JP2009001752A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)および(B)成分とともに、下記の(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)SH基を少なくとも2個有するポリチオール。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)SH基を少なくとも2個有するポリチオール。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量650)
〔エポキシ樹脂b〕
トリグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量100)
〔硬化剤〕
テトラヒドロ無水フタル酸
〔硬化促進剤〕
2−エチル−4−メチルイミダゾール
〔ポリチオールa〕
エチレングリコール−ビス−3−メルカプトプロピオネート(分子量238、官能基数2)
〔ポリチオールb〕
テトラエチレングリコール−ビス−3−メルカプトプロピオネート(分子量372、官能基数2)
〔ポリチオールc〕
トリメチロールプロパン−トリス−3−メルカプトプロピオネート(分子量399、官能基数3)
〔ポリチオールd〕
ペンタエリスリトール−テトラキス−3−メルカプトプロピオネート(分子量489、官能基数4)
〔ポリチオールe〕
ジペンタエリスリトール−ヘキサ−3−メルカプトプロピオネート(分子量783、官能基数6)
〔ポリチオールf〕
n−ドデカンチオール(分子量202、官能基数1)
後記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロールで溶融混練(80〜130℃)を行い、熟成した後、室温で冷却して粉砕することにより目的とする微粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形(成形条件:150℃×4分間)し、さらに、150℃×3時間の条件でアフターキュアすることにより、光透過率測定用の試料(厚み1mmの硬化物)を作製した。この試料を、石英セル中の流動パラフィンに浸漬し、試料表面の光散乱を抑制した状態で、室温(25℃)にて波長600nmにおける光透過率を分光光度計(島津製作所社製、UV3101)を用いて測定した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形(成形条件:150℃×4分間)し、さらに、150℃×3時間の条件でアフターキュアすることにより、図1に示すように、金属フレーム板1の左端表面に、円錐台形状の樹脂硬化体2が設けられた接着力測定サンプルをトランスファーモールド法によって成形した(接着部の面積は0.25cm2 )。
Claims (5)
- 下記の(A)および(B)成分とともに、下記の(C)成分を含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)SH基を少なくとも2個有するポリチオール。 - 上記(C)成分であるポリチオールが、分子量200〜1000の範囲であり、かつ官能基数が2〜6である請求項1または2記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記(C)成分であるポリチオールが、エチレングリコール−ビス−3−メルカプトプロピオネート、テトラエチレングリコール−ビス−3−メルカプトプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−3−メルカプトプロピオネートおよびジペンタエリスリトール−ヘキサ−3−メルカプトプロピオネートからなる群から選ばれた少なくとも一つである請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置。
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