JP2009008681A - 標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置 - Google Patents

標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置 Download PDF

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金成軒
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申又▲チョル▼
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Abstract

【課題】TEGを通した標準セルライブラリーの性能を測定して検証するにおいて、内蔵された回路を使用することで、標準セルの性能を効果的に改善するための測定装置を提供する。
【解決手段】外部から入力されるイネーブル信号によって活性化され、測定結果値を出力するリングオシレータブロックと;前記各リングオシレータブロックから出力される測定結果値のうち一つまたはそれ以上を選択的に出力するデコーダーと;前記デコーダーの出力を定められた区間の間に受けて、その入力値の最大値と最小値との平均を出力するスタティスティックスアシスタと;を含んで標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置を構成する。
【選択図】図6

Description

本発明は、TEG(Test Element Group)を通した標準セルライブラリーの性能検証に関するもので、特に、多様なTEGのうちリングオシレータ(Ring Oscillator)を通した標準セルライブラリーの性能検証時に標準セルの性能を改善するための測定装置に関するものである。
図1は、従来技術に係るリングオシレータを示したブロック図である。
一般的に、リングオシレータは、多数の遅延時間チェーン102〜103で構成される。図1に示すように、一つの遅延時間チェーン102は、NANDゲート101と多数のインバータIV−1〜IV−Nのチェーン構造を有する。すなわち、遅延時間チェーン102は、NANDゲート101と、そのNANDゲート101の出力に接続される入力を有する第1インバータIV−1と、第1インバータIV−1の出力に接続される入力を有する第2インバータIV−2と、N−1番目のインバータの出力に接続される入力を有するN番目のインバータIV−Nとを含む。このような方式で、第1インバータIV−1〜N番目のインバータIV−Nは、順次的に接続されてチェーン構造をなす。
N番目のインバータIV−Nの出力は、外部に出力されると同時に、NANDゲート101の入力にフィードバックされる。
そして、その他の標準セルタイプの遅延時間チェーン103が追加的に構成される。
上記のように構成されたリングオシレータの出力は、一定周期を有するパルス104A,104Bである。
出力されたパルス104A,104Bの幅は、リングオシレータの遅延時間チェーン102〜103を構成する各標準セルの伝達遅延時間が累積された値である。
パルス104A,104Bの幅をオシロスコープを通して測定した後、測定された幅にスパイス(SPICE)でのロー-ツー-ハイ(Low to High)伝達遅延時間の比を掛け算することで、リングオシレータを構成する標準セルのロー-ツー-ハイ(Low to High)伝達遅延時間を求める。
図2は、従来技術に係るデジタルプロセスモニターの回路構成を示したブロック図である。
図2を参照すると、従来技術のデジタルプロセスモニター回路は、リングオシレータ201、非同期式リップルカウンター202、ローカルカウンター203、及びレジスタインターフェース/制御器205を含んで構成される。
レジスタインターフェース/制御器205は、外部からクロック信号CLK、開始命令DPM_START、及びテストサイクルの周期DPM_COUNT_DOWNの入力を受けて、テスト終了信号DPM_DONEと、非同期式リップルカウンター202で生成されたカウント値DPM_COUNTとを出力する。
レジスタインターフェース/制御器205は、開始命令DPM_STARTを受けると、リングオシレータ201の動作を開始するためのイネーブル信号ENABLEをリングオシレータ201に出力する。
イネーブル信号ENABLEを受けたリングオシレータ201は、クロックパルスRING_OSC_CLK204を生成して非同期式リップルカウンター202及びレジスタインターフェース/制御器205に伝達する。
非同期式リップルカウンター202は、入力されたクロックパルスRING_OSC_CLK204に基づいてダウンカウントする。
レジスタインターフェース/制御器205に開始命令DPM_START信号が印加されている間に、ローカルカウンター203は、テストサイクルの周期DPM_COUNT_DOWNをレジスタインターフェース/制御器205から受ける。テストサイクルの周期DPM_COUNT_DOWNを受けたローカルカウンター203は、2DPM_COUNT_DOWNだけダウンカウントする。
ローカルカウンター203の値が"0"に到達すると、ローカルカウンター203は、テスト終了信号DPM_DONEをレジスタインターフェース/制御器205に伝達する。テスト終了信号DPM_DONEを受けたレジスタインターフェース/制御器205は、全体の回路動作を停止させる。このとき、非同期式リップルカウンター202は、カウント値DPM_COUNTを生成してレジスタインターフェース/制御器205に伝達する。
それによって、レジスタインターフェース/制御器205は、非同期式リップルカウンター202から伝達されたカウント値DPM_COUNTを出力する。
最後に、非同期式リップルカウンター202は、レジスタインターフェース/制御器205からリセット信号RESETの入力を受けて初期化される。そのとき、リングオシレータ201は、同期停止信号SYNC_STOPをレジスタインターフェース/制御器205から受けて停止する。
レジスタインターフェース/制御器205から出力されたカウント値DPM_COUNTを使用して、リングオシレータ201のクロックパルス204の周期を測定する。
図3は、従来技術に係るリングオシレータの速度を測定するための装置構成を示したブロック図である。
図3を参照すると、従来のリングオシレータの速度測定のための装置は、リングオシレータ316、リングカウンター307、イネーブル制御部EN308、システムカウンター311、及びカウント感知部COUNT DET312を含んで構成される。
