTFT、有機半導体材料を活性層に用いたTFT、ZnOなどの金属酸化物
を活性層に用いたTFTなどの3端子型の能動素子を用いることができる。
が液晶に拡散する量を低減することができる。従って、液晶表示装置の表示不良を低減で
きる。
表示不良を低減できる。
。また、衝撃などの外力を加えられて基板が変形しても、導通部での接続を維持できる液
晶表示装置を提供することができる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさま
ざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。以下に説明する本発明の構成
において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
本発明の液晶表示装置について図1乃至図2を用いて説明する。
ブマトリックス基板となる第1基板1210と対向基板が形成された第2基板1204が
第1シール材1205により貼り合わされており、第1シール材1205の内部に液晶1
280が充填されている。第1基板1210上には信号線駆動回路1200、走査線駆動
回路1201、及び画素電極がマトリクス状に形成された画素領域1202が形成されて
いる。
導通している導電粒子1270、及び液晶1280の間にも第1シール材1205が設け
られており、導電粒子1270及び液晶1280を画設している。即ち、第1シール材1
205の上面形状は、複数の環状で構成される。また、最大の環状(外周縁)は第1スペ
ース(隔室)及び第2スペース(隔室)を含み、図1(A)においては矩形状である。ま
た、第1シール材で導電粒子が配置された第1スペース(隔室)1245を区画する第1
シール材と、画素領域が配置された第2スペース(隔室)1246を区画する第1シール
材が連続している。そして、第1基板1210にFPC1209が貼り付けられている。
)1245を4箇所形成するため、シール材の内周縁形状は八角形となっているが特に限
定されず、導電部を1箇所乃至3箇所とし、シール材の内周縁形状を五角形や六角形など
の多角形としてもよい。導電部を4箇所形成することで導通を確実にし、外力により基板
が変形した場合でも少なくとも一箇所導通が図れていればよいため、耐久性を向上できる
。特に可撓性を有する基板を用いた液晶表示装置において、信頼性を向上できる。
シール材の形状は三角形である。即ち、第1シール材の外角に対して直線状の隔室が形成
されている。また、第1スペース(隔室)と第2スペース(隔室)を画設する第1シール
材は、第1基板及び第2基板の辺または第1基板及び第2基板の辺に沿って形成される第
1シール材に対して鋭角である。
(A)の第1スペース(隔室)1245付近の上面拡大図を図2に示す。
でもよい。図2(A)においては、第1スペース(隔室)1245の形状が四角形の形態
を示す。なお、このとき、第1スペース(隔室)1245及び第2スペース(隔室)12
46を隔てる第1シール材1205aは2辺からなり当該2辺が角度αをなし、当該角度
が90度より大きく180度より小さいことが好ましい。なお、第1スペース(隔室)と
第2スペース(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第2基板の辺とでなす角
度であり、且つ第1スペース(隔室)が形成される側の角度βは、鋭角である。即ち、第
1スペース(隔室)と第2スペース(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第
2基板の辺に沿って形成される第1シール材とでなす角度であり、且つ第1スペース(隔
室)が形成される側の角度βは、鋭角である。
、第1スペース(隔室)1245の形状は扇状となる。また、第1スペース(隔室)と第
2スペース(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第2基板の辺とでなす角度
であり、且つ第1スペース(隔室)が形成される側の角度βは、鋭角である。
き第1スペース(隔室)1245及び第2スペース(隔室)1246を隔てる第1シール
材1205bが曲線状である。なおここでは、第1スペース(隔室)1245及び第2ス
ペース(隔室)1246を隔てる第1シール材1205bは、第1スペースの隅に対して
凹の曲線状であるが、凸の曲線状でもよい。なお、第1スペース(隔室)と第2スペース
(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第2基板の辺とでなす角度であり、且
つ第1スペース(隔室)が形成される側の角度βは、鋭角である。即ち、第1スペース(
隔室)と第2スペース(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第2基板の辺に
沿って形成される第1シール材とでなす角度であり、且つ第1スペース(隔室)が形成さ
れる側の角度βは、鋭角である。
、第1スペース(隔室)1245は曲線で囲まれる。また、第1スペース(隔室)と第2
スペース(隔室)を画設する第1シール材と、第1基板及び第2基板の辺とでなす角度で
あり、且つ第1スペース(隔室)が形成される側の角度βは、鋭角である。
6と接する外角が90度より大きく180度未満の多角形または扇状の場合、シール材の
内周縁で囲まれる平面の面積が小さくなるため、液晶の使用量を減少させることができる
。また、シール材と液晶の接触面積を低減することができる。
画素領域が配置された第2スペース(隔室)1246との間に、第3の空間1247を設
