JP2006063191A - 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記のようにして得られた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、25mm四方のAgめっき金属板及び42アロイ金属板の表面にそれぞれ、底面が直径3.6mmの円形となるプリン成形品(円錐台状の成形品)を成形した。次に、この成形品を150℃で2時間ポストキュアーした後、上記成形品の各金属板に対する密着力をボンドテスターを用いて測定した。そして、Agめっき金属板については、密着力が20MPa以上であるものを「○」、密着力が10MPa以上20MPa未満であるものを「△」、密着力が10MPa未満であるものを「×」として、密着性を評価した。一方、42アロイ金属板については、密着力が10MPa以上であるものを「○」、密着力が5MPa以上10MPa未満であるものを「△」、密着力が5MPa未満であるものを「×」として、密着性を評価した。結果を下記[表1]に示す。
上記のようにして得られた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、金型温度150℃、キュアー時間120秒でトランスファー成形した後、150℃で2時間ポストキュアーすることによって、光ピックアップパッケージ(大きさ:4mm×5mm×1.8mm厚み)を製造した。次に、このパッケージに85℃/85%RH/20時間の吸湿処理を行った後、235℃ピークのリフローテスト処理を行った。その後、このパッケージにおける剥離やクラックの有無をマイクロスコープによる観察及び超音波探査装置による観察によって確認した。そして、観察したパッケージの総数(100個)に対する不良品の割合を不良率として求め、不良率が0%であるものを「○」、不良率が5%未満であるものを「△」、不良率が5%以上であるものを「×」として、耐リフロー性を評価した。結果を下記[表1]に示す。
Claims (4)
- エポキシ樹脂として、トリグリシジルイソシアヌレートを用いて成ることを特徴とする請求項1に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物全量に対する硬化促進剤の含有量が0.1〜3質量%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で光半導体素子を封止して成ることを特徴とする光半導体装置。
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JP2008031229A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2008081514A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜 |
JP2013209525A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Daicel Corp | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
WO2013153003A1 (de) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierendes bauelement, transparentes material und füllstoffpartikel sowie deren herstellungsverfahren |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008031229A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2008081514A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜 |
JP2013209525A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Daicel Corp | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
WO2013153003A1 (de) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierendes bauelement, transparentes material und füllstoffpartikel sowie deren herstellungsverfahren |
US9748451B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting component, transparent material and filler particles, and method of producing same |
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