リングオシレータ316は、ANDゲート302と多数のインバータ303〜305が順次的に連結された構成を有し、最後のインバータ305の出力は、ANDゲート302にポジティブフィードバックされる。
リングオシレータ316は、クロックパルスRING CLK306を発振してリングカウンター307に出力する。クロックパルスRING CLK306の周期は、ANDゲート302から最後のインバータ305までの伝達遅延時間によって決定されるので、結果的に、使用されるインバータの個数に反比例する。
そして、クロックパルスRING CLK306は、工程、温度及び電圧変化の影響によって最大または最小の周波数を有することができる。
クロックパルスRING CLK306は、リングカウンター307に入力される。
リングカウンター307は、ダウンカウントするダウンカウンターとして、入力されるクロックパルスRING CLK306の周期ごとに第1プリセット値を減少させる。
リングオシレータ316のANDゲート302は、リングオシレータ316の活性化に関与する。すなわち、ANDゲート302の出力が"1"であるとき、リングオシレータ316は、持続的にクロックパルス306を発振する。すなわち、リングオシレータ316は、リングカウンター307がダウンカウントするように上昇エッジパルスを提供する。
ANDゲート302は、クロックパルスRING CLK306が"1"で、イネーブル制御部EN308の出力が"1"で、入力のうち一つであるディセーブル-シフトDISABLE−SHIFT値が"1"であるとき、"1"を出力する。
ディセーブル-シフトDISABLE−SHIFTは、テスト装置から入力された値で、図3の装置がリングオシレータ316の速度を測定する間、テストのためのテストベクトルまたは論理値をブロックする役割をする。また、ディセーブル-シフトDISABLE−SHIFTは、そのシフトの終了時間とイネーブル制御部EN308の出力が"1"に変わる時間との間の周期の間に、ダウンカウントを停止させる機能を提供する。
イネーブル制御部EN308は、システムカウンター311にイネーブルENABLE信号を提供する。また、上述したディセーブル-シフトDISABLE−SHIFTと一緒に、リングオシレータ316及びシステムカウンター311の活性化を制御する。
イネーブル制御部EN308から出力されたイネーブルENABLE信号が"0"であると、リングオシレータ316の発振とシステムカウンター311の動作が停止する。
イネーブル制御部EN308は、一個のDフリップフロップ(D Flip−Flop)で構成される。
イネーブル制御部EN308は、カウント感知部COUNT DET312の出力を受けて、システムクロックパルスSYS CLK310に同期されてANDゲート302及びシステムカウンター311にイネーブルENABLE信号を出力する。
システムカウンター311は、イネーブル制御部EN308から出力されるイネーブルENABLE信号に応答してイネーブルされ、システムクロックパルスSYS CLK310に同期されてシステムクロックパルスSYS CLK310の周期ごとに第2プリセット値を減少させる。
システムカウンター311は、減少した第2プリセットをカウント感知部COUNT DET312に出力する。
カウント感知部COUNT DET312は、システムカウンター311から入力された第2プリセット値を感知する。
カウント感知部COUNT DET312は、システムカウンター311から入力される第2プリセット値が"0"または"1"であるときを感知し、その結果としてイネーブル制御部EN308に"0"の値を伝達する。
カウント感知部COUNT DET312から"0"を受けたイネーブル制御部EN308は、"0"の値であるイネーブルENABLE信号をANDゲート302及びシステムカウンター311に出力し、リングオシレータ316の発振とシステムカウンター311の動作を停止させる。
上記のようにリングオシレータ316が停止するとき、リングカウンター307は、第1プリセット値が周期的に減少して得られた減少値COUNT VALUE315を出力する。その出力された減少値COUNT VALUE315は、第2プリセット値及びシステムクロックパルスSYS CLK310の周期と一緒に、リングオシレータ316の速度を測定するための係数として使用される。
上記のような従来技術では、標準セルの伝達遅延時間を計算するために、リングオシレータから出力されるクロックパルスの幅を測定する。これは、オシロスコープまたはウェハー段階で測定がなされるべきであることを意味する。それによって、高性能装備が要求され、多くの人力と時間が要求される。
また、リングオシレータから出力されるクロックパルスの幅を測定する過程で、測定者によるエラー(Human Error)や装備自体の誤差が追加される可能性が多いので、正確な測定が難しいという問題がある。
一方、図4は、従来技術に係る標準セルの伝達遅延時間を計算するための測定時のエラーを説明するためのグラフで、最上位から、システムクロックパルスSYS CLK、リングオシレータのオン/オフを制御するためのイネーブルENABLE信号、リングオシレータの出力パルスRING CLK、誤差を有するリングカウンターの出力カウント値Counter'、及び基準カウント値Counter'’を表している。
図4において、2番目のイネーブル信号の印加時間とリングオシレータの発振周期が等比を有しないので、同一のイネーブル信号の印加時間でも、リングオシレータの一発振周期に対応する測定誤差を有することがある。
また、従来のリングオシレータに対する性能測定結果の標準偏差、平均及び平均とのデルタ値を求めることが難しい。
また、従来の装置は、多数のリングオシレータの動作時間を設定し、性能測定のためのカウンター初期値を設定するために、別途のレジスタバンクまたは多数のフリップフロップが要求されるので、全体のチップ大きさを増加させる。
本発明は、上記のような従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、 TEG(Test Element Group)を通した標準セルライブラリーの性能を測定して検証するにおいて、内蔵された回路を使用することで、標準セルの性能を効果的に改善するための測定装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、標準セルライブラリーの性能測定のために内蔵型で回路を具現し、測定者によるエラーや装備自体の誤差を除去することはもちろんで、測定を一層容易かつ迅速に正確に実施するための装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、測定過程で要求される高性能装備や多くの人力及び時間などを節減するための装置を提供することにある。
