JPH11335445A - エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スプレー式の外部離型剤を使用することなく
成形体の金型離型性を向上して連続成形することができ
ると共に白濁がなく優れた透明性を有する成形体を得る
ことができ、また成形体の素子及びリードフレームとの
密着性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
化物を含む。この第一級アルコールのエトキシ化物をエ
ポキシ樹脂組成物全量に対して０．０５〜５ｗｔ％含有
する。骨格中に下記一般式（１）に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂等のうちの、少なくとも一種のものを含
有する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ、フォトト
ランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＥＰＲＯＭ
等の光半導体素子を封止するために用いられるトランス
ファーモールド用のエポキシ樹脂組成物、及びこのエポ
キシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】発光素子、受光素子等の光半導体の樹脂
封止を行って光半導体装置の製造を行う際の封止材料と
しては、透明性、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性
等に優れる点から、エポキシ樹脂組成物が主として用い
られており、エポキシ樹脂組成物のトランスファーモー
ルドにより成形した成形体を封止樹脂とし、この封止樹
脂により光半導体を封止する樹脂封止は、作業性及び量
産性の面で優れている。このトランスファーモールドに
よる樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂組成物は、成形
体の金型からの離型性を向上させるために一般に離型剤
が配合されている。ここで、光半導体用の封止材は透明
性が重要視されるため、光半導体封止用のエポキシ樹脂
組成物に用いられる離型剤はこのエポキシ樹脂組成物と
相溶する必要があり、そのため従来の技術では離型効果
の少ないエポキシ樹脂組成物しか得ることができず、離
型剤の添加量も少量に限定されるものであった。このた
めエポキシ樹脂組成物のトランスファーモールドにて封
止材を成形して光半導体装置の封止を行う際は、一般に
成形体の離型性を確保するために、あらかじめフッ素系
又はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を成形用
の金型に吹き付けていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし上記のように外
部離型剤を用いるものとすると、連続成形性が悪化して
生産効率の低下を招いたり、成形体表面に付着する離型
剤成分の厚みのばらつきが光半導体装置の特性ばらつき
の原因となったりするものであり、また外部離型剤のコ
ストもかかるものであった。また更には外部離型剤に含
まれる溶剤が環境に及ぼす影響も懸念されるものであっ
た。

【０００４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、フッ素系、シリコーン系等のスプレー式の外部離
型剤を使用することなく成形体の金型離型性を向上して
連続成形することができると共に白濁がなく優れた透明
性を有する成形体を得ることができ、更に成形体の金型
からの脱型時における耐クラック性及びバリ取り工程に
おける耐クラック性に優れ、また成形体の素子及びリー
ドフレームとの密着性に優れたエポキシ樹脂組成物及び
このエポキシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置を
提供することを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化
促進剤、及び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコール
のエトキシ化物を含み、炭素数１８以上の直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に
対して０．０５〜５ｗｔ％含有するエポキシ樹脂組成物
において、骨格中に下記一般式（１）に示す単位構造を
有するエポキシ樹脂、下記一般式（２）に示す硬化剤、
及び下記一般式（３）に示す硬化剤のうちの、少なくと
も一種のものを含有して成ることを特徴とするものであ
る。

【０００６】

【化５】

【０００７】

【化６】

【０００８】

【化７】 また本発明の請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物は、
請求項１の構成に加えて、骨格中に上記一般式（１）に
示す単位構造を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全
量に対して０．０５〜５０ｗｔ％含有して成ることを特
徴とするものである。

【０００９】また本発明の請求項３に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項１又は２の構成に加えて、上記一般
式（２）及び（３）に示す硬化剤を硬化剤全量に対して
０．０５〜２０ｗｔ％含有して成ることを特徴とするも
のである。

【００１０】また本発明の請求項４に記載のエポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び
炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化
物を含み、炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールの
エトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して０．０
５〜５ｗｔ％含有するエポキシ樹脂組成物において、下
記一般式（４）に示す化合物を含んで成ることを特徴と
するものである。

【００１１】

【化８】 また本発明の請求項５に記載のエポキシ樹脂組成物は、
請求項４の構成に加えて、上記一般式（４）に示す化合
物を、エポキシ樹脂組成物全量に対して０．０１〜３ｗ
ｔ％含有して成ることを特徴とするものである。

【００１２】また本発明の請求項６に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項１乃至５のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアルケン類又
はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム・テトラ
置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成
ることを特徴とするものである。