けてもよい。即ち、第1スペース(隔室)1245及び第2スペース(隔室)1246を
隔てる第1シール材1205cを複数設け、当該第1シール材1205cで第3の空間を
形成する。なお、ここでは、第1スペース(隔室)1245及び第2スペース(隔室)1
246を隔てる第1シール材1205cを2重とし、第1スペース(隔室)1245及び
第2スペース(隔室)1246の間に第3空間1247を設けたが、さらに複数の第1シ
ール材1205cを設け、第1スペース(隔室)1245及び第2スペース(隔室)12
46の間に複数の空間を設けてもよい。このように、第1スペース(隔室)1245及び
第2スペース(隔室)1246の距離を離すことにより、導電粒子に含まれる不純物が液
晶に侵入するのを防ぐことができる。
、第1スペース(隔室)1245は扇状である。
1のスペース(隔室)の形状のいずれか複数を組み合わせて第1のスペース(隔室)12
45を形成してもよい。
置を用いて第1基板または第2基板上に塗布する。第1シール材1205は、代表的には
可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を含む材料を用いることができる。例
えば、ビスフェノールA型液状樹脂、ビスフェノールA型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹
脂、ビスフェノールF型樹脂、ビスフェノールAD型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾー
ル型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル樹脂、グリジシルアミン樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂
等のエポキシ樹脂を用いることができる。第1シール材1205としては粘度40〜40
0Pa・sのものを用いる。また、フィラー(直径1μm〜24μm)を含んでもよい。
なお、第1シール材としては、後に接する液晶に溶解しないシール材料を選択することが
好ましい。
33、1234が被覆された導電粒子を用いることができる。絶縁性球体1232は、シ
リカガラス、硬質樹脂等で形成される。金属薄膜1233、1234は、金、銀、パラジ
ウム、ニッケル、ITO、及びIZOの単層または積層構造とすることができる。例えば
、金属薄膜として金薄膜や、ニッケル薄膜及び金薄膜の積層等を用いることができる。絶
縁性球体1232を中心に有する導電粒子1270を用いることで、弾性が高まり、外部
からの圧力に対する破壊を低減することができる。
3を用いて説明する。図3は、液滴吐出装置730の断面の一例である。図3に示す液滴
吐出装置730は複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段1
125、該液滴吐出手段1125を制御する制御部1103、基板1124を固定しXY
α方向に移動するステージ1122等を有している。このステージ1122は、基板11
24を真空チャック等の手法で固定する機能も有する。そして、液滴吐出手段1125が
有する各ノズルの吐出口から基板1124の方向に組成物が吐出されて、第1シール材及
び導電粒子を塗布する。
部1103は、ステージ位置制御部1101を有している。また、CCDカメラなどの撮
像手段1120も制御部1103により制御される。撮像手段1120は、マーカーの位
置を検出して、その検出した情報を制御部1103に供給する。また、検出した情報をモ
ニター1102に表示することもできる。制御部1103は、アライメント位置制御部1
100を有している。また、液滴吐出手段1125にはインクボトル1123より第1シ
ール材または導電粒子を含む組成物が供給される。
よいし、液滴吐出手段1125を固定してステージ1122を移動させてもよい。但し、
液滴吐出手段1125を移動する場合には、組成物の加速度や、液滴吐出手段1125に
具備されたノズルと被処理物との距離、その環境を考慮して行う必要がある。
せるために、ヘッド1121が上下に動く移動機構とその制御手段等を設けてもよい。そ
うすると、吐出する組成物の特性に応じて、ヘッドと基板1124の距離を変えることが
できる。またガス供給手段とシャワーヘッドを設けてもよく、そうすると、組成物の溶媒
と同じ気体の雰囲気下に置換することができるため、乾燥をある程度防止することができ
る。さらに、清浄な空気を供給し、作業領域の埃を低減するクリーンユニット等を設けて
もよい。また、図示しないが、基板を加熱する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値
を測定する手段を、必要に応じて設置しても良く、これら手段も、筐体の外部に設置した
制御手段によって一括制御することが可能である。さらに制御手段をLANケーブル、無
線LAN、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理す
ることが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。なお、着弾した組成物の乾燥を
早め、また組成物の溶媒成分を除去するために、真空排気を行って、減圧下で動作させて
もよい。
に、nチャネル型TFT1223とpチャネル型TFT1224とを有するCMOS回路
を備えた信号線駆動回路1200を示す。なお、信号線駆動回路1200や図1(A)に
示す走査線駆動回路1201は、CMOS回路、PMOS回路又はNMOS回路で形成し
てもよい。