上記のような目的を達成するための本発明に係る標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置の一特徴は、外部から入力されるイネーブル信号によって活性化され、測定結果値を出力するリングオシレータブロックと;前記各リングオシレータブロックから出力される測定結果値のうち一つまたはそれ以上を選択的に出力するデコーダーと;前記デコーダーの出力を、定められた区間の間に受けて、その入力値の最大値と最小値との平均を出力するスタティスティックスアシスタ(statistics assistor)とを含んで構成されることにある。
好ましくは、前記スタティスティックスアシスタから出力される値を用いて標準偏差と、前記スタティスティックスアシスタへの前記入力値と前記平均との間のデルタ値を計算し、前記各リングオシレータブロックでの単位セルの伝達遅延時間を算出し、前記標準セルライブラリーの異常有無を判断するために内蔵される診断部を含んで構成される。
ここで、前記診断部は、前記標準偏差が一定水準以上に大きい場合、前記スタティスティックスアシスタによってバイパスされるカウント値を通して前記標準セルライブラリーの異常有無を判断する。
好ましくは、前記各リングオシレータブロックは、前記イネーブル信号の周期をシステムクロックパルスの周期に再調整し、前記イネーブル信号を出力するイネーブルステイブル部と、前記イネーブルステイブル部から出力されるイネーブル信号値によって、一定周期を有するパルスを発振するリングオシレータと、前記イネーブルステイブル部から出力されるイネーブル信号値によって、システムクロックパルスを選択的に出力するクロックオン部と、前記リングオシレータで発振したパルスの上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つで動作する上昇カウンターと、前記リングオシレータで発振したパルスの上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つで動作する下降カウンターと、前記クロックオン部によって印加される前記システムクロックパルスを受けて、前記システムクロックパルスの上昇エッジで動作するREFカウンターと、前記イネーブル信号値によって前記リングオシレータが停止するとき、前記上昇カウンター、前記下降カウンター及び前記REFカウンターの出力を受けて最終カウント値を保存または出力するキャプチャデータ保存部とを含んで構成される。
前記リングオシレータは、NANDゲートと多数の単位セルが順次的に連結された構造であり、前記発振したパルスを前記NANDゲートにフィードバックする。
また、前記REFカウンターは、前記イネーブル信号が前記リングオシレータに印加された時間を測定するためにアップカウントまたはダウンカウントを行う。
また、前記上昇カウンター及び前記下降カウンターは、前記リングオシレータで発振したパルスの周期または半周期を測定するためにアップカウントまたはダウンカウントを行う。
また、前記クロックオン部で出力する前記システムクロックパルスの幅が前記REFカウンターで認識可能な最小パルス幅より小さい幅を持たないように、前記イネーブルステイブル部は、出力される前記イネーブル信号値を前記システムクロックパルスに同期させる。
また、前記下降カウンターは、前記リングオシレータで発振するパルスの周期を測定するとき、測定誤差を減少させるために前記発振したパルスの前記上昇エッジまたは前記下降エッジでアップカウントまたはダウンカウントを行う。
好ましくは、前記スタティスティックスアシスタは、前記デコーダーの出力のうち一定区間の間の出力を無視し、以後の前記デコーダーの出力を前記定められた区間の間に受ける。ここで、前記スタティスティックスアシスタは、前記定められた区間の間に受けた値を累積加算する累積加算部と、前記入力された値を最大値と最小値に区分して保存する最小最大値保存部とを含む。
好ましくは、前記測定装置は、回路ボードまたはテストボード上に内蔵される。
本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付した図面を参照した各実施例の詳細な説明を通して明白になるだろう。
本発明によると、標準セルライブラリーの性能を評価して診断するにおいて、内蔵された回路を使用することで、標準セルの性能を一層容易かつ迅速に正確に実施することができ、標準セルライブラリーを効果的に改善することができる。
また、本発明では、標準セルライブラリーの性能測定のために内蔵型測定回路を使用するので、測定者によるエラーや装備自体の誤差を除去することができる。
また、本発明では、性能測定のために内蔵型測定回路を使用し、別途の高性能装備や多くの人力及び時間などが要求されないので、資源効率面で多くの節減効果がある。特に、内蔵型測定回路を通して性能測定期間を短縮し、全体的に標準セルライブラリーの開発期間を短縮することができる。
また、従来には、イネーブル信号の印加時間とリングオシレータの発振周期が等比を有しないので、リングオシレータの一発振周期に対応する測定誤差が発生していたが、本発明では、下降カウンターを追加することで、回路的に一周期だけの誤差を1/2に減少することができ、全体的にリングオシレータが発振するクロック周期の誤差も減少し、より正確な性能測定を支援する。
また、多様な種類のリングオシレータの性能を容易かつ選択的に測定することができる。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例の構成及びその作用を説明するが、図面に基づいて説明される本発明の構成及び作用は、少なくとも一つの実施例として説明されるものに過ぎなく、これによって上記の本発明の技術的思想、その核心的な構成及び作用が制限されることはない。
図5は、本発明の一実施例に係るリングオシレータに対する性能測定のための内蔵型装置構成を示したブロック図である。
図5を参照すると、本発明に係る測定装置は、内蔵型で具現される。
本発明に係る測定装置は、多数のリングオシレータブロック401、デコーダー402、及びスタティスティックスアシスタ(Statistics Assistor)403を含んで構成される。