【００１３】また本発明の請求項７に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項１乃至５のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニウム・カ
ルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換
ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成るこ
とを特徴とするものである。

【００１４】また本発明の請求項８に記載のエポキシ樹
脂は、請求項６のいずれかの構成に加えて、ジアザビシ
クロアルケン類又はその誘導体を、テトラ置換ホスホニ
ウム・テトラ置換ブロマイドに対して１／９９〜９９／
１の重量比で含有して成ることを特徴とするものであ
る。

【００１５】また本発明の請求項９に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項７の構成に加えて、テトラ置換アン
モニウム・カルボン酸塩をテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドに対して１／９９〜９９／１の重量
比で含有して成ることを特徴とするものである。

【００１６】また本発明の請求項１０に記載の光半導体
装置は、エポキシ樹脂組成物は、請求項１乃至９のいず
れかのエポキシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特
徴とするものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数１８以上の直鎖
状第一級アルコールのエトキシ化物を含むものである。

【００１９】上記の炭素数１８以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物としては、下記一般式（５）で示
されるようなものを用いることができ、この直鎖状第一
級アルコールのエトキシ化物は離型剤として作用すると
共に、他の離型成分をエポキシ樹脂組成物中に分散させ
る分散剤として作用するものである。この直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物の炭素数の上限は、２００と
するのが好ましい。尚、式（５）中のｎ，ｍは正の整数
を示すものである。

【００２０】 ＣＨ₃ＣＨ₂（ＣＨ₂）_n（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_mＨ （５） ここで他の離型剤成分としては、特に限定するものでは
ないが、例えばラウリン酸アマイド等の飽和脂肪酸モノ
アマイド類、オレイン酸アマイド等の不飽和脂肪酸モノ
アマイド類、Ｎ−スレアリン酸アマイド等の置換アマイ
ド類、メチロールステアリン酸アマイド等のメチロール
アマイド類、メチレンビスステアリン酸アマイド等の飽
和脂肪酸ビスアマイド類、エチレンビスオレイン酸アマ
イド等の不飽和脂肪酸ビスアマイド類、ｍ−キシレンビ
スステアリン酸アマイド等の芳香族系ビスアマイド類等
の脂肪酸アマイド等が、エポキシ樹脂組成物への相溶性
が良好な点で好ましく、これらのものを単独で、あるい
は二種以上を適宜組み合わせて炭素数１８以上の直鎖状
第一級アルコールのエトキシ化物と共にエポキシ樹脂組
成物に含有させることができる。

【００２１】ここで炭素数１８以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物の配合量は、エポキシ樹脂組成物
全量に対して０．０５〜５ｗｔ％とするものであり、配
合量が０．０５ｗｔ％に満たないと充分な成形体の離型
性が得られないおそれがあり、５ｗｔ％を超えると成形
体の白濁の発生、成形体と素子やリードフレーム等との
密着性の低下、エポキシ樹脂組成物にて封止されてなる
半導体装置の耐湿信頼性の低下、成形体の強度低下によ
る成形体の耐クラック性低下等の問題が生じるおそれが
ある。

【００２２】エポキシ樹脂としては、一分子中に二個以
上のエポキシ樹脂を有するものであれば特に限定するも
のではないが、本発明のエポキシ樹脂組成物を光半導体
の封止用に用いるためには比較的着色の少ないものが好
ましく、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポ
キシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレ
ート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの
エポキシ樹脂は、単独で、あるいは二種以上を適宜混合
して用いることができる。

【００２３】特に本発明のエポキシ樹脂組成物に上記一
般式（１）に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨
格構造中に有するエポキシ樹脂を含有させると、エポキ
シ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の金型に
あらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー方式の
外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との離型性
を向上することができ、外部離型剤のコストを削減して
製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれる溶剤
による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上して生
産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフレーム
等との密着性を向上することができるものである。また
成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際に成形
体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚みのばら
つきが生じるようなことがなく、光半導体装置の特性ば
らつきの発生を抑制することができるものである。また
成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上すること
ができるものである。

【００２４】ここでこのエポキシ樹脂は一般式（１）に
示す単位構造を５０〜８０重量％の割合で含むようにす
ることが好ましい。また式（１）中のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、
Ｒ₄は、−Ｈ、あるいは−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ
₂ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃等の、炭素数１〜
１２の一価又は二価の炭化水素基を示すものである。