た、絶縁層1214上にはスイッチングTFT1211に接続する画素電極1250が形
成される。
ノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われるガラス基
板(「無アルカリガラス基板」とも呼ばれる)、石英基板、セラミック基板、プラスチッ
ク基板等を適宜用いることができる。第1基板1210及び第2基板1204として、可
撓性を有するプラスチック基板を用いることで、可撓性を有する液晶表示装置を作製する
ことができる。
チャネル型TFT1223、及びpチャネル型TFT1224、並びに容量素子1225
が形成される。絶縁層1215は、下地膜として機能する絶縁層を形成すればよく、酸化
窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化珪素を単層または積層して形成する。
4は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁
層、並びにゲート電極で構成される。
以下の非単結晶半導体または単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層とし
ては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体として
は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、瞬間熱アニ
ール(RTA)又はファーネスアニール炉を用いた熱処理により結晶化させた結晶性半導
体、加熱処理とレーザビームの照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用する
ことが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニ
ッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
の照射若しくは繰り返し周波数が10MHz以上であって、パルス幅が1ナノ秒以下、好
ましくは1乃至100ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、
結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザビームの照射方向に連続的に移動させなが
ら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が
一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。
を形成した単結晶半導体基板を接合し、当該単結晶基板の一部を研磨または剥離すること
により、第1基板1210上に単結晶半導体を用いた半導体層を形成することができる。
の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
できる。金属を用いる場合は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti
)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)などを用いることができる。また、金属を
窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第1層と
当該金属から成る第2層とを積層させた構造としても良い。このとき第1層を金属窒化物
とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第2層の金属が、ゲート絶
縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場
合には、第1層の端部が第2層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
T1211、nチャネル型TFT1223、pチャネル型TFT1224は、シングルド
レイン構造、LDD(低濃度ドレイン)構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各
種構造を適用することができる。ここでは、LDD構造の薄膜トランジスタを示す。さら
には、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形と
なるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、逆スタ
ガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
ム(Al)の積層構造、モリブデン(Mo)とアルミニウム(Al)との積層構造など、
アルミニウム(Al)のような低抵抗材料と、チタン(Ti)やモリブデン(Mo)など
の高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
ンジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムイ
ンジウムの酸化物等がある。
まれたゲート絶縁層により構成される。nチャネル型TFT1223、pチャネル型TF
T1224、スイッチングTFT1211、そして容量素子1225上を覆うように絶縁
層1214が設けられている。絶縁層1214上にはスイッチングTFT1211の一方
の電極と接続された画素電極1250がある。また、絶縁層1214上には、対向電極と
導電粒子1270を介して接続される接続配線1208が形成される。また、接続配線1