多数のリングオシレータブロック401は、単位セル種類別に構成されるリングオシレータブロック404を含む。一例として、単位セル種類別に構成される一つのリングオシレータブロック404を図6に示す。
図6は、本発明の一実施例に係るリングオシレータブロックの構成を示したブロック図である。
図6に示したリングオシレータブロック404は、イネーブルステイブル部501、リングオシレータ502、クロックオン部503、上昇カウンター504、下降カウンター505、REFカウンター506、及びキャプチャデータ保存部507を含んで構成される。
イネーブルステイブル部501は、外部から入力されるイネーブル信号の周期をシステムクロックパルスSYS CLK512の周期に再調整する。このために、イネーブルステイブル部501は、一つのDフリップフロップを含んで構成される。そのDフリップフロップは、システムクロックパルスSYS CLK512の下降エッジで動作する。
リングオシレータ502は、NANDゲート509と多数の単位セルU1〜UNが順次的に連結された構造で、第1単位セルU1から第N単位セルUNまで順次的に連結される。最後の単位セルである第N単位セルUNの出力511は、フィードバックされてNANDゲート509に入力される。
クロックオン部503は、イネーブルステイブル部501から出力されるイネーブル信号によって、システムクロックパルスSYS CLK512をREFカウンター506に選択的に印加する。
上昇カウンター504は、リングオシレータ502によって持続的に発振されて出力されるリングクロックパルスRing CLK511の上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つでアップカウントまたはダウンカウントを行う。上昇カウンター504は、上昇エッジで動作することがより好ましい。
下降カウンター505は、リングオシレータ502によって持続的に発振されて出力されるリングクロックパルスRing CLK511の上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つでアップカウントまたはダウンカウントを行う。この下降カウンター505は、リングオシレータ502によって発振するリングクロックパルスRing CLK511の周期を測定するとき、測定誤差を減少するために提供される。しかし、下降カウンター505は、下降エッジで動作することがより好ましい。
REFカウンター506は、システムクロックパルスSYS CLK512の上昇エッジで動作する。
キャプチャデータ保存部507は、本発明に係る装置が動作を中止するとき、最終のカウント値を保存する。
上記のような構成において、リングオシレータ502を構成する単位セルの個数は、図7のスパイスシミュレーション結果を通して決定される。図7は、本発明におけるリングオシレータの単位セル個数を決定するためのスパイスシミュレーション結果を示したグラフである。すなわち、図7の結果において、一定のパルス幅を有するものを、使用される単位セルに決定する。
イネーブルステイブル部501からリングオシレータ502のNANDゲート509に入力されるイネーブル信号510が"1"であると、一定の周期を有するリングクロックパルスRing CLK511を発振する。
リングクロックパルスRing CLK511の周期は、NANDゲート509から最後の第N単位セルUNまでの伝達遅延時間によって決定されるので、結果的に、使用される単位セルの個数に反比例する。
そして、リングクロックパルスRing CLK511の周期は、工程、温度、電圧変化の影響によって最大または最小の周波数を有することができる。
デコーダー402は、外部から入力される選択信号SEL405によって、各リングオシレータブロック401の出力のうち一つまたはそれ以上を選択的に出力する。
スタティスティックスアシスタ403は、最小最大値(Min_MAX)保存部407及び累積加算(Total Sum)部408を含んで構成される。
デコーダー402の出力、すなわち、選択信号SEL405によって選択された各リングオシレータブロック401の測定結果値409,410,411は、スタティスティックスアシスタ403に入力される。
各リングオシレータブロック401に対する測定が複数回実施されるとき、スタティスティックスアシスタ403は、外部から入力されるイグノアインデックス(Ignore Index)406によって、デコーダー402から入力される最初の測定結果値409,410,411からイグノアインデックス406によって指示されるN番目の測定結果値409,410,411を無視する。
次に、測定回数がイグノアインデックス406によって指示されるN番目を超えると、スタティスティックスアシスタ403は、以後にデコーダー402から入力される測定結果値409,410,411の平均値AVE Value413を求める。
前記平均値413を求めるために、累積加算部408は、デコーダー402から入力される測定結果値409,410,411を累積加算する。
そして、図6において複数回にかけて測定した各カウンター504,505,506の出力のうち最大/最小値MIN_MAX414を保存する。
このとき、標準偏差を求め、その標準偏差が大きい場合には、スタティスティックスアシスタ403によってバイパスされるカウント値CNT Value412を通して診断を実施する。
以下、上記のような構成に基づいて本発明を詳細に説明する。以下では、48回の性能診断のための測定を実施した場合を例として説明する。
本発明に係る装置の電源をオンにする。このとき、単位セル種類別にリングオシレータブロック404に備わったリングオシレータ502の入力のうちイネーブル信号の値を知らない。すなわち、不安定な状態(Unknown)で性能診断のための測定を開始する。
このような理由によって、本発明では、測定のための動作時に、リングオシレータ502が安定化されるまで充分な時間の間に初期化信号RESETを印加する(S1)。
ここで、前記初期化信号を印加する時間、すなわち、初期化時間は、ゲート水準のシミュレーションまたはスパイスシミュレーションを通して図7のようなリングオシレータ出力波形図から求める。
リングオシレータ502が安定化されると、測定対象であるリングオシレータブロック404に入力されるイネーブル信号値は、"1"から"0"に変化されて任意の時間の間に印加される(S2)。