【００２５】また上記一般式（１）に示すような硫黄原
子を含む単位構造を骨格構造中に有するエポキシ樹脂
を、エポキシ樹脂組成物総量に対して０．０５〜５０ｗ
ｔ％の割合で配合すると、本発明のエポキシ樹脂組成物
を用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導
体装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリ
ードフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半
導体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもの
である。

【００２６】硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応する
ものであれば特に限定するものではないが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには
比較的着色の少ないものが好ましく、例えば無水ヘキサ
ヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒド
とを縮合反応させて得られるノボラック型フェノール樹
脂、液状ポリメルカプタン、ポリサルファイド樹脂等の
ポリメルカプタン系硬化剤等を挙げることができる。ま
たこの他にアミン系硬化剤を挙げることができるが、ア
ミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物は硬化時の
変色が大きいため使用する際には添加量等に注意を要す
る。これらの硬化剤は、単独で、あるいは二種以上を適
宜組み合わせて用いることができる。ここで硬化剤の配
合割合は、エポキシ樹脂に対する硬化剤の当量比が０．
８〜１．２となるようにするのが好ましい。

【００２７】特に硬化剤として上記一般式（２）、
（３）に示すような硫黄原子を骨格構造に有する化合物
を単独で、あるいは併用して用いると、上記一般式
（１）に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨格構
造中に有するエポキシ樹脂を含有させた場合と同様に、
エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の
金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー
方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との
離型性を向上することができ、外部離型剤のコストを削
減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれ
る溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上
して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフ
レーム等との密着性を向上することができるものであ
る。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる
際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚
みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装置
の特性ばらつきの発生を抑制することができるものであ
る。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上
することができるものである。

【００２８】ここで式（２）中のＲ₅、Ｒ₆、Ｒ₇は、−
（ＣＨ₂）_n−で示され、ｎの値が１〜１２である一価の
炭化水素基を示すものである。また一般式（３）中のｎ
の値の上限は、５０とするのが好ましい。

【００２９】また一般式（２）又は（３）に示す化合物
を単独で用いる場合は一般式（２）又は（３）に示す化
合物を全硬化剤成分の総量に対して０．０５〜２０ｗｔ
％の割合で用い、一般式（２）及び（３）に示す化合物
を併用する場合は一般式（２）及び（３）に示す化合物
の合計量を全硬化剤成分の総量に対して０．０５〜２０
ｗｔ％の割合とすると、本発明のエポキシ樹脂組成物を
用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導体
装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリー
ドフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半導
体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもので
ある。

【００３０】またエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
及び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキ
シ化物を含むエポキシ樹脂組成物に、上記一般式（４）
に示す化合物を配合することもできる。このようにする
と、エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型
用の金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプ
レー方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型
との離型性を向上することができ、外部離型剤のコスト
を削減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含
まれる溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を
向上して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリー
ドフレーム等との密着性を向上することができるもので
ある。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用い
る際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の
厚みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装
置の特性ばらつきの発生を抑制することができるもので
ある。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向
上することができるものである。

【００３１】ここでこの上記一般式（４）に示す化合物
の配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して０．０１
〜３ｗｔ％とすると、成形体の密着性と離型製を共にバ
ランス良く向上させることができて、好ましい。

【００３２】硬化促進剤としては上記のようなエポキシ
樹脂と硬化剤との反応を促進する作用を有するものであ
れば特に限定するものではないが、本発明のエポキシ樹
脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには比較的着
色の少ないものが好ましく、例えばトリフェニルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン等の等の有機ホスフィン系
硬化促進剤、２−メチルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等
のイミダゾール系硬化促進剤、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリエタノールアミ
ン、ベンジルメチルアミン等の三級アミン系硬化促進
剤、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ート等の有機塩類等を挙げることができる。これらの硬
化促進剤は、単独で、あるいは二種以上を適宜組み合わ
せて用いることができる。ここで硬化促進剤の配合割合
は、０．０１〜３ｐｈｒとすることが好ましい。

【００３３】また硬化促進剤として、特にジアザビシク
ロアルケン類又はその誘導体とテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促
進剤を用いることが好ましく、更に好ましくは、ジアザ
ビシクロアルケン類又はその誘導体の配合量をα、テト
ラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量を
βとした場合、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導
体とテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドと
の混合比α／βの値を９９／１〜１／９９に調整するも
のである。このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組
成物による成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程
における耐クラック性を更に向上することができる。