208は、図示しないがFPC1209と接続する。画素領域、信号線駆動回路、または
走査線駆動回路の構造によっては、接続配線1208と絶縁層1214が何層にも重なっ
ていてもよい。当該場合は、より少ない面積に信号線駆動回路または走査線駆動回路を形
成することが可能であるため、画素領域の面積を拡大することができる。
なる。透過型液晶表示装置の場合、画素電極1250は透光性を有する材料を用いて形成
する。透光性を有する材料とは、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、
酸化インジウム亜鉛(IZO)、ガリウムを添加した酸化亜鉛(GZO)等がある。
組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シー
ト抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%以上であること
が好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm以下
であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
(3−ブチルピロ−ル)、ポリ(3−オクチルピロ−ル)、ポリ(3−デシルピロ−ル)
、ポリ(3,4−ジメチルピロ−ル)、ポリ(3,4−ジブチルピロ−ル)、ポリ(3−
ヒドロキシピロ−ル)、ポリ(3−メチル−4−ヒドロキシピロ−ル)、ポリ(3−メト
キシピロ−ル)、ポリ(3−エトキシピロ−ル)、ポリ(3−オクトキシピロ−ル)、ポ
リ(3−カルボキシルピロ−ル)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシルピロ−ル)、ポ
リ(N−メチルピロール)、ポリチオフェン、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ(3
−ブチルチオフェン)、ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリ(3−デシルチオフェン
)、ポリ(3−ドデシルチオフェン)、ポリ(3−メトキシチオフェン)、ポリ(3−エ
トキシチオフェン)、ポリ(3−オクトキシチオフェン)、ポリ(3−カルボキシルチオ
フェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシルチオフェン)、ポリ(3,4−エチレン
ジオキシチオフェン)、ポリアニリン、ポリ(2−メチルアニリン)、ポリ(2−オクチ
ルアニリン)、ポリ(2−イソブチルアニリン)、ポリ(3−イソブチルアニリン)、ポ
リ(2−アニリンスルホン酸)、ポリ(3−アニリンスルホン酸)等がある。
、導電性組成物で形成される画素電極の膜質、膜強度等の膜特性を調整するために導電性
高分子に有機樹脂を添加して導電性組成物とすることができる。
樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド等のポリイミド樹脂、ポリアミド6、ポリアミド6,6、ポリアミ
ド12、ポリアミド11等のポリアミド樹脂、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル
、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー、ポリクロ
ロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル等のビニル樹脂、エポキシ樹脂
、キシレン樹脂、アラミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、メラミン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエーテル、アクリル樹脂及びこれらの共重合体等がある。
パントまたはドナー性ドーパントをドーピングすることにより、共役導電性高分子の共役
電子の酸化還元電位を変化させてもよい。
化合物、有機金属化合物等を使用することができる。ハロゲン化合物としては、塩素、臭
素、ヨウ素、塩化ヨウ素、臭化ヨウ素、フッ化ヨウ素等が挙げられる。ルイス酸としては
五フッ化燐、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモン、三フッ化硼素、三塩化硼素、三臭化硼
素等が挙げられる。プロトン酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホウフッ化水素酸
、フッ化水素酸、過塩素酸等の無機酸と、有機カルボン酸、有機スルホン酸等の有機酸を
挙げることができる。有機カルボン酸及び有機スルホン酸としては、安息香酸、酢酸、フ
タル酸、p−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン
酸、アントラキノンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などがあり、これらの金属
塩も用いることができる。有機シアノ化合物としては、共役結合に二つ以上のシアノ基を
含む化合物が使用できる。例えば、テトラシアノエチレン、テトラシアノエチレンオキサ
イド、テトラシアノベンゼン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノアザナフタレン
等がある。
ある。
、炭化水素溶剤、芳香族溶剤など)に溶解させて、湿式法により画素電極層を形成するこ
とができる。