イネーブルステイブル部501は、外部から入力されるイネーブル信号508をシステムクロックパルスSYS CLK512に同期させる(S3)。例えば、イネーブルステイブル部501は、クロックオン部503から出力するシステムクロックパルスの幅がREFカウンター506で認識可能な最小パルス幅より小さい幅を持たないように、出力するイネーブル信号510値をシステムクロックパルスSYS CLK512に同期させる。
前記イネーブルステイブル部501の出力510が"1"であるとき、リングオシレータ502を活性化させる。
活性化されたリングオシレータ502は、一定周期を有するリングクロックパルスRing CLK511を持続的に発振する(S4)。
その反面、前記イネーブルステイブル部501の出力510が"0"であるとき、リングオシレータ502を非活性化させる。
非活性化されたリングオシレータ502は、一定周期を有するリングクロックパルス(Ring CLK)511の発振を停止する(S5)。
リングオシレータ502は、発振したリングクロックパルスRing CLK511を上昇カウンター504及び下降カウンター505に出力する(S6)。
上昇カウンター504は、リングオシレータ502で発振されたリングクロックパルス Ring CLK511の上昇エッジによって動作し、下降カウンター505は、リングオシレータ502で発振されたリングクロックパルスRing CLK511の下降エッジによって動作する。
特に、前記二つのカウンター504,505の動作が活性化されるときには、入力されるリングクロックパルス511の周期ごとにアップカウンターまたはダウンカウンターとして動作する。すなわち、リングクロックパルス511の周期ごとにアップカウントまたはダウンカウントを行う。しかし、二つのカウンター504,505の動作が非活性化されるときには、カウンティング動作を停止する(S7)。
一方、イネーブルステイブル部501の出力510が"1"であるとき、クロックオン部503は、外部から入力されるシステムクロックパルスSYS CLK512をREFカウンター506に印加する。
システムクロックパルスSYS CLK512を受けたREFカウンター506は、そのシステムクロックパルス512の周期ごとにアップカウントまたはダウンカウントを行う。例えば、REFカウンター506は、システムクロックパルスSYS CLK512の上昇エッジによって動作する(S8)。
その反面、イネーブルステイブル部501の出力510が"0"であるとき、クロックオン部503は、外部から入力されるシステムクロックパルスSYS CLK512がREFカウンター506に印加されることを防止する。それによって、REFカウンター506は、アップカウンティングまたはダウンカウンティング動作を停止する(S9)。
イネーブルステイブル部501の出力510が"1"であると、キャプチャデータ保存部507は、動作中である三個のカウンター504,505,506の出力513,514,515を保存しない(S10)。
しかし、イネーブルステイブル部501の出力510が"0"であると、三個のカウンター504,505,506の動作を停止し、キャプチャデータ保存部507は、動作停止状態の三個のカウンター504,505,506の出力513,514,515を保存すると同時にデコーダー402に出力する。すなわち、本発明に係るリングオシレータブロックの動作が中止されると、最終カウント値を保存する(S11)。
上述したように、最終カウント値が発生するまでの過程(S1〜11)を経て、図8に示したリングオシレータブロック404の出力波形が得られる。図8は、本発明におけるリングオシレータに対するRC寄生パラメータを有するスパイスシミュレーション結果を示したグラフである。
デコーダー402は、リングオシレータブロック404を含む多数のリングオシレータブロック401から出力される結果を受ける。
そして、デコーダー402は、外部から入力される選択信号SEL405によって、各リングオシレータブロック401の出力のうち一つまたはそれ以上を選択的に出力する。すなわち、デコーダー402は、選択信号SEL405によって各出力409,410,411をスタティスティックスアシスタ403に選択的に伝達する(S12)。
上述したように、一例として、上記の過程(S1〜12)を48回反復的に行う(S13)。
以後、スタティスティックスアシスタ403は、毎回デコーダー402から出力される結果409,410,411のうち、外部から入力されたイグノアインデックス406によって指示される回数に対応する結果を無視する。
すなわち、スタティスティックスアシスタ403は、イグノアインデックス406によって指示されるN番目のデコーダー402から出力される結果409,410,411まで無視し、(N+1)番目のデコーダー402から始めて、出力される結果409,410,411に対する累積加算などの処理を行う。
例えば、スタティスティックスアシスタ403は、(N+1)番目から48番目の出力結果409,410,411に対する処理を行った後、すなわち、48回の測定を行った後、その間の測定結果値409,410,411の平均値AVE Value413を求めて出力する。
これと同時に、スタティスティックスアシスタ403は、(N+1)番目から48番目の測定結果を出力する間に、毎度デコーダー402の出力を以前の出力と比較し、最大/最小値MIN_MAX414を保存する。スタティスティックスアシスタ403は、最大/最小値MIN_MAX414などのデータを保存するために、レジスタバンクまたは多数のフリップフロップを備えている。レジスタバンクまたは多数のフリップフロップは、デコーダー402の各出力409,410,411を累積加算した結果も保存することができる。
もちろん、スタティスティックスアシスタ403は、前記保存された最大/最小値MIN_MAX414も、(N+1)番目から48番目の測定結果の一つとして出力する。
また、本発明では、スタティスティックスアシスタ403から出力される平均値413及び/または最大/最小値MIN_MAX414に対する標準偏差を求める。
計算された標準偏差が、定められた基準値より大きい場合、スタティスティックスアシスタ403によってバイパスされるカウント値CNT Value412を使用して診断を実施する。
すなわち、本発明では、スタティスティックスアシスタ403の各出力412,413,414のうち少なくとも一つを使用して性能診断を実施する。すなわち、スタティスティックスアシスタ403の各出力412,413,414を使用して各単位セルの伝達遅延時間を計算する。