【００３４】また硬化促進剤として特にテトラ置換アン
モニウム・カルボン酸塩とテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促進剤
を用いることも好ましく、更に好ましくはテトラ置換ア
ンモニウム・カルボン酸塩の配合量をγ、テトラ置換ホ
スホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量をβとした
場合、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩とテトラ
置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドとの混合比γ
／βの値を９９／１〜１／９９に調整するものである。
このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組成物による
成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程における耐
クラック性を更に向上することができる。

【００３５】ここで上記のジアザビシクロアルケン類又
はその誘導体としては１、８−ジアザビシクロ−（５，
４，０）ウンデセン−７等、テトラ置換ホスホニウム・
テトラ置換ブロマイドとしてはテトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルブロマイド等、テトラ置換アンモ
ニウム・カルボン酸塩としては、テトラフェニルアンモ
ニウム・カルボン酸等を用いることができる。

【００３６】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記に
挙げた成分以外に必要に応じて変色防止剤、劣化防止
剤、染料、シリカ等の無機充填材、シラン系カップリン
グ剤、変性剤、可塑剤、希釈剤等を配合することができ
る。

【００３７】本発明のエポキシ樹脂組成物を調製するに
あたっては、調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が液
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後３本ロール等で
溶融混練して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。また調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が固
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後３本ロール等で
溶融混練したものを冷却固化した後粉砕して粉末状の樹
脂組成物を得るものであり、また更に必要に応じて粉末
状の樹脂組成物をタブレット状に打錠することもでき
る。

【００３８】このようにして得られたエポキシ樹脂組成
物を用いて光半導体装置の製造を行う際には、先ず金属
のリードフレーム上に、ＬＥＤ、フォトトランジスタ
ー、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＥＰＲＯＭ等の光半導
体素子をダイボンディングした後、Ａｕ等の細線ワイヤ
を用いたワイヤボンディング法等で結線して形成したも
のを、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止し、チッ
プ、ワイヤ、及びその接合部を電気的、機械的に外部環
境から保護すると共に、ユーザーが使い易いようにする
ものである。ここで樹脂封止を行うにあたっては、エポ
キシ樹脂組成物が固体状である場合には粉末状又はタブ
レット状のエポキシ樹脂組成物をトランスファー成形す
ることにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行うもので
あり、エポキシ樹脂組成物が液体状である場合にはキャ
スティング、ポッティング、印刷等の方法により注型、
固化することにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行う
ものである。

【００３９】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。 （実施例１乃至８、比較例１）表１に示す各成分を、各
実施例及び比較例について表１に示す割合で配合し、ブ
レンダーにて３０分間混合し、更に加熱ロールにて９０
℃で混練した後冷却固化したものを粉砕して粉末状の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。

【００４０】ここで表中のエポキシ樹脂（ア）はビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製、「エピコート８２８」）、エポキシ樹脂（イ）はビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）製、「エピコート１００１」）、エポキシ樹脂
（ウ）は、上記一般式（１）に示す単位構造（Ｒ₁〜Ｒ₄
は全てＨ）を有するビスフェノールＳ型エポキシ樹脂
（大日本インキ（株）製、「ＥＸＡ１５１４」）、硬化
剤（エ）はテトラヒドロ無水フタル酸無水物（新日本理
化（株）製、「リカシッドＴＨ」）、硬化剤（オ）はヘ
キサヒドロ無水フタル酸無水物（新日本理化（株）製、
「シリカッドＨＨ」）、硬化剤（カ）はフェノール樹脂
（三井東圧（株）製、「ＶＲ９３００」）、硬化剤
（キ）は化学式（２）に示すトリメルカプタン樹脂（Ｒ
₅〜Ｒ₇は全て−ＣＨ₂−）、硬化剤（ク）は化学式
（３）で示され、式中のｎの値の平均が５であるポリサ
ルファイド樹脂、硬化促進剤（ケ）は１，８−ジアザビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、硬化促進剤
（コ）はテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル
ブロマイド、硬化促進剤（サ）はテトラヒドロアンモニ
ウム・カルボン酸塩、離型剤（シ）はベヘン酸アマイド
（日本化成（株）製、「ダイアミッドＢ９０」）、離型
剤（ス）は、上記一般式（５）で示され、式中のｎの値
の平均が４０、ｍの値の平均が２０である炭素数１８〜
５０の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物、インデ
ン化合物（セ）は一般式（４）に示す、式中のｎの値が
５０〜１００のインデン化合物の混合物（新日鐵化学
（株）製、「ＩＰ−１００」）である。