及び有機樹脂などの高分子樹脂化合物を溶解するものを用いればよく、例えば、水、メタ
ノール、エタノール、プロピレンカーボネート、N‐メチルピロリドン、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、トルエンなどの単独もしくは混合溶剤に溶解すればよい。
印刷法等の湿式法を用いて絶縁層1214上に塗布し画素電極1250を形成する。導電
性組成物に溶媒が含まれる場合は、溶媒を乾燥させるための熱処理を行ってもよいし、減
圧下で導電性組成物を用いて画素電極を形成してもよい。また、導電性組成物に含まれる
有機樹脂が熱硬化性の場合は、さらに加熱処理を行い、光硬化性の場合は、光照射処理を
行って、硬化すればよい。
具体的には、アルミニウム、銀等が用いられる。また、画素電極の表面を凹凸状にするこ
とで、反射率が高まる。このため、画素電極の下地膜を凹凸とすればよい。
用いられる。
いて、図4を用いて説明する。
、図4(B)は、導電粒子と接続配線の接続領域を示す図4(A)のC−Dの断面図を示
し、図4(C)は画素領域と接続配線の接続領域を示す図4(A)のE−Fの断面図を示
す。
)1245と、表示領域を含む第2スペース(隔室)1246を有する。第1スペース(
隔室)1245は、第1基板1210、第2基板1204、及び第1シール材1205に
より囲まれており、かつ導電粒子1270が配置される。また、第2スペース(隔室)1
246は、第1基板1210、第2基板1204、及び第1シール材1205により囲ま
れており、且つ画素領域1202が配置される。
、接続配線上に接続端子が形成される。
れる領域の断面図である。絶縁層1214上に接続配線1208が形成される。接続配線
1208上には画素電極と同時に形成される接続端子1241が形成される。接続端子1
241は、接続配線1208及び導電粒子1270を介して、対向電極1251と電気的
に接続される。また、接続端子1241はFPCと接続される。
の断面図である。絶縁層1214上に接続配線1242が形成される。接続配線1242
上には画素電極1250と同時に形成される接続端子1243が形成される。接続端子1
243は、接続配線1242を介して、画素電極1250と電気的に接続される。なお、
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の形態を用いているため、画
素電極1250と接続配線1242は直接接続せず、スイッチングTFT1211、また
は信号線駆動回路1200を介して接続する。
ビング処理が施されている。この配向膜1206およびラビング処理は、使用する液晶の
モードにより必要な場合と不必要な場合がある。
クマトリクス1253が設けられ、少なくとも画素領域1202と重なる位置にカラーフ
ィルタおよび保護層1252が設けられる。カラー表示をフィールドシーケンシャルと言
われる色順次方式で表示する場合にはカラーフィルタは設けなくともよい。また、カラー
フィルタおよび保護層1252に対向電極1251が形成され、対向電極1251上に配
向膜1207が設けられ、ラビング処理が施されている。この第2基板1204も第1基
板1210と同様に、使用する液晶のモードにより配向膜およびラビング処理が必要な場
合と不必要な場合がある。
第1基板1210に、柱状スペーサー1255が設けられている。柱状スペーサー125
5は第1基板1210と第2基板1204とのギャップを保持するためのものである。こ
の柱状スペーサーはフォトリソスペーサー、ポストスペーサー、貝柱スペーサー、カラム
スペーサーとも呼ばれている。本実施の形態では、柱状スペーサーを用いて示す。柱状ス
ペーサー1255の作製方法としては、感光性アクリルなどの有機絶縁材料を基板の全面
にスピンコート法により塗布し、これを一連のフォトリソグラフィーの工程を行うことに
より、基板上に残った感光性アクリルがスペーサーとしての役割を果たす。当該方法によ
り、露光時のマスクパターン次第でスペーサーの配置したい場所に露光できるため、液晶
が駆動しない部分にこの柱状スペーサーを配置することにより、上下基板間のギャップを
維持するだけでなく、液晶の光漏れも防ぐことができる。また、柱状スペーサー1255
は、インクジェット法により有機絶縁材料を含む組成物を吐出し焼成して形成することが
できる。
(隔室)1246に設けたが第1スペース1245にも設けることにより、さらに上下基
板間のギャップを維持することが可能である。
270、および第2シール材1271が設けられている。
45の断面について、図1(B)及び図5を用いて説明する。図5は図1(A)の領域1
231の断面図である。
70を介して接続する接続配線1208及び対向電極1251と、導電粒子1270の周
りを覆う第2シール材1271とを有する。また、第1スペース(隔室)は第1シール材
1205に囲まれる。また、第1シール材1205及び第2シール材1271の間には空
間1273が形成される。空間1273は真空でもいい。また、不活性ガス若しくは空気
が充填されていても良い。第2シール材1271は、導電粒子1270を第1シール材1
205の間に吐出しやすくするための媒体であり、また硬化後は導電粒子1270を固定
するための媒体である。第2シール材1271は、第1シール材1205と同様の材料を
用いて形成することができる。
存在せず、第1シール材1205及び第2シール材1271が接していても良い。この場
合は、第1シール材1205の材料を塗布し、導電粒子及び第2シール材1271を吐出
した後、第1基板1210及び第2基板1204を貼り合わせる。なお、第1シール材1
205及び第2シール材1271が接する場合は、各々が、混じりあわない材料を適宜選