まず、下記の式1を通して、リングオシレータに印加されたイネーブル信号"1"が印加される区間の間の時間En_Timeを計算する。
(式1)
En_Time=システムクロックパルスSYS CLK周期×REF_TR
例えば、システムクロックパルス周期を10ns(100MHz)に定める。そして、前記"REF_TR"は、スタティスティックスアシスタ403から出力されたREFカウンター506の平均出力値である。REFカウンター506は、リングオシレータに印加された時間を測定するためにアップカウンティまたはダウンカウンティングを行う。
次いで、リングオシレータの測定結果を出力する反復回数ROSC_loopは、次の式2を通して計算する。
(式2)
ROSC_loop=Fall_TR+Rise_TR+0.5
上記の式において、"Fall_TR”は、スタティスティックスアシスタ403から出力された下降カウンター505の平均出力値で、"Rise_TR"は、スタティスティックスアシスタ403から出力された上昇カウンター504の平均出力値である。上昇カウンター504と下降カウンター505は、リングオシレータで発振したパルスの周期または半周期を測定するためにアップカウントまたはダウンカウントを行う。
次いで、リングオシレータが発振するリングクロックパルス511の半周期OSC_Half_Periodは、次の式3を通して計算される。すなわち、上記の式1と式2で計算された結果を使用して計算する。
(式3)
OSC_Half_Period=En_Time/ROSC_loop
次に、単位セルの伝達遅延時間を、下記の式4を通して計算する。
(式4)
Unit Cell Delay=OSC_Half_Period/Unit Cell個数×2
前記単位セルの伝達遅延時間は、上昇伝達遅延時間と下降伝達遅延時間との合計で、前記式3で計算された結果を使用して計算する。
前記伝達遅延時間を構成する上昇伝達遅延時間と下降伝達遅延時間は、次の式5と式6で計算される。
(式5)
tPLH=単位セルの伝達遅延時間×LH
(式6)
tPHL=OSC_Period×HL
上記の式5において、"tPLH"は、単位セルの下降伝達遅延時間で、"LH"は、スパイスシミュレーション結果における単位セルの下降伝達遅延時間の比率である。
また、前記式6において、"tPHL"は、単位セルの上昇伝達遅延時間で、"OSC_Period"は、上記の式3を通して計算された半周期OSC_Half_Periodから計算されるリングクロックパルス511の周期で、"HL"は、スパイスシミュレーション結果における単位セルの上昇伝達遅延時間の比率である。
次いで、スタティスティックスアシスタ403から出力した測定結果412,413,414から標準偏差、平均、平均とのデルタ値を求めて、上記の式から計算された単位セルの伝達遅延時間の正確度及び回路の異常有無を判断する。本発明の装置は、上記のように、スタティスティックスアシスタ403から出力した測定結果412,413,414から標準偏差、平均、平均とのデルタ値を求めて、上記の式から計算された単位セルの伝達遅延時間の正確度及び回路の異常有無を判断する診断部(図示せず)を含む。
結局、本発明において、診断部は、単位セルの伝達遅延時間を正確に計算し、異常有無を判断するために計算されるリングオシレータに対する性能測定結果の標準偏差、平均及び平均とのデルタ値を容易に求めることができる。
一方、本発明に係る測定装置は、回路ボードまたはテストボード上に内蔵される。
以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを理解できるだろう。
したがって、本発明の技術的範囲は、実施例に記載された内容に限定されるものでなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。
従来技術に係るリングオシレータを示したブロック図である。 従来技術に係るデジタルプロセスモニターの回路構成を示したブロック図である。 従来技術に係るリングオシレータの速度を測定するための装置構成を示したブロック図である。 従来技術に係る標準セルの伝達遅延時間計算のための測定時のエラーを説明するためのグラフである。 本発明の一実施例に係るリングオシレータに対する性能測定のための内蔵型装置構成を示したブロック図である。 本発明の一実施例に係るリングオシレータブロックの構成を示したブロック図である。 本発明におけるリングオシレータの単位セル個数を決定するためのスパイスシミュレーション結果を示したグラフである。 本発明におけるリングオシレータに対するRC寄生パラメータを有するスパイスシミュレーション結果を示したグラフである。
符号の説明
401 リングオシレータブロック
402 デコーダー
403 スタティスティックスアシスタ
501 イネーブルステイブル部
503 クロックオン部
506 REFカウンター
507 キャプチャデータ保存部

Claims (15)

  1. 外部から入力されるイネーブル信号によって活性化され、測定結果値を出力するリングオシレータブロックと;
    前記各リングオシレータブロックから出力される測定結果値のうち一つまたはそれ以上を選択的に出力するデコーダーと;
    前記デコーダーの出力を定められた区間の間に受けて、その入力値の最大値と最小値との平均を出力するスタティスティックスアシスタ(statistics assistor)と;を含んで構成されることを特徴とする標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  2. 前記スタティスティックスアシスタから出力される値を用いて標準偏差と、前記スタティスティックスアシスタへの前記入力値と前記平均との間のデルタ値とを計算し、前記各リングオシレータブロックでの単位セルの伝達遅延時間を算出し、前記標準セルライブラリーの異常有無を判断するために内蔵される診断部を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  3. 前記診断部は、前記標準偏差が一定水準以上に大きい場合、前記スタティスティックスアシスタによってバイパスされるカウント値を通して前記標準セルライブラリーの異常有無を判断することを特徴とする請求項2に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  4. 前記各リングオシレータブロックは、
    前記イネーブル信号の周期をシステムクロックパルスの周期に再調整し、前記イネーブル信号を出力するイネーブルステイブル部と、