【００４１】上記の各実施例及び各比較例のエポキシ樹
脂組成物を用いて下記の評価試験を行い、その結果を表
に示す。 （光透過性試験）各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂
組成物のトランスファー成形を行った後、１５０℃の温
度で２時間アフターキュアーを行うことによって厚み１
ｍｍのテストピースを作製し、このテストピースに可視
光線を透過させて透過光を分光光度計（（株）日立製作
所製）で検出して、波長９４０ｎｍ及び４００ｎｍの可
視光線の光透過率を測定した。 （耐クラック性試験）各実施例及び各比較例のエポキシ
樹脂組成物にて温度１５０℃、キュア時間１８０秒の条
件でトランスファー成形を行うことによって成形体を成
形し、この成形体の外観を実体顕微鏡にて観察して、下
記評価基準にて評価した。

【００４２】 ○：・・・・クラックなし △：・・・・一個の微小クラックが発生 ×：・・・・二個以上の微小クラック又は一個以上の大
クラックが発生 （耐湿信頼性試験）幅１０μｍ、厚み１μｍの櫛形アル
ミパターンを形成したＴＥＧ（ｔｅｓｔｅｌｅｍｅｎｔ
ｇｒｏｕｐ）を搭載した４２アロイ／銀めっきリード
フレームに、１６ＤＩＰ金型を用いて各実施例及び各比
較例のエポキシ樹脂組成物にて温度１５０℃、キュア時
間１８０秒の条件でトランスファー成形を行うことによ
り樹脂封止を行い、１５０℃で２時間アフターキュアー
を行って性能評価用の１６ＤＩＰパッケージを作製し
た。この１６ＤＩＰパッケージを１０パッケージについ
て１２１℃、１００％ＲＨの条件下で５０時間ＰＣＴ試
験を行った後、オープン不良の有無を測定して、下記評
価基準にて評価した。

【００４３】 ○：・・・・不良なし △：・・・・１〜２個のパッケージにつき不良発生 ×：・・・・３個以上のパッケージにつき不良発生 （密着性試験）上記耐湿信頼性試験におけるＰＣＴ試験
に供する前の１６ＤＩＰパッケージの封止樹脂と素子と
の密着性及びＰＣＴ試験に供した後の１６ＤＩＰパッケ
ージの封止樹脂と素子との密着性を超音波探査装置
（（株）キャノン製）を用いて測定し、下記評価基準に
て評価した。

【００４４】 ○：・・・・剥離なし △：・・・・接触面積の１０％未満の面積の部分に剥離
発生 ×：・・・・接触面積の１０％以上の面積の部分に剥離 （連続成形性評価試験）各実施例及び各比較例のエポキ
シ樹脂組成物にて温度１５０℃、キュア時間１８０秒の
条件で、同一の金型を用いて連続的にトランスファー成
形を行って成形体を成形し、成形体にくもり等の汚れが
発生するまでの成形ショット回数のカウントを行った。

【００４５】

【表１】 表１から判るように、骨格中に上記一般式（１）に示す
単位構造を有するエポキシ樹脂を含有する実施例１及び
２、上記一般式（２）に示す硬化剤を含有する実施例３
及び４、上記一般式（３）に示す硬化剤を含有する実施
例５及び６、並びに上記一般式（４）に示す化合物を含
有する実施例７及び８の、いずれの実施例においても、
比較例１と比べて耐クラック性、密着性、及び耐湿信頼
性が向上し、また光透過性及び連続成形性も良好なもの
であることが確認できた。

【００４６】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に記載の
エポキシ樹脂組成物は、本発明の請求項１に記載のエポ
キシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、及び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエ
トキシ化物を含み、炭素数１８以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対し
て０．０５〜５ｗｔ％含有するエポキシ樹脂組成物にお
いて、骨格中に下記一般式（１）に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂、下記一般式（２）に示す硬化剤、及び
下記一般式（３）に示す硬化剤のうちの、少なくとも一
種のものを含有するため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。