択する。
充填されてもよい。導電性ポリマー1235の代表例としては、導電性ポリアニリン、導
電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDO
T)とポリスチレンスルホン酸(PSS)の錯体等も用いることができる。また、画素電
極1250に用いることが可能な導電性ポリマーに列挙したものを適宜用いることができ
る。導電性ポリマー1235は、インクジェット装置、ディスペンサ装置等で導電性ポリ
マーを塗布して形成する。この場合は、第1シール材1205の材料を塗布し、導電粒子
を含む導電性ポリマー1235を吐出した後、第1基板1210及び第2基板1204を
貼り合わせる。なお、図5(B)では、導電性ポリマー1235及び第1シール材120
5が接する構成を示したが、第1の基板1210側または第2の基板1204側に空間を
有してもよい。即ち、少なくとも、対向電極または接続配線に導電性ポリマーが接してい
ることにより、導電粒子1270と導電性ポリマーが接し、対向電極及び接続配線の接続
抵抗を低減することが可能である。
基板1204を第1シール材1205で貼り合せし、UV光で第1シール材1205の材
料が硬化されると、第1基板1210上に形成される接続配線1208と、第2基板12
04上に形成される対向電極1251が導電粒子1270を介して導通する。
た導電性材料1236よりなるナノ粒子を用いて形成してもよい。ナノ粒子は、第1基板
1210及び第2基板1204を貼りあわせた後、第1シール材の硬化及び液晶の再配向
のための加熱工程により有機薄膜が分解され、導電性材料よりなるナノ粒子同士が接触し
融着することで、図5(D)に示すように導電粒子1239を形成することができる。こ
の場合は、第1シール材1205の材料を塗布し、有機薄膜1237で被覆された導電性
材料1236よりなるナノ粒子を吐出し、第1シール材1205及びナノ粒子の間に導電
性ポリマー1235を吐出し充填した後、第1基板1210及び第2基板1204を貼り
合わせる。なお、導電性ポリマー1235及び第1シール材1205の間に絶縁材料を充
填してもよい。また、第1の基板1210側または第2の基板1204側に空間を有して
もよい。
孔から吐出してパターンを形成する方法であり、ここでは溶媒に有機薄膜で被覆された導
電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を液滴として吐出(噴出)し、乾燥するこ
とで該溶媒を気化する。
ル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、タンタル(Ta)、イリジウム(Ir)
、ロジウム(Rh)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)等から選択された金属
元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料が用いられる。また、カドミウム(Cd)
、亜鉛(Zn)の金属硫化物、鉄(Fe)、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、ケ
イ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)などの酸化物、ハロゲン化銀の
一種又は複数種が混合されていてもよい。なお、導電性材料に2種以上の元素もしくは化
合物が用いられる場合、その混合状態については特に限定されず、例えばこれらの各々が
均一に存在しても、コア部にいずれか一が偏在していても良い。また、ナノ粒子は、少な
くとも表面が導電性材料より形成されていれば良く、内部が絶縁性を有する物質であって
も良い。
が良く、吐出材料に含まれるナノ粒子の粒径は均一であるほうが好ましい。
発生することがある。これは、導電性材料の結晶成長が非常に速く進行したためであり、
液晶表示装置への印加電圧を低く設定することやナノ粒子に合金材料を用いることでこの
ようなボイドの発生を抑制することができる。よって、より信頼性の高い液晶表示装置を
得ることができる。
分散させる機能を有する分散剤に相当する。そのため、有機薄膜を形成する化合物は、導
電性材料が有する金属元素と配位結合を形成することが可能な物質や界面活性剤等により
構成されている。ここで、金属元素と配位結合を形成する物質としては、アミノ基、チオ
ール基(−SH)、スルファンジイル基(−S−)、ヒドロキシ基(−OH)、オキシ基
(−O−)、カルボキシル基(−COOH)、シアノ基(−CN)等の窒素、硫黄、酸素
原子などが有する孤立電子対を有する物質が挙げられる。例えば、エタノールアミン等の
ヒドロキシアミン類、ポリエチレンイミンやポリビニルピロリドン等のアミン化合物、ポ
リビニルアルコール等のアルコール類、アルカンチオール類、ジチオール類、エチレング
リコール、ジエチレングリコールやポリエチレングリコール等のグリコール類、ポリアク
リル酸やカルボキシメチルセルロース等を用いることができる。また、界面活性剤として
は、例えば、ビス(2−エチルヘキシル)スルホコハク酸やドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム等のアニオン性界面活性剤、ポリアルキルグルコールのアルキルエステルやア
ルキルフェニルエーテル等の非イオン性界面活性剤、フッ素界面活性剤、ポリエチレンイ
ミンとポリエチレンオキサイドとを有する共重合体等を用いることができる。なお、分散
剤はナノ粒子に対し30wt%以上とした場合には吐出材料の粘度が高くなるため、1.