    前記イネーブルステイブル部から出力されるイネーブル信号値によって、一定周期を有するパルスを発振するリングオシレータと、
    前記イネーブルステイブル部から出力されるイネーブル信号値によって、システムクロックパルスを選択的に出力するクロックオン部と、
    前記リングオシレータで発振したパルスの上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つで動作する上昇カウンターと、
    前記リングオシレータで発振したパルスの上昇エッジ及び下降エッジのうち何れか一つで動作する下降カウンターと、
    前記クロックオン部によって印加される前記システムクロックパルスを受けて、前記システムクロックパルスの上昇エッジで動作するREFカウンターと、を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  5. 前記各リングオシレータブロックは、
    前記イネーブル信号値によって前記リングオシレータが停止するとき、前記上昇カウンター、前記下降カウンター及び前記REFカウンターの出力を受けて最終カウント値を保存または出力するキャプチャデータ保存部をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  6. 前記リングオシレータは、NANDゲートと多数の単位セルが順次的に連結された構造であることを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  7. 前記リングオシレータで発振されたパルスは、前記NANDゲートにフィードバックされることを特徴とする請求項6に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  8. 前記REFカウンターは、前記イネーブル信号が前記リングオシレータに印加された時間を測定するために、アップカウントまたはダウンカウントを行うことを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  9. 前記上昇カウンター及び前記下降カウンターは、前記リングオシレータで発振したパルスの周期または半周期を測定するためにアップカウントまたはダウンカウントを行うことを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  10. 前記クロックオン部から出力する前記システムクロックパルスの幅が前記REFカウンターで認識可能な最小パルス幅より小さい幅を持たないように、前記イネーブルステイブル部は、出力される前記イネーブル信号値を前記システムクロックパルスに同期させることを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  11. 前記下降カウンターは、前記リングオシレータで発振するパルスの周期を測定するとき、測定誤差を減少させるために前記発振したパルスの前記上昇エッジまたは前記下降エッジでアップカウントまたはダウンカウントを行うことを特徴とする請求項4に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  12. 前記スタティスティックスアシスタは、前記デコーダーの出力のうち一定区間の間の出力を無視し、以後の前記デコーダーの出力を前記定められた区間の間に受けることを特徴とする請求項1に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  13. 前記スタティスティックスアシスタは、前記定められた区間の間に受けた値を累積加算する累積加算部と、前記入力された値を最大値と最小値に区分して保存する最小最大値保存部と、を含むことを特徴とする請求項12に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  14. 前記測定装置が回路ボード上に内蔵されることを特徴とする請求項1に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
  15. 前記測定装置がテストボード上に内蔵されることを特徴とする請求項1に記載の標準セルライブラリーの性能改善のための測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209420A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2021007224A (ja) * 2020-09-16 2021-01-21 セイコーエプソン株式会社 遅延回路、カウント値生成回路および物理量センサー

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5302235B2 (ja) * 2010-02-09 2013-10-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
GB2498281B (en) * 2010-11-01 2015-04-08 Hewlett Packard Development Co Storage element reading using ring oscillator
US8779787B2 (en) * 2011-11-16 2014-07-15 Arm Limited Apparatus and method for determining variation in a predetermined physical property of a circuit
US9029215B2 (en) * 2012-05-14 2015-05-12 Semiconductor Components Industries, Llc Method of making an insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure
KR102391385B1 (ko) 2015-08-13 2022-04-27 삼성전자주식회사 내장형 로직 분석기 및 이를 포함하는 집적 회로
CN105527560B (zh) * 2016-01-11 2018-05-25 福州瑞芯微电子股份有限公司 芯片差异性的监测方法及监测电路
CN105680852B (zh) * 2016-01-11 2018-08-07 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种芯片内部时钟产生和差异性检测方法及电路