【００４７】また本発明の請求項２に記載のエポキシ樹
脂組成物は、骨格中に上記一般式（１）に示す単位構造
を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量に対して
０．０５〜５０ｗｔ％含有するため、エポキシ樹脂組成
物の成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際
に、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性を
更に向上すると共に、半導体装置の耐湿信頼性を更に向
上することができるものである。

【００４８】また本発明の請求項３に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記一般式（２）及び（３）に示す硬化剤
を、硬化剤全量に対して０．０５〜２０ｗｔ％含有する
ため、エポキシ樹脂組成物の成形体を光半導体装置の封
止樹脂として用いる際に、成形体と素子及びリードフレ
ームとの間の密着性を更に向上すると共に、半導体装置
の耐湿信頼性を更に向上することができるものであるま
た本発明の請求項４に記載のエポキシ樹脂組成物は、エ
ポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数１８以上
の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を含み、炭素
数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を
エポキシ樹脂組成物全量に対して０．０５〜５ｗｔ％含
有するエポキシ樹脂組成物において、上記一般式（４）
に示す化合物を含むため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。

【００４９】また本発明の請求項５に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記一般式（４）に示す化合物を、エポキ
シ樹脂組成物全量に対して０．０１〜３ｗｔ％含有する
ため、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性
及び金型との離型性を共にバランス良く向上することが
できるものである。

【００５０】また本発明の請求項６に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアル
ケン類又はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含
有するため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型か
らの離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更
に向上することができるものである。

【００５１】また本発明の請求項７に記載のエポキシ樹
脂組成部は、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニ
ウム・カルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有す
るため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの
離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更に向
上することができるものである。

【００５２】また本発明の請求項８に記載のエポキシ樹
脂組成物は、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導体
を、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに
対して１／９９〜９９／１の重量比で含有するため、エ
ポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及び
バリ取り工程における耐クラック性を更に向上すること
ができるものである。

【００５３】また本発明の請求項９に記載のエポキシ樹
脂組成物は、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩を
テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに対し
て１／９９〜９９／１の重量比で含有するため、エポキ
シ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及びバリ
取り工程における耐クラック性を更に向上することがで
きるものである。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
   び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
   化物を含み、炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコール
   のエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して０．
   ０５〜５ｗｔ％含有するエポキシ樹脂組成物において、
   骨格中に下記一般式（１）に示す単位構造を有するエポ
   キシ樹脂、下記一般式（２）に示す硬化剤、及び下記一
   般式（３）に示す硬化剤のうちの、少なくとも一種のも
   のを含有して成ることを特徴とするエポキシ樹脂組成
   物。 【化１】 【化２】 【化３】
2. 【請求項２】 骨格中に上記一般式（１）に示す単位構
   造を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量に対して
   ０．０５〜５０ｗｔ％含有して成ることを特徴とする請
   求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 上記一般式（２）及び（３）に示す硬化
   剤を硬化剤全量に対して０．０５〜２０ｗｔ％含有して
   成ることを特徴とする請求項１又は２に記載のエポキシ
   樹脂組成物。
4. 【請求項４】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
   び炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
   化物を含み、炭素数１８以上の直鎖状第一級アルコール
   のエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して０．
   ０５〜５ｗｔ％含有するエポキシ樹脂組成物において、
   下記一般式（４）に示す化合物を含んで成ることを特徴
   とするエポキシ樹脂組成物。 【化４】
5. 【請求項５】 上記一般式（４）に示す化合物を、エポ
   キシ樹脂組成物全量に対して０．０１〜３ｗｔ％含有し
   て成ることを特徴とする請求項４に記載のエポキシ樹脂
   組成物。
6. 【請求項６】 上記硬化促進剤としてジアザビシクロア
   ルケン類又はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウ
   ム・テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を
   含有して成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
   かに記載のエポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】 上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモ
   ニウム・カルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・
   テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有
   して成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
   記載のエポキシ樹脂組成物。
8. 【請求項８】 ジアザビシクロアルケン類又はその誘導
   体を、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイド
   に対して１／９９〜９９／１の重量比で含有して成るこ
   とを特徴とする請求項６に記載のエポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】 テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩
   をテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに対
   して１／９９〜９９／１の重量比で含有して成ることを
   特徴とする請求項７に記載のエポキシ樹脂組成物。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかのエポキシ
    樹脂組成物にて封止されて成ることを特徴とする光半導
    体装置。