0wt%以上30wt%以下が好ましい。
出される。溶媒には、水または有機溶媒を用いることができ、有機溶媒は水溶性有機溶媒
であっても、非水溶性有機溶媒であっても良い。例えば、水溶性有機溶剤にはメタノール
、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、グリセリン、ジプロピレングリコール
、エチレングレコール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルエーテル、2−ピロリドン、N−メチルピロリドン等の水溶性含窒素有機化合物や酢酸
エチル等が挙げられる。また、非水溶性有機溶媒には、オクタン、ノナン、デカン等のア
ルカン、シクロアルカン、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族
等がある。もちろん、これら溶媒は必ずしも一種で使用する必要はなく、溶媒同士におい
て相分離が生じなければ複数種を混合して用いることも可能である。
5(D)に示す異なる導電部の構造を組み合わせてもよい。即ち、液晶表示装置の第1ス
ペースにおいて、図5(A)に示す導電部の構造と、図5(B)に示す導電部の構造とを
有してもよい。また、図5(A)に示す導電部の構造と、図5(C)に示す導電部の構造
とを有してもよい。
04上に吐出し、その後、第1シール材1205の内側に液晶を吐出する。この後、第1
基板1210及び第2基板1204を減圧雰囲気で貼り合せ、UV光を照射して第1シー
ル材1205を硬化した後、加熱して第1シール材1205を更に硬化して第1基板12
10及び第2基板1204を固着する。また、当該加熱により、液晶の配向を均一にする
。
とができる。この第1シール材1205が塗布される形状は、図1(A)のようにすべて
接続しており、穴の閉じたループ状である必要がある。
コントラストを高めるために第1基板1210の外側に第1偏光板1290と、第2基板
1204の外側に第2偏光板1295が設けられている。なお、反射型の表示装置の場合
には第1偏光板1290が必要ない場合がある。
することが可能であるため、シール材に含まれる不純物が液晶に拡散する量を低減するこ
とができる。従って、液晶表示装置の表示不良を低減できる。
表示不良を低減できる。
。また、衝撃などの外力を加えられて基板が変形しても、導通部での接続を維持できる液
晶表示装置を提供することができる。
本発明によれば様々な電気器具を構成することができる。電気器具としては、ビデオカ
メラ及びデジタルカメラ等のカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオー
ディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコ
ンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装
置(具体的にはDVD(digital versatile disc)等の記録媒体
を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが含まれる。
02、操作部303などを含んで構成されている。表示部302においては、上記実施の
形態で説明した液晶表示装置を適用することで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構
成することができる。
代表例である。図6(B)に示すデジタルプレーヤー304は、表示部302、操作部3
03、イヤホン305などを含んでいる。イヤホン305の代わりにヘッドホンや無線式
イヤホンを用いることができる。本構成のデジタルプレーヤー304は小型軽量化が可能
であるが、表示部302においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用する
ことで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
302、操作部303を含んでいる。またモデムが内蔵されていてもよいし、無線で情報
を送受信できる構成としてもよい。表示部302においては、上記実施の形態で説明した
液晶表示装置を適用することで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することがで
きる。
でいる。表示部402に、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用することにより
、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
る。表示部502に、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用することにより、表
示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
Claims (4)
- 一対の基板のうち、一方の基板上に、第1の領域と第2の領域を区切って囲うようにシール材を形成し、
前記第1の領域上に有機薄膜で被覆された導電性材料を含む複数のナノ粒子を吐出し、
前記第2の領域上に液晶を滴下し、
減圧下で前記一対の基板の貼り合わせを行い、
加熱処理を行うことで、前記シール材を硬化させ、
前記加熱処理により、前記有機薄膜を分解させて、前記複数のナノ粒子同士を融着させ、
前記第1の領域は、前記一対の基板のうち、他方の基板の対向電極を前記一方の基板の接続配線と導通させる導通部を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 一対の基板のうち、一方の基板上に、第1の領域と第2の領域を区切って囲うようにシール材を形成し、
前記第1の領域上に有機薄膜で被覆された導電性材料を含む複数のナノ粒子を吐出し、
前記第1の領域上に導電性ポリマーを吐出し、
前記第2の領域上に液晶を滴下し、
減圧下で前記一対の基板の貼り合わせを行い、
加熱処理を行うことで、前記シール材を硬化させ、
前記加熱処理により、前記有機薄膜を分解させて、前記複数のナノ粒子同士を融着させ、
前記第1の領域は、前記一対の基板のうち、他方の基板の対向電極を前記一方の基板の接続配線と導通させる導通部を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記シール材の形成は、インクジェット法を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記複数のナノ粒子の吐出は、インクジェット法を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
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