US10747258B1 (en) * 2017-02-28 2020-08-18 Amazon Technologies, Inc. Distributed digital ring oscillators in a digital system
CN109471015B (zh) * 2018-10-09 2021-07-20 佛山中科芯蔚科技有限公司 一种芯片产品测试规范的制定方法及系统
CN110632501B (zh) * 2019-09-27 2022-05-06 上海兆芯集成电路有限公司 集成电路的操作特性的预测方法与装置
CN112202425A (zh) * 2020-09-25 2021-01-08 杭州加速科技有限公司 Fpga芯片内的时钟生成单元
CN112149380B (zh) * 2020-09-29 2023-05-12 海光信息技术股份有限公司 一种标准单元库的指标分析方法及装置
US11835580B2 (en) * 2020-12-01 2023-12-05 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Circuit and method to measure simulation to silicon timing correlation
CN115389857B (zh) * 2022-10-27 2023-01-31 上海合见工业软件集团有限公司 基于对称电路的信号线缆延时检测系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04340738A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 論理icの遅延時間測定回路
JP2006003344A (ja) * 2004-05-20 2006-01-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の評価方法。

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097208A (en) * 1990-12-05 1992-03-17 Altera Corporation Apparatus and method for measuring gate delays in integrated circuit wafers
JP3708168B2 (ja) * 1995-06-13 2005-10-19 富士通株式会社 遅延装置
US5963104A (en) * 1996-04-15 1999-10-05 Vlsi Technology, Inc. Standard cell ring oscillator of a non-deterministic randomizer circuit
US6544807B1 (en) * 2000-11-03 2003-04-08 Lsi Logic Corporation Process monitor with statistically selected ring oscillator
US6668346B1 (en) * 2000-11-10 2003-12-23 Sun Microsystems, Inc. Digital process monitor
KR100422354B1 (ko) * 2001-08-24 2004-03-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 테스트 회로
US6657504B1 (en) * 2002-04-30 2003-12-02 Unisys Corporation System and method of determining ring oscillator speed
JP3735636B2 (ja) * 2003-03-31 2006-01-18 株式会社アドバンテスト 試験エミュレート装置、試験モジュールエミュレート装置、及びこれらのプログラムを記録した記録媒体
US6933739B1 (en) * 2003-05-23 2005-08-23 Marvell Semiconductor Israel Ltd. Ring oscillator system
JP2007500356A (ja) * 2003-05-28 2007-01-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シグナルインテグリティ自己テストアーキテクチャ
JP2007057393A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Epson Toyocom Corp 周波数安定度測定装置
KR20070062702A (ko) 2005-12-13 2007-06-18 김보경 부호를 이용한 핸드폰 영문 입력 시스템
KR100731106B1 (ko) 2005-12-29 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 라이브러리 테스트 회로 및 그 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04340738A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 論理icの遅延時間測定回路
JP2006003344A (ja) * 2004-05-20 2006-01-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の評価方法。

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209420A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2021007224A (ja) * 2020-09-16 2021-01-21 セイコーエプソン株式会社 遅延回路、カウント値生成回路および物理量センサー

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Publication number Publication date
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